一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法
【專利摘要】一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，本發(fā)明涉及傳感器的制備方法。本發(fā)明要解決目前壬基酚傳感器為壬基酚傳感器單一材料或復(fù)合材料，其存在成膜性差、靈敏度不高，尤其選擇性差的缺點(diǎn)。方法：一、將石墨烯涂覆到玻碳電極的表面；二、制得GR/IL/GCE復(fù)合電極；三、制得AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極；四、制得修飾的玻碳電極；五、制得壬基酚MIP/AuNP/GR/IL/GCE；六、制得不含壬基酚的修飾電極。本發(fā)明制備的壬基酚電化學(xué)傳感器具有檢測(cè)時(shí)間短、選擇性高、成本小、檢出限低的優(yōu)點(diǎn)，能實(shí)現(xiàn)對(duì)壬基酚分子快速靈敏的檢測(cè)。本發(fā)明用于制備四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器。
【專利說明】一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]壬基酚(4-NP)是一種重要的化工原料，常被用作農(nóng)藥的助劑之一，由于其具有環(huán)境雌激素效應(yīng)，已被確認(rèn)為環(huán)境內(nèi)分泌干擾物(EEDs)之一，對(duì)生物體的生殖系統(tǒng)和發(fā)育能力有著嚴(yán)重危害。目前檢測(cè)樣品中的4-NP的主要方法有HPLC、GC、LC-MS/MS和免疫檢測(cè)法等。由于電化學(xué)方法具有靈敏度高、方法簡(jiǎn)單和成本低廉的優(yōu)點(diǎn)，許多學(xué)者開始研究壬基酚的電化學(xué)檢測(cè)方法，新型高性能電極材料的出現(xiàn)，進(jìn)一步推動(dòng)了電化學(xué)檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展。
[0003]石墨烯(GR)是一種具有二維平面結(jié)構(gòu)的碳材料，因其具有量子霍爾效應(yīng)、優(yōu)良的導(dǎo)電效應(yīng)及超高的比表面積等特點(diǎn)，已成為電化學(xué)傳感器的理想電極材料，目前已廣泛應(yīng)用于化學(xué)修飾電極的制備與應(yīng)用，如用石墨烯修飾電極分別檢測(cè)環(huán)境中的五氯酚、對(duì)苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A和壬基酚等污染物。但石墨烯在普通溶劑中很難形成均勻穩(wěn)定的分散體系。離子液體(IL)具有高的離子導(dǎo)電性和良好的生物相容性以及成膜性，兩者結(jié)合可以有助于石墨烯的分散和增敏。納米金(AuNP)是一種常用的金屬納米材料，具有導(dǎo)電性高、生物相容性好等特點(diǎn)，其功能性基團(tuán)可以接枝多種功能性材料，其摻雜的導(dǎo)電高分子材料可用于制作具有超高靈敏度的仿生傳感器敏感膜，有效促進(jìn)電子傳遞，加快傳感器的響應(yīng)速度，提高電流響應(yīng)。
[0004]分子印跡技術(shù)是一種制備對(duì)模板分子具有識(shí)別性能的聚合物的技術(shù)。分子印跡聚合物(MIP)具有化學(xué)穩(wěn)定性好、選擇性高和容易制備等特點(diǎn)，但是傳統(tǒng)分子印跡聚合物存在模板分子去除難、印跡位點(diǎn)少和傳質(zhì)速度慢等缺點(diǎn)，在許多方面的應(yīng)用受到了限制。基于載體或復(fù)合膜的表面印跡技術(shù)可有效提高目標(biāo)分子的識(shí)別響應(yīng)速度，降低非特異性吸附，從而提高印跡材料對(duì)印跡分子的吸附量和選擇性，尤其是采用電聚合法，可在電極表面制備穩(wěn)定高效且具有優(yōu)異選擇性的薄層分子印跡膜，因此，表面印跡和識(shí)別聚合物材料已經(jīng)應(yīng)用于電化學(xué)傳感器、萃取分離等領(lǐng)域。
[0005]目前壬基酚傳感器為單一材料或復(fù)合材料，其存在成膜性差、靈敏度不高，尤其選擇性差的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決目前壬基酚傳感器為壬基酚傳感器單一材料或復(fù)合材料，其存在成膜性差、靈敏度不高，尤其選擇性差的缺點(diǎn)，而提供一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法。
[0007]—種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，具體是按照以下步驟進(jìn)行的:
