本發(fā)明實施例涉及半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體地涉及用于標準單元的中段制程帶。

背景技術(shù)：

例如，集成電路(ic)的半導體工藝包含前段制程(feol)、中段制程(meol)和后段制程(beol)。通常在所述前段制程期間，半導體結(jié)構(gòu)在半導體晶圓上形成。然后所述半導體結(jié)構(gòu)在meol工藝期間局部互連，形成所述集成電路。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：第一有源區(qū)；第一導電線；第一導電通孔；第二導電通孔；第一導電金屬段，通過所述第一導電通孔連接至所述第一導電線；第二導電金屬段，設(shè)置在所述第一有源區(qū)上方并且通過所述第二導電通孔連接至所述第一導電線；以及第一局部導電段，配置為連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：有源區(qū)；第一導電線；導電通孔；第一導電金屬段，通過所述導電通孔連接至所述第一導電線；第二導電金屬段，設(shè)置在所述有源區(qū)上方；以及局部導電段，配置為連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種制造半導體結(jié)構(gòu)的方法，包括：設(shè)置第一導電金屬段；在有源區(qū)上方設(shè)置第二導電金屬段；設(shè)置局部導電段以連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段；在所述第一導電金屬段上設(shè)置第一導電通孔；以及設(shè)置第一導電線，所述第一導電線通過所述第一導電通孔連接至所述第一導電金屬段。

附圖說明

當結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體結(jié)構(gòu)的示意性布局頂視圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖1中的線2-2截取的截面圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖1中的線3-3截取的截面圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1中半導體結(jié)構(gòu)的一部分的透視圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體結(jié)構(gòu)的示意性布局頂視圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖5中的半導體結(jié)構(gòu)的一部分的透視圖；

圖7為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體結(jié)構(gòu)的示意性布局頂視圖；

圖8為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖7中的線8-8截取的截面圖；

圖9為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖7中的線9-9截取的截面圖

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。此外，本發(fā)明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

本說明書中使用的術(shù)語，在本領(lǐng)域和每一術(shù)語所使用的特定文本中，都有其常見意義。本說明中使用的示例，包含本文所討論的任何術(shù)語的示例，僅是說明性的，決不是限制本發(fā)明或任何示例性術(shù)語的范圍和意義。同樣，本發(fā)明并不限于本說明書中給出的各種實施例。

雖然在本文可能使用術(shù)語“第一”、“第二”等術(shù)語來描述各種元件，但這些元件并不用受這些術(shù)語的局限。這些術(shù)語是用來區(qū)分不同元件的。例如，第一元件也可被稱為第二元件，同樣，第二元件也可被稱為第一元件，而不背離所述實施例的范圍。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。

例如，集成電路的半導體工藝包含前段制程(feol)、中段制程(meol)和后段制程(beol)，feol工藝包括晶圓準備、隔離、柵極圖案化、隔片、延伸、源極/漏極注入、硅化物形成和雙應(yīng)力襯墊形成。例如，meol工藝包含柵極接觸件形成。例如，beol工藝包含一系列晶圓加工步驟以用來互連在feol和meol工藝過程中形成的半導體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的以下實施例中半導體結(jié)構(gòu)布置的一部分與，例如，中段制程有關(guān)，和/或在，例如，中段制程中形成。以下實施例中與多個工藝有關(guān)和/或在多個工藝中形成的半導體結(jié)構(gòu)的布置在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體示意性布局頂視圖。在一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)100代表一個標準單元。在一些實施例中，標準單元指在數(shù)據(jù)庫形式的電路庫中布局并存儲的預設(shè)計的單元。此外，在一些實施例中，標準單元存儲在有形存儲介質(zhì)中，例如，有形存儲介質(zhì)包括硬盤驅(qū)動器。設(shè)計集成電路時，標準單元從電路庫中檢索，并放置于布局操作(placementoperation)中。例如，使用電腦運行軟件來設(shè)計集成電路，從而進行布局操作。所述軟件包含電路布置工具，電路布置工具具有布局和布線的功能。

