專利名稱：磁阻感測組件與磁阻傳感器的制作方法
磁阻感測組件與磁阻傳感器技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種磁場感測組件及磁場傳感器，特別是關(guān)于一種可感測與基板表 面垂直的磁場且可與感測平行基板表面的磁場的磁場感測組件整合在相同芯片中的磁場 感測組件。
背景技術(shù)：
磁阻組件中所包含的磁阻材料可因應(yīng)磁場強(qiáng)度的變化而改變其電阻值，目前大量 地應(yīng)用于運(yùn)動產(chǎn)品、汽車、馬達(dá)、通訊產(chǎn)品中。常見的磁阻材料可依其作用方式的差異以及 靈敏度的不同而分為異向性磁阻(anisotropic magnetoresistance, AMR)、巨磁阻(giant magnetoresistance, GMR)及穿隧磁阻(tunneling magnetoresistance, TMR)等類型。
迄今，無論所用的磁阻材料為何，能量測三維磁場變化的磁阻裝置大多需要將量 測不同方向的多個磁阻裝置藉由封裝而整合在一起，這使得成本上升、裝置的良率下降以 及封裝的困難度增加。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種磁阻感測組件，其可感測與基板表面垂直的磁場，且 其材料與制程使其易與感測平行基板表面的磁阻感測組件整合在相同芯片中。
本發(fā)明提出一種磁阻感測組件，包含一長形的水平磁阻層、一導(dǎo)電部與一第一磁 場感應(yīng)層。該水平磁阻層是位于基板表面上方，沿著其長度延伸方向具有第一側(cè)以及與該 第一側(cè)相對的第二側(cè)。該導(dǎo)電部位于該水平磁阻層的上方或下方與其電耦合，該長形的水 平磁阻層與該導(dǎo)電部構(gòu)成至少一電流路徑。第一磁場感應(yīng)層是不平行于該基板表面，在該 水平磁阻層的該第一側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合。
在本發(fā)明的一實施例中，該導(dǎo)電部包含多個長形導(dǎo)電條，此多個長形導(dǎo)電條的長 度延伸方向與該水平磁阻層的長度延伸方向夾一銳角。
在本發(fā)明的一實施例中，該第一磁場感應(yīng)層為自該水平磁阻層的該第一側(cè)向上或 向下延伸的長條形。
在本發(fā)明的一實施例中，該第一磁場感應(yīng)層包含自該水平磁阻層的該第一側(cè)向上 或向下延伸的多個離散子部。
在本發(fā)明的一實施例中，該導(dǎo)電部包含自該水平磁阻層的該第一側(cè)朝向該第二側(cè) 延伸的多個第一側(cè)導(dǎo)電部以及自該水平磁阻層的該第二側(cè)朝向該第一側(cè)延伸的多個第二 側(cè)導(dǎo)電部。
在本發(fā)明的一實施例中，該磁阻感測組件還包含不平行于該基板表面且在該第二 側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合的第二磁場感應(yīng)層，該第二磁場感應(yīng)層包含自該水平磁阻層的 該第二側(cè)向下延伸的多個離散子部。
在本發(fā)明的一實施例中，該第一磁場感應(yīng)層的該多個離散子部與該第二磁場感應(yīng) 層的該多個離散子部是沿著該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯方式配置。
在本發(fā)明的一實施例中，該多個的第一側(cè)導(dǎo)電部與該多個的第二側(cè)導(dǎo)電部是沿著 該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯方向或以對稱方式配置。
本發(fā)明亦提出一種磁阻傳感器，其包含一惠斯通電橋的配置，此惠斯通電橋具有 四只電阻臂，每一只該電阻臂包含根據(jù)本發(fā)明的磁阻感測組件。
本發(fā)明的設(shè)置使得成本較低、裝置的不良率下降以及封裝的困難度降低。


圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的Z軸磁阻感測組件的立體圖。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的Z軸磁阻感測組件的的立體圖。
圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的Z軸磁阻感測組件的立體圖。
圖3A顯示圖3的Z軸磁阻感測組件的上視圖。
圖4顯示分別沿著圖1、圖2與圖3中的A-A’、B_B’與D_D’切線所獲得的橫剖面 的示意圖。
圖4A顯示圖4中的橫剖面的另一實施例。
圖4B顯示圖4中的橫剖面的更另一實施例。
圖5顯示沿著圖3中的C-C’切線所獲得的橫剖面的示意圖。
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的Z軸磁阻感測組件的立體圖。
圖7A顯示沿著圖6中的E-E’切線所獲得的橫剖面的示意圖。
圖7B顯示沿著圖6中的F-F’切線所獲得的橫剖面的示意圖。
圖8A顯示圖7A的橫剖面的另一實施例。
圖8B顯示圖7B的橫剖面的另一實施例。
圖9A-9C顯示根據(jù)本發(fā)明其它實施例的Z軸磁阻感測組件的平面圖。
圖10A-10B顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的Z軸磁阻傳感器，此裝置包含由本發(fā)明實施 例的Z軸磁阻感測組件所組成的電橋配置。
具體實施方式
本發(fā)明在此所探討的是一種磁阻感測組件與磁阻傳感器，本發(fā)明的磁阻傳感器特 別是針對感測垂直基板表面的磁場用的磁阻感測組件，并可以包含傳感器常用的其它結(jié)構(gòu) 如設(shè)定/重設(shè)定電路；感測X/Y軸方向的磁場用的磁阻感測組件；各式用以放大信號、過 濾信號、轉(zhuǎn)換信號用的電路；屏蔽非所欲的電磁干擾用的屏蔽結(jié)構(gòu)等。為了能徹底且清楚地 說明本發(fā)明及不模糊本發(fā)明的焦點，便不針對此些常用的結(jié)構(gòu)多做介紹，但本發(fā)明的整合 式磁阻傳感器可選擇性地包含此些常用的結(jié)構(gòu)。
