照相機(jī)已被整合到各種裝置中。例如，廣泛使用的消費(fèi)電子裝置(諸如手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)及便攜式計(jì)算機(jī))包含了照相機(jī)。為了符合這類裝置的目標(biāo)成本，照相機(jī)必須以非常低的成本來(lái)制造。典型相機(jī)模塊的制造成本是由(a)材料成本，諸如影像傳感器、透鏡材料及包裝材料的成本，以及(b)包裝成本(包含組裝)所組成。在許多情況下，包裝成本是顯著的且甚至可能超過(guò)材料成本。例如，影像傳感器及透鏡皆可以在晶圓層級(jí)便宜地生產(chǎn)，而將透鏡與影像傳感器對(duì)準(zhǔn)的制程以及構(gòu)成相機(jī)模塊不透光外殼(視見(jiàn)區(qū)除外)的制程是非晶圓層級(jí)的制程，其以不容忽視的方式構(gòu)成相機(jī)模塊的總成本。

晶圓級(jí)影像傳感器的尺寸不斷減小。這種發(fā)展至少部分地受到成本所趨使。較小的影像傳感器降低了每個(gè)影像傳感器的材料費(fèi)，且增加了每個(gè)晶圓所產(chǎn)生的影像傳感器數(shù)量。此外，相關(guān)的透鏡及封裝可做得較小，這導(dǎo)致了進(jìn)一步的成本下降以及兼容于緊密空間限制(諸如與移動(dòng)電話相關(guān)的限制)的極小型化相機(jī)模塊。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一實(shí)施例中，一具有黑色屏蔽的芯片尺寸影像傳感器封裝方法包含切割一具有復(fù)數(shù)個(gè)黏合于一共同玻璃基板的影像傳感器之復(fù)合晶圓，以在所述普通玻璃基板中形成狹縫，其中所述狹縫分別界定一用于每一影像傳感器的蓋玻片。所述方法亦包含在所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著所述影像傳感器的光軸從橫截面觀察時(shí)，每一影像傳感器的黑色屏蔽跨越所述蓋玻片的周邊。再者，所述方法包含穿過(guò)所述狹縫中的黑色屏蔽切塊以分割出復(fù)數(shù)個(gè)芯片尺寸封裝的影像傳感器。所述芯片尺寸封裝的影像傳感器中的每一者包含所述影像傳感器中的一者且所述蓋玻片黏合于所述影像傳感器上，其中背向所述光軸的蓋玻片的側(cè)面至少部分地被所述黑色屏蔽覆蓋。

在一實(shí)施例中，一芯片尺寸封裝的影像傳感器包含一影像傳感器、一黏合于所述影像傳感器的蓋玻片以及一設(shè)于所述蓋玻片背向所述影像傳感器的光軸的側(cè)面上的黑色屏蔽。

附圖說(shuō)明

圖1顯示根據(jù)一實(shí)施例之具有整合型黑色屏蔽的芯片尺寸影像傳感器封裝方法，用于產(chǎn)生復(fù)數(shù)個(gè)芯片尺寸封裝的(CSP)影像傳感器，以及由所述芯片尺寸影像傳感器封裝方法所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器。

圖2A與2B顯示習(xí)知經(jīng)覆蓋蓋玻片且不具有黑色屏蔽的影像傳感器所偵測(cè)到的雜散光問(wèn)題。

圖3A與3B顯示習(xí)知經(jīng)覆蓋蓋玻片的例示性影像傳感器。

圖3C與3D顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例之具有黑色屏蔽的CSP影像傳感器。

圖4A與4B顯示根據(jù)模擬之由圖3A與3B之經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器所擷取到的影像。

圖4C與4D顯示根據(jù)模擬之由圖3C與3D的CSP影像傳感器所擷取到的影像。

圖4E顯示用于圖4A-D每一圖的強(qiáng)度標(biāo)度。

圖5是根據(jù)一實(shí)施例更詳細(xì)說(shuō)明圖1的CSP影像傳感器封裝方法的流程圖。

圖6說(shuō)明根據(jù)一實(shí)施例的CSP影像傳感器封裝方法，其中復(fù)合晶圓的影像傳感器黏合于膠帶上。

圖7A-G顯示(例如)圖6的方法步驟以及由圖6的方法所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器。

圖8A顯示根據(jù)一實(shí)施例之具有黑色屏蔽的CSP影像傳感器，其在CSP影像傳感器的光接收表面上形成有圓形開(kāi)孔。

圖8B顯示根據(jù)一實(shí)施例在CSP影像傳感器的光接收表面上形成有矩形開(kāi)孔之具有黑色屏蔽的CSP影像傳感器。

圖9說(shuō)明根據(jù)一實(shí)施例的CSP影像傳感器封裝方法，其中復(fù)合晶圓的共同玻璃基板黏合于膠帶上。

圖10A-G顯示(例如)圖9的方法步驟以及由圖9的方法所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器。

圖11說(shuō)明根據(jù)一實(shí)施例說(shuō)明的CSP影像傳感器封裝方法，其在涂覆黑色屏蔽之前僅形成狹縫至共同玻璃基板的部分高度。

圖12A-H顯示(例如)圖11的方法步驟以及由圖11的方法所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：方法；110：復(fù)合晶圓；112、114：表面；120：影像傳感器晶圓；122：影像傳感器；124、126：光軸；128：橫向長(zhǎng)度；130：共同玻璃基板；132：蓋玻片；134：光接受表面；140：黑色遮蔽材料；142：黑色屏蔽；150：CSP影像傳感器；200、250：經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器；210、260：影像傳感器；212、262：不透光黏合層；214、264：感光陣列；220、270：蓋玻片；222、272：光接收表面；230、280、284：橫向長(zhǎng)度；232、282：高度；236、286：受光角度；238、288：橫向距離；290：雜散光；292、294、296、298：光束；300、310：經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器；302、312：蓋玻片；304、314：高度；320、330：CSP影像傳感器；326、336：黑色屏蔽；700：復(fù)合晶圓；710：影像傳感器；712：傳感器基板；714：感光陣列；716：焊料凸塊電接點(diǎn)；718：光軸；720：共同玻璃基板；722：蓋玻片；724：光接收表面；730：黏合層；740：膠帶；750：凹槽；752、755：狹縫；754：黑色光阻；756：黑色屏蔽；758：突出部；760：CSP影像傳感器；770、772：寬度；774：厚度；780：高度；782：距離；790：切割工具；792：光罩；794：UV光；798：拾取裝置；1056：黑色屏蔽；1060、1210、1260：CSP影像傳感器；1090、1096、1290、1296：切割工具；1092、1292：光罩；1200：復(fù)合晶圓；1216：電接點(diǎn)區(qū)域；1252、1254：狹縫；1256：黑色屏蔽；1258：焊料凸塊電接點(diǎn)；1270、1272：寬度；1274：厚度；1280、1282：高度；1298：拾取裝置

