專利名稱：一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置及其方法。
背景技術(shù)：
石墨烯(graphene)是由碳原子按照雜化軌道組成的六角型呈蜂巢晶格的二維晶體結(jié)構(gòu)，厚度僅為單層碳原子直徑。由于其獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)以及優(yōu)異的晶體品質(zhì)，石墨烯擁有巨大的比表面積(2630 Hi2g-1)，同時(shí)在導(dǎo)電性(電子遷移率20000 Cm2V4iT1)、導(dǎo)熱性(導(dǎo)熱系數(shù)5300 Wnr1!^)、機(jī)械力學(xué)強(qiáng)度(強(qiáng)度極限42 NnT1)等方面均表現(xiàn)出非常優(yōu)異的特性。 2004年英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的海姆(Geim A.)和諾沃肖洛夫(Novoselov K.)等人首次將石墨烯從石墨中分離出來(lái)GVomseA^ Geim AK, et al. Science, 2004; 306: 666-669)0 基于這種新型納米材料所展現(xiàn)出的優(yōu)異性能和巨大應(yīng)用潛力，兩人共同獲得了 2010年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。專利申請(qǐng)?zhí)枮?01110093737. 9,201110048734. 3,201110060953. 3 等專利文件中
公開(kāi)了石墨烯材料的多種制備方法，但是所獲得的石墨烯均與基底呈平行方向，即多層石墨烯堆疊在基底表面。然而，石墨烯的一些應(yīng)用過(guò)程要求石墨烯豎直生長(zhǎng)在基底表面。例如當(dāng)采用石墨烯作為超級(jí)電容器活性材料時(shí)(IiBer/《Outlaw RA, et al. Science, 2010; 329:只有當(dāng)石墨烯的邊緣面向離子的運(yùn)動(dòng)方向時(shí)才能將石墨烯的表
面充分應(yīng)用于離子存儲(chǔ)。類似的應(yīng)用還包括場(chǎng)致發(fā)射、場(chǎng)電離、鋰離子電池、催化劑載體等。上述應(yīng)用均要求石墨烯豎直生長(zhǎng)在基底表面，以實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯納米級(jí)厚度的邊緣和巨大的比表面積進(jìn)行充分利用。根據(jù)文獻(xiàn)檢索，目前垂直取向石墨烯大多采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (plasma-enhanced chemical vapor d印osition，PECVD)技術(shù)在低壓或真空條件下制備，例如微波等離子體源，133 PaCFw YH, Qiao PV, et al. Advanced Materials, 2002; 14:
；射頻電感耦合等離子體源，12 Pa {Vang JJ, Zhu MY, et al. Applied Physics Letters, 2007; 90: 7恐707)，射頻電容耦合等離子體源，13. 3 Pa (.Hiramatsu M, Shiji K，et al. Applied Physics Letters, 2004; 84: 4708-4710、等。上述等離子體氣相增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積過(guò)程所要求的低壓或真空，嚴(yán)重影響了石墨烯的生長(zhǎng)速度和生長(zhǎng)面積，阻礙了這種優(yōu)質(zhì)納米材料大規(guī)模制備與應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置及其方法?？焖僦苽浯蠓秶怪比∠蚴┑难b置包括加熱爐、多錐電極、高壓負(fù)電電源、石英管、基底、陶瓷絕緣體、和電動(dòng)平移臺(tái)；多錐電極、基底和絕緣陶瓷體布置在石英管內(nèi)，石英管放置在加熱爐內(nèi)；基底面對(duì)多錐電極錐尖；基底與電動(dòng)平移臺(tái)相連；基底接地，多錐電極與高壓負(fù)電電源相連。所述多錐電極為兩套以上錐形電極陣列，相鄰錐形電極平行，之間采用陶瓷絕緣體相隔，間距為1 10毫米。所述多錐電極中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :3 1 :20。所述多錐電極中的每個(gè)錐形電極均采用獨(dú)立的高壓負(fù)電電源3供電。基底與多錐電極錐尖的間距為1 20毫米。所述基底材料為金、銀、銅、鋁、鐵、不銹鋼、硅和碳中一種或多種?？焖僦苽浯蠓秶怪比∠蚴┑姆椒ǖ牟襟E如下