在一些實施例中，圖1中的半導體結(jié)構(gòu)100(將在下面進行詳細說明)用來形成晶體管，晶體管包含，例如，鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)和平面晶體管等。在另一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)100形成的晶體管構(gòu)成互補金屬氧化物半導體(cmos)器件。為進行說明，半導體結(jié)構(gòu)100包含n型金屬氧化物半導體晶體管(nmos)和/或p型金屬氧化物半導體晶體管(pmos)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，以上示例是用于說明目的。通過半導體100實現(xiàn)的各種器件都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

在一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)100的組件(將在下面進行說明)設(shè)置在半導體襯底的上方，為說明的方便起見，將不在圖1中示出。所述半導體襯底為硅襯底或其他合適的半導體襯底。

為在圖1中進行說明，半導體結(jié)構(gòu)100包含有源區(qū)161和162。在一些實施例中，有源區(qū)161為p型有源區(qū)，有源區(qū)162為n型有源區(qū)。布置p型有源區(qū)以形成p型金屬氧化物半導體晶體管，布置n型有源區(qū)以形成n型金屬氧化物半導體晶體管。

以上有源區(qū)161和162的類型是用于說明目的。有源區(qū)161和162的各種類型都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。在一些實施例中，本發(fā)明中所討論的術(shù)語“有源區(qū)”也可指“od”(氧化物維度區(qū))。

如圖1所示，半導體結(jié)構(gòu)100還包含柵極151-154。柵極151設(shè)置在有源區(qū)161上方，柵極152設(shè)置在有源區(qū)162上方，柵極153和154均設(shè)置在有源區(qū)161和162的上方。為進行說明，柵極151-154設(shè)置為互相平行并等距分隔開。

在一些實施例中，柵極151-154由多晶硅制成。因此，本發(fā)明中所討論的術(shù)語“柵極”在一些實施例中也可指“po”。用來制成柵極151-154的各種半導體材料在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。例如，在各種實施例中，柵極151-154由金屬、金屬合金、和金屬硅化物制成。

為在圖1中進行說明，柵極151和154設(shè)置在有源區(qū)161的相對邊緣上方，并覆蓋有源區(qū)161的相對邊緣。柵極152和154設(shè)置在有源區(qū)162的相對邊緣上方，并覆蓋有源區(qū)162的相對邊緣。因此，柵極151、152和154在一些實施例中也可指“pode”(od邊緣上多晶硅)。

在一些實施例中，在有源區(qū)161和162內(nèi)，在柵極153的兩對兩側(cè)處的區(qū)域均是源極區(qū)/漏極區(qū)。術(shù)語“源極區(qū)/漏極區(qū)”在本發(fā)明指的是源極區(qū)或漏極區(qū)的區(qū)域。

在一些實施例中，柵極151、152和154中的至少一個設(shè)置為偽柵極。偽柵極并不作為任何晶體管的柵極。

如圖1所示，半導體結(jié)構(gòu)100還包含導電金屬段131-136。導電金屬段132和133設(shè)置在有源區(qū)161上方。導電金屬段135和136設(shè)置在有源區(qū)162上方。導電金屬段132設(shè)置在導電金屬段131和133之間。導電金屬段135設(shè)置在導電金屬段134和136之間。在一些實施例中，本發(fā)明中所討論的術(shù)語“導電金屬段”也可指“m0od”或“md”。

在一些實施例中，導電金屬段131和134中的至少有一個的高度高于導電金屬132、133、135和136中的至少一個的高度。在另外的實施例中，導電金屬段131和134中每一個的高度都高于導電金屬132、133、135和136中的每一個的高度。

在一些實施例中，導電金屬段131和134在淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)(未示出)上形成。在一些實施例中，sti結(jié)構(gòu)通過應(yīng)用氧化硅以填充用于隔離淺溝槽來形成。如上討論的導電金屬段131和134的形成用于說明目的。導電金屬段131和134的各種形成都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

如圖1所示，半導體結(jié)構(gòu)100還包含導電線111-114。在一些實施例中，導電線111-114由金屬制成。用來制成導電線111-114的各種材料都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

