1.基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括直線式排列的多個真空室和柔性基材輸送機構(gòu)，柔性基材輸送機構(gòu)貫穿于多個真空室中；多個真空室包括依次連接的放卷室、多個鍍膜室和收卷室，各鍍膜室內(nèi)分別設(shè)有射頻對靶裝置，多個鍍膜室內(nèi)的射頻對靶裝置組成一個等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)，任意相鄰兩個鍍膜室之間設(shè)有隔氣室，放卷室、收卷室、各鍍膜室和各隔氣室分別外接高真空排氣系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述射頻對靶裝置包括對稱安裝于柔性基材上下兩側(cè)的上靶和下靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述上靶和下靶結(jié)構(gòu)相同，分別包括放電板、靶材、外罩體、絕緣板、絕緣套、防護罩和冷卻水管，防護罩設(shè)于鍍膜室外壁上，絕緣套一端設(shè)于鍍膜室內(nèi)壁上，絕緣套另一端與外罩體連接，靶材和放電板呈上下層疊方式依次設(shè)于外罩體內(nèi)部，放電板位于靠近柔性基材的一側(cè)，靶材與外罩體的內(nèi)壁之間設(shè)有絕緣板，靶材與放電板之間設(shè)有冷卻空間，冷卻水管一端與冷卻空間連通，冷卻水管另一端由絕緣套中部伸出并進入防護罩中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述冷卻水管包括進水管和出水管，進水管和出水管分別外接循環(huán)裝置，冷卻空間、進水管、出水管和循環(huán)裝置組成冷卻水循環(huán)系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述放電板上分布有多個氣孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述柔性基材輸送機構(gòu)包括放卷輥、多個導輥和收卷輥，放卷輥設(shè)于放卷室內(nèi)，收卷輥設(shè)于收卷室內(nèi)，放卷輥與收卷輥之間設(shè)有多個導輥。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述柔性基材輸送機構(gòu)上還設(shè)有糾偏機構(gòu)，糾偏機構(gòu)包括上夾輥、下夾輥、輥組驅(qū)動組件和上夾輥移動組件，上夾輥與下夾輥組成輸送柔性基材的輥組， 輥組驅(qū)動組件與上夾輥的輥軸一端連接，上夾輥的輥軸兩端分別與上夾輥移動組件連接，通過上夾棍移動組件調(diào)節(jié)上夾輥與下夾棍之間的間隙寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述高真空排氣系統(tǒng)包括相互獨立的粗抽機組和精抽機組，各鍍膜室和各隔氣室分別外接精抽機組，放卷室和收卷室分別外接粗抽機組。