本發(fā)明涉及材料加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的方法。

背景技術(shù)：

目前藍(lán)寶石襯底單面拋光主要目的：1、去除表面殘留劃痕，2、保持ttv/ltv一致性及穩(wěn)定性，藍(lán)寶石襯底單面拋光的過(guò)程是化學(xué)機(jī)械拋光原理，由于為了效率及產(chǎn)品相對(duì)穩(wěn)定性，拋光過(guò)程多采用高壓力，高溫度加工方式進(jìn)行，此方案去除速率可以有效的提高，快速的去除殘留劃痕；由于高速的腐蝕去除，相對(duì)于晶片本身質(zhì)量晶片邊緣ttv/ltv破壞相對(duì)嚴(yán)重。

以現(xiàn)有藍(lán)寶石晶片拋光為例，由于晶片邊緣5mm位置，ttv/ltv數(shù)值相對(duì)于晶片中心區(qū)域平整度較差，通常晶片中心區(qū)域ttv均值達(dá)到2.0um左右，ltv均值達(dá)到1.0um左右，此數(shù)值可以滿足客戶最大利用率水準(zhǔn)。但是由于晶片邊緣ttv均值/ltv均值略差于中心區(qū)域?？蛻舨荒芡耆茫斐沙杀镜睦速M(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的方法，對(duì)盤(pán)面實(shí)施邊緣修整，將盤(pán)面邊緣按晶片不良尺寸進(jìn)行計(jì)算修低，使晶片在加工過(guò)程中，邊緣磨損相對(duì)較低，從而保證較高去除速率同時(shí)，保證晶片ttv/ltv質(zhì)量的穩(wěn)定性，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，其具體控制步驟包括：

步驟一，首先通過(guò)現(xiàn)有設(shè)備對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光；

步驟二，對(duì)拋光后的藍(lán)寶石晶片進(jìn)行測(cè)繪；

步驟三，通過(guò)測(cè)繪分析得出藍(lán)寶石晶片邊緣ttv/ltv偏高的區(qū)域；

步驟四，根據(jù)對(duì)藍(lán)寶石晶片邊緣ttv/ltv數(shù)值的分析結(jié)合晶片最大利用率原則對(duì)拋光盤(pán)面進(jìn)行修整；

步驟五，用調(diào)整后的拋光盤(pán)面對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光，測(cè)量拋光后藍(lán)寶石晶片的ttv/ltv。

進(jìn)一步的，對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行單面拋光，拋光采用高溫、高壓的加工方式。

進(jìn)一步的，對(duì)晶片邊緣產(chǎn)生不良位置處進(jìn)行測(cè)繪。

一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的裝置，包括壓力氣缸、拋光盤(pán)面、轉(zhuǎn)動(dòng)主軸，驅(qū)動(dòng)裝置和基座，驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置于基座內(nèi)，轉(zhuǎn)動(dòng)主軸與驅(qū)動(dòng)裝置連接，拋光盤(pán)面與轉(zhuǎn)動(dòng)主軸連接，壓力氣缸位于拋光盤(pán)面上方，藍(lán)寶石晶片位于拋光盤(pán)面和壓力氣缸之間，所述拋光盤(pán)面與藍(lán)寶石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；

進(jìn)一步的，所述拋光盤(pán)面與藍(lán)寶石晶片不完全接觸。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供了一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，對(duì)盤(pán)面實(shí)施邊緣修整，將盤(pán)面邊緣按晶片不良尺寸進(jìn)行計(jì)算修低，使晶片在加工過(guò)程中，邊緣磨損相對(duì)較低，從而保證較高去除速率同時(shí)，保證晶片ttv/ltv質(zhì)量的穩(wěn)定性，通過(guò)本發(fā)明所采用的實(shí)施方案，有效的控制了晶片邊緣的ttv/ltv，從而提高了藍(lán)寶石晶片整體平整度，大大增加了晶片利用率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的方法流程圖；

圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、壓力氣缸，2、晶片，3、拋光盤(pán)面，4、轉(zhuǎn)動(dòng)主軸，5、驅(qū)動(dòng)裝置，6、基座。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例是描述性的，不是限定性的，不能由此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。

如圖1、圖2所示，一種控制藍(lán)寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，包括壓力氣缸1、拋光盤(pán)面3、轉(zhuǎn)動(dòng)主軸4，驅(qū)動(dòng)裝置5和基座6，驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置于基座內(nèi)，轉(zhuǎn)動(dòng)主軸與驅(qū)動(dòng)裝置連接，拋光盤(pán)面與轉(zhuǎn)動(dòng)主軸連接，壓力氣缸位于拋光盤(pán)面上方，藍(lán)寶石晶片2位于拋光盤(pán)面和壓力氣缸之間，所述拋光盤(pán)面與藍(lán)寶石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；具體控制方法的步驟包括：

