本發(fā)明涉及蒸鍍設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種掩膜框架、該掩膜框架的制造方法和一種包括所述掩膜框架的掩膜板。

背景技術(shù)：

在形成有機發(fā)光二極管顯示面板時，需要用到蒸鍍工藝。在蒸鍍工藝中，為了形成特定的圖形，需要用到掩膜板。為了提高生產(chǎn)效率，通常在一個大的母板上進行蒸鍍，然后將母板切割成多個小的陣列基板。相應(yīng)地，掩膜板包括掩膜框架和多個掩膜條。掩膜條上形成有多個通孔，并且掩膜條固定在掩膜框架上。掩膜條上形成有多個通孔，蒸鍍材料透過通孔沉積在母板上，以獲得相應(yīng)的圖形。

為了保證掩膜條上應(yīng)力處處相等，減少褶皺的產(chǎn)生，在掩膜條的邊緣上也形成有通孔。但是，在沉積材料時，母板上與掩膜條的邊緣對應(yīng)的部分不需要沉積材料，因此，需要利用遮擋條對掩膜條的邊緣進行遮擋。

圖1中所示的是掩膜框架的主框架的示意圖，如圖所示，所述主框架上形成有沿厚度方向貫穿主框架100的蒸鍍區(qū)A，主框架100上設(shè)置有多對第一容納槽110，同一對第一容納槽包括兩個第一容納槽110，兩個第一容納槽110分別位于蒸鍍區(qū)A第一方向(圖1中的上下方向)的兩側(cè)。在圖1中所示的實施方式中，主框架上設(shè)置有三對第一容納槽110。所述第一容納槽用于容納遮擋條的兩個端部，具體地，所述遮擋條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個第一容納槽中。

在固定遮擋條時，首先需要對容納槽的位置進行對位，對位準確后，將遮擋條焊接在容納槽內(nèi)。在對位時，利用容納槽的側(cè)壁作為對位基準。但是，容納槽側(cè)壁難以識別，容易造成對位不準確。此外，當掩膜板使用一段時間后，遮擋條可能會損壞，此時需要對遮擋條進行更換，更換時，需要將損壞了的遮擋條拆下，然后對第一容納槽內(nèi)的焊點進行打磨，重新焊接沒有損壞的遮擋條。但是，對第一容納槽內(nèi)的焊點進行打磨也容易使得第一容納槽的側(cè)壁變成圓角，更加難以識別。

因此，如何將第一容納槽與遮擋條進行精確對位成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜框架、該掩膜框架的制造方法和一種包括所述掩膜框架的掩膜板。在所述掩膜框架上，遮擋條定位精確。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種掩膜框架，所述掩膜框架包括主框架和多個遮擋條，所述主框架上形成有沿厚度方向貫穿所述主框架的蒸鍍區(qū)，所述主框架上設(shè)置有多對第一容納槽，同一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第一方向的兩側(cè)，每個所述遮擋條對應(yīng)一對所述第一容納槽，所述遮擋條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個第一容納槽中，其中，所述掩膜框架包括至少一對第一定位孔，每對所述第一定位孔對應(yīng)一對所述第一容納槽，且同一對所述第一定位孔中的兩個第一定位孔分別與相應(yīng)的一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽位置對應(yīng)。

優(yōu)選地，所述主框架上設(shè)置有多對第二容納槽和多個支撐條，兩個所述第二容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第二方向的兩側(cè)，所述第一方向和所述第二方向互相垂直，每個支撐條對應(yīng)一對第二容納槽，所述支撐條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個第二容納槽中。

優(yōu)選地，所述掩膜框架包括至少一對第二定位孔，每對所述第二定位孔對應(yīng)一對所述第二容納槽，且同一對所述第二定位孔中的兩個第二定位孔分別與相應(yīng)的一對第二容納槽中的兩個第二容納槽位置對應(yīng)。

優(yōu)選地，所述主框架包括框架本體和開放式掩膜板，所述開放式掩膜板上形成有所述第一定位孔和所述第二定位孔，所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)，所述第一容納槽形成在所述框架本體上，所述框架本體上還形成有環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)的第三容納槽，所述開放式掩膜板設(shè)置在所述第三容納槽中。

