一種三元復合仿生光催化劑及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種大尺寸、大孔徑的三元復合仿生光催化劑，包括二元復合載體及沉積在該二元復合載體表面的光催化劑，所述光催化劑為鐵酞菁配合物，所述鐵酞菁配合物的含量為1.5～4wt.％；所述二元復合載體包括ZnO納米晶薄膜和負載上述ZnO納米晶薄膜的SiO2大孔材料，所述ZnO的含量為10～20wt.％。本發(fā)明還公開了該三元復合仿生光催化劑的制備方法。本發(fā)明的三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80％～90％，比表面積為86～108m2/g，在可見光照射下1小時內對羅丹B的降解率≥95％，其穩(wěn)定性高，可重復使用，并且大尺寸任意形狀以及較好的強度是該材料的優(yōu)勢，可以適應實際應用的需要。
【專利說明】一種三元復合仿生光催化劑及其制備方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于光催化材料【技術領域】，涉及一種復合仿生光催化劑，尤其是一種大尺寸、大孔徑的三元復合仿生光催化劑，本發(fā)明還涉及該光催化劑的制備方法。

【背景技術】
[0002]近20年來，以半導體材料作為光催化劑降解各種水污染物得到越來越多的重視。光催化的基本原理是光催化材料在特定波長的光照下，吸收輻射能產生電子躍遷，在表面形成空穴-電子對，空穴從吸附在表面的水的氫氧根離子奪取電子，生成氧化能力很強的羥基自由基，將水中的有機物徹底氧化。在半導體材料中，ZnO是一種典型的η-型光催化齊U，它具有較高的傳輸電子能力，能高效阻止光生電子和空穴的復合而具有搞笑的光催化性能，然而ZnO的帶隙寬度為3.2eV，它只能在紫外光照射下才能有光催化活性，對可見光并無相應。金屬酞菁具有良好的化學、光和熱穩(wěn)定性，是一種典型的P-型半導體材料，在可見光區(qū)有強的躍遷，對600?SOOnm的可見光具有強烈的吸收，其中酞菁鐵是一種仿生化合物，催化作用類似氧化酶，因此利用酞菁鐵作為仿生光催化劑吸收可見光處理染料廢水很有實際意義。本發(fā)明采用四羧基酞菁鐵(III) (Fe (III)-taPc)作為光催化劑，它可溶解在強極性的有機溶劑中，但不溶于水，將它與ZnO復合使用，利用ZnO的電子傳輸性將光生電子遷移，阻止其與空穴復合，從而提高光催化反應的效率。同時為了將催化劑固定并在最大程度上保持分子擴散性，我們使用大尺寸、大孔徑的二氧化硅作為載體，將催化劑復合在三維連續(xù)的二氧化硅孔壁上，最后制備出使用方便，性能穩(wěn)定，可見光響應好，催化效率高的新型光催化劑。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是另提供一種大尺寸、大孔徑的三元復合仿生光催化齊U，具有能在可見光下降解有機物并且催化效率高等特點。
[0004]本發(fā)明所要解決的另一個技術問題是提供一種大尺寸、大孔徑的三元復合仿生光催化劑的制備方法。
[0005]本發(fā)明解決上述技術問題所采用的技術方案為:一種三元復合仿生光催化劑，其特征在于:
[0006]包括二元復合載體及沉積在該二元復合載體表面的光催化劑，所述光催化劑為鐵酞菁配合物，所述鐵酞菁配合物的含量為1.5?4wt.% ；
[0007]所述二元復合載體包括ZnO納米晶薄膜和負載上述ZnO納米晶薄膜的S12大孔材料，所述二元復合載體中，所述ZnO的含量為10?20wt.%。
[0008]所述二元復合載體由三維超薄結構的二氧化硅大孔材料，以及沉積在該二氧化硅大孔材料三維貫通的孔道內的ZnO納米晶薄膜構成，所述鐵酞菁配合物沉積在二元復合載體表面，所述二氧化娃大孔材料的孔徑為0.5?1.5 μ m,厚度為20?50nm。
[0009]所述鐵酞菁配合物為四羧基酞菁鐵(III)。
[0010]所述三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80%?90%，比表面積為86?108m2/g，在可見光照射I小時內對羅丹B的降解率彡95%。
[0011]一種三元復合仿生光催化劑的制備方法，其特征在于包括如下步驟:
[0012]①三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2?1: 2.5的環(huán)氧樹脂和聚乙二醇混合并且加熱到60?80°C，攪拌5?15分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為1: 4?1: 4.5的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在70?80°C中I?1h后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡12?20小時，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥I?2天；
[0013]②二氧化硅大孔材料的制備，將步驟①的三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡4?5小時,在氨水氣氛中于25?30°C下暴露10?12小時后形成S12/環(huán)氧樹脂復合物，干燥I?5小時，在馬弗爐中以5?10°C /min的升溫速率升至800?900°C，保持10?60分鐘即得到三維超薄結構的二氧化硅大孔材料；
