本發(fā)明涉及鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的鍍膜設(shè)備，一般包括儲(chǔ)料室、鍍膜室和出卷室，鍍膜室與儲(chǔ)料室通過(guò)開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉兩者的連通，鍍膜室與出卷室通過(guò)開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉兩者的連通，儲(chǔ)料室中一般放置有卷繞的待鍍膜基材，當(dāng)鍍膜時(shí)待鍍膜基材可以輸送到鍍膜室用于鍍膜，鍍膜后的基材輸出到出卷室，完成鍍膜。

一般說(shuō)來(lái)，目前將儲(chǔ)料室中的待鍍膜基材輸送到鍍膜室包括以下步驟：首先將待鍍膜基材放置到儲(chǔ)料室，然后將儲(chǔ)料室抽真空(鍍膜室為真空狀態(tài))，接著開(kāi)關(guān)打開(kāi)以實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)料室和鍍膜室的連通，此后可以將儲(chǔ)料室中的待鍍膜基材輸送到鍍膜室進(jìn)行鍍膜，鍍膜完后，通過(guò)開(kāi)關(guān)關(guān)閉儲(chǔ)料室和鍍膜室的連通，然后儲(chǔ)料室打開(kāi)到常壓下以將新的待鍍膜基材放到儲(chǔ)料室中。

目前儲(chǔ)料室是通過(guò)分子泵實(shí)現(xiàn)將儲(chǔ)料室抽真空，具體為儲(chǔ)料室設(shè)有抽氣口，所述分子泵安裝在抽氣口處，所述待鍍膜基材位于抽氣口的正下方，當(dāng)分子泵工作實(shí)現(xiàn)抽真空時(shí)，空氣氣流向抽氣口匯集，導(dǎo)致空氣中的粉塵(particles)有部分會(huì)吸附到臨近抽氣口的待鍍膜基材上，從而造成待鍍膜基材表面上有不少粉塵，造成后面鍍膜后膜層與基材表面附著力差，存在膜層脫落的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種鍍膜設(shè)備?？蓽p少待鍍膜基材表面的粉塵數(shù)量。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鍍膜設(shè)備，包括儲(chǔ)料室、鍍膜室和開(kāi)關(guān)，所述儲(chǔ)料室和鍍膜室通過(guò)開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉兩者的連通，所述儲(chǔ)料室內(nèi)腔中存儲(chǔ)待鍍膜基材，所述儲(chǔ)料室設(shè)有抽氣口，所述抽氣口安裝有真空泵，所述抽氣口處靠近儲(chǔ)料室內(nèi)腔一側(cè)安裝有導(dǎo)流罩，所述導(dǎo)流罩設(shè)有進(jìn)氣口，所述抽氣口與所述進(jìn)氣口連通形成氣流通道，所述導(dǎo)流罩用于減少真空泵工作時(shí)氣流與待鍍膜基材的接觸幾率。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，以與抽氣口平行的平面為基準(zhǔn)平面，所述抽氣口、進(jìn)氣口、待鍍膜基材分別正投影到基準(zhǔn)平面上，所述進(jìn)氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第一面積小于所述抽氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第二面積。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述抽氣口朝向所述待鍍膜基材設(shè)置，所述進(jìn)氣口至少部分位于所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁上，所述側(cè)壁與導(dǎo)流罩面向所述待鍍膜基材的底壁相異。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)所述抽氣口的氣流的延長(zhǎng)線與經(jīng)過(guò)所述進(jìn)氣口的氣流的延長(zhǎng)線相交，且兩個(gè)延長(zhǎng)線的形成的角度為75°-105°。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)流罩面向所述待鍍膜基材的底壁朝向抽氣口方向形成上拱的凸部。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)流罩呈倒“凹”字型。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口的數(shù)量為兩個(gè)，且兩所述進(jìn)氣口位于導(dǎo)流罩相對(duì)的兩側(cè)壁上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口設(shè)有導(dǎo)風(fēng)百葉，所述導(dǎo)風(fēng)百葉傾斜設(shè)置且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端朝向所述抽氣口方向，且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端高度高于外端。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述真空泵為分子泵。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述鍍膜室采用物理氣象沉積法對(duì)待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果：