1)打開(kāi)加熱爐，在常壓氫氣和惰性氣體混合氣氛中將基底加熱至600 900°C；
2)保持加熱爐爐溫不變，打開(kāi)高壓負(fù)電電源，調(diào)整供給電壓為1 6千伏，以基底為陽(yáng)極，以多錐電極為陰極，在600 900°C常壓惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩挟a(chǎn)生等離子體并持續(xù)放電，放電電流為0. 1 2毫安；
3)在放電過(guò)程中，保持加熱爐爐溫不變，基底在電動(dòng)平移臺(tái)的驅(qū)動(dòng)下以0.01 1毫米 /秒的速度平移，平移過(guò)程中，保持基底和多錐電極間距不變，放電時(shí)間為30秒 1小時(shí)；
4)放電結(jié)束后，保持加熱爐爐溫不變，基底在氫氣氣氛中還原；
5)還原結(jié)束后，關(guān)閉加熱爐，基底在氫氣和惰性氣體氣氛中冷卻至室溫，并在基底5表面得到垂直取向石墨烯。所述惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩校栊詺怏w和碳?xì)浠衔锏捏w積百分比為0.01 ~ 100 :1，水汽相對(duì)濕度為5 100%。所述惰性氣體為氬氣或氦氣。所述碳?xì)浠衔餅榧淄?、乙烷、乙烯和乙炔中的一種或多種。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果
1)通過(guò)此方法，可以實(shí)現(xiàn)石墨烯在多種導(dǎo)電基底表面的豎直生長(zhǎng)。所獲得的納米片由約1 7層石墨烯組成，總厚度約1 10納米，石墨烯層間距約0. 355納米，生長(zhǎng)方向近似
垂直于基底。2)相比于膠帶剝離法、氧化石墨還原法、碳化硅外延生長(zhǎng)法等石墨烯制備方法，此方法制備的石墨烯近似垂直于基底，尤其適用于場(chǎng)致發(fā)射、納米級(jí)等離子體、催化劑載體和儲(chǔ)能等應(yīng)用。3)此方法可在常壓下實(shí)現(xiàn)，因此在10 30秒左右即可完成石墨烯的初始結(jié)晶， 3 5分鐘左右即可制備出橫向尺寸和高度約0. 5 2微米左右的石墨烯；相比于現(xiàn)有低壓或真空條件下的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，在生長(zhǎng)速度上可以高1 2個(gè)數(shù)量級(jí)。 這種快速生長(zhǎng)減少了氣體前驅(qū)物的用量，以及熱能和電能的消耗，降低了生產(chǎn)成本。4)此方法采用的多錐電極為垂直取向石墨烯在基底上的大面積均勻生長(zhǎng)提供了可能，可以實(shí)現(xiàn)垂直取向石墨烯的大面積批量生產(chǎn)。5)此方法對(duì)基底除要求導(dǎo)電和耐900 0C以上高溫外，無(wú)其它特殊要求，因此可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用要求在多種基底上實(shí)現(xiàn)垂直取向石墨烯的一步式制備。 6 )所獲材料不摻雜額外的催化劑和粘合劑，可直接應(yīng)用于多種物理化學(xué)過(guò)程。
基于此方法的上述優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)此方法可以更快地推動(dòng)石墨烯這種優(yōu)質(zhì)納米材料在工業(yè)界的廣泛應(yīng)用，并能產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。


圖1為快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，加熱爐1、多錐電極2、高壓負(fù)電電源3、石英管4、基底5、陶瓷材料6、電動(dòng)平移臺(tái)7。圖2為本發(fā)明實(shí)施例1在不銹鋼表面制備的垂直取向石墨烯材料的掃描電鏡照片。圖3為本發(fā)明實(shí)施例1在不銹鋼表面制備的垂直取向石墨烯材料的高分辨透射電鏡照片。圖4為本發(fā)明實(shí)施例2在不規(guī)則多孔碳膜表面制備的垂直取向石墨烯材料的掃描電鏡照片。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置包括加熱爐1、多錐電極2、高壓負(fù)電電源3、石英管4、基底5、陶瓷絕緣體6、和電動(dòng)平移臺(tái)7 ；多錐電極2、基底5和絕緣陶瓷體6布置在石英管4內(nèi)，石英管4放置在加熱爐1內(nèi)；基底5面對(duì)多錐電極2錐尖；基底5與電動(dòng)平移臺(tái)7相連；基底5接地，多錐電極2與高壓負(fù)電電源3相連。所述多錐電極2為兩套以上錐形電極陣列，相鄰錐形電極平行，之間采用陶瓷絕緣體6相隔，間距為1 10毫米。所述多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :3 1 :20。所述多錐電極2中的每個(gè)錐形電極均采用獨(dú)立高壓負(fù)電電源3供電。基底5與多錐電極2錐尖的間距為1 20毫米。所述基底材料為金、銀、銅、鋁、鐵、不銹鋼、硅和碳中一種或多種?？焖僦苽浯蠓秶怪比∠蚴┑姆椒ǖ牟襟E如下