[0008]一、將石墨烯涂覆到玻碳電極的表面，形成表面涂覆有石墨烯的玻碳電極；[0009]二、將步驟一得到的涂覆有石墨烯的玻碳電極再涂覆離子液體，烘干，得到GR/IL/GCE復(fù)合電極；
[0010]三、將步驟二得到的GR/IL/GCE復(fù)合電極浸入到氯金酸溶液中，在三電極體系中，控制電位范圍為-1.2V?0.8V，掃速為50mV/s?100mV/s，循環(huán)伏安掃描5圈，再用二次蒸餾水沖洗晾干，得到AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極；
[0011]四、將步驟三得到的AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極浸入到對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液中進(jìn)行自組裝24h，然后放入壬基酚乙腈溶液中，浸泡2h，得到修飾的玻碳電極；
[0012]五、以步驟四得到的修飾的玻碳電極為工作電極，以鉬為對(duì)電極，以飽和甘汞為參比電極，放入包含模板分子的聚合體系中，控制電位范圍為OV?0.8V,掃速為50mV/s?100mV/S，循環(huán)伏安掃描30圈，再用二次蒸餾水沖洗，晾干，得到壬基酚MIP/AuNP/GR/IL/GCE ;其中，聚合體系的配置:對(duì)巰基苯胺的濃度為30mmol/L，四丁基高氯酸銨的濃度為25mmol/L，壬基酚的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L ；
[0013]六、將步驟五得到的MIP/AuNP/GR/IL/GCE電極浸入到酸醇溶液中，保持20min，然后移除印跡分子和吸附在印跡膜表面未聚合的功能單體分子，得到不含壬基酚的修飾電極，完成一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明以GR為基底電極，利用自組裝和電沉積技術(shù)，將IL、AuNP和MIP分步沉積到電極表面制備了修飾電極。此修飾電極綜合了 IUAuNP和GR及MIP的優(yōu)點(diǎn):具有導(dǎo)電性好、電化學(xué)窗口寬、穩(wěn)定性好和選擇性高等特點(diǎn)。GR和離子液體的存在為其提供了良好的反應(yīng)界面，非常有利于電化學(xué)沉積反應(yīng)的進(jìn)行；AuNP在IL表面的電沉積能夠形成一個(gè)比表面積大、導(dǎo)電性好的電極界面，并有利于進(jìn)一步的接枝分子印跡聚合物，從而形成一個(gè)四維的納米復(fù)合材料修飾電極，通過后續(xù)優(yōu)化檢測(cè)體系，研究了該電極對(duì)壬基酚的檢測(cè)靈敏度和選擇性，建立了一種快速檢測(cè)壬基酚的四元雜化高靈敏傳感器檢測(cè)方法。與其它方法相比，基于四維雜化復(fù)合電極的壬基酚電化學(xué)傳感器具有檢測(cè)時(shí)間短、選擇性高、成本小、檢出限低等優(yōu)點(diǎn)，能實(shí)現(xiàn)對(duì)壬基酚分子快速靈敏的檢測(cè)。
[0015]本發(fā)明用于制備四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為不同修飾電極的循環(huán)伏安圖；
[0017]圖2為實(shí)施例一制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器電極吸附前后的循環(huán)伏安變化圖，其中，曲線I代表吸附Ippm的模板分子后的測(cè)試曲線，曲線2代表清除模板分子后的測(cè)試曲線，曲線3代表當(dāng)納米粒子的Au和功能單體中的-SH通過共價(jià)鍵接枝分子印跡聚合膜后的測(cè)試曲線，曲線4代表空白；
[0018]圖3為實(shí)施例一制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器檢測(cè)不同濃度的壬基酚得到的差示脈沖曲線圖，其中，曲線I代表空白，曲線2代表50ppb，曲線3代表IOOppb，曲線4代表200ppb,曲線5代表300ppb,曲線6代表500ppb。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉的【具體實(shí)施方式】，還包括各【具體實(shí)施方式】之間的任意組合。[0020]【具體實(shí)施方式】一:本實(shí)施方式一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，具體是按照以下步驟進(jìn)行的:
[0021]一、將石墨烯涂覆到玻碳電極的表面，形成表面涂覆有石墨烯的玻碳電極；
[0022]二、將步驟一得到的涂覆有石墨烯的玻碳電極再涂覆離子液體，烘干，得到GR/IL/GCE復(fù)合電極；