1、由于設(shè)置了導(dǎo)流罩，導(dǎo)流罩用于減少空氣氣流與待鍍膜基材的接觸幾率，從而可以減少氣流中粉塵(particles)與待鍍膜基材的接觸幾率，從而有效減少了待鍍膜基材表面的粉塵數(shù)量，從而后面鍍膜形成的膜層與基材表面附著力較好，從而膜層脫落的風(fēng)險(xiǎn)得到很大的降低。

2、由于所述導(dǎo)流罩面向所述待鍍膜基材的底壁朝向抽氣口方向形成上拱的凸部，從而可以加速了氣流的流動(dòng)速度，從而可以加速抽真空的效率，也可以減小導(dǎo)流罩底面與待鍍膜基材的干涉或摩擦。

3、由于所述進(jìn)氣口設(shè)有導(dǎo)風(fēng)百葉，所述導(dǎo)風(fēng)百葉傾斜設(shè)置且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端朝向所述抽氣口方向，且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端高度高于外端，從而可以通過(guò)導(dǎo)風(fēng)百葉對(duì)氣流進(jìn)行導(dǎo)向，進(jìn)一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材的幾率，也可以對(duì)氣流中的粉塵有一定的阻攔作用，防止粉塵吸入到真空泵中，防止真空泵損壞，提高了真空泵的壽命。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明儲(chǔ)料室、鍍膜室和出卷室的整體概略圖；

圖2是本發(fā)明儲(chǔ)料室的第一實(shí)施例概略圖；

圖3是本發(fā)明儲(chǔ)料室的第二實(shí)施例概略圖；

附圖標(biāo)記：

100-儲(chǔ)料室；110-待鍍膜基材；120-放卷輥；130-抽氣口；140-氣流通道；150-第一開(kāi)關(guān)；200-鍍膜室；300-出卷室；310-第二開(kāi)關(guān)；400-真空泵；500、600-導(dǎo)流罩；510-側(cè)壁；520、620-底壁；530-進(jìn)氣口；540-導(dǎo)風(fēng)百葉；621-第一底壁；622-第二底壁；623-連接底壁。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

第一實(shí)施例

本發(fā)明提供一種鍍膜設(shè)備，請(qǐng)參見(jiàn)圖1和圖2，所述鍍膜設(shè)備包括儲(chǔ)料室100、鍍膜室200、出卷室300、第一開(kāi)關(guān)150和第二開(kāi)關(guān)310，所述儲(chǔ)料室100和鍍膜室200通過(guò)第一開(kāi)關(guān)150打開(kāi)或關(guān)閉兩者的連通，所述鍍膜室200和出卷室300通過(guò)第二開(kāi)關(guān)310打開(kāi)或關(guān)閉兩者的連通，所述儲(chǔ)料室100內(nèi)腔中存儲(chǔ)待鍍膜基材110，具體為在本實(shí)施例中所述待鍍膜基材110卷繞在放卷輥120上，所述儲(chǔ)料室100設(shè)有抽氣口130，在本實(shí)施例中抽氣口130位于儲(chǔ)料室100的頂壁上，所述抽氣口130處安裝有真空泵400，所述抽氣口130靠近儲(chǔ)料室100內(nèi)腔一側(cè)安裝有導(dǎo)流罩500，所述導(dǎo)流罩500設(shè)有進(jìn)氣口530，所述抽氣口130與所述進(jìn)氣口530連通形成氣流通道140，所述導(dǎo)流罩500用于減少真空泵400工作時(shí)氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率。

在本發(fā)明中，由于設(shè)置了導(dǎo)流罩500，真空泵400工作時(shí)，儲(chǔ)料室100內(nèi)的空氣先經(jīng)由導(dǎo)流罩500對(duì)空氣氣流進(jìn)行引流，然后再經(jīng)由氣流通道140、抽氣口130、真空泵400將空氣排出，實(shí)現(xiàn)抽真空。由于導(dǎo)流罩500用于減少空氣氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率，從而可以減少氣流中粉塵(particles)與待鍍膜基材110的接觸幾率，從而有效減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數(shù)量，從而后面鍍膜形成的膜層與基材表面附著力較好，從而膜層脫落的風(fēng)險(xiǎn)得到很大的降低。

