本技術(shù)涉及硅單晶生長爐，特別涉及一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、硅單晶生長爐是用于生長硅單晶的關(guān)鍵設(shè)備，通常用于半導(dǎo)體工業(yè)中生產(chǎn)硅晶片，其工作原理基于在高溫下，通過將硅熔體在適當(dāng)?shù)臈l件下降溫，使之逐漸結(jié)晶成單一大型的硅晶體，這些硅單晶體具有高純度和均勻的晶體結(jié)構(gòu)，非常重要，因為它們是制造半導(dǎo)體器件如芯片的基礎(chǔ)材料。

2、公布號為cn220284286u的專利文件公開了一種硅單晶生長爐，包括爐筒，所述爐筒的上表面安裝有硅單晶生長爐爐蓋，所述硅單晶生長爐爐蓋的內(nèi)壁固定安裝有環(huán)形密封板，所述環(huán)形密封板的底面固定安裝有環(huán)形密封墊，所述爐筒的內(nèi)壁固定安裝有保溫筒，所述環(huán)形密封墊的底面與保溫筒的上表面相接觸，本裝置通過在環(huán)形密封板的底面設(shè)置環(huán)形密封墊，使得硅單晶生長爐爐蓋和爐筒之間的縫隙可以得到密封，從而有效減少高純氬氣和熱量從縫隙中漏出至外部，通過在保溫筒的內(nèi)部設(shè)置熱量反射板，從而有效減少熱量的流失，該裝置有效的解決了現(xiàn)有的硅單晶生長爐在生產(chǎn)過程中熱功率和高純氬氣存在一定程度的浪費，從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加的問題。

3、導(dǎo)流筒是一種用于引導(dǎo)流體或氣體流動方向的裝置，通常由管狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成，使單晶硅棒免受介質(zhì)沖刷，導(dǎo)流筒作用形成內(nèi)外溫差梯度，使拉晶過程中更容易形成晶核，它在工業(yè)和科學(xué)應(yīng)用中廣泛使用，現(xiàn)有的硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒一般為為一體成型結(jié)構(gòu)，當(dāng)使用者需要制成不同直徑的單晶硅棒時，就需要等待導(dǎo)流筒降溫對其進(jìn)行更換，使用起來較為麻煩。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型提供一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有的硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒一般為為一體成型結(jié)構(gòu)，當(dāng)使用者需要制成不同直徑的單晶硅棒時，就需要等待導(dǎo)流筒降溫對其進(jìn)行更換，使用起來較為麻煩，從而影響導(dǎo)流筒使用效果的問題。

2、本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，包括防護(hù)殼，所述防護(hù)殼內(nèi)側(cè)的底部活動連接有坩堝本體，所述防護(hù)殼的內(nèi)壁活動連接有有密封塊，所述密封塊的內(nèi)壁活動連接有導(dǎo)流筒組件，所述導(dǎo)流筒組件的底部與坩堝本體的頂部活動連接；

3、所述導(dǎo)流筒組件包括穩(wěn)定塊、大導(dǎo)流筒、中導(dǎo)流筒和小導(dǎo)流筒，所述穩(wěn)定塊的底部與密封塊的頂部插接，所述穩(wěn)定塊的頂部與大導(dǎo)流筒的底部插接，所述大導(dǎo)流筒的內(nèi)壁與中導(dǎo)流筒的外壁插接，所述中導(dǎo)流筒的內(nèi)壁與小導(dǎo)流筒的外壁插接，所述大導(dǎo)流筒的底部與坩堝本體的頂部活動連接。

4、為了達(dá)到使穩(wěn)定塊可與大導(dǎo)流筒進(jìn)行緊密的貼合的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述穩(wěn)定塊的頂部開設(shè)有放置槽，所述大導(dǎo)流筒的底部固定連接有插接塊，所述插接塊的外側(cè)與放置槽的內(nèi)側(cè)插接。

5、為了達(dá)到中導(dǎo)流筒可被穩(wěn)定的放置于大導(dǎo)流筒的內(nèi)壁的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述大導(dǎo)流筒的內(nèi)壁固定連接有支撐盤，所述支撐盤的頂部與中導(dǎo)流筒的底部活動連接。

6、為了達(dá)到小導(dǎo)流筒可放置于穩(wěn)定盤的內(nèi)壁的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述中導(dǎo)流筒的內(nèi)壁固定連接有穩(wěn)定盤，所述穩(wěn)定盤的頂部與小導(dǎo)流筒的底部活動連接。

7、為了達(dá)到形成單晶硅生長的通道的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述穩(wěn)定盤的底部、中導(dǎo)流筒的底部和小導(dǎo)流筒的底部均開設(shè)有防滑紋路，所述大導(dǎo)流筒、中導(dǎo)流筒和小導(dǎo)流筒均連通。

8、為了達(dá)到密封塊可放置于防護(hù)殼的內(nèi)壁的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述防護(hù)殼內(nèi)壁固定連接有環(huán)形塊，所述環(huán)形塊的頂部與密封塊的頂部活動連接。

