專利名稱：提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)取代了傳統(tǒng)磁帶而成為時下記錄介質(zhì)的主流，而在數(shù)據(jù)的保存性方面，由于磁帶在多次使用后會因磁頭的刮傷及磁粉的脫落，導(dǎo)致數(shù)據(jù)容易流失。而光儲存介質(zhì)則是靠非接觸性的方式進(jìn)行讀取，因此在數(shù)據(jù)的保存性方面優(yōu)異很多；然而，對于可重復(fù)記錄或刪除的光記錄介質(zhì)而言，其覆寫次數(shù)的降低，主要原因通常是因?yàn)橛涗泴硬牧霞跋噜從釉诜锤怖錈嵫h(huán)中逐漸劣化所導(dǎo)致。
目前利用相變化原理的光學(xué)記錄介質(zhì)，有關(guān)如何提高其覆寫周期的壽命已成為一個重要的研究課題。傳統(tǒng)的相變化光碟的記錄層(recording layer)包夾于兩介電層之間，利用一高能量的激光脈沖使記錄層的材料在幾奈秒(nano-sceond，ns)內(nèi)達(dá)到熔點(diǎn)以上，然后再急速冷卻下來形成一非結(jié)晶的記號(mark)；而當(dāng)欲擦拭該記號時，再給予一個較低能量的激光脈沖，使在記號范圍的記錄層達(dá)到一熔點(diǎn)以下、結(jié)晶溫度以上的溫度而恢復(fù)為原始的結(jié)晶態(tài)。在這樣的一個結(jié)晶與非結(jié)晶的可逆轉(zhuǎn)換中，記錄層本身不斷的由液相到固相，再由固相到液相，而記錄層材料則是不斷地被迫物理形變。同時，上介電層受熱之后造成的熱膨脹形成應(yīng)力造成膜層結(jié)構(gòu)的破壞，致使光碟劣化而結(jié)束使用壽命。
為改善光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命，目前已經(jīng)有很多種方法被開發(fā)出來。例如，日本先鋒公司(PIONEER CO.)在25GB相變化光碟的改善方面，是利用鍺銦銻碲(GeInSbTe)等材料作為記錄層材料，并且在光碟的上介電層與反射層之間濺鍍了一層用以防止硫自介電層擴(kuò)散至鄰層的阻隔層(interface layer)，這種改善方法經(jīng)過一倍速與二倍速的直接覆寫(DirectOver Writing，DOW)測試，證明可通過阻隔層防止硫自上介電層中擴(kuò)散至反射層，讓覆寫周期的壽命可提高到一萬次左右。
另外，國內(nèi)交通大學(xué)也曾研究而發(fā)表一種增加相變化光碟覆寫周期壽命的方法，在濺鍍上介電層時以控制氮/氬流量比為25％的方式摻入氮?dú)夥磻?yīng)，發(fā)現(xiàn)如此可將覆寫周期壽命從一千次提高到四千次；但若只針對下介電層摻入該流量比的氮?dú)?，則發(fā)現(xiàn)這樣對覆寫周期壽命的提高并無明顯作用。探討其原因，極可能是因?yàn)橛涗泴硬牧吓c相鄰膜層的搭配問題，或是摻氮的最佳氮/氬流量比例仍然留有相當(dāng)?shù)母纳瓶臻g所致。
除此之外，還有日本松下電器有限公司(Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd.)獲準(zhǔn)的美國專利第RE.3錄層材料中摻氮的方法，如此可防止相變化層材料在冷、熱循環(huán)變化中過早劣化。
從上述的技術(shù)現(xiàn)況，可見膜層結(jié)構(gòu)材料的選擇范圍雖然極其有限，但一些微小的成分變化或結(jié)構(gòu)差異，卻將對光碟的覆寫周期壽命造成巨大的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于使光學(xué)記錄介質(zhì)的某兩膜層結(jié)構(gòu)之間被添加一機(jī)械強(qiáng)度比一般介電層強(qiáng)的新膜層，或在濺鍍時摻雜(doping)特定比例的氮?dú)?N2)，以改變某介電層的機(jī)械強(qiáng)度，使光學(xué)記錄介質(zhì)能夠通過抵抗激光光束在覆寫周期中不斷引發(fā)的熱應(yīng)變及驅(qū)使相變化記錄層材料的流動變形的傾向，從而提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其中包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，為利用濺鍍形成在該基板表面的介電材料薄膜，在濺鍍該下介電層時，控制其摻氮的氣氛范圍使氮/氬氣流量比(N2/Ar)介于3～20％；一記錄層，其為形成于該下介電層上的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，為利用濺鍍形成在該記錄層表面的介電材料薄膜；及一反射層，其為鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該下介電層或上介電層為一硫化鋅-二氧化硅的濺鍍薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該記錄層為一鍺銻碲的濺鍍薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該上介電層與反射層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該上介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該下介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該下介電層與該基板之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面還提供了一種提高光學(xué)記靈介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，為利用濺鍍形成于該基板表面的介電材料薄膜；一記錄層，其為形成于該下介電層的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，利用濺鍍形成于該記錄層表面的介電材料薄膜，在濺鍍該上介電層時，控制其滲氮的氣氛范圍使氮/氬氣流量比(N2/Ar)介于3～20％；及一反射層，鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該下介電層或上介電層為一硫化鋅-二氧化硅的濺鍍薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該記錄層為一鍺銻碲的濺鍍薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該上介電層與反射層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該上介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該下介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該下介電層與該基板之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面還提供了一種提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，為利用濺鍍形成于該基板表面的介電材料薄膜；一記錄層，其為形成于該下介電層的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，為利用濺鍍形成于該記錄層表面的介電材料薄膜；及一反射層，其鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜；在該記錄層的至少一側(cè)，還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以作為抑制該記錄層材料遷移或流動的材料流動抑制層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該上介電層的兩側(cè)或其中一側(cè)，還設(shè)有一防止硫自介電層中擴(kuò)散鄰層的材料的濺鍍層的阻隔層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在濺鍍該上介電層時控制其滲氮?dú)夥?，使?氬氣流量比介于3～20％。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在該下介電層的兩側(cè)或其中一側(cè)，還設(shè)有一防止硫自介電層中擴(kuò)散鄰層的材料的濺鍍層的阻隔層。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思，其中在濺鍍該下介電層時控制其滲氮?dú)夥?，使?氬氣流量比介于3～20％。