為進行說明，導電線111-114設(shè)置為互相平行。導電線111設(shè)置在柵極151、153和154的部分上方和導電金屬段131和132的上方。導電線114設(shè)置在柵極152、153和154和導電金屬段134和135的部分上方。導電線113設(shè)置在有源區(qū)162，柵極152、153和154和導電金屬段134、135和136的部分上方。導電線112橫跨在柵極153上方。

在一些實施例中，導電線112通過導電通孔125連接到柵極153。實際上，導電線112被配置為接收信號，并通過導電通孔125將信號傳遞到柵極153。

在一些實施例中，導電線111為電源線。為進行說明，所述電源線被配置為連接至電源vdd。在一些實施例中，導電線114為接地線。所述接地線被配置為連接，為進行說明，接地vss。

導電線111通過導電通孔122和導電金屬段132連接到有源區(qū)161內(nèi)的源極/漏極區(qū)。因此，在導電線111和導電金屬段132之間存在電流路徑(在圖4中標示為410)。導電線111還通過導電通孔121連接到導電金屬段131。

導電線114通過導電通孔124和導電金屬段135連接到有源區(qū)162內(nèi)的源極/漏極區(qū)。因此，導電線114和導電金屬段135之間存在電流路徑。導電線114還通過導電通孔123連接到導電金屬段134。

如圖1所示，半導體結(jié)構(gòu)100還包含局部導電段141和142。為進行說明，局部導電段141橫跨在柵極151上方，并設(shè)置在導電金屬段131和132之間，用來連接導電金屬段131和132。局部導電段142橫跨在柵極152上方，并設(shè)置在導電金屬段134和135之間，用來連接導電金屬段134和135。在一些實施例中，本發(fā)明中所討論的術(shù)語“局部導電段”也可指“mp”。

在一些實施例中，局部導電段141與柵極151連接，和/或局部導電段142與柵極152連接。

如圖3所示，在一些實施例中，局部導電段141的高度加上柵極151的高度大體上等于導電金屬段132的高度。相應(yīng)地，局部導電段142的高度加上柵極152的高度大體上等于一些實施例中導電金屬段135的高度。

局部導電段141被配置為電連接導電金屬段131和132。在一些實施例中，局部導電段141的一端與導電金屬段131接觸，局部導電段141的另一端與導電金屬段132接觸。在一些其他實施例中，局部導電段141的兩端設(shè)置在導電金屬段131和132內(nèi)。因此，導電金屬段131和132通過局部導電段141互相電連接。結(jié)果，在導電金屬段131和132之間存在另一電流路徑(圖4中標示為420)。

局部導電段142被配置為電連接導電金屬段134和135。在一些實施例中，局部導電段142的一端與導電金屬段134接觸，局部導電段142的另一端與導電金屬段135接觸。在一些其他實施例中，局部導電段142具有設(shè)置在導電金屬段134和135內(nèi)的相對端。因此，導電金屬段134和135通過局部導電段142互相電連接。結(jié)果，導電金屬段134和135之間存在另一電流路徑。

在一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)100的導電線111-114、導電通孔121-125、導電金屬段131-136、局部導電段141和142中至少一個與meol工藝相關(guān)連，和/或在meol工藝中形成。因此，在一些實施例中，meol工藝電源帶(powerstrap)包含導電線111、導電通孔121和122、導電金屬段131和132和局部導電段141，因此，為電力傳輸提供了上述兩種電流路徑。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖1中的線2-2截取的截面圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖1中的線3-3截取的截面圖；關(guān)于圖1中的實施例，像圖2和圖3中的元件一樣，為便于理解，被指定了相同的參考編號。

為在圖1和圖2中進行說明，以自上而下的順序，導電線111還通過導電通孔121連接到導電金屬段131。局部導電段141的一部分設(shè)置在導電金屬段131內(nèi)。

為在圖1和圖3中進行說明，局部導電段的相對兩端分別設(shè)置在導電金屬段131和132內(nèi)。導電金屬段131的高度大于導電金屬段132的高度。如圖3所示，局部導電段141的高度加上柵極151的高度大體上等于導電金屬段132的高度。

