本發(fā)明屬于射頻電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法。
背景技術(shù):
阻抗匹配是射頻電路中一個(gè)非常重要的概念,只有當(dāng)信號(hào)源所驅(qū)動(dòng)電路的輸入阻抗和信號(hào)源阻抗共軛時(shí),該電路從信號(hào)源吸收的功率才能達(dá)到最大值,這時(shí)稱信號(hào)源所驅(qū)動(dòng)電路達(dá)到了輸入阻抗匹配條件。為了滿足阻抗匹配條件從而使傳輸功率達(dá)到最大,常常需要將某一阻抗(源阻抗)變換到另一特定的阻抗(負(fù)載阻抗),實(shí)現(xiàn)這一功能的電路就是阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。目前有多種網(wǎng)絡(luò)可以實(shí)現(xiàn)阻抗匹配功能,其中L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)是射頻電路設(shè)計(jì)中最常用到的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),因其所用元器件最少,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單,由兩個(gè)無(wú)源元件(電容和電感)組成。
為了避免繁瑣的手工計(jì)算,工程上一般使用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),但是設(shè)計(jì)人員須具備豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)才能夠操作。所以研究L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法具有重大的理論價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。
傳統(tǒng)的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)需要進(jìn)行大量復(fù)雜的手工計(jì)算或者軟件模擬仿真,而且得到的參數(shù)均為理想值,實(shí)際的電子元器件因?yàn)榇嬖诩纳鷧?shù),往往導(dǎo)致計(jì)算的理想值和實(shí)際值偏差非常大,后期仍然需要借助Smith圓圖來(lái)精確設(shè)計(jì)。所以在實(shí)際操作中大部分設(shè)計(jì)人員會(huì)憑借經(jīng)驗(yàn)直接用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),通過(guò)實(shí)驗(yàn)的方法得到電子元器件的參數(shù)。所以無(wú)論設(shè)計(jì)人員是否計(jì)算仿真,最終都是用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。具體設(shè)計(jì)時(shí)因人而異,根據(jù)設(shè)計(jì)人員的水平和習(xí)慣,設(shè)計(jì)方法千差萬(wàn)別,沒(méi)有固定方法。水平高經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)人員可能設(shè)計(jì)的快速一些,初級(jí)的設(shè)計(jì)人員往往設(shè)計(jì)的慢一些,甚至設(shè)計(jì)失敗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法,以解決現(xiàn)有L型阻抗網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法步驟復(fù)雜、耗費(fèi)時(shí)間、成功率低的問(wèn)題。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案,一種L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法,包括以下步驟:
步驟一、建立二維阻抗平面坐標(biāo)系,并在二維阻抗平面內(nèi)選取起始點(diǎn)(n,n),其中,n>0;
步驟二、根據(jù)起始點(diǎn)(n,n)設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),并測(cè)量L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的特征阻抗值Z(n,n);判斷(n,n)是否為匹配點(diǎn);若是,根據(jù)匹配點(diǎn)設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò);否則,繼續(xù)執(zhí)行步驟三;
步驟三、增加步驟二中起始點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電容值和電感值,直至得出電容值和電感值所對(duì)應(yīng)的點(diǎn)(m,m),點(diǎn)(m,m)滿足以下條件:測(cè)量出點(diǎn)(m,m)對(duì)應(yīng)的特征阻抗值Z(m,m),Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離小于Z(n,n)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離;其中,m>n>0;
