專(zhuān)利名稱(chēng)：：讀取閃存中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的方法、存儲(chǔ)器控制器與系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明有關(guān)于讀取閃存(flashmemory)中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，尤指一種經(jīng)由參照閃存的存儲(chǔ)單元(memorycell)所讀出的位元序列(bitsequence)的二進(jìn)位數(shù)字分布特性(binarydigitdistributioncharacteristic)來(lái)讀取閃存中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的方法與存儲(chǔ)器控制器。
背景技術(shù)：
：閃存可通過(guò)電子式的抹除(erase)與寫(xiě)入/程序化(piOgram)以進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，并且廣泛地應(yīng)用于存儲(chǔ)卡(memorycard)、固態(tài)硬盤(pán)(solid-statedrive)與可攜式多媒體播放器等等。由于閃存為非揮發(fā)性(non-volatile)存儲(chǔ)器，因此，不需要額外電力來(lái)維持閃存所儲(chǔ)存的信息，此外，閃存可提供快速的數(shù)據(jù)讀取與較佳的抗震能力，而這些特性也說(shuō)明了閃存為何會(huì)如此普及的原因。閃存可區(qū)分為NOR型閃存與NAND型閃存。對(duì)于NAND型閃存來(lái)說(shuō)，其具有較短的抹除及寫(xiě)入時(shí)間且每一存儲(chǔ)器單元需要較少的芯片面積，因而相較于NOR型閃存，NAND型閃存會(huì)允許較高的儲(chǔ)存密度以及較低的每一儲(chǔ)存位元的成本。一般來(lái)說(shuō)，閃存以存儲(chǔ)器單元陣列的方式來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，而存儲(chǔ)器單元是由一浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管(floating-gatetransistor)來(lái)加以實(shí)作，且每一存儲(chǔ)器單元可通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂聘?dòng)?xùn)艠O晶體管的浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷個(gè)數(shù)來(lái)設(shè)定導(dǎo)通該浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管所實(shí)作的該存儲(chǔ)器單元的所需臨界電壓，進(jìn)而儲(chǔ)存單一個(gè)位元的信息或者一個(gè)位元以上的信息，如此一來(lái)，當(dāng)一或多個(gè)預(yù)定控制柵極電壓施加于浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管的控制柵極之上，則浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)便會(huì)指示出浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管中所儲(chǔ)存的一或多個(gè)二進(jìn)位數(shù)字(binarydigit)。然而，由于某些因素，閃存單元中原本儲(chǔ)存的電荷的個(gè)數(shù)可能會(huì)受到影響/擾亂，舉例來(lái)說(shuō)，閃存中所存在的干擾可能來(lái)自于寫(xiě)入干擾(write/programdisturbance)、讀取干擾(readdisturbance)及/或保持干擾(retentiondisturbance)。以具有各自?xún)?chǔ)存一個(gè)位元以上的信息的存儲(chǔ)器單元的NAND型閃存為例，一個(gè)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)(physicalpage)會(huì)包含多個(gè)邏輯存儲(chǔ)器分頁(yè)(logicalpage)，且每一邏輯存儲(chǔ)器分頁(yè)采用一或多個(gè)控制柵極電壓來(lái)進(jìn)行讀取。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于一個(gè)用以?xún)?chǔ)存3個(gè)位元的信息的閃存單元來(lái)說(shuō)，該閃存單元會(huì)具有分別對(duì)應(yīng)不同電荷個(gè)數(shù)(亦即不同臨界電壓)的8種狀態(tài)(亦即電荷電平)的其中之一，然而，由于寫(xiě)入/抹除次數(shù)(program/erasecount,P/Ecount)及/或數(shù)據(jù)保留時(shí)間(retentiontime)的緣故，閃存單元中的存儲(chǔ)器單元的臨界電壓分布(thresholdvoltagedistribution)便會(huì)有所改變，因此,使用原本的控制柵極電壓設(shè)定(亦即臨界電壓設(shè)定)來(lái)讀取存儲(chǔ)器單元中所儲(chǔ)存的信息可能會(huì)因?yàn)楦淖兒蟮呐R界變壓分布而無(wú)法正確地獲得所儲(chǔ)存的信息。利用不同的控制柵極電壓設(shè)定以讀取閃存可能有較高的機(jī)會(huì)得到正確的儲(chǔ)存信息。然而，儲(chǔ)存所有利用不同控制柵極電壓設(shè)定所取得的信息可能需要更多的存儲(chǔ)空間。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的的一在于提供一種讀取閃存中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的方法、存儲(chǔ)器控制器與裝置，以解決上述問(wèn)題。讀取閃存中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的方法、存儲(chǔ)器控制器與裝置。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種示范性地用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法被揭露，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該方法包含:控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，揭露了一種用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該存儲(chǔ)器控制器包含:一控制邏輯電路，用以控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；一編碼器，耦接至該控制邏輯電路，用以依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及一緩沖存儲(chǔ)器，耦接至該編碼器，用以?xún)?chǔ)存該碼字并將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，揭露了一種用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2Nf電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該系統(tǒng)包含:一控制邏輯電路，用以控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；一編碼器，耦接至該控制邏輯電路，用以依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及一緩沖存儲(chǔ)器，耦接至該編碼器，用以?xún)?chǔ)存該碼字并將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。圖1為本發(fā)明存儲(chǔ)器系統(tǒng)的第一實(shí)施例的示意圖。圖2為要被讀取的實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的第一種臨界電壓分布的示意圖。圖3為要被讀取的實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的第二種臨界電壓分布的示意圖。圖4為從閃存1100的一存儲(chǔ)器單元中讀取一軟位元的最低有效位元讀取操作的示意圖。圖5示于圖1的編碼器1223的方塊圖。圖6說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼的示意圖。圖7說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。圖8說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。圖9說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。圖10說(shuō)明碼字與存儲(chǔ)器單元的對(duì)應(yīng)關(guān)系的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明:1000存儲(chǔ)器系統(tǒng)；1100閃存；1110存儲(chǔ)器單元；120(Γ存儲(chǔ)器控制器；121(?？刂七壿嬰娐罚?22(Γ錯(cuò)誤更正電路；1222錯(cuò)誤更正解碼器；1223編碼器；1224比較單元；1225判斷單元；1227儲(chǔ)存裝置；1228解碼單元；1229錯(cuò)誤更正編碼器。具體實(shí)施例方式在說(shuō)明書(shū)及后續(xù)的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱(chēng)特定的元件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱(chēng)呼同樣的元件。