本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法。

背景技術(shù)：

mos晶體管是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一。mos晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源漏區(qū)。mos晶體管的工作原理是：通過(guò)在柵極結(jié)構(gòu)施加電壓，調(diào)節(jié)通過(guò)柵極結(jié)構(gòu)底部溝道的電流來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號(hào)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的平面式的mos晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)酰斐蓢?yán)重的漏電流。而鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)是一種新興的多柵器件，一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)的源漏區(qū)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，避免在溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的接觸孔之間發(fā)生穿通。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有鰭部、橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)、位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁的側(cè)墻、以及覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括覆蓋所述側(cè)墻側(cè)壁的第一層間介質(zhì)層和位于第一層間介質(zhì)層、柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻上的第二層間介質(zhì)層；刻蝕部分厚度的第二層間介質(zhì)層，形成介質(zhì)層凸起，所述介質(zhì)層凸起位于相鄰鰭部之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻的上方；形成覆蓋所述介質(zhì)層凸起表面的保護(hù)層后，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和保護(hù)層的平坦層；在所述平坦層上形成具有溝槽圖形開(kāi)口的掩膜層，所述溝槽圖形開(kāi)口的位置對(duì)應(yīng)相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間 的區(qū)域；以所述掩膜層和保護(hù)層為掩膜向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔，所述接觸孔的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間；去除所述掩膜層和平坦層。

可選的，形成所述保護(hù)層的步驟為：在所述層間介質(zhì)層和所述介質(zhì)層凸起的表面形成保護(hù)層；將所述介質(zhì)層凸起表面之外的位于層間介質(zhì)層表面的保護(hù)層去除。

可選的，形成所述保護(hù)層的工藝為原子層沉積工藝、等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝。

可選的，將所述介質(zhì)層凸起表面之外的位于層間介質(zhì)層表面的保護(hù)層去除的工藝為干刻工藝。

可選的，所述保護(hù)層的厚度為120埃～180埃。

可選的，所述保護(hù)層的材料為氮化鈦、氮化銅、氮化硼或氮化鋁。

可選的，所述介質(zhì)層凸起的高度為400埃～700埃。

可選的，所述平坦層的材料為含碳有機(jī)層或底部抗反射層。

可選的，所述層間介質(zhì)層的材料為氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。

可選的，向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層以形成所述接觸孔的工藝為各向異性干法刻蝕工藝。

可選的，還包括：在所述接觸孔中填充導(dǎo)電層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于刻蝕部分厚度的所述第二層間介質(zhì)層后，在相鄰鰭部之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻上方形成介質(zhì)層凸起，然后在所述介質(zhì)層凸起的表面形成保護(hù)層，即不僅在所述介質(zhì)層凸起的頂部表面也在所述介質(zhì)層凸起側(cè)壁的形成了保護(hù)層，使得所述保護(hù)層增強(qiáng)了對(duì)其覆蓋的層間介質(zhì)層的保護(hù)作用，當(dāng)形成所述平坦層和掩膜層后，在以所述掩膜層和保護(hù)層為掩膜向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層的過(guò)程中，能夠降低對(duì)保護(hù)層下方的層間介質(zhì)層的刻蝕程度，從而避免在溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的接觸孔之間發(fā)生穿通，后續(xù)在所述接觸孔中形成導(dǎo)電層后，能夠避免在 溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

附圖說(shuō)明

圖1、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、圖5a、圖5b、6a、圖6b、圖7a和圖7b是現(xiàn)有技術(shù)中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8、圖9a、圖9b、圖9c、圖10a、圖10b、圖10c、圖11a、圖11b、圖11c、圖12a、圖12b、圖12c、圖13a、圖13b、圖13c、圖14a、圖14b、圖14c、圖15a、圖15b和圖15c是本發(fā)明第一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能有待提高。

圖1、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、圖5a、圖5b、圖6a、圖6b、圖7a和圖7b是現(xiàn)有技術(shù)中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

結(jié)合參考圖1、圖2a和圖2b，圖2a為沿著圖1中切割線a-a1獲得的剖面圖，圖2b為沿著圖1中切割線b-b1獲得的剖面圖，其中，切割線a-a1的方向平行于鰭部延伸方向且通過(guò)鰭部，切割線b-b1的方向平行于鰭部延伸方向且位于相鄰鰭部之間，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100上形成有鰭部120和橫跨所述鰭部120的偽柵極結(jié)構(gòu)130。