[0023]三、將步驟二得到的GR/IL/GCE復(fù)合電極浸入到氯金酸溶液中，在三電極體系中，控制電位范圍為-1.2V?0.8V，掃速為50mV/s?100mV/s，循環(huán)伏安掃描5圈，再用二次蒸餾水沖洗晾干，得到AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極；
[0024]四、將步驟三得到的AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極浸入到對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液中進(jìn)行自組裝24h，然后放入壬基酚乙腈溶液中，浸泡2h，得到修飾的玻碳電極；
[0025]五、以步驟四得到的修飾的玻碳電極為工作電極，以鉬為對(duì)電極，以飽和甘汞為參比電極，放入包含模板分子的聚合體系中，控制電位范圍為OV?0.8V,掃速為50mV/s?100mV/S，循環(huán)伏安掃描30圈，再用二次蒸餾水沖洗，晾干，得到壬基酚MIP/AuNP/GR/IL/GCE ;其中，聚合體系的配置:對(duì)巰基苯胺的濃度為30mmol/L，四丁基高氯酸銨的濃度為25mmol/L，壬基酚的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L ；
[0026]六、將步驟五得到的MIP/AuNP/GR/IL/GCE電極浸入到酸醇溶液中，保持20min，然后移除印跡分子和吸附在印跡膜表面未聚合的功能單體分子，得到不含壬基酚的修飾電極，完成一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法。
[0027]【具體實(shí)施方式】二:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是:步驟二中離子液體為1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽溶液，質(zhì)量濃度為1%。其它與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0028]【具體實(shí)施方式】三:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是:步驟四中對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L。其它與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0029]【具體實(shí)施方式】四:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是:步驟四中壬基酚乙腈溶液的濃度為30mmol/L。其它與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0030]【具體實(shí)施方式】五:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是:步驟六中酸醇溶液為乙酸甲醇溶液，其中乙酸與甲醇的質(zhì)量比為1: 9。其它與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0031]采用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果:
[0032]實(shí)施例一:
[0033]本實(shí)施例一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，具體是按照以下步驟進(jìn)行的:
[0034]一、將石墨烯涂覆到玻碳電極的表面，形成表面涂覆有石墨烯的玻碳電極；
[0035]二、將步驟一得到的涂覆有石墨烯的玻碳電極再涂覆離子液體，烘干，得到GR/IL/GCE復(fù)合電極；
[0036]三、將步驟二得到的GR/IL/GCE復(fù)合電極浸入到氯金酸溶液中，在三電極體系中，控制電位范圍為-1.2V?0.8V，掃速為50mV/s?100mV/s，循環(huán)伏安掃描5圈，再用二次蒸餾水沖洗晾干，得到AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極；
[0037]四、將步驟三得到的AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極浸入到濃度為10mmol/L的對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液中進(jìn)行自組裝24h，然后放入濃度為30mmol/L的壬基酚乙腈溶液中，浸泡2h，得到修飾的玻碳電極；[0038]五、以步驟四得到的修飾的玻碳電極為工作電極，以鉬為對(duì)電極，以飽和甘汞為參比電極，放入包含模板分子的聚合體系中，控制電位范圍為OV~0.8V,掃速為50mV/s~100mV/S，循環(huán)伏安掃描30圈，再用二次蒸餾水沖洗，晾干，得到壬基酚MIP/AuNP/GR/IL/GCE ;其中，聚合體系的配置:對(duì)巰基苯胺的濃度為30mmol/L，四丁基高氯酸銨的濃度為25mmol/L，壬基酚的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L ；