1)打開(kāi)加熱爐1，在常壓氫氣和惰性氣體混合氣氛中將基底5加熱至600 900°C；
2)保持加熱爐1爐溫不變，打開(kāi)高壓負(fù)電電源3，調(diào)整供給電壓為1 6千伏，以基底 5為陽(yáng)極，以多錐電極2為陰極，在600 900°C常壓惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩挟a(chǎn)生等離子體并持續(xù)放電，放電電流為0. 1 2毫安；
3)在放電過(guò)程中，保持加熱爐1爐溫不變，基底5在電動(dòng)平移臺(tái)8的驅(qū)動(dòng)下以0.01 1 毫米/秒的速度平移，平移過(guò)程中，保持基底5和多錐電極2間距不變，放電時(shí)間為30秒 1小時(shí)；
4)放電結(jié)束后，保持加熱爐1爐溫不變，基底5在氫氣氣氛中還原；
5)還原結(jié)束后，關(guān)閉加熱爐1，基底5在氫氣和惰性氣體氣氛中冷卻至室溫，并在基底 5表面得到垂直取向石墨烯。所述惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩校栊詺怏w和碳?xì)浠衔锏捏w積百分比為0.01 ~ 100 :1，水汽相對(duì)濕度為5 100%。所述惰性氣體為氬氣或氦氣。所述碳?xì)浠衔餅榧淄?、乙烷、乙烯和乙炔中的一種或多種。下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施例。
實(shí)施例1
1.多錐電極2由包含三根錐形電極的陣列組成，相鄰錐形電極平行，之間采用陶瓷絕緣體6相隔，間距為10毫米，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :10。多錐電極2中的每個(gè)錐形電極均采用獨(dú)立高壓負(fù)電電源3供電。2.選擇厚度0. 025毫米的不銹鋼片為基底5?；?面對(duì)多錐電極2錐尖，間距為20毫米。基底5接地。3.基底5、多錐電極2和陶瓷絕緣體6放置于石英管4內(nèi)，石英管4放置在加熱爐 1內(nèi)。4.基底5與電動(dòng)平移臺(tái)7相連。5.在石英管4內(nèi)通入氫氣和氬氣混合氣體(總流量2000毫升/分鐘；體積比1 1)，并通過(guò)加熱爐1加熱至700 0Co6.在保持700 °(加熱的前提下，關(guān)閉氫氣和氬氣混合氣體，同時(shí)通入氬氣、甲烷和水汽混合氣體?；旌蠚怏w總流量1500毫升/分鐘，氬氣和甲烷體積比為10:1。水汽通過(guò)甲烷鼓泡，并調(diào)整混合氣體相對(duì)濕度為38. 5%。打開(kāi)高壓負(fù)電電源3，調(diào)整供給電壓為4. 6 千伏，在多錐電極2和基底5之間形成等離子體。放電過(guò)程中，基底5在電動(dòng)平移臺(tái)7的驅(qū)動(dòng)下平移，平移速度為0. 01毫米/秒。平移過(guò)程中，保持基底5和多錐電極2錐尖的間距為10毫米不變。放電持續(xù)5分鐘后關(guān)閉高壓電源3。7.關(guān)閉氬氣、甲烷和水汽混合氣體，同時(shí)通入氫氣，氫氣流量為1500毫升/分鐘， 保持爐溫700 °C，進(jìn)行還原，持續(xù)時(shí)間30分鐘。8.通入氫氣和氬氣混合氣體(總流量2000毫升/分鐘；體積比1 :1)。關(guān)閉加熱爐1，自然降溫。當(dāng)溫度低于50 °C時(shí)，關(guān)閉氫氣和氬氣混合氣體，取出樣品，即可在基底5 表面得到垂直取向石墨烯。通過(guò)上述步驟，可在不銹鋼基底表面均勻覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。圖2 所示為不銹鋼表面的垂直取向石墨烯材料掃描電鏡照片。如圖2所示，石墨烯納米片沿近似豎直方向生長(zhǎng)在不銹鋼基底表面，每片石墨烯納米片高度約300納米，橫向長(zhǎng)度約750納米。圖3所示為不銹鋼表面的垂直取向石墨烯材料高分辨透射電鏡照片。如圖3所示，每片納米片總厚度約2納米，由1 7層石墨烯組成，層間距離約0. 355納米。實(shí)施例2