下面將詳細(xì)地說明本發(fā)明的較佳實施例，舉凡本中所述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、 材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例，此些實施例 當(dāng)屬本發(fā)明的范疇。在閱讀了本發(fā)明后，熟知此項技藝者當(dāng)能在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，對上述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、材料、配置等作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的權(quán) 利要求須視本說明書所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)，且此些更動與潤飾當(dāng)落在本發(fā)明的權(quán) 利要求。
本發(fā)明的實施例及圖示眾多，為了避免混淆，類似的組件是以相同或相似的標(biāo)號示的；為避免畫面過度復(fù)雜及混亂，重復(fù)的組件僅標(biāo)示一處，他處則以此類推。圖示意在 傳達(dá)本發(fā)明的概念及精神，故圖中的所顯示的距離、大小、比例、形狀、連接關(guān)系....等皆 為示意而非實況，所有能以相同方式達(dá)到相同功能或結(jié)果的距離、大小、比例、形狀、連接關(guān) 系....等皆可視為等效物而采用的。
在本說明書中，「磁場感應(yīng)層」或「磁場導(dǎo)引層」是由磁性材料構(gòu)成，「磁阻層」亦 為磁性材料，尤其指電阻值會隨外在磁場變化而改變的離散或連續(xù)的單一或多層膜層， 其例如是異向性磁阻、巨磁阻及穿隧磁阻，其包含鐵磁材料(ferromagnet)、反鐵磁材料 (antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料(tunneling oxide)及上述者的 任意組合?！复艌龈袘?yīng)層」或「磁阻層」或「磁場導(dǎo)引層」較佳地意指異向性磁阻，尤其是坡 莫合金(permalloy)。在本說明書中，「感應(yīng)」、「導(dǎo)引」等加諸在部件前的形容詞是用來說 明磁阻感測組件在感應(yīng)特定方向的磁場時，該些部件所具有的功能或效果，當(dāng)欲感應(yīng)的磁 場方向改變(例如相反)時，該些部件的功能或效果可能會改變或互換，因此「感應(yīng)」、「導(dǎo) 引」等加諸在部件前的形容詞不應(yīng)限制該些部件的功能或效果。在本說明書中，「導(dǎo)電條」 或「導(dǎo)電部」或「內(nèi)聯(lián)線」是指具有導(dǎo)電能力的不限形狀的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其材料可以是金屬、合 金、硅化物、奈米管、導(dǎo)電碳材、摻雜硅，其結(jié)構(gòu)可以是線條、離散的島形物、薄片、貫孔、以鑲 嵌制程制作的單鑲嵌結(jié)構(gòu)或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、或上述結(jié)構(gòu)沿著水平或垂直方向上的任意組合。 在本說明書中，「磁場」或「沿著某一方向的磁場」可以用來代表在某處各種不同來源的磁 場在相加或抵消后的凈磁場也可以用來代表未考慮其它來源下在某處特定來源的磁場或 在某一方向上的磁場分量。在本說明書中，A與B部件「磁耦合」是指通過A與B其中一者 的磁力線會受到另一者的導(dǎo)引而產(chǎn)生轉(zhuǎn)向、集中等效果，因此A與B部件「磁耦合」可代表 兩者實體接觸、或彼此接近到足以互相產(chǎn)生磁性影響的程度但并未實體接觸。在本說明書 中，A與B部件「電耦合」是指電流可由A與B其中一者而流至另一者，因此A與B部件「電 耦合」可代表兩者實體接觸、或兩者間具有一或多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)/物質(zhì)使兩者得以電交流。
請參考圖1與圖4，圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的Z軸磁阻感測組件的立體圖， 圖4顯示沿著圖1中的A-A’切線所獲得的橫剖面的示意圖。在圖1中強(qiáng)調(diào)Z軸磁阻感測 組件1000中各個部件的形狀及位向，在圖4-4B中強(qiáng)調(diào)與感測Z軸磁場相關(guān)的主要部件。Z 軸磁阻感測組件1000主要包含水平磁阻層400、非水平的磁場感應(yīng)層300以及導(dǎo)電條500。 長形的水平磁阻層400位于基板100上方并與基板100平行，其沿著Y方向延伸，具有長、 窄的薄板形狀但末端不見得需要尖縮收斂。水平磁阻層400在寬度方向(X方向)上具有 靠近+X方向的第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)，在長度方向(Y方向)上具有電耦合至 工作電壓(Vcc)的一端以及電耦合至接地電壓(GND)的另一端。非水平的磁場感應(yīng)層300 亦位于基板100上方并近乎垂直于基板100 (亦可為傾斜面或多個傾斜面的組合設(shè)計，即含 有垂直分量，此圖例以近乎垂直為例)，其自水平磁阻層400的第一側(cè)向下延伸并與水平磁 阻層400磁耦合，以將其感受到的Z軸方向的磁場轉(zhuǎn)向(或?qū)б?至水平磁阻層400，導(dǎo)致 磁阻感測組件的電阻改變并產(chǎn)生輸出電壓的變化。水平磁阻層400與非水平的磁場感應(yīng)層 300可以是用相同磁阻材料所形成的一體成形結(jié)構(gòu)，或者可以是用相同或不同磁性材料或 其組合分別形成但實體相接的分離結(jié)構(gòu)，又或者可以是用相同或不同磁性材料或其組合所 形成的實體分離結(jié)構(gòu)，是故在相同磁阻材料時，亦可有不同厚度，以對應(yīng)設(shè)計所需。只要水 平磁阻層400與非水平的磁場感應(yīng)層300彼此接近到足以互相產(chǎn)生磁性影響的程度，兩者可以實體分離。在本實施例中，非水平的磁場感應(yīng)層300是位于一向下凹陷的下矩形溝槽的內(nèi)側(cè)壁上，使其具有長矩形的形狀。在此下矩形溝槽的內(nèi)側(cè)壁上尚有與非水平的磁場感應(yīng)層300實體相連的兩連接磁阻層310以及與兩連接磁阻層310相連接的對向磁阻層320， 但連接磁阻層310與對向磁阻層320對于感應(yīng)Z軸方向的磁場較無直接貢獻(xiàn)，往后文中不會對其多加討論。