步驟四、增加步驟三中點(diǎn)(m,m)對(duì)應(yīng)的電容值和電感值,直至得出電容值和電感值所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)相鄰點(diǎn)(m1,m1)、(m2,m2),點(diǎn)(m1,m1)、(m2,m2)滿足以下條件:與史密斯原圖中心點(diǎn)之間的距離小于步驟三中Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離,且與史密斯原圖中心點(diǎn)之間的距離大于步驟三中Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離;則判斷匹配點(diǎn)位于以(m1,m1)為坐標(biāo)原點(diǎn)的阻抗平面內(nèi)第三象限且m2>m1>m>0,繼續(xù)執(zhí)行步驟五;
步驟五、縮小步驟四中匹配點(diǎn)所處的范圍,得出最終匹配區(qū)域,則最終匹配區(qū)域內(nèi)的任一點(diǎn)均為匹配點(diǎn),并根據(jù)匹配點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電容值和電感值設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
進(jìn)一步地,步驟一的具體方法為:
建立二維阻抗平面坐標(biāo)系,橫軸為電感軸,縱軸為電容軸,在二維阻抗平面內(nèi)選擇起始點(diǎn)(n,n)其中,起始點(diǎn)(n,n)表示在L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值均為n,通過(guò)起始點(diǎn)(n,n)分別做出平行于電感軸和電容軸的直線,并通過(guò)兩條直線將二維阻抗平面分為四個(gè)象限。
進(jìn)一步地,步驟五中得出最終匹配區(qū)域的具體方法為:
步驟5.1、選取匹配區(qū)域的中心點(diǎn)(m1/2,m1/2),并通過(guò)中心點(diǎn)(m1/2,m1/2)在二維阻抗平面做出分別與電容軸、電感軸平行的直線,將匹配區(qū)域分成第一象限、第二象限、第三象限和第四象限四部分,判斷匹配點(diǎn)所在象限,得出匹配區(qū)域;
步驟5.2、重復(fù)執(zhí)行步驟5.1,并得出最終匹配區(qū)域;
步驟5.3、以匹配區(qū)域內(nèi)任一點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電容值和電感值設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
進(jìn)一步地,步驟5.1中判斷匹配點(diǎn)所在象限的具體方法如下:
步驟5.1.1、保持中心點(diǎn)(m1/2,m1/2)的電容值不變,增大電感值,當(dāng)特征阻抗值接近史密斯原圖中心點(diǎn)時(shí),則匹配點(diǎn)位于第一象限或第四象限內(nèi),否則,匹配點(diǎn)位于第二象限或第三象限內(nèi);
步驟5.1.2、保持中心點(diǎn)(m1/2,m1/2)的電感值不變,增大電容值,當(dāng)特征阻抗值接近史密斯原圖中心點(diǎn)時(shí),則匹配點(diǎn)位于第一象限或第二象限內(nèi),否則,匹配點(diǎn)位于第三象限或第四象限內(nèi);
步驟5.1.3、根據(jù)步驟5.1.1和步驟5.1.2確定匹配點(diǎn)所在的匹配區(qū)域。
進(jìn)一步地,在匹配區(qū)域內(nèi),中心點(diǎn)的右上方為第一象限,中心點(diǎn)的左上方為第二象限,中心點(diǎn)的左下方為第三象限,中心點(diǎn)的右下方為第四象限。
本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)本發(fā)明的方法,將阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法標(biāo)準(zhǔn)化固定化,可以快速成功的設(shè)計(jì)出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),極大地簡(jiǎn)化了阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)方法,避免了手工計(jì)算和反復(fù)的實(shí)驗(yàn),節(jié)省了設(shè)計(jì)時(shí)間,降低了設(shè)計(jì)人員所需的理論水平和操作經(jīng)驗(yàn)。
【附圖說(shuō)明】
圖1為本發(fā)明中使用的史密斯圓圖;
圖2為本發(fā)明的阻抗平面及(n,n)點(diǎn)第一象限、(n,n)點(diǎn)第二象限、(n,n)點(diǎn)第三象限和(n,n)點(diǎn)第四象限示意圖;
圖3為本發(fā)明的阻抗平面及(m1,m1)點(diǎn)第三象限示意圖;
圖4為本發(fā)明的阻抗平面及(m1,m1)點(diǎn)第一象限、(m1,m1)點(diǎn)第二象限、(m1,m1)點(diǎn)第三象限和(m1,m1)點(diǎn)第四象限示意圖。
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明公開(kāi)了一種L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)方法,包括以下步驟:
步驟一、建立二維阻抗平面,并在該平面內(nèi)建立二維阻抗平面坐標(biāo)系,橫軸為電感軸,表示L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值,縱軸為電容軸,表示L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電容值,平面中任意一點(diǎn)表示了L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值,假設(shè)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)成功,那么在此二位阻抗平面中必存在一點(diǎn)與之對(duì)應(yīng),并且是唯一的,因此,L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)工作就轉(zhuǎn)化為找出在此二維阻抗平面中的那一個(gè)點(diǎn),命名為匹配點(diǎn);
在二維阻抗平面內(nèi)選取一個(gè)起始點(diǎn)(n,n),其中,n>0,選起始點(diǎn)時(shí),也可以選擇橫縱坐標(biāo)不同的值作為起始點(diǎn),優(yōu)選的選取橫縱坐標(biāo)都相同的點(diǎn),以便于設(shè)計(jì)L型阻抗網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)工作更加快捷;
起始點(diǎn)(n,n)表示在L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值為n,單位為nH,電容值為n,單位為pF,起始點(diǎn)的選擇可根據(jù)個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)選擇,在本實(shí)施例中選取點(diǎn)(5,5),即起始的電感值為5nH,電容值為5pH;
通過(guò)起始點(diǎn)(n,n)分別做出平行于電感軸和電容軸的直線,并通過(guò)兩條直線將二維阻抗平面分為四個(gè)象限,如圖2所示,優(yōu)選的我們?cè)O(shè)定(n,n)點(diǎn)的右上方為第一象限,(n,n)點(diǎn)的左上方為第二象限,(n,n)點(diǎn)的左下方為第三象限,(n,n)點(diǎn)的右下方為第四象限,但是由于n>0,所以(n,n)點(diǎn)的第三象限僅限于原阻抗平面坐標(biāo)系的坐標(biāo)原點(diǎn)的右上方部分;
在本實(shí)施例中,通過(guò)起始點(diǎn)(5,5)分別做出平行于電感軸和電容軸的直線,并通過(guò)兩條直線將二維阻抗平面分為四個(gè)象限,設(shè)定點(diǎn)(5,5)的右上方為第一象限,點(diǎn)(5,5)的左上方為第二象限,點(diǎn)(5,5)的左下方為第三象限,點(diǎn)(5,5)的右下方為第四象限,(5,5)點(diǎn)的第三象限僅限于原阻抗平面坐標(biāo)系的坐標(biāo)原點(diǎn)的右上方部分;
步驟二、根據(jù)起始點(diǎn)(n,n)設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),即使用電感為n nH電容為n pF設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),并通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試,如圖1所示,在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中觀察史密斯圓圖,即Smith圓圖,測(cè)量出此時(shí)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的特征阻抗值Z(n,n),判斷點(diǎn)(n,n)是否為匹配點(diǎn);
當(dāng)此時(shí)Z(n,n)處于史密斯圓圖中心點(diǎn)時(shí),則起始點(diǎn)(n,n)為匹配點(diǎn),并根據(jù)匹配點(diǎn)設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),否則,繼續(xù)執(zhí)行步驟三;
在本實(shí)施例中,設(shè)計(jì)電感值為5nH、電容值為5pH的L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試,在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中觀察Smith圓圖,測(cè)量出此時(shí)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的特征阻抗值Z(5,5)并未在處于Smith圓圖中心點(diǎn),因此,繼續(xù)執(zhí)行步驟三;
步驟三、增加步驟二中L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中起始點(diǎn)(n,n)所對(duì)應(yīng)的電容值和電感值直至(m,m),即電感值和電容值分別為m nH和m pF,其中,m>n>0,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗Z(m,m)的變化趨勢(shì),點(diǎn)(m,m)滿足以下條件:測(cè)量出點(diǎn)(m,m)對(duì)應(yīng)的特征阻抗值Z(m,m),Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離小于Z(n,n)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離;