具體實(shí)施方式

圖1顯示一例示性具有整合型黑色屏蔽的芯片尺寸(CSP)影像傳感器封裝方法100，其用于產(chǎn)生復(fù)數(shù)個(gè)具有黑色屏蔽的CSP影像傳感器。圖1亦顯示由所述方法100所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器150。CSP影像傳感器150包含一黑色屏蔽142，其遮蔽所述CSP影像傳感器150的光偵測(cè)組件免受到在缺少黑色屏蔽142時(shí)會(huì)進(jìn)入CSP影像傳感器150側(cè)面的雜散光。這對(duì)于具有小橫向長(zhǎng)度的影像傳感器是特別有利的，因?yàn)檫@類影像傳感器更容易受到由進(jìn)入到影像傳感器側(cè)面雜散光所造成的雜訊，且因小橫向面積而會(huì)收集到較少穿過(guò)所預(yù)期光接受表面的光線。在本文中，「橫向」是指與影像傳感器的光軸126正交的維度。CSP影像傳感器150具有一橫向長(zhǎng)度128。橫向長(zhǎng)度128與CSP影像傳感器150的光軸126正交。橫向長(zhǎng)度128中的一或二者可小至約1毫米或更小。

方法100是一種整合影像傳感器封裝的光遮蔽態(tài)樣的晶圓級(jí)制程。與習(xí)用在獨(dú)立晶粒層級(jí)從晶圓切割出影像傳感器之后所執(zhí)行的封裝方法相比，此方法提供了經(jīng)簡(jiǎn)化的制造流程。方法100因此能夠以低成本提供高產(chǎn)量。方法100對(duì)一復(fù)合晶圓110進(jìn)行處理以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個(gè)CSP影像傳感器150。復(fù)合晶圓110包含復(fù)數(shù)個(gè)黏合至一共同玻璃基板130的影像傳感器122。為清楚說(shuō)明，并非所有的影像傳感器122被標(biāo)示于圖1中。影像傳感器122是在晶圓層級(jí)于一影像傳感器晶圓120中產(chǎn)生。每一影像傳感器122是(例如)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器。在一實(shí)施例中，方法100對(duì)一包含影像傳感器晶圓的復(fù)合晶圓110進(jìn)行處理。在另一實(shí)施例中，在黏合影像傳感器晶圓120于共同玻璃基板130之后，材料已從影像傳感器晶圓120移除，使得復(fù)合晶圓110的影像傳感器122僅黏合于共同玻璃基板130而不彼此黏合。所述方法100的制程步驟包含切割復(fù)合晶圓110及涂覆黑色遮蔽材料140。

CSP影像傳感器150(如由方法100所產(chǎn)生者)包含影像傳感器122及蓋玻片132。蓋玻片132是共同玻璃基板130的一部分。背向光軸126的蓋玻片132側(cè)面至少部分地被由黑色遮蔽材料140所形成的黑色屏蔽142覆蓋。黑色屏蔽142在影像傳感器122的偵測(cè)波長(zhǎng)范圍中是不透明于光線的。因此，光線穿過(guò)所預(yù)期的CSP影像傳感器150光接受表面134、進(jìn)入CSP影像傳感器150而只被(或至少主要被)影像傳感器122偵測(cè)。黑色屏蔽142可以是一具有厚度范圍為1微米至200微米的涂層。為清楚說(shuō)明，影像傳感器122、光軸126、橫向長(zhǎng)度128、蓋玻片132、光接受表面134及黑色屏蔽142僅標(biāo)示于圖1所示的某些CSP影像傳感器150之中。

圖2A及2B顯示習(xí)知經(jīng)覆蓋蓋玻片且不具有黑色屏蔽142的影像傳感器所偵測(cè)到的雜散光問(wèn)題。圖2A顯示雜散光290進(jìn)入一具有較大橫向長(zhǎng)度230之經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200。圖2B顯示雜散光290進(jìn)入一具有較小橫向長(zhǎng)度280之經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250。圖2A及2B最好是一起觀看。

經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200包含一影像傳感器210及一經(jīng)由不透光黏合層212而黏合于影像傳感器210的蓋玻片220。蓋玻片220具有橫向長(zhǎng)度230及高度232。經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200具有一光接收表面222。預(yù)期被感光陣列214偵測(cè)的光線穿過(guò)光接收表面222。然而，除此之外，雜散光290進(jìn)入蓋玻片220穿過(guò)其側(cè)面且可傳播至感光陣列214而被其偵測(cè)。光束292及294是例示性指示雜散光290受光角度236的光束，且其可被感光陣列214偵測(cè)并于感光陣列214最遠(yuǎn)處進(jìn)入蓋玻片230。

經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250與所述經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200相似。經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250包含一影像傳感器260及一經(jīng)由不透光黏合層262黏合于影像傳感器260的蓋玻片270。影像傳感器260包含一具有橫向長(zhǎng)度284的感光陣列264。蓋玻片270具有橫向長(zhǎng)度280及高度282。經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250具有一光接收表面272。預(yù)期被感光陣列264偵測(cè)的光線穿過(guò)光接收表面272。高度282與高度232相同。雜散光290進(jìn)入蓋玻片270穿過(guò)其側(cè)面且可傳播至感光陣列264而被其偵測(cè)。光束296及298是例示性指示雜散光290受光角度286的光束，且其可被感光陣列264偵測(cè)并于感光陣列264最遠(yuǎn)處進(jìn)入蓋玻片270。