優(yōu)選地，所述主框架包括框架本體和兩個第一定位條，所述第一定位條上形成有多個所述第一定位孔，所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)，所述第一容納槽形成在所述框架本體上，所述蒸鍍區(qū)的第一方向的兩側(cè)各形成一個第四容納槽，兩個所述第一定位條分別設(shè)置在兩個所述第四容納槽中。

優(yōu)選地，所述主框架還包括兩個第二定位條，所述第二定位條上形成有多個所述第二定位孔，所述第二容納槽形成在所述框架本體上，所述蒸鍍區(qū)的第二方向的兩側(cè)各形成一個第五容納槽，兩個所述第二定位條分別設(shè)置在兩個所述第五容納槽中。

優(yōu)選地，所述主框架包括框架本體，所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)，所述第一容納槽、所述第二容納槽、所述第一定位孔和所述第二定位孔均形成在所述框架本體上。

優(yōu)選地，所述掩膜框架設(shè)置所述遮擋條和所述支撐條的表面形成為平整的安裝表面。

作為本發(fā)明的另一方面，提供一種掩膜板，所述掩膜板包括掩膜框架和多個掩膜條，其中，所述掩膜框架為本發(fā)明所提供的上述掩膜框架，多個所述掩膜條固定在所述主框架上，且一個所述掩膜條位于相鄰兩個所述遮擋條之間，所述掩膜條的邊緣區(qū)與所述遮擋條重疊。

作為本發(fā)明的還一方面，提供一種掩膜框架的制造方法，其中，所述掩膜框架包括至少一對第一定位孔，所述制造方法包括：

提供主框架，所述主框架上設(shè)置有多對第一容納槽，同一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第一方向的兩側(cè)，每對所述第一定位孔對應(yīng)一對所述第一容納槽，且同一對所述第一定位孔中的兩個第一定位孔分別與相應(yīng)的一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽位置對應(yīng)；

以所述第一定位孔為基準，對與所述第一定位孔對應(yīng)的第一容納槽與遮擋條進行對位，對位準確后，將所述遮擋條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對所述第一容納槽中的兩個第一容納槽中。

優(yōu)選地，所述掩膜框架包括至少一對第二定位孔，每對所述第二定位孔對應(yīng)一對所述第二容納槽，且同一對所述第二定位孔中的兩個第二定位孔分別與相應(yīng)的一對第二容納槽中的兩個第二容納槽位置對應(yīng)，所述制造方法還包括：

以第二定位孔為基準，對與所述第二定位孔對應(yīng)的第二容納槽與支撐條進行對位，對位準確后，將所述支撐條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對所述第二容納槽中的兩個第一容納槽中。

與第一容納槽的邊界相比，第一定位孔的邊界更加清楚，容易識別，并且，即便在更換破損遮擋條時對第一容納槽內(nèi)的焊點進行打磨也不會影響第一定位孔的邊界。因此，在以第一定位孔為基準對遮擋條進行對位時，可以將遮擋條精確地焊接在第一容納槽中，從而可以對設(shè)置在所述掩膜框架上的掩膜條的邊緣部進行遮擋，并且，由于遮擋條位置焊接精確，從而可以為掩膜條設(shè)計提供了較大的預(yù)偏量。因此，在利用包括所述掩膜框架的掩膜板進行蒸鍍時，可以在襯底基板上形成更加精確的圖形。

附圖說明

附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有的掩膜框架中的主框架的示意圖；

圖2a是本發(fā)明所提供的掩膜框架中主框架的一種實施方式的示意圖；

圖2b是圖2a的I-I剖視圖；

圖3a是本發(fā)明所提供的掩膜框架中主框架的另一種實施方式的示意圖；

圖3b是圖3a的II-II剖視圖；

圖3c是圖3a的III-III剖視圖；

圖4是本發(fā)明所提供的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標記說明

100：主框架 110：第一容納槽

200：主框架 200a：框架本體

200b：開放式掩膜板 200c：第一定位條

200d：第二定位條 A：蒸鍍區(qū)

210：第一容納槽 210a：第一定位孔

220：第二容納槽 220a：第二定位孔

300：掩膜條 400：遮擋條

500：支撐條

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行詳細說明。應(yīng)當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