本說(shuō)明書(shū)及后續(xù)的權(quán)利要求書(shū)并不以名稱(chēng)的差異來(lái)作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說(shuō)明書(shū)及后續(xù)的權(quán)利要求當(dāng)中所提及的「包含」為一開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接于該第二裝置，或通過(guò)其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。請(qǐng)注意到，讀取NAND型閃存的實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)中的存儲(chǔ)器單元所儲(chǔ)存的多個(gè)位元僅是作為一實(shí)施例，以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)特征，然而，無(wú)論閃存是NAND型閃存或是具有其它類(lèi)型的閃存(例如NOR型閃存)，只要是將從不同讀取運(yùn)作中所取得的二進(jìn)位數(shù)字編碼成碼字以進(jìn)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作，均符合本發(fā)明的精神。請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明存儲(chǔ)器系統(tǒng)的第一實(shí)施例的示意圖。存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000包含有一閃存1100以及一存儲(chǔ)器控制器(memorycontroller)1200,于本實(shí)施例中，閃存1100可以是包含數(shù)個(gè)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0、P_l、P_2、…、P_N的NAND型閃存，其中實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0P_N中的每一實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)包含有數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元(例如浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管)1110，舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于要被讀取的一目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0來(lái)說(shuō)，其包含有存儲(chǔ)器單元M_0M_K。為了讀取目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器單元M_0M_K中所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，控制柵極電壓VG_0VG_N便應(yīng)該要適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如，控制柵極電壓VG_0VG_N應(yīng)該要適當(dāng)?shù)卦O(shè)定以確保實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_1P_N中所有的存儲(chǔ)器單元(浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器)103均處于導(dǎo)通狀態(tài)。假若每一存儲(chǔ)器單元103是用以?xún)?chǔ)存N個(gè)位元(例如，包含最低有效位兀(leastsignificantbit,LSB)、中間有效位兀(centralsignificantbit,CSB)與最高有效位元(mostsignificantbit,MSB)的3個(gè)位元)，則閃存102會(huì)將控制柵極電壓VG_0設(shè)定為(2n-1)個(gè)電壓準(zhǔn)位，以便辨識(shí)出目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中每一存儲(chǔ)器單元103的N個(gè)位元。請(qǐng)參閱圖2，其為要被讀取的實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的第一種臨界電壓分布的示意圖。實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器單元M_0MJ(可包含有具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化(programmed)為具有電荷電平LO(亦即(MSB，CSB,LSB)=(1,I,I))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平LI(亦即(MSB，CSB，LSB)=(0，1，1))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L2(亦即(MSB，CSB，LSB)=(0，0，I))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L3(亦即(MSB，CSB，LSB)=(1，0，I))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L4(亦即(MSB，CSB，LSB)=(1，0，0))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L5(亦即(MSB，CSB，LSB)=(0，0，0))的存儲(chǔ)器單元、具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L6(亦即(MSB，CSB，LSB)=(0，1，0))的存儲(chǔ)器單元以及具有浮動(dòng)?xùn)艠O被程序化為具有電荷電平L7(亦即(MSB，CSB，LSB)=(1，1，0))的存儲(chǔ)器單元。為了辨識(shí)出存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最低有效位元，閃存102便將控制柵極電壓VG_0設(shè)定為圖2所示的臨界電壓VT_4，接著，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中每一存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)通狀態(tài)便會(huì)指示出該存儲(chǔ)器單元所具有的最低有效位元是”0”或”1”。于本實(shí)施例中，當(dāng)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中的一存儲(chǔ)器單元被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_4所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最低有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”;否則，閃存1100將會(huì)輸出代表其最低有效位元的另一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”O(jiān)”。為了辨識(shí)出存儲(chǔ)器單元M_0M_K的中間有效位元，閃存1100便將控制柵極電壓VG_0分別設(shè)定為圖2所示的臨界電壓VT_2與VT_6，同樣地，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中每一存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)通狀態(tài)便會(huì)指示出該存儲(chǔ)器單元所具有的中間有效位元是”0”或”I”。于本實(shí)施例中，當(dāng)一存儲(chǔ)器單元會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_2與VT_6中的任一個(gè)所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其中間有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”；當(dāng)該存儲(chǔ)器單元不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_2所導(dǎo)通，但是卻會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_6所導(dǎo)通時(shí)，閃存102將會(huì)輸出代表其中間有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”O(jiān)”；以及當(dāng)該存儲(chǔ)器單元除了不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_2所導(dǎo)通，也不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_6所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其中間有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”。為了辨識(shí)出存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最高有效位元，閃存1100便將控制柵極電壓VG_0分別設(shè)定為圖2所示的臨界電壓VT_1、VT_3、VT_5與VT_7，同樣地，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中每一存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)通狀態(tài)便會(huì)指示出該存儲(chǔ)器單元所具有的最高有效位元是”O(jiān)”或”1”。