相鄰鰭部120之間的半導(dǎo)體襯底100上還形成有隔離結(jié)構(gòu)110，用于電學(xué)隔離相鄰的鰭部120；所述偽柵極結(jié)構(gòu)130包括橫跨所述鰭部120的柵介質(zhì)層131和位于柵介質(zhì)層131上的偽柵電極132，其中，柵介質(zhì)層131位于隔離結(jié)構(gòu)110的表面，覆蓋部分鰭部120的頂部表面和側(cè)壁。

結(jié)合參考圖3a和圖3b，在所述偽柵極結(jié)構(gòu)130兩側(cè)側(cè)壁形成側(cè)墻140；在所述偽柵極結(jié)構(gòu)130和側(cè)墻140兩側(cè)的鰭部中形成源漏區(qū)(未圖示)后，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成覆蓋所述側(cè)墻140側(cè)壁的第一層間介質(zhì)層150，所述第一層間介質(zhì)層150的表面與所述偽柵極結(jié)構(gòu)130的頂部表面齊平。

結(jié)合參考圖4a和圖4b，去除所述偽柵電極132后，形成開(kāi)口(未圖示)，然后在所述開(kāi)口中形成金屬柵電極133；形成覆蓋所述金屬柵電極133、側(cè)墻 140和第一層間介質(zhì)層150的第二層間介質(zhì)層160；形成覆蓋所述第二層間介質(zhì)層160的保護(hù)材料層170。所述金屬柵電極133和所述柵介質(zhì)層131形成柵極結(jié)構(gòu)；所述第一層間介質(zhì)層150和第二層間介質(zhì)層160形成層間介質(zhì)層。

結(jié)合參考圖5a和圖5b，刻蝕保護(hù)材料層170，形成保護(hù)層171，所述保護(hù)層171位于相鄰鰭部120之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層上方。在刻蝕保護(hù)材料層170的過(guò)程中會(huì)進(jìn)行過(guò)刻蝕，使得對(duì)部分厚度的第二層間介質(zhì)層160也進(jìn)行了刻蝕。

結(jié)合參考圖6a和圖6b，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和保護(hù)層171的平坦層180；在所述平坦層180上形成具有溝槽圖形開(kāi)口的掩膜層190，所述溝槽圖形開(kāi)口位于相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層上方并橫跨所述保護(hù)層171。

結(jié)合參考圖7a和圖7b，以所述掩膜層190和保護(hù)層171為掩膜向下刻蝕平坦層180和層間介質(zhì)層，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔191，所述接觸孔191的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間。

然后在所述接觸孔191中形成導(dǎo)電層。

研究發(fā)現(xiàn)，上述方法形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的接觸孔之間容易發(fā)生穿通，使得相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層之間發(fā)生短路，原因在于：

刻蝕保護(hù)材料層170，形成保護(hù)層171，所述保護(hù)層171位于相鄰鰭部120之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層上方，此時(shí)，保護(hù)層171僅位于保護(hù)層171向下投影覆蓋的層間介質(zhì)層的頂部表面，在以所述掩膜層190和保護(hù)層171為掩膜向下刻蝕平坦層180和層間介質(zhì)層以形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔191的過(guò)程中，對(duì)在所述溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上接觸孔191之間的層間介質(zhì)層的頂部的刻蝕程度較大，且在所述溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上接觸孔191之間的層間介質(zhì)層側(cè)壁沒(méi)有相應(yīng)的用于降低其受到的刻蝕程度的保護(hù)層，使得在所述溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的接觸孔之間容易發(fā)生穿通，當(dāng)在所述接觸孔中形成導(dǎo)電層后，使得在所述溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層之間容易發(fā)生短路。

在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明提出一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，通過(guò)刻蝕 部分厚度的第二層間介質(zhì)層，在相鄰鰭部之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻上方形成介質(zhì)層凸起；形成覆蓋所述介質(zhì)層凸起表面的保護(hù)層后，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和保護(hù)層的平坦層；在所述平坦層上形成具有溝槽圖形開(kāi)口的掩膜層，所述溝槽圖形開(kāi)口的位置對(duì)應(yīng)相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域；以所述掩膜層和保護(hù)層為掩膜向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔，所述接觸孔的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間；去除所述掩膜層和平坦層。所述方法能夠避免在溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，相鄰鰭部上對(duì)應(yīng)的接觸孔之間穿通。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

第一實(shí)施例

圖8、圖9a、圖9b、圖9c、圖10a、圖10b、圖10c、圖11a、圖11b、圖11c、圖12a、圖12b、圖12c、圖13a、圖13b、圖13c、圖14a、圖14b、圖14c、圖15a、圖15b和圖15c是本發(fā)明第一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。