[0014]③ZnO納米晶薄膜在二氧化硅大孔材料中的原位合成，將摩爾比為1:1?I: 1.2的Zn (NO3)2.6Η20與四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，所述前驅液中，Zn (NO3)2的濃度為0.2?1.0mol/L，將二氧化硅大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于70?80°C下烘2?3小時，然后在馬弗爐中以10?15°C /min的速度升溫至600?650°C，再保溫煅燒I?2小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體；
[0015]④鐵酞菁配合物的沉積，將鐵酞菁配合物與N，N- 二甲基乙酰胺按3?6mg/ml的比例配成浸潰溶液，將步驟③中的二元復合載體在上述浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，經干燥后得到三元復合仿生光催化劑。
[0016]所述鐵酞菁配合物為四羧基酞菁鐵(III)。
[0017]所述環(huán)氧樹脂的牌號為E-44。
[0018]所述乙二醇的分子量為1000或/和2000。
[0019]重復所述步驟③以調節(jié)ZnO的沉積量。
[0020]所述步驟④制備的三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80%?90%，比表面積為86?108m2/g，在可見光照射下I小時內對羅丹B的降解率彡95%。
[0021]與現有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:
[0022]I)該復合仿生光催化劑穩(wěn)定性高，負載的ZnO納米晶薄膜分散均勻，不會與二氧化硅大孔材料脫離，其本身的結構不會發(fā)生改變，催化劑可以多次重復使用；
[0023]2) 二氧化硅大孔材料具有連續(xù)貫通互穿的孔道，孔徑大(0.5?1.5 μ m)且分布均勻具有強的通透性，有利于物質的流通擴散；
[0024]3)使用四羥丙基乙二胺作為絡合劑負載方法簡單，不需要特殊儀器設備；
[0025]4) η-型的ZnO半導體與ρ_型的Fe (III)-taPc復合能使光催化效率提高；
[0026]5)大尺寸任意形狀以及較好的強度是該材料的優(yōu)勢，可以適應實際應用的需要。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為實施例1的SEM(掃描電子顯微鏡)圖片，其中a為二氧化硅大孔材料的SEM圖片；b為Fe (III)-taPc/Zn0/Si02三元復合仿生光催化劑的SEM圖片；
[0028]圖2為實施例3的ZnO(20wt% ) /S12樣品的XRD圖譜；
[0029]圖3為不同負載量的Fe (III)-taPc/Zn0/Si02三元復合仿生光催化劑的紫外-可見漫反射光譜；
[0030]圖4為不同負載量Fe (III)-taPc/Zn0/Si02三元復合仿生光催化劑對羅丹明B的降解曲線。

【具體實施方式】
[0031]以下結合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0032]實施例1
[0033]步驟1:三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2.5的環(huán)氧樹脂(牌號E-44)和聚乙二醇1000混合并且加熱到60°C，攪拌5分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為I: 4的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在70°C中I小時后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡12小時后除去聚乙二醇相，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥I天；
[0034]步驟2 =S12大孔材料的制備，即將步驟I中三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡5小時，在氨水氣氛中在30°C中暴露10小時后形成S12/環(huán)氧樹脂復合物，干燥I小時以除去生成的乙醇和吸附的氨水，在馬弗爐中以5°C /min的升溫速率升至800°C，保持10分鐘即可得到三維超薄結構的S12大孔材料，孔徑約為0.5?1.5微米，厚度約為20?50nm，其SEM圖片如圖1 (a)所示；
[0035]步驟3:ZnO納米晶薄膜在S12大孔材料中的原位合成,將Zn(NO3)2.6H20與等摩爾數的四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，前驅液中，Zn(NO3)2的摩爾濃度為
0.2mol/L。將S12大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于80°C下烘2小時，除去大部分水，然后在馬弗爐中以10°C /min的速度升溫至600°C，再保溫煅燒I小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體；