在一些實施例中，導電線114、導電通孔123、導電金屬段134和135、柵極152和有源區(qū)162的關(guān)系和/或配置與圖2和圖3所示的那些相對應(yīng)，且為簡化說明，本文不對其進行進一步描述。

在一些實施例中，局部導電段141的頂面大體上與導電金屬段131和132的頂面對齊，如圖3所示。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1中半導體結(jié)構(gòu)100的一部分的透視圖。為便于理解，參考圖2和圖3以對圖4進行說明。

如上所述，為在圖4進行說明，導電線111和導電金屬段132之間存在電流路徑410。在電流路徑410中，電流從導電線111流出，經(jīng)過導電通孔122和導電金屬段132到達有源區(qū)161。

此外，導電線111和導電金屬段132之間還存在附加的電流路徑420。在附加的電流路徑420中，電流從導電線111流出，經(jīng)過導電通孔121、導電金屬段131、局部導電段141和導電金屬段132到達有源區(qū)161。

有了附加的電流路徑420，半導體結(jié)構(gòu)100中的電流有所增加。隨著電流的增加，有源區(qū)161和導電線111之間的增加的等效電阻對半導體100的性能的影響有所減弱。相應(yīng)地，通過半導體結(jié)構(gòu)100所實現(xiàn)的器件的操作速度能夠有所提高。

相應(yīng)地，存在與導電線114、導電通孔123、導電金屬段134和135、局部導電段142和有源區(qū)162相關(guān)聯(lián)的附加電流路徑，為簡化說明，本文不對此進行進一步的描述。相應(yīng)地，有源區(qū)162和導電線114之間增加的等效電阻對半導體100的性能的影響有所減弱。因此，通過半導體結(jié)構(gòu)100所實現(xiàn)的器件的操作速度也能夠有所提高。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一些其他實施例的半導體結(jié)構(gòu)500的示意性布局頂視圖。關(guān)于圖1中的實施例，圖5中的相同的元件用相同的參考編號指示，且為簡化說明，本文不對其進行進一步的描述。與圖1中半導體結(jié)構(gòu)100相比，圖1中的導電通孔122和124不包含在圖5中的半導體500中，且在一些實施例中，圖1中的導電金屬段132和135被導電金屬段532和535所代替。

與圖1中的導電金屬段132相比，圖5所示的導電金屬段532設(shè)置在有源區(qū)161的上方，而未縱向延伸以與導電線111連接。實際上，圖5導電金屬段532的長度小于圖1中導電金屬段132的長度。因此，導電金屬段532和柵極153之間的寄生電容(圖6中標為630)有所減少。

在一些實施例中，導電金屬段532的長度與導電金屬段133的長度大體上相等。在各種實施例中，導電金屬段532的高度與導電金屬段133的高度大體上相等。

與圖1中的導電金屬段135相比，圖5所示導電金屬段535設(shè)置在有源區(qū)162上方，而未縱向延伸以與導電線114連接。實際上，圖5導電金屬段535的長度小于圖1中導電金屬段135的長度。因此，導電金屬段535和柵極153之間的寄生電容有所減少。

在一些實施例中，導電金屬段535的長度與導電金屬段136的長度大體上相等。在各種實施例中，導電金屬段535的高度與導電金屬段136的高度大體上相等。

在一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)500的導電線111-114,導電通孔121、123和125,導電金屬段131、133、134、136、532和535、局部導電段141和142中的至少一個與meol工藝相關(guān)聯(lián)，和/或在meol工藝中形成。因此，在一些實施例中，meol工藝電源帶(powerstrap)包含導電線111、導電通孔121、導電金屬段131和532和局部導電段141，因此為電力傳輸提供了電流路徑(圖6中標示為610)。

圖6為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體結(jié)構(gòu)500的一部分的透視圖。為在圖6中進行說明，導電線111和導電金屬段532之間存在電流路徑610。如圖5所示，在電流路徑610中，電流從導電線111流出，經(jīng)過導電通孔121、導電金屬段131、局部導電段141和導電金屬段532到達有源區(qū)161。