結(jié)合參考圖8、圖9a、圖9b和圖9c，圖9a為沿著圖8中切割線a2-a3獲得的剖面圖，圖9b為沿著圖8中切割線b2-b3獲得的剖面圖，圖9c為沿著圖8中切割線c2-c3獲得的剖面圖，其中，切割線a-a1的方向平行于鰭部延伸方向且通過(guò)鰭部，切割線b-b1的方向平行于鰭部延伸方向且位于相鄰鰭部之間，切割線c2-c3平行于柵極結(jié)構(gòu)延伸方向且位于相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200上形成有鰭部220和橫跨所述鰭部220的偽柵極結(jié)構(gòu)230。

所述半導(dǎo)體襯底200為后續(xù)形成半導(dǎo)體器件提供工藝平臺(tái)。所述半導(dǎo)體襯底200可以是單晶硅，多晶硅或非晶硅；半導(dǎo)體襯底200也可以是硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料；本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200的材料為硅。

所述鰭部220通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體襯底200進(jìn)行圖形化而形成，或者在半導(dǎo)體襯底200上形成鰭部材料層，然后圖形化所述鰭部材料層而形成鰭部220。

所述鰭部220兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200的表面還具有隔離結(jié)構(gòu)210，隔離結(jié)構(gòu)210的表面低于鰭部220的頂部表面，隔離結(jié)構(gòu)210用于電學(xué)隔離鰭部220。所述隔離結(jié)構(gòu)210的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

所述偽柵極結(jié)構(gòu)230橫跨鰭部220且覆蓋部分鰭部220的頂部表面和側(cè)壁。所述偽柵極結(jié)構(gòu)230包括橫跨鰭部220的柵介質(zhì)層231和覆蓋柵介質(zhì)層231的偽柵電極232。其中，柵介質(zhì)層231位于隔離結(jié)構(gòu)210表面、覆蓋部分鰭部220的頂部表面和側(cè)壁。

本實(shí)施例中，所述柵介質(zhì)層231的材料為高k介質(zhì)材料，如hfo2、hfsion、hfalo2、zro2或al2o3，所述偽柵電極232的材料為多晶硅，后續(xù)會(huì)去除偽柵電極232。在其它實(shí)施例中，還可以是：柵介質(zhì)層231的材料為氧化硅，偽柵電極232的材料為多晶硅，后續(xù)需要去除柵介質(zhì)層231和偽柵電極232。

形成偽柵極結(jié)構(gòu)230的方法為：采用沉積工藝形成覆蓋半導(dǎo)體襯底200、鰭部220和隔離結(jié)構(gòu)210的柵介質(zhì)材料層(未圖示)和覆蓋柵介質(zhì)材料層的偽柵電極材料層(未圖示)；圖形化所述偽柵電極材料層和所述柵介質(zhì)材料層，形成偽柵極結(jié)構(gòu)230。

結(jié)合參考圖10a、圖10b和圖10c，形成覆蓋偽柵極結(jié)構(gòu)230兩側(cè)側(cè)壁的側(cè)墻240；在偽柵極結(jié)構(gòu)230和側(cè)墻240兩側(cè)的鰭部220中形成源漏區(qū)(未標(biāo)示)；形成所述源漏區(qū)后，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成覆蓋所述側(cè)墻240側(cè)壁的第一層間介質(zhì)層250，所述第一層間介質(zhì)層250的表面與偽柵極結(jié)構(gòu)230的頂部表面齊平。

所述第一層間介質(zhì)層250的材料為氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。

形成所述第一層間介質(zhì)層250的步驟為：形成覆蓋鰭部220、偽柵極結(jié)構(gòu)230、隔離結(jié)構(gòu)210、側(cè)墻240和半導(dǎo)體襯底200的第一層間介質(zhì)材料層(未圖示)，所述第一層間介質(zhì)材料層的整個(gè)表面高于偽柵極結(jié)構(gòu)230的頂部表面；平坦化所述第一層間介質(zhì)材料層直至暴露出偽柵極結(jié)構(gòu)230的頂部表面，形成第一層間介質(zhì)層250。

結(jié)合參考圖11a、圖11b和圖11c，去除偽柵電極232，形成開(kāi)口(未圖示)；然后在所述開(kāi)口中形成金屬柵電極233；形成覆蓋所述金屬柵電極233、 側(cè)墻240和第一層間介質(zhì)層250的第二層間介質(zhì)層260。