自感光陣列264到蓋玻片270側(cè)面的橫向距離288顯著較小于自感光陣列214到蓋玻片220側(cè)面的橫向距離238。因此，經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250比經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200偵測(cè)到更多的雜散光。此外，由于橫向長(zhǎng)度280小于橫向長(zhǎng)度230，穿過(guò)光接收表面272而被經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250的感光陣列264偵測(cè)到的光線量少于穿過(guò)光接收表面222而被經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200的感光陣列214偵測(cè)到的光線量。這進(jìn)一步減少了經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250之中(a)穿過(guò)光接收表面272到達(dá)感光陣列264的光線與(b)到達(dá)感光陣列264的雜散光的比率(與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器200的對(duì)應(yīng)比率相比時(shí))。

因此，如果不采取措施阻擋雜散光，縮減影像傳感器的橫向尺度可能在影像傳感器所擷取到的影像之中產(chǎn)生不想要的雜散光影響。方法100產(chǎn)生了具有黑色屏蔽的影像傳感器，所述黑色屏蔽經(jīng)配置以至少部分地阻擋雜散光(諸如雜散光290)。方法100因而對(duì)于習(xí)用經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器(尤其是具有小的橫向長(zhǎng)度者)所經(jīng)歷到的雜散光問(wèn)題提供了解決方案。

圖3A與3B分別顯示習(xí)知經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300及310。經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300及310與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250相似。圖4A與4B分別顯示根據(jù)模擬由經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300及310所擷取到的影像。圖3C與3D分別顯示具有黑色屏蔽的CSP影像傳感器320及330。CSP影像傳感器320及330是CSP影像傳感器150的實(shí)施例，且可使用CSP影像傳感器封裝方法100來(lái)產(chǎn)生。圖4C與4D分別顯示根據(jù)模擬由CSP影像傳感器320及330所擷取到的影像。所有在圖4A-D中顯示的影像的尺寸是相同的。圖4E顯示用于圖4A-D每一圖的強(qiáng)度標(biāo)度。圖3A-D及4A-E最好是一起觀看。圖3A-D及4A-D展現(xiàn)出(例如)CSP影像傳感器封裝方法100能夠產(chǎn)生具有極佳雜散光抑制特性的CSP影像傳感器150。

經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器250相似。經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300將蓋玻片270實(shí)施成具有高度304的蓋玻片302。高度304等于400微米。在經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300中，橫向長(zhǎng)度284等于0.96毫米(mm)。CSP影像傳感器320與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300相似，但進(jìn)一步包含黑色屏蔽326。黑色屏蔽326是黑色屏蔽142的一實(shí)施例。黑色屏蔽326沿著蓋玻片302的整個(gè)高度延伸。圖4A顯示出由經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300所擷取的影像表現(xiàn)出顯著的不均勻性。相反地，由CSP影像傳感器320所擷取到的影像(見(jiàn)圖4C)相對(duì)的均勻且不會(huì)達(dá)到如經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300所擷取的影像般的高強(qiáng)度。這展現(xiàn)出黑色屏蔽326阻擋了雜散光290使其不被CSP影像傳感器320偵測(cè)到。

經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器310與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器300相似，除了其具有呈高度314的蓋玻片312，其中高度314等于200微米。CSP影像傳感器330與經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器310相似，除了其具有(a)呈高度314的蓋玻片312及黑色屏蔽336。黑色屏蔽336是黑色屏蔽142的一實(shí)施例。黑色屏蔽336沿著蓋玻片312的整個(gè)高度延伸。圖4B顯示出由經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器310所擷取到的影像展現(xiàn)出顯著的不均勻性，盡管與圖4A相比其處于較低的強(qiáng)度程度。與圖4A相比，圖4B中的強(qiáng)度降低成蓋玻片312高度314只有蓋玻片302高度304的一半的結(jié)果。因此，有可能藉由降低蓋玻片的高度，而降低習(xí)知未配置有黑色屏蔽之經(jīng)覆蓋蓋玻片的影像傳感器所偵測(cè)到的雜散光量。然而，在200微米的蓋玻片高度下，雜散光的問(wèn)題在經(jīng)擷取的影像中仍然明顯，且具有蓋玻片高度比200微米要小得多的影像傳感器晶圓級(jí)制造會(huì)因?yàn)檫_(dá)到這樣小的蓋玻片高度所需的極薄玻璃基板的易脆性而具困難性。圖4D顯示由CSP影像傳感器330所擷取的影像。其均勻性極佳且強(qiáng)度程度低。這展現(xiàn)出黑色屏蔽336具有顯著的雜散光降低效果，即使是僅具有200微米高度的蓋玻片。

圖5是更詳細(xì)說(shuō)明CSP影像傳感器封裝方法100的流程圖。在步驟510中，方法100切割復(fù)合晶圓110以在共同玻璃基板130中形成狹縫。這些狹縫分別與所述影像傳感器122的光軸124平行，且對(duì)齊所述影像傳感器122之間的分界線。所述狹縫在共同玻璃基板130中界定了用于每一影像傳感器122的蓋玻片132。步驟510可利用本領(lǐng)域中已知的切割方法，諸如切塊或蝕刻。在一實(shí)施例中，步驟510實(shí)施步驟512而穿過(guò)復(fù)合晶圓110的整個(gè)高度及穿過(guò)共同玻璃基板130的整個(gè)高度進(jìn)行切割。在本文中，「高度」是指在平行于光軸124的維度中的范圍。在另一實(shí)施例中，步驟510實(shí)施步驟514而在所述影像傳感器122之間切割復(fù)合晶圓110到共同玻璃基板130內(nèi)且只切割到共同玻璃基板130的部分高度，使得所述狹縫不完全穿透共同玻璃基板13。

在步驟520中，方法100在所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著對(duì)應(yīng)的光軸124從橫截面觀察時(shí)，每一影像傳感器122的黑色屏蔽跨越所述蓋玻片132的周邊。所述黑色屏蔽環(huán)繞蓋玻片132背向光軸124的全部側(cè)面，例如，對(duì)于矩形影像傳感器而言，黑色屏蔽環(huán)繞著蓋玻片132的四個(gè)側(cè)面。步驟520包含將黑色遮蔽材料140涂覆于復(fù)合晶圓110之至少在步驟510中所形成的狹縫內(nèi)。

在一實(shí)施例中，步驟520包含步驟522及524。在步驟522中，方法100沉積黑色光阻于復(fù)合晶圓110上。在步驟522的一實(shí)例中，黑色光阻大致沉積在共同玻璃基板130背向影像傳感器122的全部表面112上，以及在所述狹縫中。在步驟522的另一實(shí)例中，黑色光阻大致沉積在復(fù)合晶圓110之與表面112相對(duì)的全部表面114上。所述黑色光阻是黑色遮蔽材料140的一實(shí)例。在步驟524中，方法100至少在所述狹縫終以光刻方式對(duì)所述黑色光阻進(jìn)行顯影。