于本實(shí)施例中，當(dāng)一存儲(chǔ)器單元會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_1、VT_3、VT_5與VT_7中的任一個(gè)所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最高有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”；當(dāng)該存儲(chǔ)器單元不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_1所導(dǎo)通，但是卻會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_3、VT_5與VT_7中的任一個(gè)所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最高有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”0”；當(dāng)該存儲(chǔ)器單元不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_1與VT_3中的任一個(gè)所導(dǎo)通，但是卻會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_5與VT_7中的任一個(gè)所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最高有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”;當(dāng)該存儲(chǔ)器單元不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_1、VT_3與VT_5中的任一個(gè)所導(dǎo)通，但是卻會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_7所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最高有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”O(jiān)”；以及當(dāng)該存儲(chǔ)器單元不會(huì)被施加于其控制柵極的臨界電壓VT_1、VT_3、VT_5與VT_7中的任一個(gè)所導(dǎo)通時(shí)，閃存1100將會(huì)輸出代表其最高有效位元的一個(gè)二進(jìn)位數(shù)字”I”。然而，圖2所示的臨界電壓分布可能會(huì)因?yàn)槟承┮蛩?例如寫(xiě)入/讀取次數(shù)及/或數(shù)據(jù)保留時(shí)間的增加)的影響而改變?yōu)榱硪粋€(gè)臨界電壓分布，舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)應(yīng)至每一電荷電平的圓形突出狀的分布可能會(huì)變寬及/或產(chǎn)生偏移。請(qǐng)參閱圖3，其為要被讀取的實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)Ρ_0的第二種臨界電壓分布的示意圖。由圖3可得知，臨界電壓分布不同于圖2所示的臨界電壓分布。將控制柵極電壓VG_0設(shè)定為上述的臨界電壓VT_1VT_7將無(wú)法正確地獲得目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最低有效位元、中間有效位元與最高有效位元進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)器單元M_0M_K具有圖3所示的臨界電壓分布時(shí)，應(yīng)該要采用新的臨界電壓VT_1’VT_7’以便正確地獲得所儲(chǔ)存的信息，否則的話(huà)，施加于存儲(chǔ)器單元M_0M_K所讀出的碼字(codeword)的錯(cuò)誤更正(errorcorrectioncode,ECC)操作便會(huì)因?yàn)榇a字中無(wú)法更正的(uncorrectable)錯(cuò)誤而無(wú)法成功運(yùn)行。于本實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器1200是設(shè)計(jì)來(lái)適應(yīng)性地對(duì)存儲(chǔ)器單元M_0M_K所讀取的碼字執(zhí)行軟解碼以增強(qiáng)解碼能力。細(xì)節(jié)于后詳述。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1。存儲(chǔ)器控制器104是用以控制閃存102的存取(讀取/寫(xiě)入)，并且包含有(但不局限于)一控制邏輯電路1210以及一錯(cuò)誤更正電路(ECCcircuit，其具有一錯(cuò)誤更正解碼器1222以及一錯(cuò)誤更正編碼器1229)。請(qǐng)注意，圖1僅顯示與本發(fā)明的技術(shù)特征有關(guān)的元件，亦即，存儲(chǔ)器控制器104亦可包含額外的元件來(lái)支援其它的功能。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)接收到針對(duì)目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0中存儲(chǔ)器單元M_0M_K所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的一讀取請(qǐng)求(readrequest)時(shí)，控制邏輯電路1210會(huì)因應(yīng)該讀取請(qǐng)求而控制閃存1100來(lái)讀取所要求的數(shù)據(jù)(requesteddata),接著，當(dāng)閃存102成功地辨識(shí)出存儲(chǔ)器單元M_0MJ(中每一存儲(chǔ)器單元所儲(chǔ)存的所有位元時(shí)，包含有存儲(chǔ)器單元M_0M_K的已辨識(shí)出的位元的讀出信息便會(huì)被接收電路1210所接收。如熟習(xí)技藝者所知，位于一實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)中的一部份存儲(chǔ)器單元是用來(lái)儲(chǔ)存錯(cuò)誤更正信息(例如一錯(cuò)誤更正碼(ECCcode))，因此，錯(cuò)誤更正電路1220便是用來(lái)針對(duì)由閃存1100所讀取出來(lái)的讀出信息(例如一碼字)進(jìn)行一錯(cuò)誤更正操作。于本實(shí)施例中，錯(cuò)誤更正電路1220包含有一錯(cuò)誤更正解碼器(ECCdecoder)1222以及一錯(cuò)誤更正編碼器(ECCcorrector)1229。錯(cuò)誤更正解碼器1222是用來(lái)檢查讀出信息的正確性，以藉此偵測(cè)任何錯(cuò)誤位元的存在。錯(cuò)誤更正解碼器1222亦用于對(duì)檢查過(guò)的讀出信息中所發(fā)現(xiàn)到的錯(cuò)誤位元進(jìn)行更正然而，當(dāng)讀出信息中實(shí)際存在的錯(cuò)誤位元的數(shù)量超過(guò)了錯(cuò)誤更正解碼器1222有辦法依照硬解碼(例如BCH(Bose-Chaudhur1-Hocquenghem的方式))更正的錯(cuò)誤位元的最大數(shù)量時(shí)，錯(cuò)誤更正解碼器1222便會(huì)指示控制邏輯電路1210讀出信息中包含有無(wú)法更正的錯(cuò)誤。如此一來(lái)，控制邏輯電路1210將會(huì)啟動(dòng)軟讀取(softread)機(jī)制以取得軟信息，該些軟信息可被ECC解碼器1222用來(lái)進(jìn)行軟解碼機(jī)制。細(xì)節(jié)于后詳述。于本實(shí)施例中，錯(cuò)誤更正解碼器1222可由低密度同位檢查(lowdensityparity-check,LDPC)解碼器來(lái)加以實(shí)作，控制邏輯電路1210控制閃存1100來(lái)提供要被LDPC解碼器所解碼的軟信息(softinformation)，所以，在控制邏輯電路1210的控制之下，閃存1100便輸出多個(gè)二進(jìn)位數(shù)字來(lái)作為各個(gè)存儲(chǔ)器單元M_0MJ(所讀取出來(lái)的軟位元(softbit)。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)進(jìn)行最低有效位元數(shù)據(jù)的讀取、中間有效位元數(shù)據(jù)的讀取或最高有效位元數(shù)據(jù)的讀取時(shí)，控制邏輯電路1210是用以控制閃存1100來(lái)針對(duì)目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)的存儲(chǔ)器單元M_0M_K中的每一存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)次讀取操作(例如7次讀取操作)。請(qǐng)參閱圖4，其為從閃存1100的一存儲(chǔ)器單元中讀取一軟位元(亦即軟信息數(shù)值)的最低有效位元讀取操作的示意圖。依據(jù)圖2與圖3所示的臨界電壓分布的范例，具有電荷電平L(TL3中任一個(gè)電荷電平的存儲(chǔ)器單元將會(huì)儲(chǔ)存LSB=I,以及具有電荷電平L4^L7中任一個(gè)電荷電平的存儲(chǔ)器單元?jiǎng)t會(huì)儲(chǔ)存LSB=0。