9、為了達(dá)到穩(wěn)定塊可放置與密封塊的內(nèi)側(cè)的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述密封塊的頂部開設(shè)有安裝槽，所述安裝槽的內(nèi)壁與穩(wěn)定塊的外壁活動連接，所述安裝槽的內(nèi)壁與大導(dǎo)流筒的外壁活動連接。

10、為了達(dá)到增加大導(dǎo)流筒與穩(wěn)定塊連接的緊密性的效果，作為本實用新型的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，所述放置槽的數(shù)量為若干個且均勻分布在穩(wěn)定塊的頂部，所述插接塊的數(shù)量為若干個且均勻分布在大導(dǎo)流筒的底部。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：

12、該硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置防護(hù)殼、坩堝本體、密封塊和導(dǎo)流筒組件，當(dāng)使用者需要制造單晶硅棒時，首先，使用者將原材料添加至坩堝本體內(nèi)，然后使用者將密封塊放置于防護(hù)殼的內(nèi)壁，對防護(hù)殼的頂部進(jìn)行半封閉，再將穩(wěn)定塊放置于密封塊的內(nèi)壁，之后使用者拿取大導(dǎo)流筒放置于穩(wěn)定塊的上，使大導(dǎo)流筒的底部于穩(wěn)定塊的頂部且貼合，最后，利用現(xiàn)有的加熱器對坩堝本體進(jìn)行加熱，使坩堝本體內(nèi)被加入的材料熔化，在使用者需要制成不同直徑的單晶硅棒時，使用者可使用工具將中導(dǎo)流筒放置于大導(dǎo)流筒的內(nèi)壁，即小導(dǎo)流筒也可放置于中導(dǎo)流筒的內(nèi)壁，以配合單晶硅棒的制成。

技術(shù)特征：

1.一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，包括防護(hù)殼(1)，其特征在于：所述防護(hù)殼(1)內(nèi)側(cè)的底部活動連接有坩堝本體(2)，所述防護(hù)殼(1)的內(nèi)壁活動連接有有密封塊(3)，所述密封塊(3)的內(nèi)壁活動連接有導(dǎo)流筒組件(4)，所述導(dǎo)流筒組件(4)的底部與坩堝本體(2)的頂部活動連接；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穩(wěn)定塊(401)的頂部開設(shè)有放置槽(5)，所述大導(dǎo)流筒(402)的底部固定連接有插接塊(6)，所述插接塊(6)的外側(cè)與放置槽(5)的內(nèi)側(cè)插接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述大導(dǎo)流筒(402)的內(nèi)壁固定連接有支撐盤(7)，所述支撐盤(7)的頂部與中導(dǎo)流筒(403)的底部活動連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述中導(dǎo)流筒(403)的內(nèi)壁固定連接有穩(wěn)定盤(8)，所述穩(wěn)定盤(8)的頂部與小導(dǎo)流筒(404)的底部活動連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述穩(wěn)定盤(8)的底部、中導(dǎo)流筒(403)的底部和小導(dǎo)流筒(404)的底部均開設(shè)有防滑紋路，所述大導(dǎo)流筒(402)、中導(dǎo)流筒(403)和小導(dǎo)流筒(404)均連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述防護(hù)殼(1)內(nèi)壁固定連接有環(huán)形塊(9)，所述環(huán)形塊(9)的頂部與密封塊(3)的頂部活動連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述密封塊(3)的頂部開設(shè)有安裝槽(10)，所述安裝槽(10)的內(nèi)壁與穩(wěn)定塊(401)的外壁活動連接，所述安裝槽(10)的內(nèi)壁與大導(dǎo)流筒(402)的外壁活動連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述放置槽(5)的數(shù)量為若干個且均勻分布在穩(wěn)定塊(401)的頂部，所述插接塊(6)的數(shù)量為若干個且均勻分布在大導(dǎo)流筒(402)的底部。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種硅單晶生長爐的導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)，屬于硅單晶生長爐技術(shù)領(lǐng)域，其技術(shù)方案要點包括防護(hù)殼，所述防護(hù)殼內(nèi)側(cè)的底部活動連接有坩堝本體，所述防護(hù)殼的內(nèi)壁活動連接有有密封塊，所述密封塊的內(nèi)壁活動連接有導(dǎo)流筒組件，所述穩(wěn)定塊的底部與密封塊的頂部插接，所述穩(wěn)定塊的頂部與大導(dǎo)流筒的底部插接，使大導(dǎo)流筒的底部于穩(wěn)定塊的頂部且貼合，最后，利用現(xiàn)有的加熱器對坩堝本體進(jìn)行加熱，使坩堝本體內(nèi)被加入的材料熔化，在使用者需要制成不同直徑的單晶硅棒時，使用者可使用工具將中導(dǎo)流筒放置于大導(dǎo)流筒的內(nèi)壁，即小導(dǎo)流筒也可放置于中導(dǎo)流筒的內(nèi)壁，以配合單晶硅棒的制成。

技術(shù)研發(fā)人員：徐禮健,蔣軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇和陽新材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240715
技術(shù)公布日：2025/5/15