在本實(shí)施例中，以與抽氣口130平行的平面為基準(zhǔn)平面，例如以儲(chǔ)料室100的頂壁為基準(zhǔn)平面，所述抽氣口130、進(jìn)氣口530、待鍍膜基材110分別正投影到基準(zhǔn)平面上，所述進(jìn)氣口530的投影面積與待鍍膜基材110的投影面積重疊的第一面積小于所述抽氣口130的投影面積與待鍍膜基材110的投影面積重疊的第二面積。具體說(shuō)來(lái)，在本實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口530的數(shù)量為兩個(gè)，所述兩個(gè)進(jìn)氣口530與所述待鍍膜基材110重疊的第一面積為0，而抽氣口130與待鍍膜基材110接近對(duì)應(yīng)設(shè)置，從而重疊的第二面積近似為抽氣口130的投影面積，從而第二面積大于第一面積，從而相對(duì)背景技術(shù)的方案，本實(shí)施例中真空泵400工作時(shí)氣流經(jīng)過(guò)導(dǎo)流罩500的導(dǎo)流，也即通過(guò)導(dǎo)流罩500引導(dǎo)氣流避開(kāi)所述待鍍膜基材110，從而氣流與待鍍膜基材110接觸相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)得到較大的減少，從而氣流中的粉塵與待鍍膜基材110接觸也減少，從而減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數(shù)量。

在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)風(fēng)罩包括4個(gè)側(cè)壁510和一個(gè)底壁520，4個(gè)側(cè)壁510為前后左右四個(gè)方向各一個(gè)側(cè)壁510，還可以包括一個(gè)頂壁(如果有頂壁，對(duì)應(yīng)所述抽氣口130需要設(shè)置一個(gè)開(kāi)口)，但是頂壁不是必須的。側(cè)壁510和底壁520圍成導(dǎo)流罩500的內(nèi)腔，可以用于形成氣流通道140。所述4個(gè)側(cè)壁510和所述底壁520都為平面結(jié)構(gòu)。所述側(cè)壁510與所述底壁520在本實(shí)施例中為垂直設(shè)置，但本發(fā)明不限于此。

在本實(shí)施例中，所述抽氣口130朝向所述待鍍膜基材110設(shè)置，所述進(jìn)氣口530至少部分位于所述導(dǎo)流罩500的側(cè)壁510上，在本實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口530較佳完全位于側(cè)壁510上，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口還可以部分位于側(cè)壁上，另一部分例如位于導(dǎo)風(fēng)罩的底壁上。所述側(cè)壁510與導(dǎo)流罩500面向所述待鍍膜基材110的底壁520相異，也即所述側(cè)壁510非導(dǎo)流罩500面向所述待鍍膜基材110的底壁520。

具體而言，所述抽氣口130位于所述儲(chǔ)料室100的頂壁上，所述抽氣口130的風(fēng)口面向所述待鍍膜基材110設(shè)置，所述進(jìn)氣口530位于所述導(dǎo)流罩500的側(cè)壁510上，具體所述進(jìn)氣口530分別位于導(dǎo)流罩500的左右側(cè)壁510上，所述導(dǎo)流罩500的底壁520面向所述待鍍膜基材110。經(jīng)過(guò)所述抽氣口130的氣流的延長(zhǎng)線與經(jīng)過(guò)所述進(jìn)氣口530的氣流的延長(zhǎng)線相交，兩個(gè)延長(zhǎng)線近似垂直，例如形成的角度為75°-105°，如75°、85°、90°、95°、105°等。

在本實(shí)施例中，由于所述進(jìn)氣口530至少部分位于所述導(dǎo)流罩500的側(cè)壁510上，從而氣流從待鍍膜基材110的側(cè)面被吸入到進(jìn)氣口530中，從而氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率減少，從而氣流中的粉塵與待鍍膜基材110接觸也減少，從而減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數(shù)量。

在本實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口530的數(shù)量為兩個(gè)，且兩所述進(jìn)氣口530位于導(dǎo)流罩500相對(duì)的兩側(cè)壁510上，例如一個(gè)位于左側(cè)壁510上，另一個(gè)位于右側(cè)壁510上。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述兩個(gè)所述進(jìn)氣口還可以一個(gè)位于前側(cè)壁上，另一個(gè)位于后側(cè)壁上，或者所述進(jìn)氣口的數(shù)量還可以為一個(gè)、三個(gè)或者四個(gè)等。

