技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，通過刻蝕部分厚度的第二層間介質(zhì)層，在相鄰鰭部之間、以及相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的層間介質(zhì)層和側(cè)墻上方形成介質(zhì)層凸起；形成覆蓋介質(zhì)層凸起表面的保護(hù)層；然后形成覆蓋層間介質(zhì)層和保護(hù)層的平坦層，在平坦層上形成具有溝槽圖形開口的掩膜層，溝槽圖形開口的位置對應(yīng)相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域；以掩膜層和保護(hù)層為掩膜向下刻蝕平坦層和層間介質(zhì)層，形成貫穿層間介質(zhì)層的接觸孔，接觸孔的底部位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間；去除所述掩膜層和平坦層。該方法能避免在溝槽圖形開口的延伸方向上相鄰鰭部上對應(yīng)的接觸孔之間穿通。

技術(shù)研發(fā)人員：黃敬勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.08
技術(shù)公布日：2017.09.15