導(dǎo)電條500是以不平行水平磁阻層400的方式設(shè)置在水平磁阻層400的上方或下方且與其電接觸或?qū)嶓w接觸，用以改變原有磁阻材料內(nèi)的電流方向，使電流方向與磁阻材料的磁化方向夾一角度，藉此增加磁阻材料的感測靈敏度。在本實施例中，多個導(dǎo)電條500 具有相同寬度、彼此的間具有相同間距、且皆與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向) 夾一銳角。導(dǎo)電條500的長度延伸方向是較佳地與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)夾45度角。由于導(dǎo)電條500采用導(dǎo)電金屬材質(zhì)，其電阻率遠(yuǎn)小于水平磁阻層400的磁阻材料的電阻率，因此在導(dǎo)電條500與水平磁阻層400實體接觸的處，電流路徑為電阻率較小的導(dǎo)電條500，然而在水平磁阻層400中(即相鄰的導(dǎo)電條500的間)導(dǎo)電條500間的最短路徑為電流(i)的導(dǎo)通方向；水平磁阻層400與導(dǎo)電條500構(gòu)成至少一電流路徑(水平磁阻層400 —導(dǎo)電條500 —導(dǎo)電條500間的水平磁阻層400 —下一導(dǎo)電條500....)。基于多個導(dǎo)電條500的形狀、尺寸、配置角度、相鄰導(dǎo)電條500間的間距皆相同，所有相鄰導(dǎo)電條 500間的導(dǎo)通電流i亦沿著相同方向，與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)夾一角度Θ。
在圖4中，水平磁阻層400、導(dǎo)電條500、非水平的磁場感應(yīng)層300、對向磁阻層320 是位于基板100上的介電層600中，但在最終的成品中可能會有更多的介電層向上堆棧覆蓋水平磁阻層400并保護(hù)其它的組件或電路。又，雖然在圖4中非水平的磁場感應(yīng)層300 是直接接觸基板100，但應(yīng)了解，圖中的基板100尚可包含基板與Z軸磁阻感測組件1000間的其它主動、被動組件、各式電路、摻雜區(qū)、內(nèi)聯(lián)線....等，而非是一般所認(rèn)知的單一材料的玻璃、娃或塑料載板。本段落中關(guān)于介電層600以及基板100的敘述，同樣適用于圖4A、 4B、5、7A、7B、gA、8B，后文便不再贅述。
再來，請參考圖4A，其顯示了圖4中所示的橫剖面的另一實施例。圖4A與圖4的差異在于，在圖4A中導(dǎo)電條500’是位于水平磁阻層400的上方而非如圖4中的導(dǎo)電條500 位于水平磁阻層400的下方，且非水平的磁場感應(yīng)層300’是自水平磁阻層400的第一側(cè)向上延伸而非如非水平的磁場感應(yīng)層300自水平磁阻層400的第一側(cè)向下延伸。圖4A中的水平磁阻層400與非水平的磁場感應(yīng)層300’可以是位于一溝槽的底部以及側(cè)壁，但亦可以其它制程及布局方式來加以實現(xiàn)。
再來，請參考圖4B，其亦顯示了圖4中所示的橫剖面的另一實施例。圖4B與圖4 的差異在于，在圖4B中因制程因素如沈積磁阻材料時在轉(zhuǎn)角處膜層較薄、進(jìn)行微影制程時對準(zhǔn)偏移或蝕刻磁阻材料時過度蝕刻轉(zhuǎn)角處，或者因為特殊設(shè)計考量，而使得水平磁阻層 400與非水平的磁場感應(yīng)層300在轉(zhuǎn)角處不再實體相連。即便水平磁阻層400與非水平的磁場感應(yīng)層300實體分離，但兩者應(yīng)彼此接近到足以互相產(chǎn)生磁性影響的程度，以利Z軸磁阻感測組件的功能運(yùn)作。
雖然在本文中只 針對圖4的橫剖面圖提出圖4A與4B的變化實施例，但應(yīng)了解，圖 4A與4B的變化實施例可應(yīng)用至本發(fā)明的所有Z軸磁阻感測組件1000’、1200、1300、1400、1500、1600的第一側(cè)或第二側(cè)。且圖4、4A、4B中所顯示的水平磁阻層400、非水平的磁場感 應(yīng)層300/300’、導(dǎo)電條500/500’、導(dǎo)電部510/510’(后續(xù)實施例將說明的)皆可任意組合， 例如圖4A中的導(dǎo)電條500’ /導(dǎo)電部510’可移至水平磁阻層400的下方；圖4B中的導(dǎo) 電條500/導(dǎo)電部510可位于移至水平磁阻層400的上方；圖4A中的水平磁阻層400與非 水平的磁場感應(yīng)層300可實體分離。又，雖然在圖4、4A、4B中所示的磁場感應(yīng)層300/300’ 及水平磁阻層400具有相同的均勻厚度，但應(yīng)了解，為了優(yōu)化感測組件的效能，磁場感應(yīng)層 300/300’及水平磁阻層400可具有不同厚度或材料且磁場感應(yīng)層300/300’的厚度可沿著 垂直方向變化。
接著請參考圖2，其顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的Z軸磁阻感測組件1100的立體 圖。Z軸磁阻感測組件1100與圖1中的Z軸磁阻感測組件1000的運(yùn)作原理相同，沿切線 B-B’所得的橫剖面亦為圖4所示，水平磁阻層400與導(dǎo)電條500的形狀、材料、位向、相對位 置皆同，且電流的導(dǎo)通路徑、方向亦相同，因此在此僅說明兩實施例的不同處。在本實施例 中，非水平的磁場感應(yīng)層300近乎垂直基板表面，由水平磁阻層400的第一側(cè)向下延伸，位 于多個向下凹陷的下矩形溝槽的側(cè)壁上，因此具有多個離散子部。在每一下矩形溝槽的內(nèi) 側(cè)壁上具有非水平的磁場感應(yīng)層300的一離散子部、與非水平的磁場感應(yīng)層300的該離散 子部實體相連的兩連接磁阻層310以及與兩連接磁阻層310相連接的對向磁阻層320，但連 接磁阻層310與對向磁阻層320對于感應(yīng)Z軸方向的磁場較無貢獻(xiàn)，在后文中不會對其多 加討論。每個下矩形溝槽較佳地具有相同的大小、深度、側(cè)壁斜度，使得磁場感應(yīng)層300的 每一離散子部皆具有約略相同的面積及厚度。相鄰的下矩形溝槽的間較佳地具有相同的間 距。本實施例中的非水平的磁場感應(yīng)層300除了樣貌與圖1中的磁場感應(yīng)層300稍有不同 外，其所包含的材料(與水平磁阻層400使用相同或相異的磁阻材料)、與水平磁阻層400 的連接方式(磁耦合)、作用機(jī)制(感受Z軸方向的磁場并將磁場轉(zhuǎn)向(或?qū)б?至水平磁 阻層400)皆與圖1相同。
接著請參考圖3與3A，其分別顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的Z軸磁阻感測組件 1200的立體圖與上視圖。Z軸磁阻感測組件1200主要包含水平磁阻層400、多個第一側(cè)的 非水平的磁場感應(yīng)層300 (后續(xù)簡稱為磁場感應(yīng)層300)、多個第二側(cè)的非水平的磁場感應(yīng) 層350 (后續(xù)簡稱為磁場感應(yīng)層350)、多個第一側(cè)導(dǎo)電部510、以及多個第二側(cè)導(dǎo)電部520。 水平磁阻層400的形狀、材料、位向與圖1中的水平磁阻層400相同，在此便不贅述。
