多次可編程的內(nèi)存的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及多次可編程的內(nèi)存，所揭露的是一種裝置。本裝置包括基板及置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為n個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層與柵極介電層。電荷儲存層設置于鰭型結構的上部表面以及柵極介電層設置于鰭型結構的側(cè)壁上。n=2x，其中x為大于或等于1的整數(shù)。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。
【專利說明】多次可編程的內(nèi)存
【技術領域】
[0001]本發(fā)明有關于一種內(nèi)存，且尤關于一種多次可編程的內(nèi)存。
【背景技術】
[0002]舉例為一次性可編程的(one-time programmable; OTP) NVM的非易失性內(nèi)存(NVM)電路于程序代碼與數(shù)據(jù)儲存應用已廣受采用。然而，許多NVM使用浮接柵極作為儲存媒體并且僅可編程一次。因此，無法進行裝置更新。另外，單元(cell)尺寸受限于柵極對柵極限制以及覆蓋容差(overlay tolerance)。這依次限制了選擇柵極(SG)驅(qū)動電流及最小可用柵極長度。
[0003]因此，期望提供一種可多次更新的高度可縮放(scalable)裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]所揭露的是一種裝置。本裝置包括基板及置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為η個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層與柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側(cè)壁上。η=2χ，其中X為大于或等于I的整數(shù)。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。
[0005]在一具體實施例中，所呈現(xiàn)的是形成裝置的方法。本方法包括提供基板并且形成置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為η個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層與柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側(cè)壁上。η=2χ，其中X為大于或等于I的整數(shù)。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。
[0006]在又一具體實施例中，所揭露的是多位裝置。多位裝置包括基板以及置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為串連耦接于第一與第二單元終端之間的η個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層以及柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側(cè)壁上。η=2χ，其中X為大于或等于I的整數(shù)。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。晶體管包含第一與第二源極/漏極端。第一晶體管的第一源極/漏極端耦接于第一單元終端。最后晶體管的第二源極/漏極端耦接于第二單元終端。相鄰(adjacent)晶體管的第二源極/漏極端及第一源極/漏極端在鰭型結構中形成共享源極/漏極區(qū)。
[0007]本文所揭露具體實施例的這些及其它優(yōu)點及特征透過參照底下說明及附圖將變的顯而易知。另外，要理解的是，本文所述各種具體實施例的特征不互斥且可用各種組合與排列存在。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]在圖式中，相同的組件符號在各圖標中普遍意指相同的部件。還有，圖式未必依比例繪制，在描述本發(fā)明的原理時通常加強重點。在底下的說明中，本發(fā)明的各種具體實施例引用下文予以說明
[0009]圖1a至圖1b表示內(nèi)存單元的具體實施例的俯視圖及等角視圖；
[0010]圖1c至圖1d表不內(nèi)存單兀的另一具體實施例的俯視圖及等角視圖；
[0011]圖2表不內(nèi)存兀的一個具體實施例；
[0012]圖3a至圖3c及圖4a至圖4c表示內(nèi)存單元的不同記憶體操作；
[0013]圖5a至圖5b表示內(nèi)存單元的具體實施例的俯視圖及等角視圖；
[0014]圖5c至圖5d表不內(nèi)存單兀的另一具體實施例的俯視圖及等角視圖；
[0015]圖6表示內(nèi)存單元的具體實施例；
[0016]圖7a至圖7e表示用于形成裝置或IC的制程具體實施例的剖面圖；
[0017]圖8a至圖8b表示用于形成裝置或IC的制程的另一具體實施例的剖面圖；以及
[0018]圖9a至圖9b表示用于形成裝置或IC的制程的另一具體實施例的剖面圖。
[0019]符號說明
[0020]
【權利要求】
1.一種裝置，包含: 基板；以及 設置在該基板上的鰭型結構，該鰭型結構作為η個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側(cè)壁上，其中，η=2χ, X為大于或等于I的整數(shù)，其中，晶體管能在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，該裝置為具有η個位的多位內(nèi)存單元。
3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，該晶體管包含η個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。
4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中，該柵極包含環(huán)繞該鰭型結構的柵極電極。
5.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側(cè)壁而分開的第一與第二子柵極。
6.根據(jù)權利要求3所述的裝置，在相鄰于該柵極的該鰭型結構中包含摻雜區(qū)。
7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，該等電荷儲存層包含氧化物-氮化物-氧化物堆疊。
8.一種形成裝置的方法，包含: 提供基板；以及` 形成鰭型結構設置在該基板上，該鰭型結構作為η個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側(cè)壁上，其中，η=2χ，X為大于或等于I的整數(shù)，其中，晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，該裝置為具有η個位的多位內(nèi)存單元。
10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，該晶體管包含η個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，該柵極包含環(huán)繞該鰭型結構的柵極電極。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側(cè)壁而分開的第一與第二子柵極。
13.根據(jù)權利要求8所述的方法，包含在該等電荷儲存層的側(cè)壁上形成保護層。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，該等電荷儲存層包含氧化物-氮化物-氧化物堆疊。
15.根據(jù)權利要求8所述的方法，包含在相鄰于該柵極的該鰭型結構中形成摻雜區(qū)。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，該等摻雜區(qū)包含耦接于選擇線和位線的源極/漏極區(qū)。
17.一種多位裝置，包含: 基板； 設置于該基板上的鰭型結構，該鰭型結構作為串連耦接于第一與第二單元終端之間的η個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側(cè)壁上，其中，η=2χ，X為大于或等于I的整數(shù)，其中，晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換，其中，晶體管包含第一與第二源極/漏極終端，該第一晶體管的第一源極/漏極終端耦接于該第一單元終端，該最后晶體管的第二源極/漏極終端耦接于該第二單元終端，相鄰晶體管的第二源極/漏極終端和第一源極/漏極終端在該鰭型結構中形成共享源極/漏極區(qū)。
18.根據(jù)權利要求17所述的多位裝置，其中，晶體管包含η個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。
19.根據(jù)權利要求18所述的多位裝置，其中，該晶體管包含環(huán)繞該鰭型結構的柵極電極。
20.根據(jù)權利要求18所述的多位裝置，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側(cè)壁而分開的第一與第二子柵極。
【文檔編號】H01L27/115GK103633097SQ201310363405
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權日:2012年8月20日
【發(fā)明者】卓榮發(fā), 陳學深, 林啟榮, 郭克文 申請人:新加坡商格羅方德半導體私人有限公司