本申請涉及磁流變阻尼器，尤其涉及一種磁流變阻尼器的建模方法、分析方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、磁流變阻尼器是一種基于磁流變液提供阻尼力的裝置，并且可以通過控制流經(jīng)磁流變虛擬器的電流來改變磁流變液的磁場，從而實現(xiàn)改變磁流變阻尼器的輸出阻尼力。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，為了對磁流變阻尼器進行分析與使用，磁流變阻尼器的控制設(shè)備可以建立磁流變阻尼器的逆模型，其中，逆模型的輸入包括磁流變阻尼器的輸出阻尼力，以及磁流變阻尼器的相對位移、相對速度等相對運動參數(shù)，參數(shù)模型的輸出為磁流變阻尼器的輸入電流。控制設(shè)備可以根據(jù)該逆模型計算得到磁流變阻尼器當(dāng)前所需的輸入電流，進而根據(jù)確定的輸入電流控制磁流變阻尼器提供對應(yīng)的輸出阻尼力。

3、而如何提供一種更為準(zhǔn)確的磁流變阻尼器的逆模型，以對磁流變阻尼器進行更為準(zhǔn)確的分析與控制，是本領(lǐng)域需要解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N磁流變阻尼器的建模方法、分析方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，以提供一種更為準(zhǔn)確的磁流變阻尼器的逆模型。

2、本申請第一方面提供一種磁流變阻尼器的建模方法，包括：獲取磁流變阻尼器的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)用于表征所述磁流變阻尼器在磁流變液處于多個不同溫度的情況下，所述磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力與輸入電流的映射關(guān)系；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，建立所述磁流變阻尼器的逆模型；所述逆模型用于確定向所述磁流變阻尼器提供的輸入電流。

3、本申請第二方面提供一種磁流變阻尼器的分析方法，包括：獲取磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力，以及當(dāng)前的溫度；將所述相對運動參數(shù)、所述輸出阻尼力和所述溫度輸入所述磁流變阻尼器的逆模型，得到所述逆模型輸出的所述磁流變阻尼器的輸入電流；其中，所述逆模型是根據(jù)如本申請第一方面提供的方法所建立的。

4、本申請第三方面提供一種磁流變阻尼器的建模裝置，包括：獲取模塊，用于獲取磁流變阻尼器的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)用于表征所述磁流變阻尼器在磁流變液處于多個不同溫度的情況下，所述磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力與輸入電流的映射關(guān)系；建立模塊，用于根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，建立所述磁流變阻尼器的逆模型；所述逆模型用于確定向所述磁流變阻尼器提供的輸入電流。

5、本申請第四方面提供一種磁流變阻尼器的分析裝置，包括：獲取模塊，用于獲取磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力，以及當(dāng)前的溫度；分析模塊，用于將所述相對運動參數(shù)、所述輸出阻尼力和所述溫度輸入所述磁流變阻尼器的逆模型，得到所述逆模型輸出的所述磁流變阻尼器的輸入電流；其中，所述逆模型是根據(jù)如本申請第一方面提供的方法所建立的。

6、本申請第五方面提供一種電子設(shè)備，包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；所述存儲器存儲計算機執(zhí)行指令；所述處理器執(zhí)行所述存儲器存儲的計算機執(zhí)行指令，以實現(xiàn)如本申請第一方面或第二方面所述的方法。

7、本申請第六方面提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，存儲有計算機可執(zhí)行指令，所述計算機可執(zhí)行指令被執(zhí)行時實現(xiàn)如本申請第一方面或第二方面所述的方法。

8、本申請第七方面提供一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，所述計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)如本申請第一方面或第二方面所述的方法。

9、綜上，本申請?zhí)峁┑拇帕髯冏枘崞鞯慕７椒?、分析方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，在構(gòu)建磁流變阻尼器的逆模型時，首先獲取磁流變阻尼器的測試數(shù)據(jù)，其中，測試數(shù)據(jù)用于表征磁流變液處于多個不同溫度的情況下，磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力與輸入電流的映射關(guān)系，從而根據(jù)測試數(shù)據(jù)建立磁流變阻尼器的逆模型?；诒旧暾埶鶚?gòu)建的逆模型，能夠更為準(zhǔn)確及有效地，對磁流變阻尼器在磁流變液處于不同溫度的情況下確定磁流變阻尼器所需的輸入電流，從而提供了一種更為準(zhǔn)確的磁流變阻尼器的逆模型，進而保證了通過逆模型對磁流變阻尼器進行分析與控制的準(zhǔn)確性和有效性。

技術(shù)特征：

1.一種磁流變阻尼器的建模方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，建立所述磁流變阻尼器的逆模型，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，確定所述逆模型的至少一個模型參數(shù)的目標(biāo)取值，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述獲取所述逆模型的模型結(jié)構(gòu)，以及所述模型結(jié)構(gòu)中至少一個模型參數(shù)的初始值之后，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對所述模型結(jié)構(gòu)中至少一個模型參數(shù)的初始值進行優(yōu)化處理，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，建立所述磁流變阻尼器的逆模型，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)，建立所述磁流變阻尼器的逆模型之后，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，

11.一種磁流變阻尼器的分析方法，其特征在于，包括：

12.一種磁流變阻尼器的建模裝置，其特征在于，包括：

13.一種磁流變阻尼器的分析裝置，其特征在于，包括：

14.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

15.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，存儲有計算機可執(zhí)行指令，所述計算機可執(zhí)行指令被執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-11任一項所述的方法。

16.一種計算機程序產(chǎn)品，其特征在于，包括計算機程序，所述計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-11任一項所述的方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N磁流變阻尼器的建模方法、分析方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，在構(gòu)建磁流變阻尼器的逆模型時，首先獲取磁流變阻尼器的測試數(shù)據(jù)，其中，測試數(shù)據(jù)用于表征磁流變液處于多個不同溫度的情況下，磁流變阻尼器的相對運動參數(shù)、輸出阻尼力與輸入電流的映射關(guān)系，從而根據(jù)測試數(shù)據(jù)建立磁流變阻尼器的逆模型。本申請所構(gòu)建的逆模型，能夠更為準(zhǔn)確及有效地，對磁流變阻尼器在磁流變液處于不同溫度的情況下確定磁流變阻尼器所需的輸入電流，從而提高了磁流變阻尼器的逆模型的準(zhǔn)確性和有效性。

技術(shù)研發(fā)人員：丁甲東,孫亞軒,邢明志,丁俊
受保護的技術(shù)使用者：比亞迪股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15