作為本發(fā)明的一個方面，提供一種掩膜框架，如圖2所示，所述掩膜框架包括主框架200和多個遮擋條(未示出)，主框架200上形成有沿厚度方向貫穿該主框架的蒸鍍區(qū)A。主框架200上設(shè)置有多對第一容納槽，同一對第一容納槽中兩個第一容納槽210分別位于蒸鍍區(qū)A第一方向(圖2中的上下方向)的兩側(cè)，每個所述遮擋條對應(yīng)一對第一容納槽。所述遮擋條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個第一容納槽210中，其中，所述掩膜框架包括至少一對第一定位孔210a，每對第一定位孔210a對應(yīng)一對第一容納槽210，且同一對第一定位孔210a中的兩個第一定位孔分別與相應(yīng)的一對第一容納槽210中的兩個所述第一容納槽位置對應(yīng)。

在焊接遮擋條時，可以將第一定位孔210a作為相應(yīng)的第一容納槽210的對位基準。由于第一定位孔210a的邊界是封閉圖形，與第一容納槽210的側(cè)壁邊緣相比，第一定位孔210a的邊緣更加容易識別。并且，利用第一定位孔210a作為定位基準，可以排除設(shè)備精度對焊接精度的影響和打磨修復(fù)時對識別邊界的損傷。因此，在將遮擋條焊接在第一容納槽中之前，可以將遮擋條與第一定位孔進行精確的對位，并且可以確保遮擋條精確地焊接在第一容納槽中。

當遮擋條發(fā)生損壞時，可以將破損的遮擋條從第一容納槽中拆除。對第一容納槽內(nèi)的焊點進行打磨的過程中，不會打磨到第一定位孔，因此，更換新的遮擋條時，仍然可以以第一定位孔為基準對新的遮擋條進行定位，從而將遮擋條定位精確地固定在主框架上。

由于遮擋條精確地焊接在第一容納槽中，從而可以對設(shè)置在所述掩膜框架上的掩膜條的邊緣部進行遮擋，并且，由于遮擋條位置焊接精確，從而可以為掩膜條設(shè)計提供了較大的預(yù)偏量。因此，在利用包括所述掩膜框架的掩膜板進行蒸鍍時，可以在襯底基板上形成更加精確的圖形。

優(yōu)選地，每對第一容納槽都對應(yīng)有相應(yīng)的一對所述第一定位孔，從而可以對所有的遮擋條進行精確定位。

容易理解的是，在蒸鍍形成顯示基板時，通常在一個面積較大的襯底基板上蒸鍍形成多個顯示基板的圖形。相應(yīng)地，需要主框架的尺寸與所述襯底基板對應(yīng)，此種情況中，所述主框架上焊接有多個掩膜條，每個掩膜條都具有一定的下垂量，為了防止掩膜條下垂量過大，需要對掩膜條進行橫向支撐，優(yōu)選地，可以在主框架上設(shè)置支撐條，支撐條可以對掩膜條進行橫向支撐，減少掩膜條的下垂量，使得掩膜條與基板更好的貼合。

除了支撐作用外，支撐條的另一作用是遮擋掩膜條上的一些通孔。

相應(yīng)地，如圖2中所示，所述主框架上設(shè)置有多對第二容納槽和多個支撐條，兩個第二容納槽220分別位于蒸鍍區(qū)A第二方向(圖2中的左右方向)的兩側(cè)，所述第一方向和所述第二方向互相垂直。每個支撐條對應(yīng)一對第二容納槽220，所述支撐條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個第二容納槽中。

設(shè)置了支撐條后，可以增加主框架的剛性，防止主框架變形，同時對掩膜條進行了橫向支撐，防止掩膜條變形。并且，掩膜條上與支撐條位置相重疊的區(qū)域的蒸鍍通孔被遮擋，蒸鍍的材料不會穿過支撐條到達襯底基板上，從而可以在相鄰兩個顯示基板之間形成間隔。因此，設(shè)置支撐條也有利于在襯底基板上蒸鍍形成精確的圖形。

為了將支撐條精確地設(shè)置在第二容納槽內(nèi)，優(yōu)選地，所述掩膜框架包括至少一對第二定位孔220a，每對第二定位孔220a對應(yīng)一對第二容納槽220，且同一對第二定位孔中的兩個第二定位孔分別與相應(yīng)的一對第二容納槽中的兩個第二容納槽位置對應(yīng)。

與第一定位孔210a類似，第二定位孔220a邊界明顯便于識別，有利于支撐條與第二容納槽220之間的精確對位。并且，當支撐條發(fā)生破損時，拆除破損的支撐條后對第二容納槽內(nèi)的焊點進行打磨也不會對第二定位孔220a造成影響。再次焊接新的支撐條時，仍然可以以第二定位孔220a為基準進行精確的對位。