在步驟530中，方法100對(duì)復(fù)合晶圓110進(jìn)行切塊以從復(fù)合晶圓110分割出CSP影像傳感器150。每一CSP影像傳感器150包含一影像傳感器122及一黏合于其上的蓋玻片132，其中所述蓋玻片132背向光軸126的側(cè)面至少部分地被黑色屏蔽142覆蓋。黑色屏蔽142可采用涂層形式，且厚度在1微米至200微米的范圍內(nèi)。

圖6說(shuō)明一例示性CSP影像傳感器封裝方法600，其中復(fù)合晶圓110的影像傳感器122是黏合于膠帶上。方法600是方法100的一實(shí)施例，并產(chǎn)生設(shè)置有黑色屏蔽142跨越蓋玻片132背向光軸126的整個(gè)側(cè)面高度之CSP影像傳感器150實(shí)施例。圖7A-G基于復(fù)合晶圓700而顯示(例如)方法600的步驟，以及由方法600所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器760。圖6及7A-G最好是一起觀看。

在步驟610中，復(fù)合晶圓110的影像傳感器122是黏附于一膠帶上。所述膠帶可以是本領(lǐng)域中已知的切割用膠帶。所述膠帶至少用以在方法600的后續(xù)步驟期間穩(wěn)定所述影像傳感器122的相對(duì)位置，直至從復(fù)合晶圓110切割出CSP影像傳感器150。在步驟610的一實(shí)例中，復(fù)合晶圓700的復(fù)數(shù)個(gè)影像傳感器710(見(jiàn)圖7A)是黏附于膠帶740上。圖7A顯示出一部分復(fù)合晶圓700的剖視圖。復(fù)合晶圓700包含一共同玻璃基板720及經(jīng)由黏合層730而黏合于共同玻璃基板720的影像傳感器710。復(fù)合晶圓700是復(fù)合晶圓110的一實(shí)施例，而影像傳感器710是影像傳感器122的一實(shí)施例。影像傳感器710包含一傳感器基板712及一感光陣列714。影像傳感器710可進(jìn)一步包含焊料凸塊電接點(diǎn)716。圖7A顯示出每一對(duì)影像傳感器710之間的凹槽750。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，凹槽750的形狀與尺寸可以與圖7A中所示者不同。再者，凹槽750可被省略，使得所述影像傳感器710協(xié)作而形成一影像傳感器晶圓，即影像傳感器晶圓120的一實(shí)施例。

在步驟620中，復(fù)合晶圓110經(jīng)切割以形成通過(guò)復(fù)合晶圓110整個(gè)高度的狹縫。這些狹縫分別與影像傳感器122的光軸124平行，并對(duì)齊所述影像傳感器122之間的分界線。所述狹縫在共同玻璃基板130中界定了每一影像傳感器122的蓋玻片132。步驟620可利用本領(lǐng)域中已知的切割方法，諸如切塊或蝕刻。步驟620是實(shí)施步驟512的步驟510的一實(shí)施例。在步驟620的一實(shí)例中，切割工具790從連接有共同玻璃基板720的復(fù)合晶圓700側(cè)面在復(fù)合晶圓700中形成狹縫752(見(jiàn)圖7B)。所述狹縫752具有寬度770。寬度770是在(例如)20微米至100微米的范圍內(nèi)。

在步驟630中，方法600在步驟620中所形成的所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著光軸124從橫截面觀察時(shí)，每一影像傳感器122的黑色屏蔽跨越所相連接的蓋玻片132的周邊。步驟630是步驟520的一實(shí)施例。步驟630包含一個(gè)形成黑色屏蔽而使得黑色屏蔽沿伸超過(guò)蓋玻片132高度的步驟632，且可選地在朝向光軸126的方向上沿著蓋玻片132的光接收表面134向內(nèi)延伸。在一實(shí)施例中，步驟630包含步驟634及636。步驟634將黑色光阻沉積于復(fù)合晶圓110的表面112上及步驟620中所形成的狹縫中。所述黑色光阻是黑色遮蔽材料140的一實(shí)例。步驟636以光刻方式至少對(duì)所述狹縫中的光阻進(jìn)行顯影。

圖7C-E協(xié)同顯示出實(shí)施步驟632、634及636的步驟630的實(shí)例。在步驟634中，黑色光阻754被沉積在每一蓋玻片722上及每一狹縫752中(見(jiàn)圖7C)。在步驟636中，光罩792被設(shè)置在復(fù)合晶圓700的上方，且UV光794穿過(guò)光罩792的非不透明開(kāi)口而朝向復(fù)合晶圓700(見(jiàn)圖7D)。黑色光阻754暴露于UV光794下而變得可溶解在光阻顯影液之中，同時(shí)未暴露于UV光794下的黑色光阻754變得不溶于光阻顯影液之中。光罩792于狹縫752上方阻擋UV光794，且可選地在一區(qū)域中離所述狹縫752延伸一有限距離。接著，復(fù)合晶圓700被暴露于光阻顯影液而移除暴露于UV光794之黑色光阻754(見(jiàn)圖7E)。這在所述狹縫752中及其附近形成黑色屏蔽756。圖7D及7E顯露出黑色光阻754為正光阻層。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，黑色光阻754可以是負(fù)光阻層，在這情況下光罩792由相反的光罩代替。

在步驟640中，方法600穿過(guò)在步驟630的狹縫中所形成的黑色屏蔽而對(duì)復(fù)合晶圓110進(jìn)行切塊。步驟640藉此分割出CSP影像傳感器150，其中黑色屏蔽142通過(guò)蓋玻片132的整個(gè)高度而覆蓋蓋玻片132背向光軸126的側(cè)面。在步驟640的一實(shí)例中，切割工具796穿過(guò)每一狹縫752中的黑色屏蔽756而對(duì)復(fù)合晶圓700進(jìn)行切塊，以在其中形成各自的狹縫755。狹縫755具有寬度772。寬度772是在(例如)20微米至100微米的范圍內(nèi)。這形成復(fù)數(shù)個(gè)CSP影像傳感器760。每一CSP影像傳感器760是CSP影像傳感器150的一實(shí)施例，且包含影像傳感器710、一部分的黏合層730及蓋玻片722。蓋玻片722背向影像傳感器710光軸718的側(cè)面沿著蓋玻片722的整個(gè)高度780被黑色屏蔽756覆蓋。沿著這些側(cè)面，黑色屏蔽756具有厚度774。厚度774是在(例如)1微米至50微米的范圍內(nèi)。每一CSP影像傳感器760進(jìn)一步包含一突出部758，其延伸超過(guò)高度780一距離782，并在朝向光軸718的方向上沿著蓋玻片722的光接收表面724向內(nèi)延伸。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，圖7D的光罩792可經(jīng)配置不形成突出部758。