根據(jù)本發(fā)明，利用提高光學(xué)記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)膜層的強(qiáng)度，以抵抗熱應(yīng)力所易引發(fā)的熱應(yīng)變，并協(xié)助其相變化記錄層材料抑制受熱流動變形的傾向。可選擇的實(shí)施方式包括下列其中之一，或其相互的結(jié)合一、在一光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層中，在濺鍍其下介電層時摻雜(doping)氮?dú)夥磻?yīng)，控制滲氮的氣氛范圍使保持于N2/Ar3～20％；二、在一光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層中，在濺鍍其上介電層時摻雜(doping)氮?dú)夥磻?yīng)，控制滲氮的氣氛范圍使保持于N2/Ar3～20％；三、在一光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層中，在下介電層(不作滲氮)的上方，加入一層可抑制相變化記錄層材料的流動的材料流動抑制層(material flow suppresslayer)，而此一材料流動抑制層可直接位于記錄層的下方或是上方；或四、在一光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層中，增加一層用以防止硫自上介電層中擴(kuò)散至反射層的阻隔層(interface layer)，而在該阻隔層的上方及/或下方增設(shè)前述的材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更加明顯易懂，下文特舉若干較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
具體實(shí)施例方式
光學(xué)記錄介質(zhì)的介電層材料濺鍍至基板上時為不穩(wěn)定的非晶結(jié)構(gòu)，且部分的介電材料因材質(zhì)的關(guān)系，可能會相當(dāng)軟，而使得整個膜層結(jié)構(gòu)相當(dāng)松散且不穩(wěn)定，因此不易抵擋結(jié)構(gòu)層之間因熱梯度所引發(fā)的熱應(yīng)力與應(yīng)變，這是導(dǎo)致光學(xué)記錄介質(zhì)會在循環(huán)讀寫中逐漸劣化的重要原因之一；然而利用本發(fā)明提供的方法與根據(jù)該方法實(shí)施的結(jié)構(gòu)，將可有效減緩此一劣化因素。
此外，若根據(jù)本發(fā)明的方法，在光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層增加一可抑制相變化記錄層材料受熱流動的材料流動抑制層(material flow suppress layer)，更將減少記錄層在記錄時材料流動(material flow)或變形的機(jī)會，故將進(jìn)一步提高其覆寫周期的壽命。
根據(jù)本發(fā)明所實(shí)施的材料流動抑制層(material flow suppress layer)，其材料選擇之一，可為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)摻雜氮(N2)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、釩(V)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鎳(Ni)或是鋁(Al)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、硅(Si)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy等材料其中之一。經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)，此材料流動抑制層的厚度，最后以介于3nm～140nm之間為最適當(dāng)。
現(xiàn)將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的膜層結(jié)構(gòu)及其覆寫周期壽命揭示如下實(shí)施例一本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在上介電層與記錄層之間設(shè)有一阻隔層(interface layer)。在進(jìn)行下介電層濺鍍時，控制摻雜(Doping)氮的氣氛范圍，使氮?dú)馀c氬氣的比例保持于N2/Ar3～20％之間，以得到此一比例范圍內(nèi)的滲氮的下介電層。
測試時，在讀出信號的抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命達(dá)80,000次。本實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層結(jié)構(gòu)排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)
阻隔層(Interface layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(Interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板根據(jù)日本先鋒公司(PIONEER CO.)發(fā)表的文獻(xiàn)，上述阻隔層(interfacelayer)的目的是為了防止硫自上介電層擴(kuò)散至鄰層(記錄層)而設(shè)。詳細(xì)參照前面有關(guān)日本先鋒公司的25GB相變化光碟的改善方法的說明。
實(shí)施例二本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其下介電層與記錄層之間設(shè)置一材料流動抑制層(material flow suppress layer)。在進(jìn)行下介電層濺鍍時，可控制其摻雜(Doping)氮的氣氛范圍，使氮?dú)馀c氬氣的比例保持于N2/Ar3～20％之間，以得到此一比例范圍內(nèi)的滲氮的下介電層。
測試時，在讀出信號的抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命達(dá)150,000次。本實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的膜層結(jié)構(gòu)排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)材料流動抑制層(Material flow suppress layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板本實(shí)施例材料流動抑制層(Material flow suppress layer)的材料，可至少選自硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)摻雜氮(N2)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、釩(V)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鎳(Ni)或是鋁(Al)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、硅(Si)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy等材料其中之一，厚度以3nm左右為適當(dāng)。
實(shí)施例三本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其下介電層與記錄層之間為一材料流動抑制層(material flow suppress layer)。與前一實(shí)施例的不同之處，在于本實(shí)施例不在濺鍍介電層時摻雜氮?dú)狻y試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命達(dá)到70,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板此例中的材料流動抑制層(material flow suppress layer)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)摻雜氮(N2)濺鍍完成厚度為50nm的膜層。
實(shí)施例四本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下濺鍍一材料流動抑制層(material flow suppress layer)。濺鍍此材料流動抑制層時，摻雜氮的氣氛范圍保持于N2/Ar3～20％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命達(dá)70,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板此實(shí)施例中的材料流動抑制層(material flow suppress layer)為鋁摻雜氮(N2)所構(gòu)成的氮化鋁(AlN)。其濺鍍膜層厚度控制維持于30nm左右。
實(shí)施例五本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間濺鍍一材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)
上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板此例中的材料流動抑制層(material flow suppress layer)為碳化硅(SiC)。其濺鍍膜層厚度20nm。
