1.一種簡單廉價制備聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)納米線的方法，其特征在于具體步驟如下：
(1)在基底表面生長聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)薄膜，薄膜厚度控制10～50nm；
(2)在聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)薄膜上旋涂壓印膠，厚度控制30～1000nm；
(3)采用納米壓印技術(shù)，一定壓印溫度下，用微米級模板在壓印膠表面構(gòu)筑納米結(jié)構(gòu)；
(4)利用各向異性等離子刻蝕技術(shù)，把壓印膠的納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)表面，制備出10～500nm的聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)納米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種簡單廉價制備聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)納米線的方法，其特征在于，其中所述步驟(1)中基底包括硅片、氧化硅片、砷化鎵片、石英片、玻璃片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種簡單廉價制備聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)納米線的方法，其特征在于，其中所述步驟(2)中壓印膠包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酷、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯-丁二烯共聚物、聚對苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物或ABS樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種簡單廉價制備聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)納米線的方法，其特征在于，其中所述步驟(3)中一定的壓印溫度為比薄膜玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高5～120℃。