專利名稱：吹膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氮化膜的成膜方法。
背景技術(shù)：
一般地對于 半導體器件，根據(jù)最近的高密度化、高集成化的要求，大多使電路構(gòu)成為多層布線結(jié)構(gòu)。該情況下，填埋作為下層器件與上層鋁布線的連接部的接觸孔或作為下層鋁布線與上層鋁布線的連接部的通路孔等的技術(shù)，為了謀求兩者的電連接而變得重要。現(xiàn)有技術(shù)多采用鋁或鎢，然而現(xiàn)有的填埋方案存在附著性差及容易脫落的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，包括以下步驟:向溫度為600°C的處理容器內(nèi)連續(xù)地供給惰性氣體；在上述步驟中，間歇性地供給金屬源氣體同時供給含氮的還原氣體；在上述步驟的間歇期間供給等離子體。在所述金屬源其他的供給期間形成的金屬氮化膜厚度為50nm以下。實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果:
采用本發(fā)明，即時在較高的溫度下進行成膜處理，也可以制成堆積濃度低、電阻率小，不易斷裂的金屬氧化膜。
權(quán)利要求
1.一種吹膜方法，其特征在于，包括以下步驟: 向溫度為600°c的處理容器內(nèi)連續(xù)地供給惰性氣體； 在上述步驟中，間歇性地供給金屬源氣體同時供給含氮的還原氣體； 在步驟b)的間歇期間供給等離子體。
2.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的蒸汽機，其特征在于，在所述金屬源其他的供給期間形成的金屬氮化膜厚度為50nm以下。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種金屬氮化膜的成膜方法，包括以下步驟向溫度為600℃的處理容器內(nèi)連續(xù)地供給惰性氣體；在上述步驟中，間歇性地供給金屬源氣體同時供給含氮的還原氣體；在上述步驟的間歇期間供給等離子體。采用本發(fā)明，即時在較高的溫度下進行成膜處理，也可以制成堆積濃度低、電阻率小，不易斷裂的金屬氧化膜。
文檔編號C23C16/44GK103103496SQ20111035930
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者張圓貞 申請人:張圓貞