本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種真空加熱裝置。

背景技術：

在TFT-LCD行業(yè)中使用磁控濺射立式設備對玻璃基板進行鍍膜時，通常利用鋁靶材對玻璃基板進行鍍膜，雖然鋁靶材的使用降低了生產(chǎn)成本，但是使用鋁靶材對玻璃基板進行鍍膜時，需要保證其所處的環(huán)境的氣氛純凈，否則在玻璃基板表面所形成的鋁膜容易產(chǎn)生凸起和麻點。在使用鋁靶材對玻璃基板進行鍍膜的過程中，由于托盤作為玻璃基板在各個腔室中完成鍍膜的承載工具，因此，托盤的純凈尤為重要。

現(xiàn)有技術中，托盤在使用完畢后通常存儲在室溫大氣環(huán)境下，由于托盤在室溫大氣環(huán)境下吸附有空氣中的雜質(zhì)氣體，例如，水汽等。當吸附有雜質(zhì)氣體的托盤再次承載玻璃基板在各個腔室中進行鍍膜時，這些吸附的雜質(zhì)氣體會造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而使鋁靶材在對玻璃基板進行鍍膜時，玻璃基板的成膜異常，導致產(chǎn)品良率降低。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種真空加熱裝置，解決了現(xiàn)有技術中的托盤在大氣環(huán)境下保存吸附了大量雜質(zhì)氣體，當吸收有雜質(zhì)氣體的托盤再次被使用時造成了鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而導致產(chǎn)品良率降低的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種真空加熱裝置，包括真空腔室，所述真空腔室內(nèi)設有用于加熱托盤的加熱單元，所述真空腔室連通有氮氣發(fā)生單元。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的真空加熱裝置具有以下有益效果：

本實用新型提供的真空加熱裝置中，設有真空腔室，真空腔室內(nèi)設有加熱單元，當把托盤置于真空腔室內(nèi)時，通過加熱單元對托盤加熱，由于托盤處于真空高溫的環(huán)境下，能夠有效排出托盤吸附的雜質(zhì)氣體，這不僅能夠延長托盤的使用壽命，還能夠保證托盤承載玻璃基板在鍍膜的過程中，不會因托盤吸附的雜質(zhì)氣體造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而在使用鋁靶材對玻璃基板進行鍍膜時，能夠提升玻璃基板的成膜品質(zhì)，提高產(chǎn)品的良率。此外，真空腔室連通有氮氣發(fā)生單元，通過氮氣發(fā)生單元產(chǎn)生的氮氣保證了排出的雜質(zhì)氣體不會在短時間內(nèi)再次被托盤吸附。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構(gòu)成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1為本實用新型中真空加熱裝置截面圖；

圖2為本實用新型實施例中真空加熱裝置立體結(jié)構(gòu)圖。

附圖標記：

1-真空腔室， 2-氮氣發(fā)生單元；

3-真空泵， 4-加熱控制單元；

5-排氣單元， 11-真空子腔室；

111-托盤， 112-磁性卡件；

113-加熱單元， 114-滑動導軌；

115-第一支柱， 116-支撐件。

具體實施方式

為了進一步說明本實用新型實施例提供的真空加熱裝置，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。

請參閱圖1和圖2，本實用新型實施例提供的真空加熱裝置包括真空腔室1，真空腔室1內(nèi)設有用于加熱托盤111的加熱單元113，真空腔室1連通有氮氣發(fā)生單元2。

在具體實施的過程中，將托盤111置于真空腔室內(nèi)，氮氣發(fā)生單元2在真空腔室1內(nèi)產(chǎn)生氮氣，氮氣能夠排出真空腔室1內(nèi)的空氣，當真空腔室1達到真空狀態(tài)時，加熱單元113對托盤111進行加熱，使托盤111中的雜質(zhì)氣體在真空高溫環(huán)境下能夠有效排出。通過上述具體實施過程可知，本實施例中真空腔室1內(nèi)設有加熱單元113，當把托盤111置于真空腔室1內(nèi)時，通過加熱單元113對托盤加熱，由于托盤113處于真空高溫的環(huán)境下，能夠有效排出托盤111吸附的雜質(zhì)氣體，這不僅能夠延長托盤111的使用壽命，還能夠保證托盤111承載玻璃基板在鍍膜的過程中，不會因托盤111吸附的雜質(zhì)氣體造成鍍膜環(huán)境的氣氛異常，從而在使用鋁靶材對玻璃基板進行鍍膜時，能夠提升玻璃基板的成膜品質(zhì)，提高產(chǎn)品的良率。此外，真空腔室1連通有氮氣發(fā)生單元2，通過氮氣發(fā)生單元2產(chǎn)生的氮氣保證了排出的雜質(zhì)氣體不會在短時間內(nèi)再次被托盤111吸附。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實用新型實施將氮氣發(fā)生單元2置于真空腔室1外部，通過管道使氮氣發(fā)生單元2與真空腔室1連通。