[0036]步驟4:Fe (III) -taPc的沉積，將Fe (III) -taPc溶解于N，N- 二甲基乙酰胺中配成浸潰溶液(Fe(III)-taPc濃度為3mg/mL)，將上述二元復合載體在浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，溶劑與水發(fā)生交換，Fe (III)-taPc自動沉積在載體表面，樣品經過水洗、干燥后得到墨綠色的三元復合仿生光催化劑，其SEM圖片如圖1(b)所示。
[0037]重復步驟3—次，可使ZnO的含量為1wt.%，Fe (III)-taPc含量為2.3wt.0A,三元復合仿生光催化劑的孔隙率為89%，比表面積為108m2/g，在可見光照射I小時內對羅丹明B的光催化降解率為> 95%。
[0038]實施例2
[0039]步驟1:三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2的環(huán)氧樹脂(牌號E-44)和聚乙二醇(PEG1000與PEG2000按7:1組合)混合并且加熱到65°C，攪拌10分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為1: 4的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在75°C中5小時后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡18小時后除去聚乙二醇相，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥I天；
[0040]步驟2 =S12大孔材料的制備，即將步驟I中三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡5小時，在氨水氣氛中在30°C中暴露10小時后形成S12/環(huán)氧樹脂復合物，干燥2小時以除去生成的乙醇和吸附的氨水，在馬弗爐中以8°C/min的升溫速率升至850°C，保持30分鐘即可得到三維超薄結構的S12大孔材料，孔徑約為0.5?1.5微米，厚度約為20 ?50nm ；
[0041]步驟3 =ZnO納米晶薄膜在S12大孔材料中的原位合成，將Zn(NO3)2.6H20與等摩爾數的四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，前驅液中，Zn(NO3)2的摩爾濃度為
0.5mol/L。將S12大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于80°C下烘2小時，除去大部分水，然后在馬弗爐中以10°C /min的速度升溫至600°C，再保溫煅燒I小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體；
[0042]步驟4:Fe (III) -taPc的沉積，將Fe (III) -taPc溶解于N，N- 二甲基乙酰胺中配成浸潰溶液(Fe (III)-taPc濃度為4mg/mL)，將上述二元復合載體在浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，溶劑與水發(fā)生交換，Fe (III)-taPc自動沉積在載體表面，樣品經過水洗、干燥后成為墨綠色，即得到三元復合仿生光催化劑。
[0043]重復步驟3 二次，使得ZnO的含量為16wt.%，Fe (III)-taPc含量為2.9wt.三元復合仿生光催化劑的孔隙率為82%，比表面積為95m2/g，在可見光照射I小時內對羅丹明B的光催化降解率為> 95%。
[0044]實施例3
[0045]步驟1:三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2的環(huán)氧樹脂(牌號E-44)和聚乙二醇(PEG1000與PEG2000按7:1組合)混合并且加熱到60?80°C，攪拌15分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為1: 4的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在80°C中10小時后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡20小時后除去聚乙二醇相，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥2天；
[0046]步驟2 =S12大孔材料的制備，即將步驟I中三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡5小時，在氨水氣氛中在30°C中暴露10小時后形成S12/環(huán)氧樹脂復合物，干燥5小時以除去生成的乙醇和吸附的氨水，在馬弗爐中以10°C /min的升溫速率升至900°C，保持60分鐘即可得到三維超薄結構的S12大孔材料，孔徑約為0.5?1.5微米，厚度約為20 ?50nm ；
[0047]步驟3 =ZnO納米晶薄膜在S12大孔材料中的原位合成，將Zn (NO3) 2.6H20與等摩爾數的四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，前驅液中，Zn(NO3)2的摩爾濃度為