在步驟650中，方法600將CSP影像傳感器150從膠帶移除。在步驟650的一實(shí)例中，拾取裝置798將每一CSP影像傳感器760從膠帶740移除。包含突出部758的CSP影像傳感器150實(shí)施例可在突出部758處耦接時(shí)取裝置798，使得光接受表面724受保護(hù)以免于接觸拾取裝置798時(shí)受到損壞。

圖8A顯示CSP影像傳感器760的一例示性實(shí)施例，其中突出部758在光接收表面724上形成一圓形開(kāi)孔。

圖8B顯示CSP影像傳感器760的另一例示性實(shí)施例，其中突出部758在光接收表面724上形成一矩形開(kāi)孔。

圖8A及8B顯示(例如)所述方法600可在CSP影像傳感器150的光接收表面上形成任何形狀的開(kāi)孔。

圖9說(shuō)明一例示性CSP影像傳感器封裝方法900，其中復(fù)合晶圓110的共同玻璃基板130是黏合于膠帶上。方法900是方法100的一實(shí)施例，并產(chǎn)生設(shè)置有黑色屏蔽142跨越蓋玻片132背向光軸126的整個(gè)側(cè)面高度之CSP影像傳感器150實(shí)施例。圖10A-G基于復(fù)合晶圓700而顯示(例如)方法900的步驟，以及方法900所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器1060。圖9及10A-G最好是一起觀看。

在步驟910中，復(fù)合晶圓110的共享玻璃基板130系黏附于一膠帶上。該膠帶可為本領(lǐng)域中已知的切割用膠帶。該膠帶至少用以在方法900的后續(xù)步驟期間穩(wěn)定該等影像傳感器122的相對(duì)位置，直至從復(fù)合晶圓110切割出CSP影像傳感器150。在步驟910的一實(shí)例中，復(fù)合晶圓700的共享玻璃基板720(見(jiàn)圖10A)系黏附于膠帶740上。圖10A顯示出一部分復(fù)合晶圓700的剖視圖。圖10A顯示出每一對(duì)影像傳感器710之間的凹槽750。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，凹槽750的形狀與尺寸可以與圖10A中所示者不同。再者，凹槽750可被省略，使得該等影像傳感器710協(xié)作而形成一影像傳感器晶圓，即影像傳感器晶圓120的一實(shí)施例。

在步驟920中，復(fù)合晶圓110經(jīng)切割以形成通過(guò)復(fù)合晶圓110整個(gè)高度的狹縫。這些狹縫分別與影像傳感器122的光軸124平行，并對(duì)齊所述影像傳感器122之間的分界線。所述狹縫在共同玻璃基板130中界定了每一影像傳感器122的蓋玻片132。步驟920可利用本領(lǐng)域中已知的切割方法，諸如切塊或蝕刻。步驟920是實(shí)施步驟512的步驟510的一實(shí)施例。在步驟920的一實(shí)例中，切割工具1090從連接有影像傳感器710的復(fù)合晶圓700側(cè)面在復(fù)合晶圓700中形成狹縫752(見(jiàn)圖10B)。所述狹縫界定了每一影像傳感器710的蓋玻片722。

在步驟930中，方法900在步驟920中所形成的所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著光軸124從橫截面觀察時(shí)，每一影像傳感器122的黑色屏蔽跨越所相連接的蓋玻片132的周邊。步驟930是步驟520的一實(shí)施例。步驟930包含一個(gè)形成黑色屏蔽而使得黑色屏蔽跨越蓋玻片132整個(gè)高度的步驟932。在一實(shí)施例中，步驟930包含步驟934及936。步驟934將黑色光阻沉積于復(fù)合晶圓110的表面114上及步驟920中所形成的狹縫中。所述黑色光阻是黑色遮蔽材料140的一實(shí)例。步驟936以光刻方式對(duì)所述狹縫中的黑色光阻進(jìn)行顯影。

圖10C-E協(xié)同顯示出實(shí)施步驟932、934及936的步驟930的實(shí)例。在步驟934中，黑色光阻754被沉積在每一影像傳感器710上及每一狹縫752中(見(jiàn)圖10C)。在步驟936中，光罩1092被設(shè)置在復(fù)合晶圓700的上方，且UV光794穿過(guò)光罩1092的非不透明開(kāi)口而朝向復(fù)合晶圓700(見(jiàn)圖10D)。黑色光阻754暴露于UV光794下而變得可溶解在光阻顯影液之中，同時(shí)未暴露于UV光794下的黑色光阻754變得不溶于光阻顯影液之中。光罩1092于狹縫752上方阻擋UV光794。接著，復(fù)合晶圓700被暴露于光阻顯影液而移除暴露于UV光794的黑色光阻754(見(jiàn)圖10E)。這在所述狹縫752中形成黑色屏蔽1056。圖10D及10E顯露出黑色光阻754為正光阻層。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，黑色光阻754可以是負(fù)光阻層，在這情況下光罩1092由相反的光罩代替。

在步驟940中，方法900穿過(guò)在步驟930的狹縫中所形成的黑色屏蔽而對(duì)復(fù)合晶圓110進(jìn)行切塊。步驟940藉此分割出CSP影像傳感器150，其中黑色屏蔽142通過(guò)蓋玻片132的整個(gè)高度而覆蓋蓋玻片132背向光軸126的側(cè)面。在步驟940的一實(shí)例中，切割工具1096穿過(guò)每一狹縫752中的黑色屏蔽1056而對(duì)復(fù)合晶圓700進(jìn)行切塊。這形成復(fù)數(shù)個(gè)CSP影像傳感器1060。每一CSP影像傳感器1060是CSP影像傳感器150的一實(shí)施例，且包含影像傳感器710、一部分的黏合層730及蓋玻片722。蓋玻片722背向影像傳感器710光軸718的側(cè)面沿著蓋玻片722的整個(gè)高度780被黑色屏蔽1056覆蓋。