即Z(m,m)比Z(n,n)更加靠近Smith圓圖的中心點(diǎn),則執(zhí)行步驟四;否則重新選取點(diǎn)(m,m)的值,直至Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離小于Z(n,n)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離后,執(zhí)行步驟四;
在本實(shí)施例中,將起始點(diǎn)(5,5)增加至(10,10),同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗Z(10,10)的變化趨勢(shì),得到Z(10,10)比Z(5,5)更加靠近Smith圓圖的中心點(diǎn);
步驟四、繼續(xù)增加步驟三中點(diǎn)(m,m)所對(duì)應(yīng)的電容值和電感值,直至得出電容值和電感值對(duì)應(yīng)的兩個(gè)相鄰點(diǎn)(m1,m1)、(m2,m2),且點(diǎn)(m1,m1)、(m2,m2)滿足以下條件:與史密斯原圖中心點(diǎn)之間的距離小于步驟三中Z(m,m)與史密斯原圖中心點(diǎn)之間的距離,且與史密斯原圖中心點(diǎn)之間的距離大于步驟三中Z(m,m)與史密斯圓圖中心點(diǎn)的距離;其中,m2>m1>m>0;
此時(shí),如圖3所示,可唯一得出匹配點(diǎn)位于以(m1,m1)為坐標(biāo)原點(diǎn)的阻抗平面內(nèi)第三象限和以原坐標(biāo)原點(diǎn)(0,0)的橫縱坐標(biāo)軸之間的匹配區(qū)域,繼續(xù)執(zhí)行步驟五;
本實(shí)施例中,繼續(xù)增加L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)電容值和電感值直至(11,11),即電感值和電容值分別為11nH和11pF,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗Z(11,11)的變化趨勢(shì),Z(11,11)比Z(10,10)遠(yuǎn)離Smith圓圖的中心點(diǎn),由于,點(diǎn)(11,11)之前所選的點(diǎn)為(10,10),則可唯一得出匹配點(diǎn)位于以(10,10)為坐標(biāo)原點(diǎn)的阻抗平面內(nèi)第三象限和以原坐標(biāo)原點(diǎn)(0,0)的橫縱坐標(biāo)軸之間的匹配區(qū)域,繼續(xù)執(zhí)行步驟五;
步驟五、縮小步驟四中匹配區(qū)域的范圍,直至最終匹配區(qū)域內(nèi)的點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的特征阻抗值接近史密斯原圖中心點(diǎn),則最終匹配區(qū)域內(nèi)的任一點(diǎn)即為匹配點(diǎn),并根據(jù)匹配點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電容值和電感值設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。其具體通過(guò)以下方法實(shí)施:
步驟5.1、選取匹配區(qū)域的中心點(diǎn)(m1/2,m1/2),同時(shí)將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為m1/2nH和m1/2pF,并通過(guò)中心點(diǎn)(m1/2,m1/2)在二維阻抗平面做出分別與電容軸、電感軸平行的直線,如圖4所示,將匹配區(qū)域分成第一象限、第二象限、第三象限和第四象限四部分,在匹配區(qū)域內(nèi),中心點(diǎn)的右上方為第一象限,中心點(diǎn)的左上方為第二象限,中心點(diǎn)的左下方為第三象限,中心點(diǎn)的右下方為第四象限;
在本實(shí)施例中,選取匹配區(qū)域的中心點(diǎn)(10/2,10/2),即(5,5),同時(shí)將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為5nH和5pF,并通過(guò)中心點(diǎn)(5,5)在二維阻抗平面做出分別與電容軸、電感軸平行的直線,將匹配區(qū)域分成第一象限、第二象限、第三象限和第四象限四部分;
步驟5.1.1、保持中心點(diǎn)(m1/2,m1/2)的電容值不變,增大電感值,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),當(dāng)特征阻抗值接近史密斯原圖的中心點(diǎn)時(shí),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(m1/2,m1/2)的第一象限或第四象限內(nèi),否則,匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(m1/2,m1/2)的第二象限或第三象限內(nèi);
本實(shí)施例中保持中心點(diǎn)(5,5)的電容值不變,增大電感值至6.2nH,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),Z(6.2,5)比Z(5,5)更加接近Smith圓圖中心點(diǎn),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(5,5)的第一象限或第四象限內(nèi);
步驟5.1.2、再次將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為m1/2nH和m1/2pF,保持電感值不變,增大電容值,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),當(dāng)特征阻抗值接近史密斯原圖中心點(diǎn)時(shí),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(m1/2,m1/2)的第一象限或第二象限內(nèi),否則,匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(m1/2,m1/2)的第三象限或第四象限內(nèi);