本實施例中的第一側(cè)磁場感應(yīng)層300與圖2中的非水平的磁場感應(yīng)層300類似， 近乎垂直于基板表面，由水平磁阻層400的第一側(cè)向下延伸而與水平磁阻層400磁耦合， 具有多個離散子部且每一子部皆位于向下凹陷的下矩形溝槽的側(cè)壁上。類似地，在每一下 矩形溝槽的內(nèi)側(cè)壁上具有磁場感應(yīng)層300的一離散子部、與磁場感應(yīng)層300的該離散子部 實體相連的兩連接磁阻層310以及與兩連接磁阻層310相連接的對向磁阻層320。在本實 施例中，Z軸磁阻感測組件1200更具有非水平的磁場感應(yīng)層350。類似于磁場感應(yīng)層300， 磁場感應(yīng)層350近乎垂直于基板表面，由水平磁阻層400的第二側(cè)向下延伸而與水平磁阻 層400磁耦合，具有多個離散子部且每一子部皆位于向下凹陷的下矩形溝槽的側(cè)壁上。類 似地，在每一下矩形溝槽的內(nèi)側(cè)壁上具有磁場感應(yīng)層350的一離散子部、與磁場感應(yīng)層350 的該離散子部實體相連的兩連接磁阻層360以及與兩連接磁阻層360相連接的對向磁阻層 370。
與圖2相較，在圖3中磁場感應(yīng)層300的相鄰子部之間的距離較遠(yuǎn)，磁場感應(yīng)層 350的相鄰子部之間的距離也較遠(yuǎn)，且磁場感應(yīng)層300的子部與磁場感應(yīng)層350的子部沿著水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)以交錯方式配置，磁場感應(yīng)層300的子部與磁場感應(yīng)層350的子部可部分交迭或完全不交迭。較佳地，每個第一側(cè)/第二側(cè)的下矩形溝槽較佳地具有相同的大小、深度、側(cè)壁斜度，使得磁場感應(yīng)層300/350的每一離散子部皆具有約略相同的面積及厚度。相鄰的第一側(cè)/第二側(cè)下矩形溝槽之間較佳地具有相同的間距。
多個第一側(cè)導(dǎo)電部510自該水平磁阻層400的第一側(cè)朝向該第二側(cè)延伸，可延伸遠(yuǎn)至第二側(cè)；多個第二側(cè)導(dǎo)電部520自該水平磁阻層400的第二側(cè)朝向該第一側(cè)延伸，可延伸遠(yuǎn)至第一側(cè)。第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520的形狀可相同或不同(在此例中為相同)并可為任意形狀(在此例中為梯形)。但一般而言，第一側(cè)導(dǎo)電部510具有相同的形狀、大小且相鄰的第一側(cè)導(dǎo)電部510間具有相同間距，第二側(cè)導(dǎo)電部520具有相同的形狀、大小且相鄰的第二側(cè)導(dǎo)電部520間具有相同間距，第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部 520沿著水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)以交錯方式配置。較佳地，第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆具有相同的形狀、大小，且相鄰的第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520的相望鄰邊彼此平行(在此例中為第一側(cè)導(dǎo)電部510的腰部與相鄰第二側(cè)導(dǎo)電部520的相望腰部彼此平行)。由于第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520采用導(dǎo)電金屬材質(zhì)，其電阻率遠(yuǎn)小于水平磁阻層400的磁阻材料的電阻率，因此在第一側(cè)導(dǎo)電部510/第二側(cè)導(dǎo)電部520與水平磁阻層400實體接觸之處，電流路徑為電阻率較小的第一側(cè)導(dǎo)電部 510與第二側(cè)導(dǎo)電部520，然而在水平磁阻層400中(即相鄰的第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520之間)第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520間的最短路徑為電流(1/1’ )的導(dǎo)通方向。當(dāng)在水平磁阻層400中電流自第二側(cè)導(dǎo)電部520流向第一側(cè)導(dǎo)電部510時，電流I與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)間具有夾角+ ω。當(dāng)在水平磁阻層400中電流自第一側(cè)導(dǎo)電部510流向第二側(cè)導(dǎo)電部520時，電流I’與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)間具有夾角_ω。ω的數(shù)值相同，其大小取決于梯形的腰部的斜度，但+ω 為順時針方向而-ω為逆時針方向。水平磁阻層400與第一側(cè)導(dǎo)電部510/第二側(cè)導(dǎo)電部 520構(gòu)成至少一電流路徑(水平磁阻層400 —第一側(cè)導(dǎo)電部510 —第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520間的水平磁阻層400 —第二側(cè)導(dǎo)電部520 —第二側(cè)導(dǎo)電部520與第一側(cè)導(dǎo)電部510間的水平磁阻層400....)。
現(xiàn)參考圖3Α，皆自水平磁阻層400的第一側(cè)延伸的磁場感應(yīng)層300的多個子部以及多個第一側(cè)導(dǎo)電部510之間，除了水平磁阻層400長度不允許的特例情況外，每一磁場感應(yīng)層300的子部皆對應(yīng)至一第一側(cè)導(dǎo)電部510且兩者在第一側(cè)上部分交迭，交迭的長度較佳地為磁場感應(yīng)層300的子部的長度的一半及/或第一側(cè)導(dǎo)電部510的底邊(在此例中為梯形的底邊)的長度的一半。相同的原則適用于自水平磁阻層400的第二側(cè)延伸的磁場感應(yīng)層350的多個子部以及多個第二側(cè)導(dǎo)電部520 (兩者間的對應(yīng)與在第二側(cè)上的交迭關(guān)是)。
