用于等離子體增強化學氣相沉積的裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本公開案的各實施方式一般涉及一種具有遠程等離子體清潔源的裝置，所述遠程等離子體清潔源耦接至腔室，使得來自所述等離子體的自由基進入所述腔室中設置于背板與所述擴散器之間的位置處。
【背景技術】
[0002]等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) —般用來在基板(如半導體基板、太陽能面板基板、有機發(fā)光二極管(0LED)基板和液晶顯示器(IXD)基板)上沉積薄膜。PECVD—般通過將前驅氣體引入具有設置在基板支撐件上的基板的真空腔室中完成。
[0003]均勻性一般是使用PECVD工藝沉積的薄膜所期望的。例如，氮化硅膜通常使用PECVD沉積在平坦面板上，用作薄膜晶體管(TFT)中的鈍化層或柵極電介質層。氮化硅膜質量和均勻性對于商業(yè)性的運作而言是重要的。
[0004]通常，其中發(fā)生PECVD的腔室需要清潔，因為氮化硅會堆積在暴露腔室部分上。為了清潔腔室，等離子體可以原位激發(fā)，或從遠程等離子體清潔源遞送至腔室。清潔等離子體可能在腔室中產生不期望的顆粒。
[0005]因此，本領域中需要可清潔而顆粒產生最小化的裝置。
【實用新型內容】
[0006]本公開案的各實施方式提供一種具有遠程等離子體清潔源的裝置，其中所述遠程等離子體清潔源將來自遠程產生等離子體的自由基遞送至腔室中設置于背板與擴散器之間的位置處。
[0007]在一個實施方式中，一種裝置包括:腔室主體；氣體分布板，所述氣體分布板設置在所述腔室主體中；背板，所述背板設置在所述腔室主體中，并且與所述氣體分布板分隔；區(qū)隔板組件，所述區(qū)隔板組件設置在所述腔室主體內，介于所述氣體分布板與所述背板之間；以及遠程等離子體清潔源，所述遠程等離子體清潔源耦接至所述腔室主體，其中所述遠程等離子體清潔源具有在所述腔室主體中的至少一個出口，并且其中所述至少一個出口設置在所述氣體分布板與所述區(qū)隔板組件之間。
[0008]在另一實施方式中，一種裝置包括:腔室主體；氣體分布板，所述氣體分布板設置在所述腔室主體中；背板，所述背板設置在所述腔室主體中，并且與所述氣體分布板分隔；第一區(qū)隔板，所述第一區(qū)隔板設置在所述氣體分布板與所述背板之間；第二區(qū)隔板，所述第二區(qū)隔板設置在所述第一區(qū)隔板與所述背板之間；以及遠程等離子體清潔源，所述遠程等離子體清潔源耦接至所述腔室主體，其中所述遠程等離子體清潔源具有在所述腔室主體中的至少一個出口，并且其中所述至少一個出口設置在所述第一區(qū)隔板與所述第二區(qū)隔板之間。
[0009]在另一實施方式中，一種對處理腔室進行清潔的方法包括:在遠離所述處理腔室的位置產生等離子體；將來自所述等離子體的自由基遞送至所述處理腔室，其中所述自由基遞送至所述處理腔室中設置于氣體分布板與區(qū)隔板之間的位置處；遞送惰性氣體穿過背板到達所述處理腔室；以及使所述自由基和惰性氣體流過氣體分布板。
[0010]在另一實施方式中，一種對處理腔室進行清潔的方法包括:在遠離所述處理腔室的位置產生等離子體；將來自所述等離子體的自由基遞送至所述處理腔室，其中所述自由基遞送至所述處理腔室中設置于第一區(qū)隔板與第二區(qū)隔板之間的位置處；遞送惰性氣體穿過背板到達所述處理腔室；以及使所述自由基和惰性氣體流過氣體分布板。
【附圖說明】
[0011]因此，為了詳細理解本公開案的上述特征結構的方式，上文簡要概述的本公開案的更具體的描述可以參照實施方式進行，一些實施方式圖示在附圖中。然而，應當注意，附圖僅圖示本公開案的典型實施方式，且因此不應被視為本公開案的范圍的限制，因為本公開案可允許其他等效的實施方式。
[0012]圖1示意性地示出根據(jù)本公開案的一個實施方式的PECVD腔室的截面?zhèn)纫晥D。