如上討論，與圖4中導電金屬段132相比，導電金屬段532的長度較短，以減少導電金屬段532和柵極153之間的寄生電容630。相應(yīng)地，半導體結(jié)構(gòu)500所實現(xiàn)的器件的性能能夠有所提高。

相應(yīng)地，存在與導電線114、導電通孔123、導電金屬段134和535、局部導電段142和有源區(qū)162相關(guān)聯(lián)的電流路徑，為簡化說明，本文不對其進行進一步的描述。相應(yīng)地，導電金屬段535的長度較短，以減少導電金屬段535和柵極153之間的寄生電容630。因此，半導體結(jié)構(gòu)500所實現(xiàn)的器件的性能也能夠有所提高。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的可選實施例的半導體結(jié)構(gòu)700的示意性布局頂視圖。關(guān)于圖1和圖5中的實施例，圖7中的相同的元件用相同的參考編號指定，且為簡化說明，本文不對其進行進一步的描述。與圖1和圖5所述的實施例相比，圖7中的半導體結(jié)構(gòu)700具有多種布局，將在下面加以討論。

如圖7所示，半導體結(jié)構(gòu)700包含導電金屬段731、734、737和738。有源區(qū)161設(shè)置在導電金屬段731和737之間。有源區(qū)162設(shè)置在導電金屬段734和738之間。在一些實施例中，與圖5中的實施例相比，導電金屬段131和/或134的長度大于導電金屬段731和/或734的長度，且另外設(shè)置了導電金屬段737和738。

在一些實施例中，導電金屬段731、734、737和738中至少有一個的高度大于圖5中導電金屬段133、136、532和535中至少一個的高度。在另一些實施例中，導電金屬段731、734、737和738中至少一個的高度大于導電金屬段133、136、532和535的每一個的高度。

在一些實施例中，導電金屬段731、734、737和738在淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)(未示出)上形成。如上討論的導電金屬段731、734、737和738的形成是用于說明的目的。導電金屬段731、734、737和738的各種形成都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

為在圖7中進行說明，局部導電段141設(shè)置在導電金屬段731和532之間以連接導電金屬段731和532。局部導電段142設(shè)置在導電金屬段734和535之間以連接導電金屬段734和535。

如圖9所示，在一些實施例中，局部導電段141的高度加上柵極151的高度大體上等于導電金屬段532的高度。相應(yīng)地，局部導電段142的高度加上柵極152的高度大體上等于一些實施例中的導電金屬段535的高度。

局部導電段141被配置為電連接導電金屬段731和532。在一些實施例中，局部導電段141的一端與導電金屬段731接觸，局部導電段141的另一端與導電金屬段532接觸。在一些其他實施例中，如圖9所示，局部導電段141具有設(shè)置在導電金屬段731和532內(nèi)的相對端。

相應(yīng)地，局部導電段142被配置為電連接導電金屬段734和535。在一些實施例中，局部導電段142的一端與導電金屬段734接觸，局部導電段142的另一端與導電金屬段535接觸。在一些其他實施例中，局部導電段142的兩端具有導電金屬段734和535內(nèi)的相對端。

如圖7所示，與圖5中的實施例相比，半導體結(jié)構(gòu)700包含導電線711-716。為進行說明，導電線711-716中的每一個設(shè)置為與導電線112平行。在一些實施例中，導電線711-716由金屬形成。用來形成導電線711-716的各種材料都在本發(fā)明的預期范圍之內(nèi)。

為進行說明，導電線711-716中的每一個設(shè)置為與導電線112平行。導電線711設(shè)置在柵極151、153和154的部分上方。導電線714設(shè)置在柵極152、153和154的部分上方。導電線712設(shè)置為與導電線713平行。導電線712設(shè)置在導電金屬段731、柵極151和有源區(qū)161的部分的上方。導電線713設(shè)置在有源區(qū)161、導電金屬段133與737以及柵極153和154的部分上方。導電線715與導電線716成行設(shè)置。導電線715設(shè)置在導電金屬段734、柵極152和有源區(qū)162的部分上方。導電線716設(shè)置在有源區(qū)162、導電金屬段136及738和柵極153及154的部分上方。