[0039]六、將步驟五得到的MIP/AuNP/GR/IL/GCE電極浸入到酸醇溶液中，保持20min，然后移除印跡分子和吸附在印跡膜表面未聚合的功能單體分子，得到不含壬基酚的修飾電極，完成一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法。
[0040]本實(shí)施例中CHI222電化學(xué)工作站(北京華天儀器有限公司)；飽和甘汞為參比電極；鉬為對(duì)電極；石英管加熱式自動(dòng)雙重純水蒸餾器(1810B，上海亞太技術(shù)玻璃公司)用于蒸二次蒸餾水；電子天平(北京賽多利斯儀器有限公司)用于稱量藥品；超聲波清洗器(昆山市超聲儀器有限公司)；三氧化二鋁打磨粉(0.30 μ m，0.05 μ m，上海辰華儀器試劑公司)用于處理金電極；鹽酸壬基酚(阿拉丁試劑公司)，對(duì)巰基苯胺(北京百匯佳信科技有限公司)；高純氮?dú)?純度為99.999% (02 ^ 0.001%))。
[0041]采用本實(shí)施例制備的傳感器檢測(cè)壬基酚的方法，方法如下，將本實(shí)施例制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器依次浸入到濃度為0.05~2.5ug/ml的壬基酚溶液(標(biāo)準(zhǔn)溶液)中，保持5~IOmin后，用5mmolL-l鐵氰化鉀溶液(含0.1molL-1氯化鉀)為探針，以修飾的玻碳電極為工作電極、以鉬為對(duì)電極、以飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系進(jìn)行差示脈沖掃描，得到不同濃度的峰電流；將測(cè)得的峰電流與壬基酚濃度關(guān)系得到標(biāo)準(zhǔn)曲線。測(cè)試結(jié)果可知壬基酚標(biāo)準(zhǔn)品的濃度范圍在0.05~5.0ug/ml內(nèi)具有良好的線性相關(guān)，線性相關(guān)系數(shù)R2 = 0.9939。最低檢測(cè)限可達(dá)到10ng/ml。
[0042]對(duì)壬基酚和辛基酚、雙酚A進(jìn)行特異性評(píng)價(jià)，結(jié)果顯示，對(duì)辛基酚和雙酚A的交叉反應(yīng)為零，而對(duì)于壬基酚的加標(biāo)回收率在85%~102%。由此可以說該傳感器具有良好的特異性，具較高的實(shí)用價(jià)值。
[0043]不同修飾電極的循環(huán)伏安圖如圖1所示，曲線I代表離子液體修飾電極(IL/GCE)，曲線2代表石墨烯修飾的玻碳電極(GR/GCE)，曲線3代表石墨烯/離子液體復(fù)合電極(GR/IL),曲線4代表本實(shí)施例制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器石墨烯/離子液體/納米金的修飾電極(AuNP/GR/IL/GCE)，曲線5代表裸玻碳電極(GCE)，由圖可知，石墨烯和離子液體由于具有優(yōu)異的電子傳遞性能，改善了電極的導(dǎo)電性，加快了電極上電子的交換速度，而高導(dǎo)電率的離子液體又使得石墨烯的分散性得到極大提高，兩者在
5.0mmol/L鐵氰化鉀溶液中，使氧化還原峰電流顯著增大。當(dāng)納米金摻雜三維復(fù)合電極后，進(jìn)一步增強(qiáng)電子的傳遞能力，使峰電流進(jìn)一步增大。由不同修飾電極的CV圖可知，三維復(fù)合材料修飾電極與裸電極相比，顯著提高了探針的峰電流，增大了電化學(xué)窗口。
[0044]本實(shí)施例制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器電極吸附前后的循環(huán)伏安變化圖如圖2所示，其中曲線I代表吸附Ippm的模板分子后的測(cè)試曲線，曲線2代表清除模板分子后的測(cè)試曲線，曲線3代表當(dāng)納米粒子的Au和功能單體中的-SH通過共價(jià)鍵接枝分子印跡聚合膜后的測(cè)試曲線，曲線4代表空白，由圖可知，當(dāng)納米粒子的Au和功能單體中的-SH通過共價(jià)鍵接枝分子印跡聚合膜后，形成了致密不導(dǎo)電的復(fù)合膜，阻礙了鐵氰化鉀在電極表面的氧化還原反應(yīng)，故峰電流變?yōu)槠教?。?dāng)清除模板分子后，形成與之匹配的空穴，有利于鐵氰化鉀溶液中的電子傳遞，致使峰電流增強(qiáng)。當(dāng)吸附Ippm的模板分子后，由于孔腔被壬基酚占據(jù)，導(dǎo)致探針電子傳遞受阻，引起了峰電流降低。接枝分子印跡膜后形成四維復(fù)合材料的修飾電極與裸電極相比不僅使峰電流增大，而且使電極具有特異選擇目標(biāo)物的能力。