請(qǐng)繼續(xù)參見(jiàn)圖2，在本實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口530設(shè)有導(dǎo)風(fēng)百葉540，所述導(dǎo)風(fēng)百葉540傾斜設(shè)置且導(dǎo)風(fēng)百葉540的內(nèi)端朝向所述抽氣口130方向，且導(dǎo)風(fēng)百葉540的內(nèi)端高度高于外端，這在導(dǎo)風(fēng)百葉540朝向?qū)эL(fēng)罩內(nèi)部的一端為內(nèi)端，相對(duì)的另外一端為外端，從而，可以通過(guò)導(dǎo)風(fēng)百葉540對(duì)氣流進(jìn)行導(dǎo)向，進(jìn)一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材110的幾率；而且，可以對(duì)氣流中的粉塵有一定的阻攔作用，防止粉塵吸入到真空泵400中。在本實(shí)施例中，以與抽氣口130平行的平面為基準(zhǔn)平面，所述導(dǎo)風(fēng)百葉540與基準(zhǔn)平面的角度為20°-70°，例如為20°、30°、40°、50°、60°、70°等，較佳為45°-60°可以進(jìn)一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材110的幾率。

在本實(shí)施例中，所述真空泵400為分子泵，所述鍍膜室200采用物理氣相沉積法對(duì)待鍍膜基材110進(jìn)行鍍膜。

第二實(shí)施例

圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例儲(chǔ)料室的概略圖，圖3的結(jié)構(gòu)與圖2的結(jié)構(gòu)相似，因此相同的元件符號(hào)代表相同的元件，本實(shí)施例與第一實(shí)施例的主要不同點(diǎn)為導(dǎo)流罩底面的結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參見(jiàn)圖3，所述導(dǎo)流罩600面向所述待鍍膜基材110的底壁620朝向抽氣口130方向形成上拱的凸部，在本實(shí)施例中所述導(dǎo)流罩600整體呈倒“凹”字型，凸部的設(shè)置既可以減小氣流通道140的截面積，也即減小了導(dǎo)流罩600頂面與導(dǎo)流罩600底面的距離，從而可以加速了氣流的流動(dòng)速度，從而可以加速抽真空的效率，也可以減小導(dǎo)流罩600底面與待鍍膜基材110的干涉或摩擦。較佳的，所述凸部的中心線與所述待鍍膜基材110的中心線重合。

具體而言，在本實(shí)施例中，所述底壁620包括第一底壁621、第二底壁622和連接底壁623，其中，第一底壁621的數(shù)量為4個(gè)，也即左右前后各一個(gè)，所述第一底壁621一端與導(dǎo)風(fēng)罩的側(cè)壁510下端相連，第一底壁621與側(cè)壁510呈垂直；所述第一底壁621的另一端連接有連接底壁623，所述連接底壁623的數(shù)量對(duì)應(yīng)為4個(gè)，所述連接底壁623與側(cè)壁510平行，從而所述連接底壁623與所述第一底壁621也垂直，所述連接底壁623的另一端與與所述第二底壁622相連，所述第二底壁622與所述第一底壁621平行，所述第一底壁621、第二底壁622面向所述待鍍膜基材110。在本實(shí)施例中所述第二底壁622和所述連接底壁623構(gòu)成所述凸部。

另外，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述導(dǎo)流罩還可以為型，也即所述導(dǎo)流罩的底壁為順滑的拱形，在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)流罩的整個(gè)底壁為凸部，順滑的凸部有利于氣流的流動(dòng)。所述導(dǎo)流罩的兩側(cè)壁分別設(shè)有所述進(jìn)風(fēng)口，在本實(shí)施例中為左、右側(cè)壁，所述導(dǎo)流罩的頂部與抽氣口連通，所述導(dǎo)流罩的拱形底部面向待鍍膜基材。

可以理解的是，本發(fā)明的上述實(shí)施例在不沖突的情況下，可以相互結(jié)合來(lái)獲得更多的實(shí)施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。