本公開總體上涉及半導體特性的優(yōu)化，并且更具體地，涉及一種電子設備及其操作方法，其基于plackett-burman設計和遺傳算法來優(yōu)化半導體特性。

背景技術：

1、隨著高速系統(tǒng)的出現(xiàn)和應用(諸如但不限于移動設備應用、服務器應用、自動駕駛等)的多樣化，半導體特性相關的問題可能繼續(xù)出現(xiàn)，因此，對確保信號完整性的需求可能正在增加。

2、在開發(fā)階段，可以執(zhí)行信號的操作穩(wěn)定性。然而，由于評估案例(case)的增加，可能難以在有限的時間段內(nèi)以相對高的水平完成優(yōu)化。因此，用于評估時間和選擇測試案例的實驗計劃的重要性可能正在增加，并且因此，可能需要通過引入評估條件優(yōu)化算法來有效地確保半導體特性優(yōu)化條件。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開的一個或多個示例實施例提供了一種電子設備及其操作方法，其基于plackett-burman設計(pbd)和遺傳算法來優(yōu)化半導體特性。

2、根據(jù)本公開的一個方面，一種電子設備包括plackett-burman設計(pbd)執(zhí)行電路、遺傳算法(ga)執(zhí)行電路和控制電路。pbd執(zhí)行電路被配置為生成初始實驗設計(initialdesign?of?experiment,doe)集，該初始doe集包括關于包括在外部設備中的存儲器設備的半導體特性的多個初始案例。ga執(zhí)行電路被配置為基于遺傳算法將前一代doe集轉換為下一代doe集。控制電路被配置為將初始doe集發(fā)送到外部設備，從外部設備接收基于初始doe集執(zhí)行的初始特性評估，基于初始特性評估生成起始doe集(starting?doe?set)，并控制遺傳算法以起始doe集的實驗結果作為輸入而被執(zhí)行。多個初始案例中的每一個對應于影響半導體特性的多個設置值的組合。

3、根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種電子設備的操作方法包括：生成初始doe集，該初始doe集包括關于外部設備的存儲器設備的半導體特性的多個初始案例，將初始doe集發(fā)送到外部設備，從外部設備接收基于初始doe集執(zhí)行的初始特性評估，基于初始特性評估生成起始doe集，以及通過以起始doe集的實驗結果作為輸入來執(zhí)行遺傳算法來生成輸出doe集。多個初始案例中的每一個對應于影響半導體特性的多個設置值的組合。

4、根據(jù)本公開的一方面，一種系統(tǒng)包括第一電子設備和第二電子設備。第一電子被配置為生成初始doe集，該初始doe集包括關于第二電子設備的存儲器設備的半導體特性的多個初始案例，將初始doe集發(fā)送到第二設備，從第二設備接收與初始doe集相對應的初始特性評估，基于初始特性評估生成起始doe集，并且以起始doe集的實驗結果作為輸入來執(zhí)行遺傳算法。第二電子設備被配置為從第一電子設備接收包括多個初始案例的初始doe集，通過基于多個初始案例的相應設置值設置存儲器設備來執(zhí)行半導體特性評估，以及向第一電子設備發(fā)送與所執(zhí)行的半導體特性評估的結果相對應的初始特性評估。多個初始案例中的每一個對應于影響半導體特性的多個設置值的組合。第一電子設備還被配置為基于初始特性評估對多個設置值中的每一個執(zhí)行線性分析，基于線性分析的結果確定多個設置值，生成包括多個所確定的設置值的最佳案例，并且通過合并多個初始案例、最佳案例和其中多個設置值被設置為關閉的基本案例來生成起始doe集。

5、附加方面可以部分地在下面的描述中闡述，并且部分地可以從描述中顯而易見，和/或可以通過實踐所呈現(xiàn)的實施例來學習。

技術特征：

1.一種用于優(yōu)化半導體特性的電子設備，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中，所述pbd執(zhí)行電路還被配置為：

3.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中，所述ga執(zhí)行電路還被配置為：

4.根據(jù)權利要求3所述的電子設備，其中，所述多個選擇算子包括輪盤選擇方法、排名選擇方法、錦標賽選擇方法、精英保留選擇方法中的至少一個，

5.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中，所述初始特性評估對應于基于所述多個初始案例中的每一個的所述設置值來設置所述存儲器設備并評估所述半導體特性的結果。

6.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中，所述控制電路還被配置為：

7.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中，所述控制電路還被配置為：

8.根據(jù)權利要求7所述的電子設備，其中，所述控制電路還被配置為：

9.根據(jù)權利要求7所述的電子設備，其中，所述控制電路還被配置為：

10.一種電子設備的操作方法，所述操作方法包括：

11.根據(jù)權利要求10所述的操作方法，還包括：

12.根據(jù)權利要求10所述的操作方法，其中，所述遺傳算法的執(zhí)行包括：

13.根據(jù)權利要求12所述的操作方法，其中，所述多個選擇算子包括輪盤選擇方法、排名選擇方法、錦標賽選擇方法或精英保留選擇方法中的至少一個，

14.根據(jù)權利要求10所述的操作方法，其中，所述初始特性評估對應于基于所述多個初始案例中的每一個的所述設置值來設置所述存儲器設備并評估所述半導體特性的結果。

15.根據(jù)權利要求10所述的操作方法，還包括：

16.根據(jù)權利要求10所述的操作方法，還包括：

17.根據(jù)權利要求16所述的操作方法，還包括：

18.根據(jù)權利要求16所述的操作方法，還包括：

19.一種用于優(yōu)化半導體特性的系統(tǒng)，包括：

20.根據(jù)權利要求19所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電子設備還被配置為：

技術總結
一種電子設備包括Plackett?Burman設計(PBD)執(zhí)行電路、遺傳算法(GA)執(zhí)行電路和控制電路。PBD執(zhí)行電路被配置為生成初始實驗設計(DOE)集，該DOE集包括關于外部設備的存儲器設備的半導體特性的多個初始案例。GA執(zhí)行電路被配置為將前一代DOE集轉換為下一代DOE集?？刂齐娐繁慌渲脼閷⒊跏糄OE集發(fā)送到外部設備，從外部設備接收初始特性評估，基于初始特性評估生成起始DOE集，并控制遺傳算法以起始DOE集的實驗結果作為輸入而被執(zhí)行。多個初始案例中的每個初始案例對應于影響半導體特性的多個設置值的組合。

技術研發(fā)人員：金炳魯,蔡秀炫,金度翰,孫永訓,李芝庸,崔仁壽
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/19