于本實(shí)施例中，控制單元1210決定一初始控制柵極電壓Vlsb以及一電壓間距(voltagespacing)D,接著控制閃存1100來(lái)針對(duì)存儲(chǔ)器單元MJTMJ(中的每一存儲(chǔ)器單元執(zhí)行7次讀取操作，而基于電壓調(diào)整次序(voltageadjustingorder)ODI,閃存1100會(huì)依序以Vlsb>VLSB+D>Vlsb-D>VLSB+2D、VLSB_2D、Vlsb+3D,Vlsb-3D來(lái)設(shè)定控制柵極電壓VG_0，因此，由于所施加的柵極控制電壓\SB、Vlsb+D,Vlsb-D>Vlsb+2D,Vlsb-2D,Vlsb+3D,VLSB-3D的緣故，位元序列BS_0、S_M中的每一位元序列都會(huì)依序得到7個(gè)位元。請(qǐng)注意，位元序列BS_(TBS_M中的每一位元序列作為一軟位元,其代表由一存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的軟信息，且通過(guò)初始控制柵極電壓'SB所獲得的二進(jìn)位數(shù)字可作為一正負(fù)號(hào)位元(signbit)(亦即硬位元(hardbit)數(shù)值)。利用初始控制柵極電壓Vlsb所進(jìn)行的讀取運(yùn)作可視為一般讀取運(yùn)作。而利用控制柵極電壓'sb+D、Vlsb-D,Vlsb+2D,Vlsb-2D,Vlsb+3D,Vlsb-3D所進(jìn)行的讀取運(yùn)作可分別視為重讀運(yùn)作f6。于本實(shí)施例中，每一位元序列具有八種可能的二進(jìn)位數(shù)字組合BSfBSS的其中之一。當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓高于\sb+3D，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS8=”0000000”；當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于'sb+2D與'sb+3D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS7=”0000010”；當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于'sb+D與'sb+2D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS6=”0001010”;當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于'SB與'sb+D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS5=”0101010”;當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓低于\SB-3D，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BSl=”1111111”；當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于\sb-2D與'sb-3D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS2=”1111110”；當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于'sb-D與'sb-2D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS3=”1111010”；以及當(dāng)目前儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)艠O的電荷使得存儲(chǔ)器單元的臨界電壓介于'SB與'sb-D之間，則從存儲(chǔ)器單元所讀取出來(lái)的位元序列將會(huì)具有二進(jìn)位數(shù)字組合BS4=”1101010”。當(dāng)一個(gè)位元序列中所有的二進(jìn)位數(shù)字均為”I”時(shí)，此代表相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元具有電荷電平L0、L1、L2或L3，且LSB=I的可靠度(reliability)很高。另一方面，當(dāng)一個(gè)位元序列中所有的二進(jìn)位數(shù)字均為”0”時(shí)，此代表相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元具有電荷電平L5、L6、L7或L8，且LSB=O的可靠度很高。然而，當(dāng)一個(gè)位元序列具有不同的二進(jìn)位數(shù)字”0”與”1”混雜其中時(shí)，此代表相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元具有電荷電平L3或L4，由于相對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器單元的臨界電壓是介于'sb-3D與'sb+3D之間，LSB=1/LSB=0的可靠度便會(huì)由于錯(cuò)誤率較高而較低，舉例來(lái)說(shuō)，原本儲(chǔ)存LSB=O的存儲(chǔ)器單元會(huì)具有對(duì)應(yīng)至電荷電平L4的電荷儲(chǔ)存數(shù)量以使得臨界電壓高于'SB+3D，然而，當(dāng)寫(xiě)入/抹除次數(shù)或數(shù)據(jù)保留時(shí)間增加時(shí)，所儲(chǔ)存的電荷的數(shù)量便會(huì)有所改變，因而可能使得臨界電壓低于'SB;同樣地，原本儲(chǔ)存LSB=I的存儲(chǔ)器單元會(huì)具有對(duì)應(yīng)至電荷電平L3的電荷儲(chǔ)存數(shù)量以使得臨界電壓低于\SB-3D，相較于硬解碼，存在于軟信息數(shù)值的可靠度將可增加在進(jìn)行軟解碼時(shí)解碼正確的機(jī)率。然而軟信息數(shù)值包含于一般讀取運(yùn)作與后續(xù)的重讀運(yùn)作1飛所取得的多個(gè)二進(jìn)位數(shù)字，如前所述七個(gè)二進(jìn)位數(shù)字。為了執(zhí)行軟解碼，錯(cuò)誤更正解碼器1222必須取得并儲(chǔ)存完整的軟信息數(shù)值，因此，錯(cuò)誤更正解碼器1222需要大量的儲(chǔ)存空間以?xún)?chǔ)存完整的軟信息數(shù)值。這將會(huì)增加芯片面積與成本。成本。為減少儲(chǔ)存空間，從讀取運(yùn)作中取得的二進(jìn)位數(shù)字可以在儲(chǔ)存或解碼前就先編碼為一個(gè)較短的碼字。請(qǐng)?jiān)趨⒄請(qǐng)D1，如前所述，錯(cuò)誤更正電路1220用來(lái)對(duì)從閃存1100中取得的讀取信息進(jìn)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。而錯(cuò)誤更正解碼器1222用來(lái)檢查讀取信息的正確性。除此之外，錯(cuò)誤更正解碼器1222更包含一編碼器1223、一儲(chǔ)存裝置1227以及一解碼單元1228。編碼器1223用以依據(jù)從閃存1100讀取的二進(jìn)位數(shù)字來(lái)產(chǎn)生一較短的碼字代表該二進(jìn)位數(shù)字。儲(chǔ)存裝置1227用以?xún)?chǔ)存由編碼器產(chǎn)生的碼字并提供所儲(chǔ)存的碼字給解碼單元1228。解碼單元1228用以對(duì)該碼字執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。細(xì)節(jié)于后詳述。在一實(shí)施例中，控制邏輯電路1210控制閃存1100依照初始控制柵極電壓V，對(duì)存儲(chǔ)器單元，例如實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞單元mjTm-κ，進(jìn)行一讀取運(yùn)作以辨識(shí)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元MjTM-K的最低有效位元。依照初始控制柵極電壓'SB所進(jìn)行的讀取運(yùn)作可視為一般讀取運(yùn)作。閃存1100提供包含了數(shù)據(jù)部分、備用部分與至少一校驗(yàn)碼(parity)部分的一存儲(chǔ)分頁(yè)的二進(jìn)位數(shù)字(apageofbinatydigits)至控制邏輯電路1210?？刂七壿嬰娐?210傳送其所接收的二進(jìn)位數(shù)字至錯(cuò)誤更正電路1220。在一實(shí)施例中，錯(cuò)誤更正電路1220將所接收的二進(jìn)位數(shù)字區(qū)分為兩個(gè)部分。第一部分包含數(shù)據(jù)部分與其相對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)碼部分。第二部分包含備用部分以及其相應(yīng)的校驗(yàn)碼部分。錯(cuò)誤更正電路1220對(duì)第一部分進(jìn)行軟式解碼運(yùn)作(softdecodeoperation),而對(duì)第二部分進(jìn)行硬式解碼運(yùn)作(harddecodeoperation)。此乃例示性說(shuō)明，而非本發(fā)明的限制。對(duì)該分頁(yè)的二進(jìn)位數(shù)字的任一部分進(jìn)行軟式解碼或硬式解碼運(yùn)作均為本發(fā)明的范疇。在此實(shí)施例中，編碼器1223依據(jù)第一部分的二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字。細(xì)節(jié)于后詳述。請(qǐng)參照?qǐng)D5與圖6，圖5示于圖1的編碼器1223的方塊圖。圖6說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼的示意圖。編碼器1223包含一比較單元1224以及一判斷單元1225。圖5僅顯示與本發(fā)明的技術(shù)特征有關(guān)的元件，亦即，編碼器1223亦可包含額外的元件來(lái)支援其它的功能。比較單元1223用于比較從控制邏輯電路送來(lái)的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字以及儲(chǔ)存在儲(chǔ)存裝置1227的正負(fù)位元。