而為了增加托盤111進出真空腔室1內(nèi)的便捷性，請繼續(xù)參閱圖1和圖2，上述實施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1內(nèi)的底部還設有用于導向托盤111進入真空腔室1的滑動導軌114，真空腔室1內(nèi)的底部還設有用于支撐加熱單元113的多個第一支柱115，各第一支柱115間隔排列，真空腔室1內(nèi)的頂部設有用于固定托盤111的磁性卡件112。

在具體實施的過程中，將待加熱的托盤111放置在滑動導軌114上，滑動導軌114不僅用于承載托盤111在真空腔室1內(nèi)的進出，還能夠?qū)⑼斜P111準確導入至真空腔室1內(nèi)安放托盤111的指定位置，當托盤111處在安放托盤111的指定位置時，磁性卡件112通過吸附力的作用對托盤111進行吸附固定，達到自動固定的目的。

通過上述具體實施過程可知，通過滑動導軌114和磁性卡件112的配合作用，保證了托盤111能夠被裝入和固定在真空腔室1內(nèi)，使加熱單元113對托盤111進行加熱的過程中，避免因托盤111的意外晃動造成托盤111損壞；另外，由于多個間隔排列的第一支柱115之間形成有間隙，因此，第一支柱115不僅起到了對加熱單元113固定的作用，還能夠使真空腔室1內(nèi)的氣體在第一支柱115之間形成的間隙流通，從而保證了氣體在真空腔室1內(nèi)的流通性。。

需要說明的是，在實際使用的過程中，滑動導軌114為導軌車，導軌車底部設有多個間隔設置的滾輪，滾輪的數(shù)量由托盤的大小和重量具體設置，使用導軌車承載托盤在真空腔室1內(nèi)的進出，可使真空腔室1內(nèi)的氣體在導軌車的的滾輪間隙自由流通。另外，由于導軌車具有結(jié)構(gòu)簡單的特點，因此，增加了導軌車維護的便捷性。

考慮到真空腔室1對托盤111真空加熱的效率，請參閱圖1，上述施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1包括多個真空子腔室11，各真空子腔室11連通，氮氣發(fā)生單元2與各個真空子腔室11連通，每個真空子腔室11內(nèi)設置一個加熱單元113，這樣就能利用每個真空子腔室11內(nèi)的加熱單元113對其中的托盤111進行加熱，即利用多個真空子腔室11實現(xiàn)對多個托盤111同時加熱的目的，這極大的提高了真空腔室1對托盤111加熱的效率，另外，由于各真空子腔室11連通設置，因此只設置一個氮氣發(fā)生單元2即可實現(xiàn)氮氣充滿各真空子腔室11，從而減少氮氣發(fā)生單元2的設置數(shù)量，進而減少了生產(chǎn)成本。

為了保證各真空子腔室11的真空狀態(tài)，請參閱圖1，上述實施例提供的真空加熱裝置中，真空加熱裝置還包括設有用于抽出真空腔室1內(nèi)氣體的真空泵3，真空泵3與各個真空子腔室11連通。

在具體實施的過程中，氮氣發(fā)生單元2首先向各真空子腔室11注入氮氣，排出各真空子腔室11中的空氣和部分雜質(zhì)氣體，當?shù)獨獬錆M各真空子腔室11后，氮氣發(fā)生單元2停止向各真空子腔室11注入氮氣，此時，開啟真空泵3對與之連通的真空子腔室11進行抽氣，使各真空子腔室11處于真空狀態(tài)。通過上述具體實施過程可知，由于真空泵3與各個真空子腔室11連通設置，因此只設置一個真空泵3即可抽出各真空子腔室11內(nèi)的空氣，使各真空子腔室11內(nèi)均達到真空狀態(tài)；另外，在真空泵3抽出各真空子腔室11內(nèi)空氣的同時，還能夠抽出托盤111在真空高溫環(huán)境中排出的部分雜質(zhì)氣體，從而增加雜質(zhì)氣體的排出效率。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實用新型實施將真空泵3置于真空腔室1外部，通過管道使真空泵3與真空腔室1連通。

