專利名稱：氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒ā?br> 背景技術(shù)：
光學(xué)諧振腔是指光波在其中來回反射從而提供光能反饋的空腔。諧振腔的作用是選擇頻率一定、方向一致的光作最優(yōu)先的放大，而把其他頻率和方向的光加以抑制。光學(xué)諧振腔的作用有提供反饋能量及選擇光波的方向和頻率。在近代微電子元器件等領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用前景。納米光學(xué)諧振腔是具有納米尺度的光學(xué)諧振腔?，F(xiàn)有納米光學(xué)諧振腔中選用納米結(jié)構(gòu)作為核心部分，一般以氧化鋅及氧化鎵納米材料的光學(xué)參數(shù)較為為適宜，同時，作為諧振腔對納米材料晶體結(jié)構(gòu)的形狀要求較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種適宜應(yīng)用于納米光學(xué)諧振腔的納米材料。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的
所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒òㄈ缦虏襟E
(1)將石墨和氧化鋅粉末以質(zhì)量比約為2:3的比例混勻；
(2)在單晶硅片上通過離子濺射方式濺射一層金膜；
(3)在離石墨和氧化鋅的混合粉末附近放置濺射了金膜的單晶硅片；
(4)將整個系統(tǒng)抽真空，之后將少量氮?dú)馔ㄈ胂到y(tǒng)中。(5)使系統(tǒng)快速升溫至900至1100攝氏度，并且保持一段時間后冷卻。優(yōu)選地,所述石墨質(zhì)量約為2mg,所述氧化鋅質(zhì)量約為3mg,所述單晶娃片大小約為5_2，所述石墨和氧化鋅的混合粉末與所述單晶硅片間距約1cm。優(yōu)選地，步驟(2)中的濺射時間約為30秒，濺射電流約為2毫安。優(yōu)選地，步驟(4)中通入氮?dú)獾牧考s為300sccm，系統(tǒng)內(nèi)壓強(qiáng)約維持在1300Pa。優(yōu)選地,所述單晶硅片濺射表面為100面。優(yōu)選地，步驟(5)中升溫過程如下將系統(tǒng)從室溫開始經(jīng)25分鐘升溫至1000攝氏度，并保持I個小時。本發(fā)明的有益效果在于所得氧化鋅納米晶體頂蓋為六邊形，面積較大，易于粘附操作；下方為細(xì)長條狀，易于排列整齊，同時輔以氧化鋅的良好光學(xué)性質(zhì)，使得本發(fā)明所得氧化鋅納米釘成為一種適宜用作納米光學(xué)諧振腔的納米材料。


圖I為本發(fā)明所得產(chǎn)品電鏡圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對本發(fā)明做進(jìn)一步描述
實(shí)施例一
(1)將石墨和氧化鋅粉末以質(zhì)量比約為2:3的比例混勻；所述石墨質(zhì)量約為2mg，所述氧化鋅質(zhì)量約為3mg，所述單晶硅片大小約為5_2，所述石墨和氧化鋅的混合粉末置于石英
管中；
(2)在單晶硅片上通過離子濺射方式濺射一層金膜，濺射時間約為30秒，濺射電流約為2毫安，所述單晶硅片濺射表面為100面；
(3)在離石墨和氧化鋅的混合粉末附近放置濺射了金膜的單晶硅片；具體操作如下平放石英管，在混合粉末外側(cè)放入所述單晶硅片，使混合粉末與所述單晶硅片間距約1cm。(4)將整個系統(tǒng)抽真空，之后將少量氮?dú)馔ㄈ胂到y(tǒng)中，通入氮?dú)獾牧考s為300sccm，系統(tǒng)內(nèi)壓強(qiáng)約維持在1300Pa。(5)將系統(tǒng)從室溫開始經(jīng)25分鐘升溫至1000攝氏度，并保持I個小時后自然冷卻。所得晶體結(jié)構(gòu)如圖I所示，上面的六邊形釘面邊長約17. 2um，釘頭高度約10um。下面的六邊形圓柱高約56. 6um,邊長約5um,直徑約為10um。根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo)，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實(shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏托薷?。因此，本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的具體實(shí)施方式
，對本發(fā)明的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本發(fā)明構(gòu)成任何限制。
權(quán)利要求
1.一種氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，其特征在于包括如下步驟 (1)將石墨和氧化鋅粉末以質(zhì)量比約為2:3的比例混勻； (2)在單晶硅片上通過離子濺射方式濺射一層金膜； (3)在離石墨和氧化鋅的混合粉末附近放置濺射了金膜的單晶硅片； (4)將整個系統(tǒng)抽真空，之后將少量氮?dú)馔ㄈ胂到y(tǒng)中； (5)使系統(tǒng)快速升溫至900至1100攝氏度，并且保持一段時間后冷卻。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，其特征在于所述石墨質(zhì)量約為2mg，所述氧化鋅質(zhì)量約為3mg，所述單晶硅片大小約為5mm2，所述石墨和氧化鋅的混合粉末與所述單晶硅片間距約1cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，其特征在于步驟(2)中的濺射時間約為30秒，濺射電流約為2毫安。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，其特征在于步驟(4)中通入氮?dú)獾牧考s為300sccm，系統(tǒng)內(nèi)壓強(qiáng)約維持在1300Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒ǎ涮卣髟谟谒鰡尉Ч杵瑸R射表面為100面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，其特征在于步驟(5)中升溫過程如下將系統(tǒng)從室溫開始經(jīng)25分鐘升溫至1000攝氏度，并保持I個小時。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒?，所述氧化鋅納米釘?shù)暮铣煞椒òㄈ缦虏襟E(1)將石墨和氧化鋅粉末以質(zhì)量比約為2:3的比例混勻；(2)在單晶硅片上通過離子濺射方式濺射一層金膜；(3)在離石墨和氧化鋅的混合粉末附近放置濺射了金膜的單晶硅片；(4)將整個系統(tǒng)抽真空，之后將少量氮?dú)馔ㄈ胂到y(tǒng)中；(5)使系統(tǒng)快速升溫至900至1100攝氏度，并且保持一段時間后冷卻。本發(fā)明的有益效果在于所得氧化鋅納米晶體頂蓋為六邊形，面積較大，易于粘附操作；下方為細(xì)長條狀，易于排列整齊，同時輔以氧化鋅的良好光學(xué)性質(zhì)，使得本發(fā)明所得氧化鋅納米釘成為一種適宜用作納米光學(xué)諧振腔的納米材料。
文檔編號B82Y40/00GK102863012SQ201210363820
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者王冰, 鄭照強(qiáng), 吳環(huán)宇 申請人:深圳大學(xué)