在步驟950中，方法900將CSP影像傳感器150從膠帶移除。在步驟950的一實(shí)例中，拾取裝置1098將每一CSP影像傳感器1060從膠帶740移除。拾取裝置798耦接影像傳感器710及/或黑色屏蔽1056。

圖11說(shuō)明一例示性CSP影像傳感器封裝方法1100，其在涂覆黑色屏蔽之前僅形成狹縫至共同玻璃基板130的部分高度。方法1100是方法100的一實(shí)施例，并產(chǎn)生在蓋玻片132背向光軸126的側(cè)面設(shè)有黑色屏蔽142的CSP影像傳感器150實(shí)施例。方法1100可包含形成焊料凸塊電接點(diǎn)于影像傳感器122上。在方法1100所產(chǎn)生的CSP影像傳感器150中，黑色屏蔽142僅覆蓋至蓋玻片132的部分高度。圖12A-H基于復(fù)合晶圓1200顯示(例如)方法1100的步驟，以及由方法1100所產(chǎn)生的例示性CSP影像傳感器1260。圖11及12A-H最好是一起觀看。

在步驟1120中，復(fù)合晶圓110經(jīng)切割以在共同玻璃基板中形成僅至部分共同玻璃基板130高度的狹縫。其切口是從復(fù)合晶圓110的側(cè)面112制造。所述狹縫分別與影像傳感器122的光軸124平行，并對(duì)齊所述影像傳感器122之間的分界線。所述狹縫在共同玻璃基板130中界定了每一影像傳感器122的蓋玻片132，盡管每一蓋玻片132仍然部分連接相鄰的蓋玻片132。步驟1120可利用本領(lǐng)域中已知的切割方法，諸如切塊或蝕刻。步驟1120是實(shí)施步驟514的步驟510的一實(shí)施例。在步驟1120的一實(shí)例中，切割工具1290從連接有復(fù)數(shù)個(gè)影像傳感器1210的復(fù)合晶圓1200側(cè)面在復(fù)合晶圓1200中形成狹縫1252(見(jiàn)圖12B)。所述狹縫1252僅延伸至共同玻璃基板720的部分高度1280。所述狹縫1252界定了每一影像傳感器1210的蓋玻片722，盡管每一蓋玻片722仍然部分連接相鄰的蓋玻片722。所述狹縫1252具有寬度1270。寬度1270是在(例如)20微米至100微米的范圍內(nèi)。復(fù)合晶圓1200是復(fù)合晶圓110的一實(shí)施例。復(fù)合晶圓1200與復(fù)合晶圓700相似，除了影像傳感器710被影像傳感器1210代替。影像傳感器1210可省去焊料凸塊電接點(diǎn)716，反而包含電接點(diǎn)區(qū)域1216。每一電接點(diǎn)區(qū)域1216經(jīng)配置以容納焊料凸塊電接點(diǎn)(諸如焊料凸塊電接點(diǎn)716)。盡管圖12B將電接點(diǎn)區(qū)域1216顯示成突出于影像傳感器1210，在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，電接點(diǎn)區(qū)域1216可與相鄰影像傳感器1210的表面部分齊平。

可選擇地，方法1100包含一個(gè)將復(fù)合晶圓110黏附至膠帶的步驟1110，如參照方法900的步驟910所討論。此膠帶可在從復(fù)合晶圓110分割出CSP影像傳感器150的后續(xù)步驟1150期間就位而用以留住影像傳感器122，且讓蓋玻片132黏合于上。在方法1100的某些實(shí)施例中，其有利于在步驟1120之前執(zhí)行步驟1110，因?yàn)椴襟E1120中所形成的狹縫可能讓復(fù)合晶圓110太脆弱而無(wú)法移動(dòng)，且無(wú)法在不會(huì)有復(fù)合晶圓110于狹縫處斷裂的風(fēng)險(xiǎn)下黏附至膠帶。在步驟1110的一實(shí)例中，在步驟1120之前復(fù)合晶圓1200被黏附至膠帶740(見(jiàn)圖12A)。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，方法1100可在稍后的時(shí)間合并步驟1110，例如在步驟1140之前。

在步驟1130中，方法1100在步驟1120中所形成的所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著光軸124從橫截面觀察時(shí)，每一影像傳感器122的黑色屏蔽跨越所相連接的蓋玻片132的周邊。步驟1130是步驟520的一實(shí)施例。在一實(shí)施例中，步驟1130包含步驟1132及1134。步驟1132將黑色光阻沉積于復(fù)合晶圓110的表面114上及步驟1120中所形成的狹縫中。所述黑色光阻是黑色遮蔽材料140的一實(shí)例。步驟1132以光刻方式對(duì)所述狹縫中的黑色光阻進(jìn)行顯影。在某些實(shí)施例中，步驟1130進(jìn)一步包含一個(gè)以光刻方式對(duì)所述影像傳感器122背向共同玻璃基板130的側(cè)面上的黑色光阻進(jìn)行顯影的步驟1136。步驟1136對(duì)黑色光阻進(jìn)行顯影以在對(duì)應(yīng)尚未形成在影像傳感器122上的焊料凸塊電接點(diǎn)預(yù)期位置之位置處的黑色光阻中留下開(kāi)口。

圖12C-E協(xié)同顯示出實(shí)施步驟1132、1134及1136的步驟1130的實(shí)例。在步驟1132中，黑色光阻754被沉積在每一影像傳感器1210上及每一狹縫1252中(見(jiàn)圖12C)。為了執(zhí)行步驟1134及1136，光罩1292被設(shè)置在復(fù)合晶圓1200的上方，且UV光794穿過(guò)光罩1292的非不透明開(kāi)口而朝向復(fù)合晶圓1200(見(jiàn)圖12D)。黑色光阻754暴露于UV光794下而變得可溶解在光阻顯影液之中，同時(shí)未暴露于UV光794下的黑色光阻754變得不溶于光阻顯影液之中。光罩1292于狹縫752上方及電接點(diǎn)區(qū)域1216上方阻擋UV光794。接著，復(fù)合晶圓1200被暴露于光阻顯影液而移除暴露于UV光794的黑色光阻754(見(jiàn)圖12E)。這在所述狹縫752中及影像傳感器1210上除了電接點(diǎn)區(qū)域1216以外處形成黑色屏蔽1256。圖12D及12E顯露出黑色光阻754為正光阻層。在不偏離本發(fā)明范疇的情況下，黑色光阻754可以是負(fù)光阻層，在這情況下光罩1292由相反的光罩代替。