在一些實施例中，導電線713通過導電通孔722連接到導電金屬段133上。實際上，導電線713被配置為傳輸從導電金屬段133中輸出的信號。在一些實施例中，導電線716通過導電通孔724連接到導電金屬段136。實際上，導電線716被配置為傳輸從導電金屬段136中輸出的信號。

在一些實施例中，導電線712為電源線。為了說明，電源線被配置為連接至電源vdd。在一些實施例中，導電線715為接地線。為進行說明，接地線被配置為連接至接地vss。

為進行說明，導電線712通過導電通孔721、局部導電段141和導電金屬段532連接到有源區(qū)161內(nèi)的源極/漏極區(qū)。因此，導電線712和導電金屬段532之間存在電流路徑。

為進行說明，導電線715通過導電通孔723、局部導電段142和導電金屬段535連接到有源區(qū)162內(nèi)的源極/漏極區(qū)。因此，導電線715和導電金屬段535之間存在電流路徑。

在一些實施例中，半導體結(jié)構(gòu)700的導電線711-716，導電通孔721-724，導電金屬段133、136、532、535、731、734和737及738和局部導電段141和142中的至少一個與meol工藝相連，和/或在meol工藝中形成。因此，在一些實施例中，meol導電帶包含導電線712、導電通孔721、導電金屬段731、532和局部導電段141，因此，為電力和/或信號傳輸提供了上述的電流路徑。

如圖7所示，在一些實施例中，導電結(jié)構(gòu)700還包含隔離段771和/或772。為進行說明，隔離段771設(shè)置在導電線712和713之間。相應(yīng)地，在一些實施例中，導電線712和713通過隔離段771互相電隔離。隔離段772設(shè)置在導電線715和716之間。相應(yīng)地，在一些實施例中，導電線715和716通過隔離段772互相電隔離。

在一些實施例中，隔離段771和772由電絕緣材料形成，而導電線712、713、715和716由金屬形成。相應(yīng)地，在一些實施例中，本發(fā)明中所討論的術(shù)語“隔離段”也可指“金屬切割段”。

在一些實施例中，導電通孔721設(shè)置在導電金屬段731的正上方。相應(yīng)地，有足夠的空間形成隔離段771，以隔離導電線712和713。

在一些實施例中，如圖9所示，隔離段771設(shè)置在導電金屬段532的正上方。相應(yīng)地，在一些實施例中，隔離段772設(shè)置在導電金屬段535的正上方。

圖8為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖7中的線8-8截取的截面圖。圖9為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沿著圖7中的線9-9截取的截面圖。關(guān)于圖7中的實施例，為便于理解，用相同的參考編號指定圖8和圖9的相同的元件。

為了在圖7和圖8中進行說明，以自上而下的順序，導電線712通過導電通孔721連接到局部導電金屬段141。局部導電段141的一部分設(shè)置在導電金屬段731內(nèi)。

為了在圖7和圖9中進行說明，局部導電段141的相對端分別設(shè)置在導電金屬段731和532內(nèi)。導電通孔721的底端與導電金屬段731和局部導電段141接觸。導電金屬段731的高度大于導電金屬段532的高度。如圖9所示，局部導電段141的高度加上柵極151的高度大體上等于導電金屬段532的高度。

在一些實施例中，如圖9所示，局部導電段141的頂面大體上與導電金屬段731和532的頂面對齊。

在一些實施例中，如圖9所示，局部導電段712和713的頂面大體上與隔離段771的頂面對齊。

在一些實施例中，導電線715、導電通孔723、導電金屬段734和535、柵極152和有源區(qū)162的關(guān)系和/配置與圖8和圖9所示的相對應(yīng)，且為簡化說明，本文不對其進行進一步的描述。

在一些實施例中，公開了一種半導體結(jié)構(gòu)，包含第一有源區(qū)、第一導電線、第一導電通孔、第二導電通孔、通過第一導電通孔連接到第一導電線的第一導電金屬段、設(shè)置在第一有源區(qū)的上方并通過第二導電通孔連接到第一導電線連接的第二導電金屬段以及被配置為連接第一導電金屬段和第二導電金屬段的局部導電段。