重復(fù)實(shí)施例1，其不同之處僅在于在步驟1中，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :20，平行錐形電極間距為5毫米；在步驟2中，選擇不規(guī)則多孔碳膜作為基底，基底和多錐電極錐尖間距為10毫米；在步驟5中，通過(guò)加熱爐加熱至800 0C ；在步驟6中，保持800 °C加熱，混合氣體相對(duì)濕度為55. 2%，保持基底和多錐電極錐尖的間距為10毫米不變，放電電壓3. 5千伏，平移速度為1毫米/秒，放電持續(xù)時(shí)間為30秒；在步驟7中，保持爐溫800 0C。通過(guò)上述步驟，可在不規(guī)則多孔碳膜表面均勻覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。圖3所示為不規(guī)則碳膜表面的垂直取向石墨烯材料掃描電鏡照片。如圖3所示，石墨烯納米片沿近似豎直方向生長(zhǎng)在不規(guī)則碳膜表面，每片石墨烯納米片高度約100納米，橫向長(zhǎng)度約200納米。實(shí)施例3重復(fù)實(shí)施例1，其不同之處僅在于在步驟1中，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :3，平行錐形電極間距為10毫米；在步驟2中，選擇厚度0. 025毫米的金箔作為基底， 基底和多錐電極錐尖間距為20毫米；在步驟5中，通過(guò)加熱爐加熱至600 0C ；在步驟6中， 保持600 °C加熱，混合氣體相對(duì)濕度為31. 4%，保持基底和多錐電極錐尖的間距為20毫米不變，平移速度為0.01毫米/秒，放電電壓6千伏，放電持續(xù)時(shí)間為1小時(shí)；在步驟7中，保持爐溫600 0C。 通過(guò)上述步驟，可在金箔覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。實(shí)施例4
重復(fù)實(shí)施例1，其不同之處僅在于在步驟1中，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :15，平行錐形電極間距為1毫米；在步驟2中，選擇厚度0. 025毫米的銀片作為基底， 基底和多錐電極錐尖間距為8毫米；在步驟5中，通過(guò)加熱爐加熱至900 0C ；在步驟6中， 保持900 0C加熱，混合氣體相對(duì)濕度為45. 8%，保持基底和多錐電極錐尖的間距為8毫米不變，平移速度為0. 03毫米/秒，放電電壓3千伏，放電持續(xù)時(shí)間為15分鐘；在步驟7中， 保持爐溫900 °C。通過(guò)上述步驟，可在銀片表面均勻覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。實(shí)施例5
重復(fù)實(shí)施例1，其不同之處僅在于在步驟1中，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :20，平行錐形電極間距為5毫米；在步驟2中，選擇厚度為0. 025毫米的鋁箔作為基底， 基底和多錐電極錐尖間距為10毫米；在步驟5中，通過(guò)加熱爐加熱至750 0C ；在步驟6中， 保持750 °C加熱，氬氣和甲烷體積比為0.01 :1，混合氣體相對(duì)濕度為5%，保持基底和多錐電極錐尖的間距為5毫米不變，平移速度為0. 01毫米/秒，放電電壓3. 5千伏，放電持續(xù)時(shí)間為1小時(shí)；在步驟7中，保持爐溫750 °C。通過(guò)上述步驟，可在鋁箔表面均勻覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。實(shí)施例6
重復(fù)實(shí)施例1，其不同之處僅在于在步驟1中，多錐電極2中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :20，平行錐形電極間距為2毫米；在步驟2中，選擇厚度為0. 025毫米的銅片作為基底， 基底和多錐電極錐尖間距為2毫米；在步驟6中，通入氦氣、乙炔和水汽混合氣體，氦氣和乙炔體積比為100 :1，混合氣體相對(duì)濕度為100%，保持基底和多錐電極錐尖的間距為2毫米不變，放電電壓1千伏，放電持續(xù)時(shí)間為3分鐘。通過(guò)上述步驟，可在銅片表面均勻覆蓋一層垂直取向石墨烯納米片層。顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅是為了說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例，而非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式或?qū)嵤┎牧系南薅āＪ聦?shí)上，本方法可實(shí)施在多種導(dǎo)電且能耐900 °C以上高溫的材料，在此無(wú)法予以窮舉。凡屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引申的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)，以及基底材料的變換，仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。
權(quán)利要求