由于在圖3中沿著切線D-D’所獲得的橫剖面是如圖4所示，而先前已對圖4進(jìn)行了詳細(xì)的說明，在此便不贅述。在圖3中沿著切線C-C’所獲得的橫剖面是如圖5所示，與圖4不同的是，下矩形溝槽是位于水平磁阻層400的第二側(cè)，因此磁場感應(yīng)層350與對向磁阻層370是位于水平磁阻層400的第二側(cè)。針對圖4所提及的所有變化皆適用于圖5，在此便不多做舉例或說明。
現(xiàn)參考圖6、7A與7B，其分別顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的Z軸磁阻感測組件 1300的立體圖、沿著E-E’與F-F’切線的橫剖面圖。Z軸磁阻感測組件1300與圖3中的Z 軸磁阻感測組件1200的運(yùn)作原理相同，水平磁阻層400、第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電 部520、第一側(cè)磁場感應(yīng)層300與第二側(cè)磁場感應(yīng)層350的形狀、材料、位向、相對位置皆同， 且電流的導(dǎo)通路徑、方向亦相同，因此在此僅說明兩實施例的不同處。在本實施例中，Z軸 磁阻感測組件1300除了 Z軸磁阻感測組件1200的所有部件外，還包含多個第一磁通量集 中結(jié)構(gòu)710與多個第二磁通量集中結(jié)構(gòu)720。多個第一磁通量集中結(jié)構(gòu)710自水平磁阻層 400的第一側(cè)向上延伸并與水平磁阻層400磁耦合，且沿著水平磁阻層400的長度延伸方 向(Y方向)與該第一側(cè)磁場感應(yīng)層300的該多個離散子部交替配置。多個第二磁通量集 中結(jié)構(gòu)720自水平磁阻層400的該第二側(cè)向上延伸并與該水平磁阻層400磁耦合，且沿著 水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)與第二側(cè)磁場感應(yīng)層350的該多個離散子部交 替配置。從圖6、7A與7B中可見，第一磁通量集中結(jié)構(gòu)710與第二磁通量集中結(jié)構(gòu)720具 有大小相同的方塊的形式且較佳地位于水平磁阻層400的兩側(cè)上方(非正上方)，以有效 地集中/導(dǎo)引通過水平磁阻層400的磁通量。然而，只要第一磁通量集中結(jié)構(gòu)710與第二 磁通量集中結(jié)構(gòu)720采用磁性材料或磁阻材料，其可因應(yīng)不同Z軸磁阻感測組件的設(shè)計及 /或需求而采用其它形狀的塊材結(jié)構(gòu)或具有其它形式。例如，如圖8A與SB中所示，以第一 側(cè)上方的矩形溝槽以及溝槽內(nèi)側(cè)壁上的磁性材料740/750 (平行于紙面的磁性材料未被顯 示)來取代第一磁通量集中結(jié)構(gòu)710，并以第二側(cè)上方的矩形溝槽以及溝槽內(nèi)側(cè)壁上的磁 性材料760/770 (平行于紙面的磁性材料未被顯示)來取代第二磁通量集中結(jié)構(gòu)720。740 為第一側(cè)的非水平的磁場導(dǎo)引層而760為第二側(cè)的非水平的磁場導(dǎo)引層，兩者具有導(dǎo)引磁 通量的功能亦兼具有磁場感應(yīng)層的功能。是以當(dāng)磁性材料740/750與磁性材料760/770被 用作為磁場感應(yīng)層時，將其稱為第三磁場感應(yīng)層以與第一側(cè)磁場感應(yīng)層300與第二側(cè)磁場 感應(yīng)層350有所區(qū)別。由于圖7A、7B、8A、8B的其它部件皆與圖4、5相同，在此便不贅述。
又，圖7A、7B、8A、8B中的磁通量集中結(jié)構(gòu)(在此泛指710、720、740+750、760+770 的任一者或其任意組合)可應(yīng)用至本發(fā)明的所有Z軸磁阻感測組件1000、1000’、1200、 1300、1400、1500、1600的第一側(cè)及/或第二側(cè)。例如，針對Z軸磁阻感測組件1000，可在水 平磁阻層400的第二側(cè)上方加上如圖7B中所示的長條塊狀第二磁通量集中結(jié)構(gòu)720，或者 加上如圖8B中所示的長矩形溝槽及溝槽內(nèi)側(cè)壁上的磁性層。例如,針對Z軸磁阻感測組件 1100，可在水平磁阻層400的第二側(cè)上方加上多個如圖7B中所示的離散、方塊狀的第二磁 通量集中結(jié)構(gòu)720，或者加上多個如圖8B中所示的矩形溝槽及溝槽內(nèi)側(cè)壁上的磁性層。
現(xiàn)參考圖9A-9C，其顯示根據(jù)本發(fā)明其它實施例的Z軸磁阻感測組件的平面圖。在 詳細(xì)說明過圖3的Z軸磁阻感測組件1200后，應(yīng)不難理解，圖3的說明可作為了解圖9A-9C 的實施例的基礎(chǔ)，因此相同之處便不重復(fù)說明。圖9A中的Z軸磁阻感測組件1400與Z軸 磁阻感測組件1200的差異在于，圖3中的第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆為梯形 且自水平磁阻層400的一側(cè)朝向另一側(cè)延伸但未達(dá)另一側(cè)，但圖9A中的第一側(cè)導(dǎo)電部510 與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆為等腰三角形或正三角形(取決于水平磁阻層400的寬度)且自水 平磁阻層400的一側(cè)朝向另一側(cè)延伸并到達(dá)另一側(cè)。由于水平磁阻層400、第一側(cè)磁場感應(yīng) 層300、第二側(cè)磁場感應(yīng)層350的配置皆與圖3相同，在此便不贅述。
圖9B中的Z軸磁阻感測組件1500與Z軸磁阻感測組件1200的差異有數(shù)點。首 先，圖3中水平磁阻層400第一側(cè)處的多個凹陷矩形溝槽、第二側(cè)處的多個凹陷矩形溝槽皆 較為分散，導(dǎo)致第一側(cè)磁場感應(yīng)層300的相鄰子部間的間距較大、第二側(cè)磁場感應(yīng)層350的 相鄰子部間的間距也較大，但圖9B中兩側(cè)處的多個凹陷矩形溝槽皆較為密集，造成第一側(cè) 磁場感應(yīng)層300的相鄰子部間的間距較小、第二側(cè)磁場感應(yīng)層350的相鄰子部間的間距也 較小、磁場感應(yīng)層300與磁場感應(yīng)層350雖沿著水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向) 交錯配置但兩者的交迭范圍較大。再者，圖3中的第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520 皆為梯形、兩者皆自水平磁阻層400的一側(cè)朝向另一側(cè)延伸超過水平磁阻層400的一半寬 度、且兩者沿著水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)交錯配置，但圖9B中的第一側(cè)導(dǎo) 電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆為較小的平行四邊形、兩者皆自水平磁阻層400的一側(cè)朝 向另一側(cè)延伸未超過水平磁阻層400的一半寬度、且兩者沿著水平磁阻層400的長度延伸 方向(Y方向)以對稱方式配置。