在本發(fā)明中，對如何獲得第一定位孔210a和第二定位孔220a并沒有特殊的限制，例如，可以在加工主框架時，在第一容納槽210相對應(yīng)的位置加工第一定位孔210a，并在第二容納槽220相對應(yīng)的位置加工第二定位孔220a。

或者，可以將第一定位孔210a和第二定位孔220a設(shè)置在輔助框架上，然后將輔助框架固定在主框架200上，并使得第一定位孔210a的位置與第一容納槽210相對應(yīng)、第二定位孔220a的位置與第二容納槽220相對應(yīng)。

為了簡化制造工藝，優(yōu)選地，如圖2a所示，主框架200包括框架本體200a和開放式掩膜板200b。此處所述的開放式掩膜板200b與蒸鍍共有層的開放式掩膜板類似，通過商購即可獲得。在這種實施方式作用，開放式掩膜板本身只有一個外框，且開口區(qū)的位置大小與蒸鍍區(qū)A大小相當，并且，開放式掩膜板本身設(shè)置有定位孔，因此，將開放式掩膜板上的定位孔用作所述第一定位孔和所述第二定位孔即可。

如圖2a所示，框架本體200a環(huán)繞蒸鍍區(qū)A，第一容納槽210形成在框架本體200a上，框架本體200a上還形成有環(huán)繞蒸鍍區(qū)A的第三容納槽，開放式掩膜板200b設(shè)置在所述第三容納槽中。

將開放式掩膜板200b設(shè)置在第三容納槽內(nèi)的優(yōu)點在于，可以容納開放式掩膜板200b，防止開放式掩膜板從框架本體的上表面凸出，從而可以確保固定在框架本體200a上的掩膜條的平整性，并保證獲得精確的蒸鍍圖形。

圖2b是圖2a的I-I剖視圖，從圖中可以看出，開放式掩膜板200b設(shè)置在第三容納槽中。

作為另一種實施方式，如圖3a所示，主框架200包括框架本體200a和兩個第一定位條200c。該第一定位條200c上形成有多個第一定位孔210a，框架本體200a環(huán)繞蒸鍍區(qū)A，第一容納槽210形成在框架本體200a上，蒸鍍區(qū)A的第一方向的兩側(cè)各形成一個第四容納槽，兩個第一定位條200c分別設(shè)置在兩個所述第四容納槽中。

圖3b中所示的是圖3a的II-II剖視圖，從圖中可以看出，第一定位條200c設(shè)置在第四容納槽中。

在本發(fā)明中，可從開放式掩膜板上切割一部分，以形成第一定位條。

優(yōu)選地，所述主框架還包括兩個第二定位條200d，該第二定位條200d上形成有多個第二定位孔220a，第二容納槽220形成在框架本體200a上，所述蒸鍍區(qū)的第二方向的兩側(cè)各形成一個第五容納槽(未示出)，兩個第二定位條200d分別設(shè)置在兩個所述第五容納槽中。

此處，可從開放式掩膜板上切割一部分，以形成第二定位條200d。

圖3c中所示的是圖3a的III-III剖視圖，從圖中可以看出，第二定位條200d設(shè)置在第五容納槽中。

在圖3a中所示的具體實施方式中，將開放式掩膜板切割成四部分，分別形成兩個第一定位條和兩個第二定位條。

在本發(fā)明所提供的優(yōu)選實施方式中，第三容納槽、第四容納槽、第五容納槽的深度均大于第一容納槽的深度，也均大于第二容納槽的深度。

作為本發(fā)明的另外一種方式，可以直接在框架本體上加工形成所述第一定位孔和所述第二定位孔。具體地，所述主框架包括框架本體，所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)，所述第一容納槽、所述第二容納槽、所述第一定位孔和所述第二定位孔均形成在所述框架本體上。

為了防止掩膜條表面出現(xiàn)不平整，優(yōu)選地，遮擋條和支撐條的表面均不高于所述主框架的表面。具體地，遮擋條的厚度可以小于或者等于第一容納槽的深度；所述支撐條的厚度小于或等于所述第二容納槽的深度。