在本實(shí)施例中,再次將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為5nH和5pF,保持電感值不變,增大電容值至6.8pF,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),Z(5,6.8)比Z(5,5)更加接近史密斯原圖中心點(diǎn),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(5,5)的第一象限或第二象限內(nèi);
步驟5.1.3、根據(jù)步驟5.1.1和步驟5.1.2的結(jié)果,可以唯一確定匹配點(diǎn)處于點(diǎn)(m1/2,m1/2)的哪一個(gè)象限,則該象限命名為(m1/2,m1/2)點(diǎn)的匹配象限,且該象限為匹配點(diǎn)所在的匹配區(qū)域;
本實(shí)施例中,根據(jù)步驟5.1.1和步驟5.1.2的結(jié)果可唯一確定,匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(5,5)的第一象限,則該象限命名為點(diǎn)(5,5)的匹配象限,且該象限為匹配點(diǎn)所在的匹配區(qū)域;
步驟5.2、重復(fù)執(zhí)行步驟5.1,由于不斷的重復(fù)執(zhí)行步驟5.1,所以,我們能不斷細(xì)化精確定位匹配點(diǎn)所處的匹配區(qū)域,直至特征阻抗點(diǎn)足夠靠近Smith圓圖的中心點(diǎn)或者實(shí)際使用的電子元器件參數(shù)無(wú)法在持續(xù)下去為止,即可得出最終匹配區(qū)域,此時(shí)該區(qū)域內(nèi)任意一點(diǎn)均可視作匹配點(diǎn),可根據(jù)實(shí)際情況選區(qū)L型匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值;
本實(shí)施例中,選區(qū)匹配區(qū)域內(nèi)的中心點(diǎn)(7.5,7.5),同時(shí)將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為7.5nH和7.5pF,并通過(guò)中心點(diǎn)(7.5,7.5)在二維阻抗平面做出分別與電容軸、電感軸平行的直線,將匹配區(qū)域分成第一象限、第二象限、第三象限和第四象限四部分,在匹配區(qū)域內(nèi),中心點(diǎn)的右上方為第一象限,中心點(diǎn)的左上方為第二象限,中心點(diǎn)的左下方為第三象限,中心點(diǎn)的右下方為第四象限;
保持中心點(diǎn)(7.5,7.5)的電容值不變,增大電感值至9.1nH,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),Z(9.1,7.5)比Z(7.5,7.5)更加接近史密斯原圖的中心點(diǎn),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(7.5,7.5)的第一象限或第四象限內(nèi);
再次將L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值和電容值修改為7.5nH和7.5pF,保持電感值不變,增大電容值至8pF,同時(shí)觀察Smith圓圖中特征阻抗的變化趨勢(shì),Z(7.5,8)比Z(7.5,7.5)特征阻抗值更加遠(yuǎn)離史密斯原圖中心點(diǎn),則匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(5,5)的第三象限或第四象限內(nèi);
根據(jù)之前兩個(gè)步驟的結(jié)果,可以唯一確定匹配點(diǎn)位于點(diǎn)(7.5,7.5)的第四象限,并且Z(9.1,6.8)比點(diǎn)Z(7.5,7.5)的特征阻抗值更加靠近史密斯原圖的中心點(diǎn),同時(shí),Z(9.1,6.8)已經(jīng)非常接近Smith圓圖中心點(diǎn),所以,滿足電感值為7.5nH-10nH、電容值為5pH-7.5pH的區(qū)域即為最終匹配區(qū)域;
步驟5.3、以匹配區(qū)域內(nèi)任一點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電容值和電感值設(shè)計(jì)L行阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
在最終區(qū)域內(nèi)的任一點(diǎn)即可設(shè)計(jì)出L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),本實(shí)施例中,L型匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值取9.1nH,電容值取6.8pF。
通過(guò)本方法使設(shè)計(jì)L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)具有標(biāo)準(zhǔn)化和固定化特點(diǎn),可以快速成功的設(shè)計(jì)出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。