實(shí)施例六本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置-阻隔層(interface layer)及一厚度為35nm的三氧化二鋁(Al2O3)材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到90,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例七本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為20nm的硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到65,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)
材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例八本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為50nm的硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例九本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為40nm的氮化鋁(AlN)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十本實(shí)施例是制造一種七層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為40nm的三氧化二鋁(Al2O3)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十一本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)、介電層及一厚度為30nm的氮化鍺(GeN)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒60,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)介電層(ZnS-SiO2layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十二本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與下介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)、介電層及一厚度為40nm的摻雜氮的ZnS-SiO2作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒70,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)介電層(ZnS-SiO2layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十三本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與上介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為40nm的氮化鋁(AlN)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)阻隔層(interface layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十四本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與上介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為15nm摻雜氮的ZnS-SiO2作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下
反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)阻隔層(interface layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十五本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與上介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為15nm的氮化鋁(AlN)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒85,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)阻隔層(interface layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十六本實(shí)施例是制造一種八層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層與上介電層之間設(shè)置一阻隔層(interface layer)及一厚度為10nm的三氧化二鋁(Al2O3)作為材料流動抑制層(material flow suppress layer)，同時在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)
上介電層(ZnS-SiO2layer)阻隔層(interface layer)材料流動抑制層(material flow suppress layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十七本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar3％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒80,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十八本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar5％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒90,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)
聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例十九本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar8％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例二十本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar10％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例二十一本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar15％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板實(shí)施例二十二本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar20％。
測試時，在讀出信號抖動值(Jitter)不超過12％的前提下，其覆寫周期壽命也高達(dá)到頒100,000次。其膜層結(jié)構(gòu)的排列次序如下反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板失敗對照例本實(shí)施例是制造一種六層結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，在其記錄層之下設(shè)置一阻隔層(interface layer)，在濺鍍下介電層時摻雜氮(N2)，并控制摻雜的氮?dú)鈿夥辗秶３钟诘獨(dú)馀c氬氣流量比為N2/Ar25％。
測試時，其覆寫周期壽命雖達(dá)到100,000次，但反射率已降至產(chǎn)品規(guī)格的下限外。
反射層(Reflective layer)上介電層(ZnS-SiO2layer)記錄層(Recording layer)阻隔層(interface layer)摻雜(Doping)氮的下介電層(ZnS-SiO2layer)
聚碳酸酯(Poly Carbonate，PC)基板本發(fā)明的效果光學(xué)記錄介質(zhì)的材料選擇與配比，差之毫厘、失之千里。根據(jù)本發(fā)明增加膜層結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度，將覆寫周期壽命至70,000次以上，證明其與已知技術(shù)有所差別。
為了詳細(xì)說明，本發(fā)明已經(jīng)以較佳實(shí)施例揭示如上，然而，其目的并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的等效的設(shè)計(jì)與潤飾，但是這些等效設(shè)計(jì)均應(yīng)包含在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其中包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，其為利用濺鍍形成在該基板表面的介電材料薄膜；在濺鍍該下介電層時，控制其摻氮的氣氛范圍使氮/氬氣流量比介于3～20％；一記錄層，其為形成于該下介電層上的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，其為利用濺鍍形成在該記錄層表面的介電材料薄膜；及一反射層，其為鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