作為本發(fā)明的第二個方面，提供一種掩膜板，如圖4所示，所述掩膜板包括掩膜框架和多個掩膜條300，其中，所述掩膜框架為本發(fā)明所提供的上述掩膜框架，多個掩膜條300固定在所述主框架上，且一個遮擋條400位于相鄰兩個掩膜條300之間，掩膜條300的邊緣區(qū)與遮擋條400重疊。

本發(fā)明中，掩膜條300的邊緣部上形成有通孔，從而使得整個掩膜條上應(yīng)力分布均勻，不會出現(xiàn)變形等現(xiàn)象。

如上文中所述，由于所述掩膜框架上設(shè)置有與所述第一容納槽相對應(yīng)的第一定位孔，因此，可以將遮擋條400精確地定位在第一容納槽內(nèi)。遮擋條400精確定位后，可以有效地阻擋透過邊緣區(qū)通孔的蒸鍍材料沉積在待加工的襯底基板上，從而可以提高形成在襯底基板上的圖形的精度。

在圖4中，虛線L表示的即為相鄰兩個掩膜條300的交接線。

由于所述掩膜框架上設(shè)置有與所述第二容納槽對應(yīng)的第二定位孔，因此，可以將支撐條500精確地定位在第二容納槽內(nèi)。

由于所述掩膜板中支撐條和遮擋條定位精確，因此，可以對掩膜條之間的間隙進行準確的遮擋，從而可以在襯底基板上形成精確的圖形。

作為本發(fā)明的還一個方面，提供一種掩膜框架的制造方法，其中，所述掩膜框架包括至少一對第一定位孔，所述制造方法包括：

提供主框架，所述主框架上設(shè)置有多對第一容納槽，同一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第一方向的兩側(cè)，每對所述第一定位孔對應(yīng)一對所述第一容納槽，且同一對所述第一定位孔中的兩個第一定位孔分別與相應(yīng)的一對第一容納槽中的兩個所述第一容納槽位置對應(yīng)；

以所述第一定位孔為基準，對與所述第一定位孔對應(yīng)的第一容納槽與遮擋條進行對位，對位準確后，將所述遮擋條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對所述第一容納槽中的兩個第一容納槽中。

如上文中所述，由于第一定位孔的邊界是封閉圖形，與第一容納槽210的側(cè)壁邊緣相比，第一定位孔的邊緣更加容易識別。并且，利用第一定位孔作為定位基準，可以排除設(shè)備精度對焊接精度的影響和打磨修復(fù)時對識別邊界的損傷。因此，在將遮擋條焊接在第一容納槽中之前，可以將遮擋條與第一定位孔進行精確的對位，并且可以確保遮擋條精確地焊接在第一容納槽中。

當遮擋條發(fā)生損壞時，可以將破損的遮擋條從第一容納槽中拆除。對第一容納槽內(nèi)的焊點進行打磨的過程中，不會打磨到第一定位孔，因此，更換新的遮擋條時，仍然可以以第一定位孔為基準對新的遮擋條進行定位，從而將遮擋條定位精確地固定在主框架上。

由于遮擋條精確地焊接在第一容納槽中，從而可以對設(shè)置在所述掩膜框架上的掩膜條的邊緣部進行遮擋，并且，由于遮擋條位置焊接精確，從而可以為掩膜條設(shè)計提供了較大的預(yù)偏量。因此，在利用包括所述掩膜框架的掩膜板進行蒸鍍時，可以在襯底基板上形成更加精確的圖形。

當所述掩膜框架具有較大尺寸時，需要設(shè)置支撐條對掩膜條進行支撐。在這種情況中，所述掩膜框架包括至少一對第二定位孔，每對所述第二定位孔對應(yīng)一對所述第二容納槽，且同一對所述第二定位孔中的兩個第二定位孔分別與相應(yīng)的一對第二容納槽中的兩個第二容納槽位置對應(yīng)，所述制造方法還包括：

以第二定位孔為基準，對與所述第二定位孔對應(yīng)的第二容納槽與支撐條進行對位，對位準確后，將所述支撐條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對所述第二容納槽中的兩個第一容納槽中。

與第一定位孔類似，第二定位孔邊界明顯便于識別，有利于支撐條與第二容納槽之間的精確對位。并且，當支撐條發(fā)生破損時，拆除破損的支撐條后對第二容納槽內(nèi)的焊點進行打磨也不會對第二定位孔造成影響。再次焊接新的支撐條時，仍然可以以第二定位孔為基準進行精確的對位。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。