[0045]本實(shí)施例制備的四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器檢測(cè)不同濃度的壬基酚得到的差示脈沖曲線圖如圖3所示，其中，曲線I代表空白，曲線2代表50ppb，曲線3代表IOOppb，曲線4代表200ppb，曲線5代表300ppb，曲線6代表500ppb ;由圖可知峰電流與壬基酚的濃度對(duì)數(shù)具有良好的線性關(guān)系，其回歸方程為y=_0.7561η(x)+5.2478 ；R2=0.9939。
[0046]由于壬基酚在特定電解質(zhì)溶液會(huì)發(fā)生氧化還原反應(yīng)的酚羥基可能參與了分子印跡膜氫鍵的形成，考慮到修飾電極對(duì)壬基酚氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生的峰電流變化的增強(qiáng)作用，以及與分子印跡膜電極富集壬基酚分子占據(jù)空穴阻礙電子傳遞引起的電流下降會(huì)產(chǎn)生互作效應(yīng)。因此，在測(cè)定樣品中的目標(biāo)物時(shí)，采用了修飾電極富集目標(biāo)物后通過鐵氰化鉀探針的峰電流大小進(jìn)行定性和定量更為準(zhǔn)確，從而避免直接電解壬基酚溶液引起的峰電流變化的誤差。
【權(quán)利要求】
1.一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，其特征在于一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，具體是按照以下步驟進(jìn)行的: 一、將石墨烯涂覆到玻碳電極的表面，形成表面涂覆有石墨烯的玻碳電極； 二、將步驟一得到的涂覆有石墨烯的玻碳電極再涂覆離子液體，烘干，得到GR/IL/GCE復(fù)合電極； 三、將步驟二得到的GR/IL/GCE復(fù)合電極浸入到氯金酸溶液中，在三電極體系中，控制電位范圍為-1.2V?0.8V，掃速為50mV/s?100mV/S，循環(huán)伏安掃描5圈，再用二次蒸餾水沖洗晾干，得到AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極； 四、將步驟三得到的AuNP/GR/IL/GCE三維復(fù)合電極浸入到對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液中進(jìn)行自組裝24h，然后放入壬基酚乙腈溶液中，浸泡2h，得到修飾的玻碳電極； 五、以步驟四得到的修飾的玻碳電極為工作電極，以鉬為對(duì)電極，以飽和甘汞為參比電極，放入包含模板分子的聚合體系中，控制電位范圍為OV?0.8V，掃速為50mV/s?IOOmV/S，循環(huán)伏安掃描30圈，再用二次蒸餾水沖洗，晾干，得到壬基酚MIP/AuNP/GR/IL/GCE ;其中，聚合體系的配置:對(duì)巰基苯胺的濃度為30mmol/L,四丁基高氯酸銨的濃度為25mmol/L,壬基酚的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L ； 六、將步驟五得到的MIP/AuNP/GR/IL/GCE電極浸入到酸醇溶液中，保持20min，然后移除印跡分子和吸附在印跡膜表面未聚合的功能單體分子，得到不含壬基酚的修飾電極，完成一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，其特征在于步驟二中離子液體為1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽溶液，質(zhì)量濃度為1%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，其特征在于步驟四中對(duì)巰基苯胺的乙腈溶液的濃度為lOmmol/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，其特征在于步驟四中壬基酚乙腈溶液的濃度為30mmol/L。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四元雜化仿生復(fù)合材料特異性識(shí)別壬基酚傳感器的制備方法，其特征在于步驟六中酸醇溶液為乙酸甲醇溶液，其中乙酸與甲醇的質(zhì)量比為I: 9。
【文檔編號(hào)】G01N27/48GK103558283SQ201310581121
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月18日
【發(fā)明者】佘永新, 王靜, 王淼, 李騰飛, 王珊珊 申請(qǐng)人:中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)技術(shù)研究所