本技術(shù)涉及mems產(chǎn)品，具體為一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、微機(jī)電系統(tǒng)簡稱mems，是集微型機(jī)械、微傳感器、微執(zhí)行器、信號處理、智能控制于一體的一項(xiàng)新興的科學(xué)領(lǐng)域。它將常規(guī)集成電路工藝和微機(jī)械加工獨(dú)有的特殊工藝相結(jié)合，涉及微電子學(xué)、機(jī)械設(shè)計(jì)、自動控制、材料學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、生物學(xué)、聲學(xué)、和電磁學(xué)等多種工程技術(shù)和學(xué)科，是一門多學(xué)科的綜合技術(shù)，mems研究的主要內(nèi)容包括微型傳感器、微型執(zhí)行器、和各類微系統(tǒng)，現(xiàn)已成為世界各國投入大量資金研究的熱點(diǎn)。

2、隨著人工智能、ai等技術(shù)的發(fā)展，對mems麥克風(fēng)提出了更高的要求，更小尺寸的高信噪比產(chǎn)品因其高靈敏度、高信噪比等優(yōu)勢獲得市場更大的青睞。

3、現(xiàn)有的mems如圖1所示，具有電路板1，電路板1上方安裝有外殼2，在外殼2內(nèi)部有空腔3，在空腔3內(nèi)有asic芯片4和mems芯片7，asic芯片4連接金線，金線的另一端連接mems芯片7，產(chǎn)品的外殼2帶有r角9，這樣會導(dǎo)致外殼2的腔體小，腔體小靈敏度和信噪比就越低，可拾取的聲音就越模糊，聲音回放的音質(zhì)越低，膜片的順性變小，導(dǎo)致膜片振動受限造成了靈敏度低、信噪比低等一系列問題。

4、因此，提出新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和封裝工藝的方式解決此問題，大幅提高產(chǎn)品靈敏度、信噪比、高頻曲線等指標(biāo)的mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

3、一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，包括電路板，所述電路板上方安裝有外殼，在所述外殼內(nèi)部有空腔，所述在空腔內(nèi)安裝有asic芯片，所述asic芯片右端連接金線，所述金線的另一端連接mems芯片，所述外殼去除r角與電路板平齊。

4、進(jìn)一步的，所述外殼上方安裝有降噪機(jī)構(gòu)，所述降噪機(jī)構(gòu)包括安裝在外殼上方的聲孔，所述聲孔下方安裝有緩沖腔，所述緩沖腔下方安裝有隔板。

5、進(jìn)一步的，所述asic芯片由密封膠粘結(jié)在電路板上方。

6、進(jìn)一步的，所述外殼與電路板通過密封膠緊密粘接。

7、進(jìn)一步的，所述mems芯片和asic芯片分別通過金線與電路板電連接。

8、進(jìn)一步的，所述聲孔設(shè)置有三個(gè)安裝在外殼上方。

9、進(jìn)一步的，所述外殼所用材料為降噪材料。

10、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn)是：本實(shí)用新型提供的一種mems產(chǎn)品封裝，通過采用新的外殼設(shè)計(jì)：去除外殼r角，有效的解決了困擾高靈敏度高信噪比產(chǎn)品難做的問題，實(shí)現(xiàn)方法簡單、工藝成熟、良率高，還通過降噪機(jī)構(gòu)當(dāng)外來聲音進(jìn)入聲孔內(nèi)后，聲音會在緩沖腔進(jìn)行緩沖消散，而隔板有效的保持聲音直接沖擊空腔內(nèi)；蓋板還具有防塵防水的效果避免氣流直接沖擊mems芯片和asic芯片，起到了保護(hù)作用，有效的降低了mems芯片和asic芯片的損壞率，延長了使用壽命，此種設(shè)計(jì)可應(yīng)用于前進(jìn)音產(chǎn)品也可用于背進(jìn)音產(chǎn)品。

技術(shù)特征：

1.一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括電路板(1)，所述電路板(1)上方安裝有外殼(2)，在所述外殼(2)內(nèi)部有空腔(3)，在所述空腔(3)內(nèi)有asic芯片(4)和mems芯片(7)，所述asic芯片(4)右端連接金線(6)，所述金線(6)的另一端連接mems芯片(7)，所述外殼(2)去除r角(9)后側(cè)面與電路板(1)的端部平齊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼(2)上方安裝有降噪機(jī)構(gòu)(8)，所述降噪機(jī)構(gòu)(8)包括安裝在外殼(2)上方的聲孔(81)，所述聲孔(81)下方安裝有緩沖腔(82)，所述緩沖腔(82)下方安裝有隔板(83)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述asic芯片(4)由密封膠(5)粘結(jié)在電路板(1)上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼(2)與電路板(1)通過密封膠(5)緊密粘接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述mems芯片(7)和asic芯片(4)封裝在電路板(1)上，并且分別通過金線(6)與電路板(1)電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聲孔(81)設(shè)置有三個(gè)安裝在外殼(2)上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼(2)的材質(zhì)為金屬、塑膠或陶瓷。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種MEMS產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，包括電路板，電路板上方安裝有外殼，在外殼內(nèi)部有空腔，在空腔內(nèi)安裝有ASIC芯片，ASIC芯片右端連接金線，金線的另一端連接MEMS芯片，外殼上方安裝有降噪機(jī)構(gòu)，本技術(shù)提供的一種MEMS產(chǎn)品封裝，通過采用新的外殼設(shè)計(jì)，有效的解決了困擾高靈敏度高信噪比產(chǎn)品難做的問題，還通過降噪機(jī)構(gòu)當(dāng)外來聲音進(jìn)入聲孔內(nèi)后，聲音會在緩沖腔進(jìn)行緩沖消散，而隔板有效的保持聲音直接沖擊空腔內(nèi)；蓋板還具有防塵防水的效果避免氣流直接沖擊MEMS芯片和ASIC芯片，起到了保護(hù)作用，有效的降低了MEMS芯片和ASIC芯片的損壞率，延長了使用壽命，此種設(shè)計(jì)可應(yīng)用于前進(jìn)音產(chǎn)品也可用于背進(jìn)音產(chǎn)品。

技術(shù)研發(fā)人員：劉志永
受保護(hù)的技術(shù)使用者：濰坊眾智科技電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240730
技術(shù)公布日：2025/5/15