1.一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是包括加熱爐(1)、多錐電極 (2)、高壓負(fù)電電源(3)、石英管(4)、基底(5)、陶瓷絕緣體(6)和電動(dòng)平移臺(tái)(7)；多錐電極 (2)、基底(5)和絕緣陶瓷體(6)布置在石英管(4)內(nèi)，石英管(4)放置在加熱爐(1)內(nèi)；基底 (5)面對(duì)多錐電極(2)錐尖；基底(5)與電動(dòng)平移臺(tái)(7)相連；基底(5)接地，多錐電極(2) 與高壓負(fù)電電源(3)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是所述多錐電極(2)為兩套以上錐形電極陣列，相鄰錐形電極平行，之間采用陶瓷絕緣體6相隔，間距為1 10毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是所述多錐電極(2)中的單個(gè)錐形電極的錐度為1 :3 1 :20。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是所述多錐電極(2)中的每個(gè)錐形電極均采用獨(dú)立的高壓負(fù)電電源3供電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是基底(5)與多錐電極(2)錐尖的間距為1 20毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置，其特征是所述基底材料為金、銀、銅、鋁、鐵、不銹鋼、硅和碳中一種或多種。
7.一種使用如權(quán)利要求1所述裝置的快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法，其特征是它的步驟如下1)打開(kāi)加熱爐(1)，在常壓氫氣和惰性氣體混合氣氛中將基底(5)加熱至600 900°C；2)保持加熱爐(1)爐溫不變，打開(kāi)高壓負(fù)電電源(3)，調(diào)整供給電壓為1 6千伏，以基底(5)為陽(yáng)極，以多錐電極(2)為陰極，在600 900°C常壓惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩挟a(chǎn)生等離子體并持續(xù)放電，放電電流為0. 1 2毫安；3)在放電過(guò)程中，保持加熱爐(1)爐溫不變，基底(5)在電動(dòng)平移臺(tái)(7)的驅(qū)動(dòng)下以 0. 01 1毫米/秒的速度平移，平移過(guò)程中，保持基底5和多錐電極2間距不變，放電時(shí)間為30秒 1小時(shí)；4)放電結(jié)束后，保持加熱爐(1)爐溫不變，基底(5)在氫氣氣氛中還原；5)還原結(jié)束后，關(guān)閉加熱爐(1)，基底(5)在氫氣和惰性氣體氣氛中冷卻至室溫，并在基底(5)表面得到垂直取向石墨烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法，其特征是 所述惰性氣體、碳?xì)浠衔锖退旌蠚夥罩?，惰性氣體和碳?xì)浠衔锏捏w積百分比為 0. 01 100 :1，水汽相對(duì)濕度為5 100%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法，其特征是所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法，其特征是所述碳?xì)浠衔餅榧淄?、乙烷、乙烯和乙炔中的一種或多種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置及其方法。它包括加熱爐、多錐電極、高壓負(fù)電電源、石英管、基底、陶瓷絕緣體和電動(dòng)平移臺(tái)；多錐電極、基底和陶瓷絕緣體布置在石英管內(nèi)，石英管放置在加熱爐內(nèi)；基底面對(duì)多錐電極錐尖；基底與電動(dòng)平移臺(tái)相連；基底接地，多錐電極與高壓負(fù)電電源相連。制備過(guò)程由基底加熱、基底平移并與多錐電極之間氣體放電、基底還原、以及基底降溫等四個(gè)步驟組成。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)垂直取向石墨烯在基底表面的一步式常壓快速大面積生長(zhǎng)，無(wú)需催化劑或粘合劑。所獲石墨烯納米片近似垂直于基底表面，尤其適用于場(chǎng)致發(fā)射、納米級(jí)等離子體、超級(jí)電容器和二次電池等應(yīng)用。
文檔編號(hào)C23C16/26GK102560437SQ201110457518
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者嚴(yán)建華, 岑可法, 池涌, 王智化, 薄拯 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)