采用干刻工藝或濕刻工藝刻蝕去除所述偽柵電極232。本實(shí)施例中采用四甲基氫氧化銨溶液去除偽柵電極232。

形成金屬柵電極233的方法為：采用沉積工藝在所述開(kāi)口和第一層間介質(zhì)層250的表面形成金屬柵電極233，然后采用平坦化工藝去除高于第一層間介質(zhì)層250表面的金屬柵電極233，在所述開(kāi)口中形成金屬柵電極233。

所述第二層間介質(zhì)層260的材料為氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅，形成第二層間介質(zhì)層260的工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或者壓大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝。

本實(shí)施例中，所述金屬柵電極233和所述柵介質(zhì)層231形成柵極結(jié)構(gòu)；所述第二層間介質(zhì)層260和第一層間介質(zhì)層250形成層間介質(zhì)層。

結(jié)合參考圖12a、圖12b和圖12c，刻蝕部分厚度的第二層間介質(zhì)層260，形成介質(zhì)層凸起261，所述介質(zhì)層凸起261位于相鄰鰭部220之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻240的上方。

具體的，在所述第二層間介質(zhì)層260表面形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層定義待形成的介質(zhì)層凸起261的位置，以所述圖形化的掩膜層為掩膜對(duì)部分厚度的所述第二層間介質(zhì)層260進(jìn)行刻蝕，形成介質(zhì)層凸起261。

所述介質(zhì)層凸起261的高度需要選擇合適的范圍，若所述介質(zhì)層凸起261的高度小于400埃，導(dǎo)致后續(xù)形成的保護(hù)層在所述介質(zhì)層凸起261側(cè)壁上的高度較小，即后續(xù)形成的保護(hù)層對(duì)所覆蓋的層間介質(zhì)層的保護(hù)作用減弱，后續(xù)在形成接觸孔的過(guò)程中，沿著溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，不能有效的避免接觸孔之間穿通；若所述介質(zhì)層凸起261的高度大于700埃，導(dǎo)致增加工藝成本，故本實(shí)施例中，選擇所述介質(zhì)層凸起261的高度為400?！?00埃。

結(jié)合參考圖13a、圖13b和圖13c，形成覆蓋所述介質(zhì)層凸起261表面的保護(hù)層270。

所述保護(hù)層270的材料為氮化鈦、氮化銅、氮化硼或氮化鋁。

形成所述保護(hù)層270的步驟為：在所述層間介質(zhì)層和所述介質(zhì)層凸起261 的表面形成保護(hù)層270；將所述介質(zhì)層凸起261表面之外的位于層間介質(zhì)層表面的保護(hù)層270去除。具體的，在本實(shí)施例中，采用沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝或者原子層沉積工藝，在所述第二層間介質(zhì)層260和所述介質(zhì)層凸起261的表面形成保護(hù)層270，然后采用干刻工藝將所述介質(zhì)層凸起261表面之外的位于第二層間介質(zhì)層260表面的保護(hù)層270去除，刻蝕氣體可以使用c4f6和cl2、或c4f8和cl2。

若在介質(zhì)層凸起261的側(cè)壁沒(méi)有形成保護(hù)層270，將會(huì)導(dǎo)致在后續(xù)形成接觸孔的過(guò)程中對(duì)于保護(hù)層270向下覆蓋的層間介質(zhì)層的頂部受到刻蝕損耗較大，容易導(dǎo)致在后續(xù)形成的溝槽圖形開(kāi)口延伸的方向上接觸孔之間發(fā)生穿通，而本實(shí)施例中，由于在所述介質(zhì)層凸起261的表面形成了保護(hù)層270，即不僅在所述介質(zhì)層凸起261的頂部表面也在所述介質(zhì)層凸起261的側(cè)壁的形成了保護(hù)層270，增加了對(duì)保護(hù)層270覆蓋的層間介質(zhì)層的保護(hù)作用。

所述保護(hù)層270的厚度需要選擇合適的范圍，若所述保護(hù)層270的厚度小于120埃，容易在形成接觸孔的過(guò)程中，容易將所述保護(hù)層270消耗去除，降低了保護(hù)層270對(duì)所覆蓋的層間介質(zhì)層的保護(hù)作用；若所述保護(hù)層270的厚度大于180埃，在后續(xù)形成的溝槽圖形開(kāi)口的延伸方向上，將在鰭部上用于形成接觸孔的位置占據(jù)過(guò)多，不利于形成接觸孔。故本實(shí)施例中，選擇保護(hù)層270的厚度為120?！?80埃。

結(jié)合參考圖14a、圖14b和圖14c，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和保護(hù)層270的平坦層280，在所述平坦層280上形成具有溝槽圖形開(kāi)口291的掩膜層290，所述溝槽圖形開(kāi)口291的位置對(duì)應(yīng)相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域。