當(dāng)讀取一目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)(例如實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0)時(shí)，控制邏輯電路1210控制閃存1210依照一初始控制柵極電壓\SB對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元(例如實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞Μ_(ΓΜ_Κ)進(jìn)行一讀取運(yùn)作以識(shí)別存儲(chǔ)器細(xì)胞Μ_(ΓΜ_Κ的最低有效位元。如圖6所示，該實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字傳送至編碼器1223。請(qǐng)注意到，該些二進(jìn)位數(shù)字的各個(gè)位元代表該實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)Ρ_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞單元的最低有效位元的硬位元(hardbit，亦可稱(chēng)為硬信息(hardinformation))。例如，該些二進(jìn)位數(shù)字最左邊的二進(jìn)位數(shù)字”1”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_0的最低有效位元的硬位元為”I”。該些二進(jìn)位數(shù)字最左邊的二進(jìn)位數(shù)字旁邊的二進(jìn)位數(shù)字”1”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_1的最低有效位元的硬位元為”1”，以此類(lèi)推。因第一部分的二進(jìn)位數(shù)字得自對(duì)該些存儲(chǔ)器細(xì)胞單元依照初始控制柵極電壓進(jìn)行讀取運(yùn)作，該些二進(jìn)位數(shù)字可視為該些存儲(chǔ)器單元的正負(fù)號(hào)位元。據(jù)此，編碼器1223產(chǎn)生(并設(shè)定)一個(gè)高強(qiáng)度位元為”I”一個(gè)低強(qiáng)度位元為”1”，以代表正負(fù)位元”I”具有最高的可靠度。換言之，存儲(chǔ)器單元M_0被假設(shè)為”1”，且具有最高的可靠度。此外，包含硬位元”I”以及軟位元(softbit,亦可稱(chēng)為軟信息(softinformation))”11”的碼字”111”用來(lái)代表存儲(chǔ)器單元M_0所儲(chǔ)存的信息。用來(lái)代表其他存儲(chǔ)器單元的碼字亦依照類(lèi)似的方式進(jìn)行。接著，第一部分的二進(jìn)位數(shù)字的碼字傳送至儲(chǔ)存裝置1227。接著，儲(chǔ)存裝置1227將該碼字提供給解碼單元1228以執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出該碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出該碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓'SB+D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作(D—預(yù)定的電壓間隔)。細(xì)節(jié)于后詳述。請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。在讀取一目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0)時(shí)，控制邏輯電路1210控制閃存1100依照第二控制柵極電壓'sb+d對(duì)存儲(chǔ)器單元(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0的存儲(chǔ)器單元M_0M_K)執(zhí)行一讀取運(yùn)作以判讀存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最低有效位元。此重讀運(yùn)作可被視為第一次重讀運(yùn)作。如圖7所示，該實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字送至編碼單元1223。請(qǐng)注意到，該些二進(jìn)位數(shù)字的每個(gè)位元代表一實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的一存儲(chǔ)器細(xì)胞單元的最低有效位元的軟位元。例如，該些二進(jìn)位數(shù)字最左邊的二進(jìn)位數(shù)字”1”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_0的最低有效位元的軟位元為”I”。該些二進(jìn)位數(shù)字最左邊的二進(jìn)位數(shù)字旁邊的二進(jìn)位數(shù)字”0”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_1的最低有效位元的軟位元為”0”，以此類(lèi)推。請(qǐng)注意到，圖7所示的二進(jìn)位數(shù)字(重讀數(shù)據(jù))可能不完全與正負(fù)號(hào)位元相同。因?yàn)橛靡赃M(jìn)行第一次重讀運(yùn)作的控制柵極電壓'SB+D，所以在利用柵極控制電壓'SB與UD讀取臨界電壓落在'SB與'sb+D的存儲(chǔ)器單元時(shí)會(huì)得到不同的結(jié)果。例如，依照控制柵極電壓'SB所取得的存儲(chǔ)器單元Ml的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”0”，而依照控制柵極電壓'sb+D所取得的存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元的軟位元”I”。因此，編碼器1223需要更新存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元的碼字的可靠度。細(xì)節(jié)于后詳述。依照控制柵極電壓Vlsb+D所取得重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)送至比較單元1224。比較單元1224存取儲(chǔ)存在儲(chǔ)存裝置1227的正負(fù)號(hào)位元，并比較正負(fù)號(hào)位元與重讀數(shù)據(jù)以更新碼字。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。而判斷單元1225判定要維持該正負(fù)號(hào)位元的可靠度。換言之，用來(lái)表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字不被改變。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)不相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。而判斷單元1225判定要更新該正負(fù)號(hào)位元的可靠度至一最低可靠度。換言之，用來(lái)表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字被改變。例如，依照控制柵極電壓\SB所取得的存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”0”，而依照控制柵極電壓\sb+D所取得的存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元的軟位元”1”。據(jù)此，判斷單元1225判定一高強(qiáng)度位元”0”以及一低強(qiáng)度位元”0”以代表正負(fù)號(hào)位元”I”具有最低的可靠度。換言之，存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元被更新為有最低可靠度的”0”。此外，包含硬位元”0”以及軟位元”00”的碼字”000”用來(lái)代表存儲(chǔ)器單元M_1的最低有效位元。用來(lái)表達(dá)其他存儲(chǔ)器單元的碼字亦依照類(lèi)似的方式進(jìn)行。接著，更新后的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字的碼字送至儲(chǔ)存裝置1227用以更新原來(lái)的碼字。接著，儲(chǔ)存裝置1227將更新后的碼字提供給解碼單元1228以執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓Isb-D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作(D—預(yù)定的電壓間隔)。依照控制柵極電壓'sb-D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第二重讀運(yùn)作。請(qǐng)注意至IJ，一般讀取運(yùn)作與第一重讀運(yùn)作的電壓間隔與一般讀取運(yùn)作與第二重讀運(yùn)作的電壓間隔相同。因此，更新碼字可靠度的規(guī)則應(yīng)該類(lèi)似，依照第二次重讀運(yùn)作所取得的重讀數(shù)據(jù)產(chǎn)生與儲(chǔ)存碼字的細(xì)節(jié)在此省略。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第二次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第二次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓\sb+2D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作(D一預(yù)定的電壓間隔)。依照控制柵極電壓\SB+2D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第三重讀運(yùn)作。細(xì)節(jié)詳述于后。請(qǐng)參照?qǐng)D8，圖8說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。