由于上述的差異，當(dāng)Z軸磁阻感測組件1500運(yùn)作時，電流不再是從第一側(cè)導(dǎo)電部 510流向第二側(cè)導(dǎo)電部520或從第二側(cè)導(dǎo)電部520流向第一側(cè)導(dǎo)電部510。由于第一側(cè)導(dǎo) 電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520間過大的距離加上在此間距處的磁阻材料的高電阻率，因此 在第一側(cè)導(dǎo)電部510與水平磁阻層400實體接觸的處，電流路徑為電阻率較小的第一側(cè)導(dǎo) 電部510，然而在水平磁阻層400中(即相鄰的第一側(cè)導(dǎo)電部510之間)相鄰第一側(cè)導(dǎo)電 部510間的最短路徑為電流(I’ )的導(dǎo)通方向；水平磁阻層400與第一側(cè)導(dǎo)電部510構(gòu)成 至少一電流路徑(水平磁阻層400 —第一側(cè)導(dǎo)電部510 —第一側(cè)導(dǎo)電部510間的水平磁阻 層400 —下一第一側(cè)導(dǎo)電部510....)。同理，在相鄰的第二側(cè)導(dǎo)電部520間的水平磁阻層 400中，相鄰第二側(cè)導(dǎo)電部520間的最短路徑為電流(I)的導(dǎo)通方向；水平磁阻層400與第 二側(cè)導(dǎo)電部520構(gòu)成至少一電流路徑(水平磁阻層400 —第二側(cè)導(dǎo)電部520 —第二側(cè)導(dǎo)電 部520間的水平磁阻層400 —下一第二側(cè)導(dǎo)電部520....)。當(dāng)?shù)谝粋?cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè) 導(dǎo)電部520的形狀、大小、配置間距皆相同時，電流I的導(dǎo)通方向與水平磁阻層400的長度 延伸方向(Y方向)間的夾角會等于電流I’的導(dǎo)通方向與水平磁阻層400的長度延伸方向 (Y方向)間的夾角。夾角的數(shù)值取決于平行四邊形的對邊的斜度。
圖9C中的Z軸磁阻感測組件1600與Z軸磁阻感測組件1200的差異有數(shù)點。圖 3中的第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆為梯形且電流是自一側(cè)導(dǎo)電部的腰部流向 相鄰另一側(cè)導(dǎo)電部的腰部，且每一導(dǎo)電部510/520是與對應(yīng)的磁場感應(yīng)層300/350部分交 迭。但在圖9C中，第一側(cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520皆為斜置長條形且電流是自一側(cè) 導(dǎo)電部的指向前端流向相鄰另一側(cè)導(dǎo)電部的根部末端，且每一導(dǎo)電部510/520是與對應(yīng)的 磁場感應(yīng)層300/350完全交迭。當(dāng)?shù)谝粋?cè)導(dǎo)電部510與第二側(cè)導(dǎo)電部520的形狀、大小、配 置間距皆相同時，電流I的導(dǎo)通方向與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)間的夾角 會等于電流I’的導(dǎo)通方向與水平磁阻層400的長度延伸方向(Y方向)間的夾角。夾角的 數(shù)值取決于導(dǎo)電部斜置的角度。
在前面的眾多實施例中，由于在Z軸磁阻感測組件1000與1100中相鄰導(dǎo)電部500 間的電流i的導(dǎo)通方向皆依循著單一方向，因此Z軸磁阻感測組件1000與1100不只會對 Z軸方向的磁場產(chǎn)生輸出變化，其也會對X軸方向的磁場產(chǎn)生輸出變化，所以必須以電路設(shè) 計的方式組合不同位向的Z軸磁阻感測組件1000/1100或增加額外的電路來構(gòu)成Z軸磁阻傳感器，使得此Z軸磁阻傳感器只會對Z軸方向的磁場產(chǎn)生輸出變化但卻不受X軸方向的磁場的影響。由于在Z軸磁阻感測組件1200、1300、1400、1500、1600中，相鄰導(dǎo)電部(除了 1500
夕卜，皆為第一側(cè)導(dǎo)電部與第二側(cè)導(dǎo)電路；但在1500的情況下，相鄰的第一側(cè)導(dǎo)電部及相鄰的第二側(cè)導(dǎo)電路)間的電流分為兩個導(dǎo)通方向(I與I’)，且這兩個電流的導(dǎo)通方向?qū)ΨQ于水平磁阻層400的長度延伸方向，因此當(dāng)外在對此些Z軸磁阻感測組件加諸X軸方向的磁場時，磁通量是從水平磁阻層400的一側(cè)指向另一側(cè)，兩個方向的電流所構(gòu)成的影響互相抵消，使得Z軸磁阻感測組件的輸出變化趨近為零。當(dāng)外在對此些Z軸磁阻感測組件加諸Z軸方向的磁場時，磁通量具有兩個方向(從水平磁阻層400的第一側(cè)指向第二側(cè)者以及從水平磁阻層400的第二側(cè)指向第一側(cè)者)，兩個方向的磁通量以及兩個方向的電流相互搭配之下，使得Z軸磁阻感測組件的輸出產(chǎn)生變化。故Z軸磁阻感測組件1200、1300、1400、1500、1600可單獨使用便達(dá)到感測Z軸磁場的效果?，F(xiàn)參考圖10A-10B，其顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的Z軸磁阻傳感器，此裝置包含由本發(fā)明實施例的Z軸磁阻感測組件所組成的電橋配置。圖1OA的Z軸磁阻傳感器具有惠斯通電橋結(jié)構(gòu)，此電橋結(jié)構(gòu)具有四只電阻臂(右上電阻臂、右下電阻臂、左上電阻臂、左下電阻臂)，每一電阻臂的最小單位為一個Z軸磁阻感測組件1400。雖然在圖中每一電阻臂只包含一個Z軸磁阻感測組件1400，但每一電阻臂亦可由多個Z軸磁阻感測部1400以內(nèi)聯(lián)線串聯(lián)構(gòu)成。又，電阻臂中的Z軸磁阻感測組件1400可被替換為1200、1300、1500、1600中的任一者或其變化型而無損于此電橋結(jié)構(gòu)的運(yùn)作。