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一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法以及設(shè)備與流程

文檔序號(hào):41563258發(fā)布日期:2025-04-08 18:16閱讀:13來源:國(guó)知局
一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法以及設(shè)備與流程

本公開涉及芯片制造,尤其涉及一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法以及設(shè)備。


背景技術(shù):

1、隨著芯片封裝的尺寸越來越小,wlcsp(wafer?level?chip?scale?packaging,晶圓級(jí)封裝方式被廣泛使用。wlcsp技術(shù)是一種在硅晶圓完整、單個(gè)芯片尚未切割之前就完成封裝制造的先進(jìn)封裝形式,它以其高集成度、低功耗和小型化的特點(diǎn),在高性能計(jì)算、移動(dòng)通信等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,因?yàn)閣lcsp缺少傳統(tǒng)密封的塑料或陶瓷包裝,需要保證其封裝密封性,進(jìn)而確保器件在各種環(huán)境下的可靠性和性能穩(wěn)定性。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題,本公開提供了一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法以及設(shè)備。

2、本公開提供了一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法,所述芯片包括非金屬封裝外殼與內(nèi)部金屬,所述非金屬封裝外殼包圍所述內(nèi)部金屬設(shè)置;所述方法包括:將所述芯片浸入至檢測(cè)液體,其中,所述檢測(cè)液體能夠與所述內(nèi)部金屬發(fā)生化學(xué)反應(yīng);將所述芯片從所述檢測(cè)液體中取出,根據(jù)所述內(nèi)部金屬的狀態(tài)判斷所述非金屬封裝外殼的密封性。

3、可選的,所述內(nèi)部金屬包括鋁。

4、可選的,所述檢測(cè)液體為堿性液體。

5、可選的,所述檢測(cè)液體為氫氧化鈉溶液。

6、可選的,所述氫氧化鈉溶液的濃度為5%±2%。

7、可選的,所述內(nèi)部金屬與所述檢測(cè)液體經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)后的表面顏色與未經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后的表面顏色不同;所述根據(jù)所述內(nèi)部金屬的狀態(tài)判斷所述非金屬封裝外殼的密封性,包括:若所述內(nèi)部金屬的表面顏色產(chǎn)生變化,判斷所述非金屬封裝外殼的密封性較差;或者,若所述內(nèi)部金屬的表面顏色無變化,判斷所述非金屬封裝外殼的密封性較好。

8、可選的,所述非金屬封裝外殼的光透過率大于50%;所述根據(jù)所述內(nèi)部金屬的狀態(tài)判斷所述非金屬封裝外殼的密封性,包括:利用光學(xué)顯微鏡觀察所述內(nèi)部金屬的表面顏色;若所述內(nèi)部金屬的表面顏色產(chǎn)生變化,判斷所述非金屬封裝外殼的密封性較差;或者,若所述內(nèi)部金屬的表面顏色無變化,判斷所述非金屬封裝外殼的密封性較好。

9、可選的,所述芯片包括芯片電路,所述內(nèi)部金屬為金屬密封環(huán),所述金屬密封環(huán)圍繞所述芯片電路設(shè)置。

10、可選的,所述芯片為晶圓級(jí)封裝芯片。

11、基于同一發(fā)明構(gòu)思,本公開還提供了一種芯片封裝密封性檢測(cè)設(shè)備,用于執(zhí)行任意一項(xiàng)所述的方法。

12、本公開提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):本公開提供的方法通過將待檢測(cè)芯片浸入至檢測(cè)液體中,可快速識(shí)別芯片的封裝損傷或裂紋,同時(shí)無需高成本的高倍率的電子顯微鏡拍照投入,降低了芯片封裝密封性檢測(cè)的成本,同時(shí)提升了檢測(cè)效率。



技術(shù)特征:

1.一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法,其特征在于,所述芯片包括非金屬封裝外殼與內(nèi)部金屬,所述非金屬封裝外殼包圍所述內(nèi)部金屬設(shè)置;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述內(nèi)部金屬包括鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述檢測(cè)液體為堿性液體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述檢測(cè)液體為氫氧化鈉溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述氫氧化鈉溶液的濃度為5%±2%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述內(nèi)部金屬與所述檢測(cè)液體經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)后的表面顏色與未經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后的表面顏色不同;

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述非金屬封裝外殼的光透過率大于50%;

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片包括芯片電路,所述內(nèi)部金屬為金屬密封環(huán),所述金屬密封環(huán)圍繞所述芯片電路設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片為晶圓級(jí)封裝芯片。

10.一種芯片封裝密封性檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,用于執(zhí)行權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的方法。


技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種芯片封裝密封性檢測(cè)方法以及設(shè)備。所述芯片包括非金屬封裝外殼與內(nèi)部金屬,所述非金屬封裝外殼包圍所述內(nèi)部金屬設(shè)置;所述方法包括:將所述芯片浸入至檢測(cè)液體,其中,所述檢測(cè)液體能夠與所述內(nèi)部金屬發(fā)生化學(xué)反應(yīng);將所述芯片從所述檢測(cè)液體中取出,根據(jù)所述內(nèi)部金屬的狀態(tài)判斷所述非金屬封裝外殼的密封性。本公開提供的方法通過將待檢測(cè)芯片浸入至檢測(cè)液體中,可快速識(shí)別芯片的封裝損傷或裂紋,同時(shí)無需高成本的高倍率的電子顯微鏡拍照投入,降低了芯片封裝密封性檢測(cè)的成本,同時(shí)提升了檢測(cè)效率。

技術(shù)研發(fā)人員:單耕野,劉偉,潘浩,黃金煌
受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京紫光青藤微系統(tǒng)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/4/7
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