步驟一，首先通過(guò)現(xiàn)有設(shè)備(為市場(chǎng)上的現(xiàn)有設(shè)備，在此具體型號(hào)不明確指出)對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光；

步驟二，對(duì)拋光后的藍(lán)寶石晶片進(jìn)行測(cè)繪；

步驟三，通過(guò)測(cè)繪分析得出藍(lán)寶石晶片邊緣ttv/ltv不符合要求的區(qū)域；

步驟四，根據(jù)對(duì)藍(lán)寶石晶片邊緣ttv/ltv數(shù)值的分析結(jié)合晶片最大利用率原則對(duì)拋光盤(pán)面進(jìn)行修整；

步驟五，用調(diào)整后的拋光盤(pán)面對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光，測(cè)量拋光后藍(lán)寶石晶片的ttv/ltv。

進(jìn)一步的，對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行單面拋光，拋光采用高溫、高壓的加工方式。

進(jìn)一步的，所述拋光盤(pán)面與藍(lán)寶石晶片不完全接觸。

本發(fā)明所述的一種高速拋光保持晶片ttv/ltv的控制方法及裝置，在保持晶片高速率去除的基礎(chǔ)上，保持晶片ttv/ltv質(zhì)量，如圖2中左側(cè)所示，傳統(tǒng)的盤(pán)面尺寸與晶片實(shí)現(xiàn)完全接觸，通過(guò)數(shù)據(jù)分析，晶片ttv/ltv相對(duì)變化質(zhì)量最差的地方位于晶片的邊緣，基于以上因素，我們對(duì)拋光盤(pán)面按照上述的五個(gè)步驟作出調(diào)整，按照晶片邊緣變化明顯的區(qū)域長(zhǎng)度，對(duì)盤(pán)面實(shí)施邊緣修整，如圖2中右側(cè)所示，將盤(pán)面邊緣按晶片不良尺寸進(jìn)行計(jì)算修低，使晶片在加工過(guò)程中，邊緣磨損相對(duì)較低，從而保證較高去除速率同時(shí)，保證晶片ttv/ltv質(zhì)量穩(wěn)定性。

例如：本實(shí)施例中根據(jù)實(shí)際對(duì)晶片易產(chǎn)生不良位置進(jìn)行測(cè)繪發(fā)現(xiàn)，晶片邊緣5mm位置區(qū)域由于線性速度加工原理，邊緣磨損較為嚴(yán)重，通常5mm以內(nèi)ltv區(qū)域平整度可達(dá)到1.0um左右，但是邊緣5mm位置ltv區(qū)域平整度達(dá)到1.5um左右，相對(duì)于中心區(qū)域下降較為嚴(yán)重，為了改善客戶對(duì)于晶片的利用率，實(shí)現(xiàn)晶片邊緣ltv高標(biāo)準(zhǔn)的原則，按照上述五個(gè)步驟對(duì)拋光盤(pán)面進(jìn)行修整，采用修整后的拋光盤(pán)面對(duì)藍(lán)寶石進(jìn)行拋光，經(jīng)過(guò)實(shí)際加工可到達(dá)1.0-1.2um的高平整度要求，ttv均值2.0um左右，通過(guò)調(diào)整使得晶片邊緣5mm位置，ttv均值可達(dá)到2.2um(改善前2.5um左右)。

上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性改進(jìn)或未經(jīng)過(guò)改進(jìn)本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接用于其他場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及材料加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種控制藍(lán)寶石晶片拋光TTV/LTV的方法及裝置，首先通過(guò)現(xiàn)有設(shè)備對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光；然后對(duì)拋光后的藍(lán)寶石晶片進(jìn)行測(cè)繪；在通過(guò)測(cè)繪分析得出藍(lán)寶石晶片邊緣TTV/LTV偏高的區(qū)域；根據(jù)對(duì)藍(lán)寶石晶片邊緣TTV/LTV數(shù)值的分析結(jié)合晶片最大利用率原則對(duì)拋光盤(pán)面進(jìn)行修整；最后用調(diào)整后的拋光盤(pán)面對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行拋光，測(cè)量拋光后藍(lán)寶石晶片的TTV/LTV，直到達(dá)到平整度要求。本發(fā)明在加工過(guò)程中，邊緣磨損相對(duì)較低，從而保證較高去除速率同時(shí)，保證晶片TTV/LTV質(zhì)量的穩(wěn)定性，有效的控制了晶片邊緣的TTV/LTV，從而提高了藍(lán)寶石晶片整體平整度，大大增加了晶片利用率。

技術(shù)研發(fā)人員：王鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：青島嘉星晶電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.14
技術(shù)公布日：2017.09.08