1.0mol/L，將S12大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于80°C下烘2小時，除去大部分水，然后在馬弗爐中以10°C /min的速度升溫至600°C，再保溫煅燒I小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體；
[0048]步驟4:Fe (III) -taPc的沉積，將Fe (III) -taPc溶解于N，N- 二甲基乙酰胺中配成浸潰溶液(Fe(III)-taPc濃度為5mg/mL)，將上述二元復合載體在浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，溶劑與水發(fā)生交換，Fe (III)-taPc自動沉積在載體表面，樣品經過水洗、干燥后成為墨綠色，即得到三元復合仿生光催化劑。
[0049]重復步驟3三次，使得ZnO的含量為20wt.%，Fe (III)-taPc含量為3.2wt.% ,三元復合仿生光催化劑的孔隙率為82%，比表面積為89m2/g，在可見光照射I小時內對羅丹明B的光催化降解率為彡99%，圖2為實施例3的Zn0(20wt% )/Si02樣品的XRD圖譜，由于不同實施例的樣品其XRD譜圖相似，只是強度不同而已，所以只用一個譜圖來加以支持。
[0050]實施例4
[0051]步驟1:三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2.5的環(huán)氧樹脂(牌號E-44)和聚乙二醇(PEG1000與PEG2000按7:1組合)混合并且加熱到80°C，攪拌15分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為1: 4的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在80°C中10小時后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡20小時后除去聚乙二醇相，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥2天；
[0052]步驟2 =S12大孔材料的制備，即將步驟I中三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡5小時，在氨水氣氛中在30°C中暴露10小時后形成S12/環(huán)氧樹脂復合物，干燥5小時以除去生成的乙醇和吸附的氨水，在馬弗爐中以10°C/min的升溫速率升至900°C，保持160分鐘即可得到三維超薄結構的S12大孔材料，孔徑約為0.5?1.5微米，厚度約為20 ?50nm ；
[0053]步驟3:ZnO納米晶薄膜在S12大孔材料中的原位合成,將Zn(NO3)2.6H20與等摩爾數的四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，在前驅液中，Zn(NO3)2的摩爾濃度為1.0mol/L。將S12大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于80°C下烘2小時，除去大部分水，然后在馬弗爐中以10°C /min的速度升溫至600°C，再保溫煅燒I小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體；
[0054]步驟4:Fe (III) -taPc的沉積，將Fe (III) -taPc溶解于N，N- 二甲基乙酰胺中配成浸潰溶液(Fe (III)-taPc濃度為6mg/mL)，將上述二元復合載體在浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，溶劑與水發(fā)生交換，Fe (III)-taPc自動沉積在載體表面，樣品經過水洗、干燥后成為墨綠色，即得到三元復合仿生光催化劑。
[0055]重復步驟3三次，使得ZnO的含量為19wt.%，Fe (III)-taPc含量為3.6wt.% ,三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80%，比表面積為86m2/g，I小時內對羅丹明B的光催化降解率為彡99%。
[0056]將四個實施例中制得的不同負載量的Fe (III)-taPc/Zn0/Si02三元復合仿生光催化劑進行XRD、UV-Vis漫反射以及RhB的光催化降解測試，得到圖2至圖4。
[0057]實施例中的測試方法具體如下:
[0058]采用掃描電子顯微鏡(JSM-5600LV型)觀察樣品的形貌，即樣品噴鉬后在5kV的加速電壓下進行表面形貌表征；采用X射線衍射儀(Rigaku D/max-1200)分析樣品晶體結構和成分，工作電壓30mV，工作電流30mV，Cu K α輻射(λ = 0.154nm)，掃描范圍2 Θ =10°?70° ;用比表面積及孔徑分布測試儀(JW-K型)測試比表面積，用BET公式計算其比表面積；復合物樣品中ZnO以及Fe (III)-taPc的含量用重量法測定；
[0059]光催化性能測試方法:
[0060]以有機染料羅丹明B為目標降解物，氧氣為氧化劑，進行光催化反應，考察了不同負載量Fe (III)-taPc/Si02的光催化活性及循環(huán)使用性。以150W的鹵燈(λ ^ 400nm)為可見光光源，光源距離反應器10cm。分別稱取50mg不同負載量的Fe (III) -taPc/Si02催化齊U，制成顆粒狀樣品(尺寸約為1mm)，分散于50mll0ymol/L的羅丹明B水溶液,置于自制的密閉光反應器中，通入氧氣。在磁力攪拌下，將反應體系置于暗處lh，確保吸附平衡后開啟光源進行光催化反應。反應過程中每隔1min取樣，離心取其上清液，以紫外-可見分光光度計測定羅丹明B在552nm處的吸光度，并計算其濃度。根據公式CtZCci計算光催化降解率，式中Ctl和Ct分別為原溶液和每隔1min所取樣品溶液中羅丹明B的濃度。
[0061]本發(fā)明利用一種大尺寸、高強度、高孔隙率、高貫通性的二氧化硅大孔材料作為載體，在其三位貫通的孔道內負載有ZnO納米晶薄膜，然后用浸潰法將Fe (III)-taPc吸附到ZnO納米晶表面，構成η-型半導體與P-型半導體協(xié)同的光催化體系。該三元復合仿生光催化劑采用四羧基酞菁鐵(III) (Fe (III)-taPc)作為光催化劑，并與ZnO復合使用，利用ZnO的電子傳輸性將光生電子遷移，阻止其與空穴復合，從而提高光催化反應的效率；同時為了將催化劑固定并在最大程度上保持分子擴散性，使用大尺寸、大孔徑的二氧化硅作為載體，將催化劑復合在三維連續(xù)的二氧化硅孔壁上，最后制備出的光催化劑使用方便，性能穩(wěn)定，可見光響應好，催化效率高。
【權利要求】
1.一種三元復合仿生光催化劑，其特征在于: 包括二元復合載體及沉積在該二元復合載體表面的光催化劑，所述光催化劑為鐵酞菁配合物，所述鐵酞菁配合物的含量為1.5?4wt.% ； 所述二元復合載體包括ZnO納米晶薄膜和負載上述ZnO納米晶薄膜的Si02大孔材料，所述二元復合載體中，所述ZnO的含量為10?20wt.%。
2.根據權利要求1所述的三元復合仿生光催化劑，其特征在于:所述二元復合載體由三維超薄結構的二氧化硅大孔材料，以及沉積在該二氧化硅大孔材料三維貫通的孔道內的ZnO納米晶薄膜構成，所述鐵酞菁配合物沉積在二元復合載體表面，所述二氧化娃大孔材料的孔徑為0.5?1.5 μ m,厚度為20?50nm。
3.根據權利要求1或2所述的三元復合仿生光催化劑，其特征在于:所述鐵酞菁配合物為四羧基酞菁鐵(III)。
4.根據權利要求1或2所述的三元復合仿生光催化劑，其特征在于:所述三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80%?90%，比表面積為86?108m2/g，在可見光照射1小時內對羅丹B的降解率彡95%。
5.一種權利要求1至4中任意一項所述的三元復合仿生光催化劑的制備方法，其特征在于包括如下步驟: ①三維骨架聚合物的制備，將質量比為1: 2?1: 2.5的環(huán)氧樹脂和聚乙二醇混合并且加熱到60?80°C，攪拌5?15分鐘成透明溶液后，加入與環(huán)氧樹脂質量比為1: 4?1: 4.5的三乙烯四胺液體，攪拌均勻后倒入模具中定型，保持定型溫度在70?80°C中1?10h后形成白色的固狀聚合物共混物，用純水浸泡12?20小時，留下三維骨架結構的環(huán)氧樹脂，在室溫下真空干燥1?2天； ②二氧化硅大孔材料的制備，將步驟①的三維骨架結構的環(huán)氧樹脂在正硅酸四乙酯中浸泡4?5小時，在氨水氣氛中于25?30°C下暴露10?12小時后形成Si02/環(huán)氧樹脂復合物，干燥1?5小時，在馬弗爐中以5?10°C /min的升溫速率升至800?900°C，保持10?60分鐘即得到三維超薄結構的二氧化硅大孔材料； ③ZnO納米晶薄膜在二氧化硅大孔材料中的原位合成，將摩爾比為1: 1?1: 1.2的Ζη(Ν03)2.6H20與四羥丙基乙二胺配成水溶液，得到所需的前驅液，所述前驅液中，Ζη(Ν03)2的濃度為0.2?1.0mol/L，將二氧化硅大孔材料置于前驅液中充分浸泡，取出后于70?80°C下烘2?3小時，然后在馬弗爐中以10?15°C /min的速度升溫至600?650°C，再保溫煅燒1?2小時后冷卻至室溫，得到二元復合載體； ④鐵酞菁配合物的沉積，將鐵酞菁配合物與N，N-二甲基乙酰胺按3?6mg/ml的比例配成浸潰溶液，將步驟③中的二元復合載體在上述浸潰溶液中浸泡充分后取出，直接放入清水中，經干燥后得到三元復合仿生光催化劑。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于:所述鐵酞菁配合物為四羧基酞菁鐵(III)。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于:所述環(huán)氧樹脂的牌號為E-44。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于:所述乙二醇的分子量為1000或/和2000。
9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于:重復所述步驟③以調節(jié)ZnO的沉積 量。
10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于:所述步驟④制備的三元復合仿生光催化劑的孔隙率為80%?90%，比表面積為86?108m2/g，在可見光照射下1小時內對羅丹B的降解率彡95%。
【文檔編號】B01J35/10GK104437650SQ201310441844
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月25日 優(yōu)先權日:2013年9月25日
【發(fā)明者】張瑞豐, 李雪飛, 梁云霄, 江峰, 龍能兵, 肖通虎 申請人:寧波大學