在一可選擇的步驟1140中，方法1100是在影像傳感器122上形成焊料凸塊電接點(diǎn)。在步驟1150的一實(shí)例中，焊料凸塊電接點(diǎn)1258是使用黑色屏蔽1256做為阻焊膜而形成在每一電接點(diǎn)區(qū)域1216上。藉助于狹縫1252僅延伸穿過(guò)共同玻璃基板720的部分高度1280，所述影像傳感器1210的相對(duì)位置可較倘若狹縫1252延伸穿過(guò)共同玻璃基板720的整個(gè)高度時(shí)(在這種情況下穩(wěn)定所述影像傳感器1210的相對(duì)位置的唯一手段會(huì)是使用膠帶740)更為穩(wěn)定。這所增加的穩(wěn)定性可在形成焊料凸塊電接點(diǎn)1258時(shí)用來(lái)提供更高的精度。

在步驟1150中，方法1100穿過(guò)在步驟1130的狹縫中所形成的黑色屏蔽及穿過(guò)復(fù)合晶圓110的整個(gè)高度而對(duì)復(fù)合晶圓110進(jìn)行切塊。步驟1150藉此分割出CSP影像傳感器150，其中黑色屏蔽142覆蓋蓋玻片132背向光軸126的側(cè)面，但僅通過(guò)蓋玻片132的部分高度。在步驟1150的一實(shí)例中，切割工具1296穿過(guò)每一狹縫1252中的黑色屏蔽1256而對(duì)復(fù)合晶圓1200進(jìn)行切塊，以形成跨越復(fù)合晶圓1200的整個(gè)高度的狹縫1254。狹縫1254具有寬度1272。寬度1272是在(例如)20微米至100微米的范圍內(nèi)。這形成復(fù)數(shù)個(gè)CSP影像傳感器1260。每一CSP影像傳感器1260是CSP影像傳感器150的一實(shí)施例，且包含影像傳感器1210、一部分的黏合層730及蓋玻片722。蓋玻片722背向影像傳感器710光軸718的側(cè)面被黑色屏蔽1256覆蓋至蓋玻片722的部分高度1280。沿著這些側(cè)面，黑色屏蔽1256具有厚度1274。厚度1274是在(例如)1微米至50微米的范圍內(nèi)。這些側(cè)面最遠(yuǎn)離影像傳感器1210的高度1282部分并未被黑色屏蔽1256覆蓋。然而，與部分高度1280相比，高度1282可以做成小尺寸以將可以穿過(guò)蓋玻片722側(cè)面進(jìn)入CSP影像傳感器150的雜散光量降至最低。在一實(shí)例中，高度1282是介于所述部分高度1280的5％與20％之間。與高度1282相連接的側(cè)面部分是與在與高度1280相連接的側(cè)面部分上的黑色屏蔽1256齊平。

在步驟1160中，方法1100將CSP影像傳感器150從膠帶移除。在步驟1160的一實(shí)例中，拾取裝置1298將每一CSP影像傳感器1260從膠帶740或從另一用來(lái)取代膠帶740的支撐結(jié)構(gòu)上移除。拾取裝置1298耦接影像傳感器1210及/或黑色屏蔽1256。

特征組合

上述特征以及下文所請(qǐng)求保護(hù)的特征可在不偏離本發(fā)明范疇的情況下以各種方式結(jié)合。例如，應(yīng)了解到本文中所述之具有黑色屏蔽的芯片尺寸封裝影像傳感器、或相關(guān)封裝方法的態(tài)樣可并入或替換成本文中所述的另一種具有黑色屏蔽的芯片尺寸封裝影像傳感器、或相關(guān)封裝方法的特征。下列實(shí)例說(shuō)明上述所述實(shí)施例中的可能及非限制性的結(jié)合。應(yīng)明白可在不偏離本發(fā)明的精神及范疇的情況下，對(duì)本文中的所述方法及裝置做出許多其他變化及修改：

(A1)一種具有黑色屏蔽的芯片尺寸影像傳感器封裝方法，可包含(a)切割一具有復(fù)數(shù)個(gè)黏合于一共同玻璃基板的影像傳感器之復(fù)合晶圓，以在所述普通玻璃基板中形成狹縫，其中所述狹縫分別界定一用于每一影像傳感器的蓋玻片，以及(b)在所述狹縫中形成黑色屏蔽，使得在沿著所述影像傳感器的光軸從橫截面觀察時(shí)，所述用于每一影像傳感器的黑色屏蔽跨越所述蓋玻片的周邊。

(A2)標(biāo)記為(A1)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法可進(jìn)一步包含：穿過(guò)所述狹縫中的黑罩切塊以分割出復(fù)數(shù)個(gè)芯片尺寸封裝的影像傳感器，其每一者包含所述影像傳感器中的一者且所述蓋玻片黏合于所述影像傳感器上，所述蓋玻片的側(cè)面背向所述光軸且至少部分地被所述黑罩覆蓋。

(A3)標(biāo)記為(A1)及(A2)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中的一或二者可進(jìn)一步包含：在切割步驟之前，將所述復(fù)合晶圓黏附于一膠帶以穩(wěn)定所述影像傳感器的相對(duì)位置直至切塊步驟。

(A4)標(biāo)記為(A3)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法可進(jìn)一步包含：在切割步驟中，在平行于光軸的維度上穿過(guò)所述復(fù)合晶圓的整個(gè)高度切割。

(A5)在標(biāo)記為(A4)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述形成步可包含形成黑色屏蔽而使得用于每一芯片尺寸封裝的影像傳感器的黑色屏蔽，在平行于光軸的維度上沿著側(cè)面的整個(gè)高度延伸。

(A6)在標(biāo)記為(A3)至(A5)的任一芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述黏附步驟可包含將所述影像傳感器直接黏附于膠帶，使得所述共同玻璃基板背向膠帶。