在讀取一目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0)時(shí)，控制邏輯電路1210控制閃存1100依照第三控制柵極電壓'sb+2D對(duì)存儲(chǔ)器單元(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器單元M_0M_K)執(zhí)行一讀取運(yùn)作以判讀存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最低有效位元。此重讀運(yùn)作可被視為第三次重讀運(yùn)作。如圖8所示，該實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字送至編碼單元1223。請(qǐng)注意到，該些二進(jìn)位數(shù)字的每個(gè)位元代表一實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的一存儲(chǔ)器細(xì)胞單元的最低有效位元的軟位元。例如，該些二進(jìn)位數(shù)字最左邊的二進(jìn)位數(shù)字”0”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_0的最低有效位元的軟位元。請(qǐng)注意至IJ，圖8所示的二進(jìn)位數(shù)字(重讀數(shù)據(jù))可能不完全與正負(fù)號(hào)位元相同。因?yàn)橛靡赃M(jìn)行第三次重讀運(yùn)作的控制柵極電壓\SB+2D，所以在利用柵極控制電壓'SB與'sb+2D讀取臨界電壓落在'SB與'sb+2D的存儲(chǔ)器單元時(shí)會(huì)得到不同的結(jié)果。例如，依照控制柵極電壓'SB所取得的存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”0”，而依照控制柵極電壓'sb+2D所取得的存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的軟位元”I”。因此，編碼器1223需要更新存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的碼字的可靠度。細(xì)節(jié)于后詳述。依照控制柵極電壓VlSB+2D所取得重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)送至比較單元1224。比較單元1224存取儲(chǔ)存在儲(chǔ)存裝置1227的正負(fù)號(hào)位元，并比較正負(fù)號(hào)位元與重讀數(shù)據(jù)以更新碼字。請(qǐng)注意到，在第一次重讀運(yùn)作與第二次重讀運(yùn)作中某些二進(jìn)位數(shù)字可能會(huì)與其相對(duì)應(yīng)的正負(fù)號(hào)位元不同。該些二進(jìn)位數(shù)字的可靠度將不再被更新。比較單元1224可忽略該些二進(jìn)位數(shù)字。判斷單元1225則維持該更新后的碼字的的可靠度。換言之，當(dāng)高強(qiáng)度位元及低強(qiáng)度位元已經(jīng)被更新過(guò)了，判斷單元1225維持高強(qiáng)度位元與低強(qiáng)度位元的值。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)不相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。而判斷單元1225判定要維持該正負(fù)號(hào)位元的可靠度。換言之，用以表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字不改變。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)不相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。而判斷單元1225判定要更新該正負(fù)號(hào)位元的可靠度至一較高的可靠度。換言之，用來(lái)表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字被改變。例如，依照控制柵極電壓'SB所取得的存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”0”，而依照控制柵極電壓'SB+2D所取得的存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的軟位元”I”。據(jù)此，判斷單元1225判定一高強(qiáng)度位元”O(jiān)”以及一低強(qiáng)度位元”I”以代表正負(fù)號(hào)位元”I”具有較高的可靠度。換言之，存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元被更新為有較高可靠度的”0”。此夕卜，包含硬位元”0”以及軟位元”01”的碼字”001”用來(lái)代表存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元。用來(lái)表達(dá)其他存儲(chǔ)器單元的碼字亦依照類(lèi)似的方式進(jìn)行。接著，更新后的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字的碼字送至儲(chǔ)存裝置1227用以更新原來(lái)的碼字。接著，儲(chǔ)存裝置1227將更新后的碼字提供給解碼單元1228以執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓\SB-2D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作(D—預(yù)定的電壓間隔)。細(xì)節(jié)詳述于后。依照控制柵極電壓'sb-2D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第四重讀運(yùn)作。請(qǐng)注意到，一般讀取運(yùn)作與第三重讀運(yùn)作的電壓間隔與一般讀取運(yùn)作與第四重讀運(yùn)作的電壓間隔相同。因此，更新碼字可靠度的規(guī)則應(yīng)該類(lèi)似，依照第四次重讀運(yùn)作所取得的重讀數(shù)據(jù)產(chǎn)生與儲(chǔ)存碼字的細(xì)節(jié)在此省略。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第四次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第四次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓\SB+3D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作。依照控制柵極電壓'sb+3D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第五重讀運(yùn)作。細(xì)節(jié)詳述于后。請(qǐng)參照?qǐng)D9，圖9說(shuō)明對(duì)讀自閃存單元的二進(jìn)位數(shù)字進(jìn)行編碼以取得正確數(shù)據(jù)的示意圖。在讀取一目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0)時(shí)，控制邏輯電路1210控制閃存1100依照第五控制柵極電壓'SB+ro對(duì)存儲(chǔ)器單元(例如，實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)p_0的存儲(chǔ)器單元M_0M_K)執(zhí)行一讀取運(yùn)作以判讀存儲(chǔ)器單元M_0M_K的最低有效位元。此重讀運(yùn)作可被視為第五次重讀運(yùn)作。如圖9所示，該實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字送至編碼單元1223。請(qǐng)注意到，該些二進(jìn)位數(shù)字的每個(gè)位元代表一實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的一存儲(chǔ)器細(xì)胞單元的最低有效位元的軟位元。例如，該些二進(jìn)位數(shù)字最右邊的二進(jìn)位數(shù)字”0”，其代表實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0的存儲(chǔ)器細(xì)胞M_0的最低有效位元的軟位元。請(qǐng)注意至IJ，圖9所示的二進(jìn)位數(shù)字(重讀數(shù)據(jù))可能不完全與正負(fù)號(hào)位元相同。因?yàn)橛靡赃M(jìn)行第五次重讀運(yùn)作的控制柵極電壓\SB+3D，所以在利用柵極控制電壓'SB與'sb+3D讀取臨界電壓落在'SB與'sb+3D的存儲(chǔ)器單元時(shí)會(huì)得到不同的結(jié)果。例如，依照控制柵極電壓'SB所取得的存儲(chǔ)器單元M_K的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”1”，而依照控制柵極電壓'sb+3D所取得的存儲(chǔ)器單元M_0的最低有效位元的軟位元”I”。因此，編碼器1223需要更新存儲(chǔ)器單元M_K的最低有效位元的碼字的可靠度。細(xì)節(jié)于后詳述。依照控制柵極電壓VlSB+3D所取得重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)送至比較單元1224。比較單元1224存取儲(chǔ)存在儲(chǔ)存裝置1227的正負(fù)號(hào)位元，并比較正負(fù)號(hào)位元與重讀數(shù)據(jù)以更新碼字。請(qǐng)注意到，在第一、第二、第三、第四次重讀運(yùn)作中某些二進(jìn)位數(shù)字可能會(huì)與其相對(duì)應(yīng)的正負(fù)號(hào)位元不同。該些二進(jìn)位數(shù)字的可靠度將不再被更新。比較單元1224可忽略該些二進(jìn)位數(shù)字。