技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種基于飛秒激光的半導體金剛石薄膜摻雜后處理方法和裝置，該方法包括以下步驟：在半導體金剛石外延生長初期，通過MPCVD制備半導體金剛石外延薄膜；通過MPCVD制備半導體金剛石摻雜層；根據(jù)摻雜層的摻雜原子種類及其與氫原子形成的飽和化學鍵的鍵能，選擇相應(yīng)波長的飛秒激光，于反應(yīng)腔中通過所述飛秒激光打斷摻雜層中摻雜原子與氫原子形成的飽和化學鍵。本發(fā)明提供的這種基于飛秒激光的半導體金剛石薄膜摻雜后處理方法和裝置，通過特定波長的飛秒激光作用在半導體金剛石薄膜中，打斷摻雜原子與氫原子之間的飽和化學鍵，激活摻雜原子，從而提高摻雜層中有效載流子濃度。

技術(shù)研發(fā)人員：劉勝;嚴晗;甘志銀;彭慶;程佳瑞;鄭懷
受保護的技術(shù)使用者：武漢大學;廣東昭信半導體裝備制造有限公司
文檔號碼：201611191190
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.21
技術(shù)公布日：2017.06.13