具體的，所述溝槽圖形開(kāi)口291位于相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層上并橫跨所述保護(hù)層270。

所述平坦層280的材料為含碳有機(jī)層或底部抗反射層(barc)。形成所述平坦層280的工藝為旋轉(zhuǎn)涂覆工藝。

本實(shí)施例中，所述掩膜層290的材料為光刻膠，若所述平坦層280的材料為含碳有機(jī)層，還可以在平坦層280和掩膜層290之間另形成一層底部抗反射層。

所述溝槽圖形開(kāi)口291的位置定于出待形成的接觸孔的位置。

結(jié)合參考圖15a、圖15b和圖15c，以所述掩膜層290和保護(hù)層270為掩膜向下刻蝕平坦層280和層間介質(zhì)層，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔292，所述接觸孔292的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間。

向下刻蝕平坦層280和層間介質(zhì)層以形成接觸孔292的工藝為各向異性干法刻蝕工藝，如各向異性等離子體刻蝕工藝或者反應(yīng)離子刻蝕工藝。本實(shí)施例中，采用各向異性等離子體刻蝕工藝向下刻蝕平坦層280和層間介質(zhì)層直至暴露出鰭部220的頂部表面，形成接觸孔292，所述接觸孔292的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間。

由于不僅在所述介質(zhì)層凸起261的頂部表面也在所述介質(zhì)層凸起261的側(cè)壁的形成了保護(hù)層270，增加了對(duì)保護(hù)層270覆蓋的層間介質(zhì)層的保護(hù)作用，使得在形成接觸孔292的過(guò)程中，能夠降低對(duì)保護(hù)層270下方的層間介質(zhì)層的刻蝕程度，從而避免在溝槽圖形開(kāi)口291的延伸方向上，相鄰鰭部220上對(duì)應(yīng)的接觸孔292之間發(fā)生穿通。

形成接觸孔292后，去除所述掩膜層290和平坦層280。

去除所述掩膜層290和平坦層280，在所述接觸孔292中填充導(dǎo)電層。

所述導(dǎo)電層的材料為金屬，如鎢或銅。形成所述導(dǎo)電層的工藝可以為物理氣相沉積工藝。

由于在溝槽圖形開(kāi)口291的延伸方向上，相鄰鰭部220上對(duì)應(yīng)的接觸孔292之間不會(huì)發(fā)生穿通，使得在溝槽圖形開(kāi)口291的延伸方向上，相鄰接觸孔292中填充的導(dǎo)電層發(fā)生短路。

第二實(shí)施例

第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于：第二實(shí)施例描述的是前柵工藝的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成過(guò)程，在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，形成偽柵極結(jié)構(gòu)后，所述偽柵極結(jié)構(gòu)不會(huì)被去除，所述偽柵極結(jié)構(gòu)形成柵極結(jié)構(gòu)，然后形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁的側(cè)墻；在所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻兩側(cè)的鰭部中形成源漏區(qū)；形成所述源漏區(qū)后，在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè) 墻的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的整個(gè)表面高于所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面。

為了方便描述，將所述層間介質(zhì)層分為第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層，所述第一層間介質(zhì)層覆蓋所述側(cè)墻側(cè)壁，且所述第一層間介質(zhì)層的表面與柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平，所述第二層間介質(zhì)層位于柵極結(jié)構(gòu)、側(cè)墻和第一層間介質(zhì)層上。

接著，刻蝕部分厚度的第二層間介質(zhì)層，形成介質(zhì)層凸起，所述介質(zhì)層凸起位于在相鄰鰭部之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻的上方。

形成介質(zhì)層凸起的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

接著，形成覆蓋所述介質(zhì)層凸起表面的保護(hù)層后，形成覆蓋所述層間介質(zhì)層和保護(hù)層的平坦層。

形成保護(hù)層和平坦層的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

接著，在所述平坦層上形成具有溝槽圖形開(kāi)口的掩膜層，所述溝槽圖形開(kāi)口的位置對(duì)應(yīng)相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域。

具體的，所述溝槽圖形開(kāi)口位于相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層上并橫跨所述保護(hù)層。

形成掩膜層的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

接著，以所述掩膜層和保護(hù)層為掩膜向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的接觸孔，所述接觸孔的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間。

形成所述接觸孔的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

形成所述接觸孔后，去除所述掩膜層和平坦層，然后在所述接觸孔中填充導(dǎo)電層。

形成所述導(dǎo)電層的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

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