右上電阻臂的上端藉由內(nèi)聯(lián)線連接至工作電壓Vcc，右上電阻臂的下端藉由內(nèi)聯(lián)線和右下電阻臂的上端電連接而將兩臂之間的電位定義為第二電壓V2。右下電阻臂的下端藉由內(nèi)聯(lián)線接地。左上電阻臂的上端藉由內(nèi)聯(lián)線連接至工作電壓Vcc，左上電阻臂的下端藉由內(nèi)聯(lián)線和左下電阻臂的上端電連接而將兩臂之間的電位定義為第一電壓VI。左下電阻臂的下端藉由內(nèi)聯(lián)線接地。在使用電橋結(jié)構(gòu)前可選擇性地將利用一設(shè)定/重設(shè)定(SET/RESET)電路使四只電阻臂中的水平磁阻層400的磁化方向調(diào)整到設(shè)定的方位(在本例中為方向MjPY方向)。當(dāng)電橋結(jié)構(gòu)中的磁場感應(yīng)層300/350感受到Z軸方向的磁場時，電橋結(jié)構(gòu)中的電阻臂的電阻值產(chǎn)生變化以回應(yīng)此影響磁場的影響，導(dǎo)致第一電壓Vl與第二電壓V2間的壓差變化。圖1OB的Z軸磁阻傳感器亦具有惠斯通電橋結(jié)構(gòu)，但不同于圖1OA中的電橋結(jié)構(gòu)使用四個完全相同的Z軸磁阻感測組件，圖1OB中的電橋結(jié)構(gòu)使用了一對Z軸磁阻感測組件1000以及一對Z軸磁阻感測組件1000’，以抵消X軸方向的磁場對其影響。Z軸磁阻感測組件1000與1000’的差異在于，組件1000的磁場感應(yīng)層300是位于水平磁阻層400的第一側(cè)但組件1000’的磁場感應(yīng)層卻是位于水平磁阻層400的第二側(cè)。然而，為了達(dá)到惠斯通電橋運(yùn)作的目的，可適當(dāng)調(diào)整圖1OB中磁場感應(yīng)層300的位向(位于左側(cè)或右側(cè))或?qū)щ姉l的延伸方向(左上右下或左下右上)。由于圖1OB的電橋結(jié)構(gòu)類似于圖1OA的電橋結(jié)構(gòu)(各臂的連接關(guān)系)，在此便不再贅述。下面的表I與表2將以表列的方式呈現(xiàn)出，當(dāng)圖1OA與IOB中的電橋結(jié)構(gòu)受到+X方向(定義為由水平磁阻層400的第二側(cè)指向第一側(cè)的方向，同理，-X方向被定義為由水平磁阻層400的第一側(cè)指向第二側(cè)的方向)及+Z方向(定義為由基板表面指向水平磁阻層400的方向，同理，-Z方向被定義為由水平磁阻層400指向基板表面的方向)的磁場時，電橋結(jié)構(gòu)中的左上臂、左下臂、右上臂、右下臂的狀態(tài)。表1:外加+X方向的磁場時圖1OA與IOB中的電橋結(jié)構(gòu)的各臂反應(yīng)與輸出
權(quán)利要求
1.一種磁阻感測組件，其特征在于，包含 一長形的水平磁阻層，位于一基板的表面上方，沿著其長度延伸方向具有第一側(cè)以及與該第一側(cè)相對的第二側(cè)； ー導(dǎo)電部，在該水平磁阻層的上方或下方與其電耦合，該長形的水平磁阻層與該導(dǎo)電部構(gòu)成至少ー電流路徑； 一第一磁場感應(yīng)層，不平行于該基板表面，在該水平磁阻層的該第一側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，該水平磁阻層與該磁場感應(yīng)層包含異向性磁阻材料。
3.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，該水平磁阻層與該磁場感應(yīng)層的電阻值會隨外在磁場變化而改變，其包含鐵磁材料、反鐵磁材料、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料的其中任一或其組合。
4.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在干，該導(dǎo)電部包含多個長形導(dǎo)電條，該多個長形導(dǎo)電條的長度延伸方向皆與該水平磁阻層的長度延伸方向夾ー相等的鋭角。
5.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一磁場感應(yīng)層是自該水平磁阻層的該第一側(cè)向上或向下延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一磁場感應(yīng)層可為長條形或包含多個離散子部。
7.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在干，該導(dǎo)電部包含自該水平磁阻層的該第一側(cè)朝向該第二側(cè)延伸的多個第一側(cè)導(dǎo)電部以及自該水平磁阻層的該第二側(cè)朝向該第一側(cè)延伸的多個第二側(cè)導(dǎo)電部。
8.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，第二磁場感應(yīng)層，自該水平磁阻層的該第二側(cè)向上或向下延伸，并與該水平磁阻層磁耦合。
9.如權(quán)利要求7所述的磁阻感測組件，其特征在于，還包含該第一磁場感應(yīng)層位于該水平磁阻層的該第一側(cè)，且包含多個離散子部，該多個離散子部的每ー個皆由該水平磁阻層的該第一側(cè)向上或向下延伸；不平行于該基板表面的第二磁場感應(yīng)層，位于該水平磁阻層的該第二側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合，該第二磁場感應(yīng)層且包含多個離散子部，該多個離散子部的每ー個皆由該水平磁阻層的該第二側(cè)向上或向下延伸。
10.如權(quán)利要求9所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一磁場感應(yīng)層的該多個離散子部與該第二磁場感應(yīng)層的該多個離散子部是沿著該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯方式配置。
11.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，第三磁場感應(yīng)層，不平行于該基板表面，位于該水平磁阻層的上方與該水平磁阻層磁耦合。
12.如權(quán)利要求9所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一磁場感應(yīng)層的該多個離散子部與對應(yīng)的該多個第一側(cè)導(dǎo)電部在第一側(cè)上至少部分交迭，且該第二磁場感應(yīng)層的該多個離散子部與對應(yīng)的該多個第二側(cè)導(dǎo)電部在第二側(cè)上至少部分交迭。