另外，考慮到托盤111在真空加熱的過程中持續(xù)排出的雜質(zhì)氣體可能再次污染托盤111，請接著參閱圖1和圖2，上述實施例提供的真空加熱裝置中，還設有用于排出雜質(zhì)氣體的排氣單元5，排氣單元5與各個真空子腔室11連通。在對托盤111持續(xù)真空加熱的過程中，排氣單元5將各真空子腔室中11的托盤111排出的雜質(zhì)氣體及時的排出真空子腔室11，避免托盤111排出的雜質(zhì)氣體長期停留在真空子腔室11內(nèi)，從而導致雜質(zhì)氣體被托盤111再次吸附。

需要說明的是，為了增加真空腔室1的空間利用率，減少真空腔室1的內(nèi)部占用面積，本實用新型實施將排氣單元5置于真空腔室1外部，通過管道使排氣單元5與真空腔室1連通。

為了準確控制加熱單元113的加熱溫度，請參閱圖1和圖2，上述實施例提供的真空加熱裝置中，真空加熱裝置還設有用于控制加熱單元113的加熱控制單元4，加熱控制單元4與各個加熱單元113連接。

在具體實施的過程中，加熱控制單元4有兩種設置模式可供用戶選擇，一種為手動設置模式，另一種為自動設置模式；當用戶選擇手動設置模式時，用戶根據(jù)實際需要手動設置各加熱單元113的加熱溫度，當用戶選擇自動設置模式時，加熱控制單元4根據(jù)各真空子腔室11中待加熱的托盤111吸附的雜質(zhì)氣體的含量，自動調(diào)整加熱單元113的加熱溫度，以使各真空子腔室11中待加熱的托盤111中的雜質(zhì)氣體全部排出為止。

通過上述具體實施過程可知，加熱控制單元4可調(diào)節(jié)各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度，根據(jù)各真空子腔室11中的托盤111含有雜質(zhì)氣體的情況，可以具體設置各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度，從而保證托盤111中的雜質(zhì)氣體在合適的加熱溫度全部排出。另外，加熱控制單元4提供了的兩種控制模式供用戶選擇，在實際使用的過程中，可根據(jù)實際情況靈活選擇加熱單元113的控制模式，增加了操作的便捷性和靈活性。

需要說明的是，加熱控制單元4默認為手動設置模式，各真空子腔室11中加熱單元113的加熱溫度默認設置為200攝氏度。

另外，請參閱圖2，上述實施例提供的真空加熱裝置中，真空腔室1的一側(cè)設有取放口，取放口上設有密封門。密封門的設置不僅方便了托盤111在各真空子腔室11的存放與取出，而且在對托盤111加熱的過程中，密封門還能夠保證真空腔室1內(nèi)的真空環(huán)境。

請參閱圖1，本實用新型實施例提供的真空加熱裝置中，相鄰兩個真空子腔室11之間通過透氣隔板隔離。

在具體實施的過程中，透氣隔板中設有多個通氣孔，保證了氣體在各真空子腔室11內(nèi)自由流動。

另外，請繼續(xù)參閱圖1，本實用新型實施例提供的真空加熱裝置中，相鄰的兩個真空子腔室11之間也可以由密閉隔板隔開，當使用密閉隔板隔開時，密閉隔板的底部需設有多個間隔排列的第二支柱，第二支柱與相鄰兩個真空子腔室11的底部接觸。

通過上述具體實施過程可知，相鄰兩個真空子腔室11之間也可設置密閉隔板，當使用密閉隔板時，需在密閉隔板的底部設置多個間隔排列的第二支柱，通過各真空子腔室11底部設置的第二支柱之間的間隙，使各真空子腔室11內(nèi)的氣體流通，在工藝上簡單可靠。

請參閱圖1，本實用新型實施例提供的真空加熱裝置中，加熱單元113為加熱板，加熱板的加熱面設有用于防止托盤111與加熱板接觸的支撐件116。

優(yōu)選的，加熱單元113為加熱板，在加熱板中通過支撐件116的設置，能夠避免加熱板與托盤111直接接觸，造成托盤111的損壞。同時，避免托盤111與加熱板的直接接觸還能夠保證托盤111在加熱過程中的受熱均勻。

在上述實施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。