本發(fā)明還公開了一種半導體結(jié)構(gòu)，包含有源區(qū)、第一導電線、導電通孔、通過導電通孔與導電線連接的第一導電金屬段、設(shè)置在有源區(qū)上方的第二導電金屬段以及被配置為連接第一導電金屬段和第二導電金屬段的局部導電段。

本發(fā)明還公開了一種方法，方法包含設(shè)置第一導電金屬段；在有源區(qū)的上方設(shè)置第二導電金屬段；設(shè)置局部金屬段以連接第一導電金屬段和第二導電金屬段；在第一導電金屬段上設(shè)置第一導電通孔；以及設(shè)置通過第一導電通孔連接至第一導電金屬段的第一導電線。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：第一有源區(qū)；第一導電線；第一導電通孔；第二導電通孔；第一導電金屬段，通過所述第一導電通孔連接至所述第一導電線；第二導電金屬段，設(shè)置在所述第一有源區(qū)上方并且通過所述第二導電通孔連接至所述第一導電線；以及第一局部導電段，配置為連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，還包括：柵極，設(shè)置在所述第一源區(qū)上方以及設(shè)置在所述第一局部導電段下方。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述柵極設(shè)置在所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段之間。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述第一局部導電段的高度加上所述柵極的高度等于所述第二導電金屬段的高度。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述第一導電金屬段的高度大于所述第二導電金屬段的高度。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，從所述第一導電線通過所述第二導電通孔到所述第二導電金屬段形成一電流路徑，以及從所述第一導電線通過所述第一導電通孔、所述第一導電金屬段和所述第一局部導電段到所述第二導電金屬段形成另一電流路徑。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，還包括：第二有源區(qū)；第二導電線；第三導電通孔；四導電通孔；第三導電金屬段，通過所述第三導電通孔連接至所述第二導電線；第四導電金屬段，設(shè)置在所述第二有源區(qū)上方并且通過所述第四導電通孔連接至所述第二導電線；以及第二局部導電段，配置為連接所述第三導電金屬段和所述第四導電金屬段。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：有源區(qū)；第一導電線；導電通孔；第一導電金屬段，通過所述導電通孔連接至所述第一導電線；第二導電金屬段，設(shè)置在所述有源區(qū)上方；以及局部導電段，配置為連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，還包括：柵極，設(shè)置在所述有源區(qū)上方并且設(shè)置在所述局部導電段下方。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述柵極設(shè)置在所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段之間。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述第一導電金屬段的高度大于所述第二導電金屬段的高度。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述第二導電金屬段的長度短于所述第一導電金屬段的長度。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，從所述第一導電線通過所述導電通孔、所述第一導電金屬段和所述局部導電段到所述第二導電金屬段形成電流路徑。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，所述導電通孔的一端與所述第一導電線接觸，所述導電通孔的另一端與所述第一導電金屬段的部分和所述局部導電段的一端接觸。

在上述半導體結(jié)構(gòu)中，還包括：隔離段，設(shè)置在所述第二導電金屬段上方以用于將所述第一導電線與第二導電線隔離開。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種制造半導體結(jié)構(gòu)的方法，包括：設(shè)置第一導電金屬段；在有源區(qū)上方設(shè)置第二導電金屬段；設(shè)置局部導電段以連接所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段；在所述第一導電金屬段上設(shè)置第一導電通孔；以及設(shè)置第一導電線，所述第一導電線通過所述第一導電通孔連接至所述第一導電金屬段。

在上述方法中，還包括：在所述第二導電金屬段上設(shè)置第二導電通孔，其中，所述第一導電線連接至所述第二導電通孔。

在上述方法中，還包括：將柵極設(shè)置在所述有源區(qū)上方、所述局部導電段下方以及所述第一導電金屬段和所述第二導電金屬段之間。

在上述方法中，所述第一導電金屬段的高度大于所述第二導電金屬段的高度。

在上述方法中，還包括：在所述第二導電金屬段上方設(shè)置隔離段以用于將所述第一導電線與第二導電線隔離開。

上面概述了若干實施例的特征，使得本領(lǐng)域人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實施與本人所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。