13.如權(quán)利要求9所述的磁阻感測組件，其特征在干，該多個的第一側(cè)導(dǎo)電部與該多個的第二側(cè)導(dǎo)電部是沿著該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯或?qū)ΨQ方式配置。
14.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，至少一第一磁通量集中結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件，其特征在于，還包含至少ー第一磁通量集中結(jié)構(gòu)且該第一磁場感應(yīng)層還包含多個離散子部，該至少一第一磁通量集中結(jié)構(gòu)，沿著該水平磁阻層的長度延伸方向與該第一磁場感應(yīng)層的該至少一離散子部交替配置，且該至少ー第一磁通量集中結(jié)構(gòu)自該水平磁阻層的該第一側(cè)處向上延伸并與該水平磁阻層磁耦合。
16.如權(quán)利要求14所述的磁阻感測組件，其特征在干，該至少一第一磁通量集中結(jié)構(gòu)可為溝槽側(cè)壁上的磁性層的形式或具有大塊磁性塊材的形式。
17.如權(quán)利要求7所述的磁阻感測組件，其特征在于，在該水平磁阻層中由該第一側(cè)導(dǎo)電部流向相鄰該第二側(cè)導(dǎo)電部的電流具有第一導(dǎo)通方向，且由該第二側(cè)導(dǎo)電部流向相鄰該第一側(cè)導(dǎo)電部的電流具有第二導(dǎo)通方向，該第一導(dǎo)通方向不平行于該第二導(dǎo)通方向。
18.如權(quán)利要求17所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一導(dǎo)通方向與該水平磁阻層的長度延伸方向之間的銳夾角等于該第二導(dǎo)通方向與該水平磁阻層的長度延伸方向之間的銳夾角。
19.如權(quán)利要求7所述的磁阻感測組件，其特征在于，在該水平磁阻層中由該第一側(cè)導(dǎo)電部流向相鄰該第一側(cè)導(dǎo)電部的電流具有第一導(dǎo)通方向且由該第二側(cè)導(dǎo)電部流向相鄰該第二側(cè)導(dǎo)電部的電流具有第二導(dǎo)通方向，該第一導(dǎo)通方向不平行于該第二導(dǎo)通方向。
20.如權(quán)利要求19所述的磁阻感測組件，其特征在于，該第一方向與該水平磁阻層的長度延伸方向之間的銳夾角等于該第二方向與該水平磁阻層的長度延伸方向之間的銳夾角。
21.—種磁阻傳感器，其特征在于，包含一惠斯通電橋的配置，此惠斯通電橋具有四只電阻臂，每ー只該電阻臂包含如權(quán)利要求1所述的磁阻感測組件。
22.如權(quán)利要求21所述的磁阻傳感器，其特征在于，該磁阻感測組件的該導(dǎo)電部具有自該水平磁阻層的該第一側(cè)朝向該第二側(cè)延伸的多個第一側(cè)導(dǎo)電部與自該水平磁阻層的該第ニ側(cè)朝向該第一側(cè)延伸的多個第ニ側(cè)導(dǎo)電部。
23.如權(quán)利要求22所述的磁阻傳感器，其特征在于，還包含第一磁場感應(yīng)層，其位于該水平磁阻層的該第一側(cè)且與該水平磁阻層磁耦合，該第一磁場感應(yīng)層包含多個離散子部，該多個離散子部的每ー個皆由該水平磁阻層的該第一側(cè)向上或向下延伸；第二磁場感應(yīng)層，其位于該水平磁阻層的該第二側(cè)處且與該水平磁阻層磁耦合，該第二磁場感應(yīng)層包含多個離散子部，該多個離散子部的每ー個皆由該水平磁阻層的該第二側(cè)向上或向下延伸。
24.如權(quán)利要求23所述的磁阻傳感器，其特征在干，該第一磁場感應(yīng)層具有多個離散子部且該第二磁場感應(yīng)層具有多個離散子部，該第一磁場感應(yīng)層的多個離散子部與該第二磁場感應(yīng)層的多個離散子部是沿著該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯或?qū)ΨQ方式配置。
25.如權(quán)利要求22所述的磁阻傳感器，該多個第一側(cè)導(dǎo)電部與該多個第二側(cè)導(dǎo)電部是沿著該水平磁阻層的長度延伸方向以交錯方式或?qū)ΨQ方式配置。
26.如權(quán)利要求21所述的磁阻傳感器，其特征在干，兩只該電阻臂包含相同的第一磁阻感測組件而剩下的兩只電阻臂包含相同的第二磁阻感測組件。
27.如權(quán)利要求26所述的磁阻傳感器，其特征在干，該第一磁阻感測組件與該第二磁阻感測組件的該導(dǎo)電部包含多個長形導(dǎo)電條，所有此多個長形導(dǎo)電條的長度延伸方向與該水平磁阻層的長度延伸方向夾ー銳角。
28.如權(quán)利要求27所述的磁阻傳感器，其特征在干，該第一磁阻感測組件的該第一磁場感應(yīng)層在該水平磁阻層的該第一側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合，但該第二磁阻感測組件的該第一磁場感應(yīng)層在該水平磁阻層的該第二側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合。
29.如權(quán)利要求22所述的磁阻傳感器，其特征在干，當(dāng)外加磁場的方向平行于該基板表面時，此磁阻傳感器的輸出不變。
30.如權(quán)利要求22所述的磁阻傳感器，其特征在干，當(dāng)外加磁場的方向垂直于該基板表面時，此磁阻傳感器的輸出改變。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種磁阻感測組件與磁阻傳感器。磁阻感測組件包含一長形的水平磁阻層、一導(dǎo)電部與一第一磁場感應(yīng)層。水平磁阻層位于基板表面上方，沿著其長度延伸方向具有第一側(cè)以及與該第一側(cè)相對的第二側(cè)。導(dǎo)電部位于該水平磁阻層的上方或下方與其電耦合，該長形的水平磁阻層與該導(dǎo)電部構(gòu)成至少一電流路徑。第一磁場感應(yīng)層是不平行于該基板表面，在該水平磁阻層的該第一側(cè)處與該水平磁阻層磁耦合。磁阻傳感器包含一惠斯通電橋的配置，此惠斯通電橋具有四只電阻臂，每一只該電阻臂包含上述的磁阻感測組件。本發(fā)明的設(shè)置使得成本較低、裝置的不良率下降以及封裝的困難度降低。
文檔編號G01R33/09GK103033772SQ20121036241
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者傅乃中, 陳光鏡, 劉富臺 申請人:宇能電科技股份有限公司