3.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該下介電層或上介電層為一硫化鋅-二氧化硅的濺鍍薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該記錄層為一鍺銻碲的濺鍍薄膜。
5.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該上介電層與反射層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
6.如權(quán)利要求5所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
7.如權(quán)利要求5所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
8.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該上介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
9.如權(quán)利要求8所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
10.如權(quán)利要求8所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
11.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該下介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
12.如權(quán)利要求11所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
14.如權(quán)利要求1所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該下介電層與該基板之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
15.如權(quán)利要求14所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
16.如權(quán)利要求14所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
17.一種提高光學(xué)記靈介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，其為利用濺鍍形成于該基板表面的介電材料薄膜；一記錄層，其為形成于該下介電層的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，其為利用濺鍍形成于該記錄層表面的介電材料薄膜；在濺鍍該上介電層時，控制其滲氮的氣氛范圍使氮/氬氣流量比介于3～20％；及一反射層，其為鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜。
18.如權(quán)利要求17所述的提高光學(xué)記錄介質(zhì)覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
19如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該下介電層或上介電層為一硫化鋅-二氧化硅的濺鍍薄膜。
20.如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該記錄層為一鍺銻碲的濺鍍薄膜。
21.如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該上介電層與反射層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
22.如權(quán)利要求21所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
23.如權(quán)利要求21所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
24.如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該上介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
25.如權(quán)利要求24所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
26.如權(quán)利要求24所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
27.如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該下介電層與記錄層之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
28.如權(quán)利要求27所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
29.如權(quán)利要求27所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
30.如權(quán)利要求17所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該下介電層與該基板之間還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以構(gòu)成一材料流動抑制層。
31.如權(quán)利要求30所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
32.如權(quán)利要求30所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
33.一種提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，包括一基板，其具透明性質(zhì)；一下介電層，其為利用濺鍍形成于該基板表面的介電材料薄膜；一記錄層，其為形成于該下介電層的可逆性相變化材料的薄膜；一上介電層，其為利用濺鍍形成于該記錄層表面的介電材料薄膜；及一反射層，其為鄰接于該上介電層表面的高反射性金屬薄膜；在該記錄層的至少一側(cè)，還設(shè)有一機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)于該上介電層或下介電層的薄膜，以作為抑制該記錄層材料遷移或流動的材料流動抑制層。
34.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該基板為一利用聚碳酸酯所制的基板。
35.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層至少選自硫化鋅-二氧化硅摻雜氮、鉻、鉬、釩、鈦、鉭、鎢、鎳或是鋁、鍺、鉻、硅、鈦、鉬、鎢的氮化物、氧化物及SiC、SiOxNy材料其中之一。
36.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是該材料流動抑制層厚度介于3nm～140nm之間。
37.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該上介電層的兩側(cè)或其中一側(cè)，還設(shè)有一防止硫自介電層中擴(kuò)散鄰層的材料的濺鍍層的阻隔層。
38.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在濺鍍該上介電層時控制其滲氮?dú)夥眨沟?氬氣流量比介于3～20％。
39.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在該下介電層的兩側(cè)或其中一側(cè)，還設(shè)有一防止硫自介電層中擴(kuò)散鄰層的材料的濺鍍層的阻隔層。
40.如權(quán)利要求33所述提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，其特征是在濺鍍該下介電層時控制其滲氮?dú)夥?，使?氧氣流量比介于3～20％。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)一種可提高光學(xué)記錄介質(zhì)的覆寫周期壽命的膜層結(jié)構(gòu)，在一光學(xué)記錄介質(zhì)基板上的下介電層、鍺銻碲(GeSbTe)相變化的記錄層、上介電層及反射層之間，利用氮與氬氣的比率保持于N
文檔編號G11B7/24GK1677523SQ20041003144
公開日2005年10月5日 申請日期2004年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者王威翔, 黃敏慧, 林明宏, 蔡蕙芳, 陳威錫 申請人:錸德科技股份有限公司