沉積裝置以及使用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法
【專利摘要】一種沉積裝置，包括：沉積源，用于接收沉積材料；和多個(gè)噴嘴，沿著第一方向設(shè)置在沉積源的一側(cè)以用于將沉積材料噴射到相對的基板上。沉積源包括：中心區(qū)域和外側(cè)區(qū)域，其中外側(cè)區(qū)域位于中心區(qū)域的、有關(guān)于第一方向的相應(yīng)端部。噴嘴包括：第一噴嘴，設(shè)置在各個(gè)外側(cè)區(qū)域并且從沉積源往向外延伸，形成第一噴嘴的一端部的表面在第一方向上與基板表面形成第一傾斜角。
【專利說明】沉積裝置以及使用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)施方式涉及沉積裝置以及使用該裝置制造有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示器的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示器具有寬視角、優(yōu)異的對比度和快的響應(yīng)速度。因此，有機(jī)發(fā)光顯示器作為下一代顯示設(shè)備而備受矚目。
[0003]通常，有機(jī)發(fā)光顯示器具有將發(fā)光層插入到陽極與陰極之間以呈現(xiàn)色彩的結(jié)構(gòu)。從陽極和陰極發(fā)射的空穴和電子在發(fā)光層中重新結(jié)合從而實(shí)現(xiàn)光發(fā)射。此外，為了提供更好的發(fā)光效率，可以選擇性地將中間層插入到各個(gè)電極與發(fā)光層之間，例如選擇性地將電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)插入到各個(gè)電極與發(fā)光層之間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施方式涉及沉積裝置，包括:用于接收沉積材料的沉積源；和沿著第一方向設(shè)置在沉積源的一側(cè)以用于將沉積材料噴射到相對的基板上的多個(gè)噴嘴。沉積源包括中心區(qū)域和多個(gè)外側(cè)區(qū)域，其中外側(cè)區(qū)域位于中心區(qū)域在第一方向上的相應(yīng)端部。多個(gè)噴嘴包括多個(gè)第一噴嘴，設(shè)置在所述多個(gè)外側(cè)區(qū)域并且從沉積源向外延伸，用于形成第一噴嘴的一端部的表面在第一方向上與基板表面形成第一傾斜角。
[0005]基板在第一方向上的中心可以與沉積源在第一方向上的中心對齊。沉積源的中心區(qū)域在第一方向上可以具有滿足如下條件的長度:
【權(quán)利要求】
1.一種沉積裝置，包括: 沉積源，用于接納沉積材料；以及 多個(gè)噴嘴，沿著第一方向設(shè)置在所述沉積源的一側(cè)以用于將所述沉積材料噴射到相對的基板上， 其中， 所述沉積源包括中心區(qū)域和多個(gè)外側(cè)區(qū)域，其中所述外側(cè)區(qū)域位于所述中心區(qū)域在所述第一方向上的相應(yīng)端部；并且 所述多個(gè)噴嘴包括多個(gè)第一噴嘴，所述第一噴嘴設(shè)置在所述多個(gè)外側(cè)區(qū)域并且從所述沉積源向外延伸，其中用于形成每個(gè)所述第一噴嘴的一端部的表面在所述第一方向上與基板表面形成第一傾斜角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中， 在所述第一方向上的所述基板的中心與在所述第一方向上的所述沉積源的中心對齊，并且 所述沉積源的所述中心區(qū)域在所述第一方向的長度滿足如下條件:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中， 所述第一傾斜角在43至53度范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中， 所述第一傾斜角在25至35度范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積裝置，其中， 設(shè)置在所述中心區(qū)域的所述多個(gè)第二噴嘴在所述沉積源的外側(cè)方向上傾斜，從而使得用于形成各個(gè)所述第二噴嘴的一端部的表面在所述第一方向上相對于所述基板表面具有第二傾斜角，并且 所述第二傾斜角小于所述第一傾斜角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中， 在所述第一方向上，多個(gè)所述第一噴嘴相對于所述沉積源的中心被對稱地設(shè)置。
7.—種有機(jī)發(fā)光顯不器的制造方法,包括: 提供沉積裝置，其包括用于接納沉積材料的沉積源和沿著第一方向設(shè)置在所述沉積源的一側(cè)以用于將所述沉積材料噴射到基板上的多個(gè)噴嘴； 將所述基板設(shè)置成面對所述噴嘴；以及 當(dāng)在與第一方向相交的第二方向上移動所述沉積源期間，通過所述噴嘴噴射所述沉積材料， 其中， 所述沉積源包括中心區(qū)域和多個(gè)外側(cè)區(qū)域，其中所述外側(cè)區(qū)域位于所述中心區(qū)域在所述第一方向上的相應(yīng)端部；并且所述多個(gè)噴嘴的多個(gè)第一噴嘴設(shè)置在各個(gè)外側(cè)區(qū)域，在所述第一方向上以第一傾斜角從所述沉積源噴射所述沉積材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中， 所述第一噴嘴包括:用于形成其一端部的表面，所述表面相對于所述基板的表面在外側(cè)方向上傾斜，并且在所述第一方向上具有第一傾斜角。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中， 所述基板在所述第一方向上的中心與所述沉積源在所述第一方向上的中心對齊，并且 所述中心區(qū)域在所述第一方向上具有滿足如下條件的長度:
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中， 所述第一傾斜角在43至53度范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中， 所述第一傾斜角在25至35度范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中， 在所述第一方向上，所述第一噴嘴相對于所述沉積源的中心被對稱地設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中， 第二噴嘴設(shè)置在所述中心區(qū)域并且在所述沉積源的外側(cè)方向上傾斜， 形成所述第二噴嘴的一端部的表面在所述第一方向上相對于所述基板表面具有第二傾斜角，并且 所述第二傾斜角小于所述第一傾斜角。
【文檔編號】C23C16/455GK103710682SQ201310362008
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月9日
【發(fā)明者】李相信 申請人:三星顯示有限公司