判斷單元1225則維持該更新后的碼字的的可靠度。換言之，當(dāng)高強(qiáng)度位元及低強(qiáng)度位元已經(jīng)被更新過(guò)了，判斷單元1225維持高強(qiáng)度位元與低強(qiáng)度位元的值。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。換言之，用以表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字不改變。若正負(fù)號(hào)位元與其相對(duì)應(yīng)的重讀數(shù)據(jù)(二進(jìn)位數(shù)字)不相同，比較單元1224將該結(jié)果指示判斷單元1225。而判斷單元1225判定要更新該正負(fù)號(hào)位元的可靠度至一較高的可靠度。換言之，用來(lái)表達(dá)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的碼字被改變。例如，依照控制柵極電壓'SB所取得的存儲(chǔ)器單元MJ(的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元”0”，而依照控制柵極電壓'sb+3D所取得的存儲(chǔ)器單元M_K的最低有效位元的軟位元”I”。據(jù)此，判斷單元1225判定一高強(qiáng)度位元”I”以及一低強(qiáng)度位元”0”以代表正負(fù)號(hào)位元”I”具有較高的可靠度。換言之，存儲(chǔ)器單元M_K的最低有效位元被更新為有較高可靠度的”0”。此外，包含硬位元”0”以及軟位元”10”的碼字”010”用來(lái)代表存儲(chǔ)器單元M_K的最低有效位元。用來(lái)表達(dá)其他存儲(chǔ)器單元的碼字亦依照類(lèi)似的方式進(jìn)行。接著，更新后的第一部分的二進(jìn)位數(shù)字的碼字送至儲(chǔ)存裝置1227用以更新原來(lái)的碼字。接著，儲(chǔ)存裝置1227將更新后的碼字提供給解碼單元1228以執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓\sb-3D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作。細(xì)節(jié)詳述于后。依照控制柵極電壓'sb-3D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第六重讀運(yùn)作。請(qǐng)注意到，一般讀取運(yùn)作與第五重讀運(yùn)作的電壓間隔與一般讀取運(yùn)作與第六重讀運(yùn)作的電壓間隔相同。因此，更新碼字可靠度的規(guī)則應(yīng)該類(lèi)似，依照第六重讀運(yùn)作所取得的重讀數(shù)據(jù)產(chǎn)生與儲(chǔ)存碼字的細(xì)節(jié)在此省略。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第六次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字正確或可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可以被正確地取得)，則錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，并將正確的數(shù)據(jù)提供給控制邏輯電路1210。若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第六次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210控制閃存1100依照控制柵極電壓VlSB+4D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元進(jìn)行一重讀運(yùn)作。依照控制柵極電壓\sb+4D對(duì)存儲(chǔ)器細(xì)胞單元所進(jìn)行的重讀運(yùn)作可視為第七重讀運(yùn)作。或者，若錯(cuò)誤更正運(yùn)作指出第六次重讀運(yùn)作所得的更新后的碼字不可更正(換言之儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)無(wú)法被正確地取得)，錯(cuò)誤更正電路1220將此結(jié)果通知控制邏輯電路1210，而控制邏輯電路1210判定對(duì)目標(biāo)實(shí)體存儲(chǔ)器分頁(yè)P(yáng)_0讀取失敗，并將讀取失敗回報(bào)給一主機(jī)(host)。讀取運(yùn)作的次數(shù)可任意決定，其非為本發(fā)明的限制。請(qǐng)參照?qǐng)D10，圖10說(shuō)明碼字與存儲(chǔ)器單元的對(duì)應(yīng)關(guān)系的示意圖。例如，當(dāng)收到依照初始控制柵極電壓VLSB所取得的一存儲(chǔ)器單元的硬位元時(shí)，編碼器1223將該硬位元視為該存儲(chǔ)器單元的最低有效位元的正負(fù)號(hào)位元并預(yù)設(shè)該正負(fù)號(hào)位元具有最高的可靠度，例如，碼字”011”代表非常強(qiáng)的”0”，而碼字”111”代表非常強(qiáng)的”I”。然而，在第一次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于'SB與'sb+D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至非常弱的”0”，并編碼為”000”。在第二次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于'SB與^b-D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至非常弱的”1”，并編碼為”100”。在第三次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于'sb+D與'sb+2D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至弱的”O(jiān)”，并編碼為”001”。在第四次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于\sb_D與'sb-2D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至弱的”1”，并編碼為”101”。在第五次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于'sb+2D與'sb+3D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至強(qiáng)的”0”，并編碼為”010”。在第六次重讀運(yùn)作中，臨界電壓位于'sb-2D與'sb-3D之間的存儲(chǔ)器單元將會(huì)被對(duì)應(yīng)至弱的”1”，并編碼為”110”。請(qǐng)注意到，碼字與臨界電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以任意地決定，只要正負(fù)號(hào)位元的(硬位元)的可靠度可以經(jīng)由不同的碼字來(lái)辨識(shí)。此外，碼字的碼字長(zhǎng)度三個(gè)位元，其比一個(gè)存儲(chǔ)器單元在一般讀取運(yùn)作與第一到第六此讀取運(yùn)作中所取得的二進(jìn)位數(shù)字(字串)來(lái)得短。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)存儲(chǔ)器單元的臨界電壓位于\sb+2D與\sb+3D之間。在一般讀取運(yùn)作與第一到第六此讀取運(yùn)作中所取得該存儲(chǔ)器單元的最低有效位元的二進(jìn)位數(shù)字”0000000”(二進(jìn)位數(shù)字組合BS8)。該二進(jìn)位數(shù)字包含七個(gè)位元，其較碼字的碼字長(zhǎng)度長(zhǎng)。若錯(cuò)誤更正解碼器1222需要儲(chǔ)存全部七個(gè)位元才能執(zhí)行錯(cuò)誤更正運(yùn)作，而非只需要儲(chǔ)存三個(gè)位元，錯(cuò)誤更正解碼器需要較多的存儲(chǔ)器空間。因此，將在不同讀取運(yùn)作中所取得的二進(jìn)位碼字編碼為較短的碼字可以減少存儲(chǔ)器空間，而成本亦可降低。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。權(quán)利要求1.一種用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù),該方法包含:控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。2.如權(quán)利要求1所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中將該碼字提供于該錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行該錯(cuò)誤更正運(yùn)作的步驟更包含:將該碼字儲(chǔ)存至一緩沖存儲(chǔ)器；以及將儲(chǔ)存在該緩沖存儲(chǔ)器的碼字提供至該錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行該錯(cuò)誤更正運(yùn)作。3.如權(quán)利要求1所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的運(yùn)作的步驟更包含:控制該閃存依據(jù)一第一臨界電壓對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行一第一讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字的一第一二進(jìn)位數(shù)字；以及其中依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生該碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的步驟更包含:將該第一二進(jìn)位數(shù)字判定為該碼字的一正負(fù)號(hào)位元；以及產(chǎn)生至少一強(qiáng)度位元以代表該正負(fù)號(hào)位元的一可靠度。