[0013]圖2是腔室的示意局部橫截面圖，該圖示出遠程等離子體清潔源在背板與噴淋頭之間的位置處引入自由基。
[0014]圖3A至圖3B是根據(jù)一個實施方式的來自遠程等離子體清潔源的出口的等距視圖。
[0015]圖4A至圖4C是根據(jù)另一實施方式的來自遠程等離子體清潔源的出口的等距視圖。
[0016]圖5是根據(jù)一個實施方式的區(qū)隔板和噴淋頭的示意橫截面圖。
[0017]圖6是根據(jù)另一實施方式的PECVD腔室的截面?zhèn)纫晥D。
[0018]圖7是示出PECVD腔室操作的流程圖。
[0019]為了促進理解，已盡可能使用相同參考數(shù)字指定各圖所共有的相同元件。應預見至IJ，一個實施方式的要素和/或工藝步驟可有利地并入其他實施方式，而無需進一步敘述。
【具體實施方式】
[0020]本公開案的各實施方式提供一種具有遠程等離子體清潔源的裝置，其中所述遠程等離子體清潔源將來自遠程產生等離子體的自由基遞送至腔室中設置于背板與擴散器之間的位置處。
[0021]圖1示意性地示出根據(jù)本公開案的一個實施方式的包括等離子體處理腔室100的裝置的截面?zhèn)纫晥D。等離子體處理腔室100包括腔室主體，所述腔室主體具有腔室底部102、側壁104和蓋組件106。腔室底部102、側壁104和蓋組件106限定處理容積108?；逯谓M件110設置在處理容積108中。開口 112穿過側壁104 —側形成。開口 112被配置成允許基板114通過。狹縫閥116被耦接至側壁104，并且被配置成在處理過程中關閉開Ρ 112ο
[0022]蓋組件106是由側壁104支撐，并且可移除以維修等離子體處理腔室100內部。蓋組件106包括外蓋118、蓋板120、背板122、氣體分布板124 (通常稱為擴散器或噴淋頭)、氣體導管126和隔離物128。
[0023]背板122和氣體分布板124大致上平行于彼此設置，從而在背板122與氣體分布板124之間形成氣體分布容積130。背板122和氣體分布板124被配置成將處理氣體分布至處理容積108。背板122和氣體分布板124通常由鋁制成。隔離物128設置在側壁104上，并且被配置成將側壁104與氣體分布板124和背板122電隔離。蓋板120是由外蓋118支撐，并且電連接至側壁104。
[0024]穿孔132穿過背板122形成。穿孔132通過氣體導管將氣體分布容積130連接至氣源134。氣源134被配置成提供一或多種處理氣體。穿孔132在開口 136處通向氣體分布容積130。小區(qū)隔板組件138設置在開口 136上。小區(qū)隔板組件138被配置成引導氣流從穿孔132中流過氣體分布容積130，使得處理氣體大致上均勻地分布在氣體分布容積130中，并最終均勻地分布在工藝容積108中。
[0025]氣體分布板124具有穿孔區(qū)域，所述穿孔區(qū)域大致上對應于設置在基板支撐組件110上的基板114的處理區(qū)域。多個孔140穿過氣體分布板124形成，并且提供氣體分布容積130與處理容積108之間的流體連通。氣體分布板124的穿孔區(qū)域被配置成提供穿過氣體分布板124進入處理容積108的氣體的均勾分布。
[0026]在一個實施方式中，氣體分布板124、背板122、區(qū)隔板組件180和小區(qū)隔板組件138可由金屬或其它導電性相當?shù)牟牧?例如，鋁、不銹鋼或金屬合金)制成。
[0027]基板支撐組件110設置在處理容積108的中心，并且在處理過程中支撐基板114?；逯谓M件110 一般包括導電支撐主體142，所述導電支撐主體142是由延伸穿過腔室底部102的軸144支撐。支撐主體142 —般呈多邊形形狀，并且至少在支撐主體142支撐基板114的部分上方覆蓋有電絕緣涂層。絕緣涂層還可覆蓋支撐主體142的其他部分。在一個實施方式中，基板支撐組件110通常至少在處理過程中耦接至地電勢。
[0028]支撐主體142可由金屬或其他導電性相當?shù)牟牧现瞥?，例如，鋁。絕緣涂層可以是電介質材料，如