(A7)在標(biāo)記為(A6)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述形成步驟可包含：(a)沉積黑色光阻于所述復(fù)合晶圓上，以及(b)以光刻方式對(duì)黑色光阻進(jìn)行顯影，使得用于每一芯片尺寸封裝的影像傳感器的黑色屏蔽沿著所述蓋玻片的至少一部分光接收表面向內(nèi)延伸，以界定一用于接收光線的開(kāi)孔。

(A8)標(biāo)記為(A6)及(A7)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中的一或二者可包含：在形成步驟中，(a)沉積黑色光阻于所述復(fù)合晶圓上，以及(b)以光刻方式對(duì)黑色光阻進(jìn)行顯影，使得用于每一芯片尺寸封裝的影像傳感器的黑色屏蔽包含一在平行于光軸的維度上延伸超過(guò)所述蓋玻片的光接收表面之突出部。

(A9)標(biāo)記為(A8)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法可包含(a)穿過(guò)所述狹縫中的黑罩切塊以分割出復(fù)數(shù)個(gè)芯片尺寸封裝的影像傳感器，其每一者包含所述影像傳感器中的一者且所述蓋玻片黏合于所述影像傳感器上，以及(b)在切塊步驟之后，對(duì)于所述芯片尺寸封裝的影像傳感器中的每一者，使用耦接于所述突出部的拾放設(shè)備而從膠帶移除所述芯片尺寸封裝的影像傳感器。

(A10)在標(biāo)記為(A3)至(A5)的任一芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述黏附步驟可包含將所述共同玻璃基板直接黏附于膠帶。

(A11)在標(biāo)記為(A10)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述形成步驟可包含：沉積黑色光阻于所述復(fù)合晶圓上，以及以光刻方式對(duì)黑色光阻進(jìn)行顯影，使得在形成黑色屏蔽之后所述影像傳感器的電接點(diǎn)是可接取的。

(A12)在標(biāo)記為(A1)及(A2)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中的一或二者中，所述切割步驟可包含在平行于光軸的維度上于所述影像傳感器之間切割到所述共同玻璃基板內(nèi)之僅部分高度的共同玻璃基板，使得所述狹縫僅延伸至其部分高度。

(A13)在標(biāo)記為(A12)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中，所述形成步驟可包含通過(guò)全部的部分高度共同玻璃基板而形成所述黑色屏蔽。

(A14)在標(biāo)記為(A12)及(A13)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法中的一或二者中，所述形成步驟可包含：(a)以包含所述狹縫中及所述影像傳感器的表面上的方式背向共同玻璃基板分別沉積黑色光阻于所述復(fù)合晶圓上，以及(b)以光刻方式對(duì)黑色光阻進(jìn)行顯影，以在所述狹縫中及在所述影像傳感器的表面上皆形成黑色屏蔽，且在所述黑色屏蔽中設(shè)有開(kāi)口，所述開(kāi)孔匹配所述影像傳感器的焊料凸塊電接點(diǎn)的預(yù)期位置。

(A15)標(biāo)記為(A14)的芯片尺寸影像傳感器封裝方法可進(jìn)一步包含使用所述黑色屏蔽做為阻焊膜而制造所述影像傳感器的焊料凸塊電接點(diǎn)。

(A16)標(biāo)記為(A12)至(A15)的任一芯片尺寸影像傳感器封裝方法可進(jìn)一步包含，在切割步驟之前將復(fù)合晶圓的共同玻璃基板黏附至膠帶以穩(wěn)定復(fù)合晶圓。

(B1)一種芯片尺寸封裝的影像傳感器，其可包含一影像傳感器、一黏合于所述影像傳感器的蓋玻片、以及一設(shè)于所述蓋玻片背向所述影像傳感器光軸的側(cè)面上的黑色屏蔽。

(B2)在標(biāo)記為(B1)的芯片尺寸封裝的影像傳感器中，黑色屏蔽可以是所述側(cè)面上的一覆蓋層。

(B3)在標(biāo)記為(B1)及(B2)的芯片尺寸封裝的影像傳感器中的一或二者中，所述黑色屏蔽可從影像傳感器沿著側(cè)面延伸以在平行于光軸的方向上跨越蓋玻片的整個(gè)高度。

(B4)在標(biāo)記為(B1)至(B3)的任一芯片尺寸封裝的影像傳感器中，所述黑色屏蔽在平行于光軸的方向上可延伸超過(guò)所述蓋玻片的整個(gè)高度。

(B5)在標(biāo)記為(B1)至(B4)的任一芯片尺寸封裝的影像傳感器中，所述黑色屏蔽可從側(cè)面沿著蓋玻片的光接收表面向內(nèi)延伸，以形成用于接收光線的開(kāi)孔。

(B6)在標(biāo)記為(B1)至(B5)的任一芯片尺寸封裝的影像傳感器中，所述黑色屏蔽可從側(cè)面沿著蓋玻片的光接收表面向內(nèi)延伸，以形成用于耦接拾放設(shè)備的突出部。

(B7)在標(biāo)記為(B1)及(B2)的芯片尺寸封裝的影像傳感器中的一或二者中，所述黑色屏蔽可從影像傳感器沿著側(cè)面僅延伸至遠(yuǎn)離所述影像傳感器的蓋玻片的部分高度。

(B8)在標(biāo)記為(B7)的芯片尺寸封裝的影像傳感器中，所述黑色屏蔽可沿著所述影像傳感器從側(cè)面向內(nèi)延伸，以覆蓋所述影像傳感器除了(a)黏合蓋玻片的表面與(b)電接點(diǎn)之外的全部表面。

(B9)在標(biāo)記為(B7)及(B8)的芯片尺寸封裝的影像傳感器中的一或二者中，未被黑色屏蔽覆蓋的側(cè)面部分可進(jìn)一步向外延伸且遠(yuǎn)離所述影像傳感器的光軸而與黑色屏蔽齊平

可在不偏離本發(fā)明范疇的情形下對(duì)上述系統(tǒng)及方法做出改變。因此應(yīng)注意到，包含在上述說(shuō)明及顯示于附圖中的事項(xiàng)應(yīng)解釋為說(shuō)明性的而非限制性的。下列申請(qǐng)專利范圍意欲涵蓋本文所述的一般性特征及特定特征，且由于語(yǔ)言的關(guān)系，本系統(tǒng)及方法的范疇的所有陳述皆應(yīng)落入其間。