4.如權(quán)利要求3所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中產(chǎn)生該至少一強(qiáng)度位元以代表該正負(fù)號(hào)位元的該可靠度的步驟更包含:將該至少一強(qiáng)度位元設(shè)定為一最高可靠度。5.如權(quán)利要求3所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行該至少一讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的運(yùn)作的步驟更包含:控制該閃存依據(jù)一第二臨界電壓對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行一第二讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字的一第二二進(jìn)位數(shù)字；以及其中依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生該碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的步驟更包含:比較該第二二進(jìn)位數(shù)字以及該正負(fù)號(hào)位元以產(chǎn)生該碼字。6.如權(quán)利要求5所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中比較該第二二進(jìn)位數(shù)字以及該正負(fù)號(hào)位元以產(chǎn)生該碼字的步驟更包含:當(dāng)該第二二進(jìn)位數(shù)字不同于該正負(fù)號(hào)位元時(shí)，更新該至少一強(qiáng)度位元以調(diào)整該正負(fù)號(hào)位元的該可靠度。7.如權(quán)利要求5所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中比較該第二二進(jìn)位數(shù)字以及該正負(fù)號(hào)位元以產(chǎn)生該碼字的步驟更包含:當(dāng)該至少一強(qiáng)度位元已經(jīng)被更新，維持該至少一強(qiáng)度位元。8.如權(quán)利要求5所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行該至少一讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的運(yùn)作的步驟更包含:控制該閃存依據(jù)一第三臨界電壓對(duì)該快閃存儲(chǔ)單元執(zhí)行一第三讀取運(yùn)作以取得一第三二進(jìn)位數(shù)字，其中該第一臨界電壓與第二臨界電壓的一第一電壓差小于該第二臨界電壓與第三臨界電壓的一第二電壓差；以及其中依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生該碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元的步驟更包含:當(dāng)該第三二進(jìn)位數(shù)字不同于該正負(fù)號(hào)位元時(shí)，將該至少一強(qiáng)度位元更新為一較高可靠度。9.如權(quán)利要求1所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中該二進(jìn)位數(shù)字包含M個(gè)二進(jìn)位數(shù)字，而M大于該碼字的一碼字長(zhǎng)度。10.如權(quán)利要求9所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法，其中該M個(gè)二進(jìn)位數(shù)字得自依據(jù)M個(gè)不同臨界電壓的M次讀取運(yùn)作。11.一種用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該存儲(chǔ)器控制器包含:一控制邏輯電路，用以控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；一編碼器，耦接至該控制邏輯電路，用以依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及一緩沖存儲(chǔ)器，耦接至該編碼器，用以?xún)?chǔ)存該碼字并將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。12.如權(quán)利要求11所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該控制邏輯電路更用于控制該閃存依據(jù)一第一臨界電壓對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行一第一讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字的一第一二進(jìn)位數(shù)字；以及其中該編碼器用更于將該第一二進(jìn)位數(shù)字判定為該碼字的一正負(fù)號(hào)位元，產(chǎn)生至少一強(qiáng)度位兀以代表該正負(fù)號(hào)位兀的一可靠度。13.如權(quán)利要求12所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該編碼器更用于將該至少一強(qiáng)度位元設(shè)定為一最高可靠度。14.如權(quán)利要求12所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該控制邏輯電路更用于控制該閃存依據(jù)一第二臨界電壓對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行一第二讀取運(yùn)作以取得該至少一二進(jìn)位數(shù)字的一第二二進(jìn)位數(shù)字；以及其中該編碼器更用于比較該第二二進(jìn)位數(shù)字以及該正負(fù)號(hào)位元以產(chǎn)生該碼字。15.如權(quán)利要求14所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該編碼器更用于當(dāng)該第二二進(jìn)位數(shù)字不同于該正負(fù)號(hào)位元時(shí)，更新該至少一強(qiáng)度位元以調(diào)整該正負(fù)號(hào)位元的該可靠度。16.如權(quán)利要求14所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該編碼器更用于當(dāng)該至少一強(qiáng)度位元已經(jīng)被更新，維持該至少一強(qiáng)度位元。17.如權(quán)利要求14所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該控制邏輯電路更用于控制該閃存依據(jù)一第三臨界電壓對(duì)該快閃存儲(chǔ)單元執(zhí)行一第三讀取運(yùn)作以取得一第三二進(jìn)位數(shù)字，其中該第一臨界電壓與第二臨界電壓的一第一電壓差小于該第二臨界電壓與第三臨界電壓的一第二電壓差；以及其中該編碼器更用于當(dāng)該第三二進(jìn)位數(shù)字不同于該正負(fù)號(hào)位元時(shí)，將該至少一強(qiáng)度位元更新為一較高可靠度。18.如權(quán)利要求11所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該二進(jìn)位數(shù)字包含M個(gè)二進(jìn)位數(shù)字，而M大于該碼字的一碼字長(zhǎng)度。19.如權(quán)利要求18所述的用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器控制器，其中該M個(gè)二進(jìn)位數(shù)字得自依據(jù)M個(gè)不同臨界電壓的M次讀取運(yùn)作。20.一種用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該系統(tǒng)包含:一控制邏輯電路，用以控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；一編碼器，耦接至該控制邏輯電路，用以依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及一緩沖存儲(chǔ)器，耦接至該編碼器，用以?xún)?chǔ)存該碼字并將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。全文摘要一種示范性地用以讀取儲(chǔ)存在一閃存的數(shù)據(jù)的方法被揭露，其中該閃存包含數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元并經(jīng)由將該數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元中的一存儲(chǔ)器單元程序化至2N個(gè)電壓狀態(tài)中的一個(gè)電壓狀態(tài)以?xún)?chǔ)存N位元數(shù)據(jù)，該方法包含控制該閃存對(duì)該存儲(chǔ)器單元執(zhí)行至少一讀取運(yùn)作以取得至少一二進(jìn)位數(shù)字以代表該N位元數(shù)據(jù)的一位元；依據(jù)該至少一二進(jìn)位數(shù)字產(chǎn)生一碼字以代表該N位元數(shù)據(jù)的該位元，其中該碼字不同于該至少一二進(jìn)位數(shù)字；以及將該碼字提供于一錯(cuò)誤更正解碼器以執(zhí)行一錯(cuò)誤更正運(yùn)作。文檔編號(hào)G11C16/06GK103208306SQ20121014929公開(kāi)日2013年7月17日申請(qǐng)日期2012年5月15日優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日發(fā)明者劉文凱申請(qǐng)人:慧榮科技股份有限公司