技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，具有在襯底上隔著柵極絕緣膜(GI)而形成的柵電極(GE)、和形成在襯底上的源極?漏極用的半導(dǎo)體層(EP1)。半導(dǎo)體層(EP1)的上表面處于比柵電極(GE)的正下方的襯底的上表面高的位置上。而且，柵電極(GE)的柵長方向上的端部位于半導(dǎo)體層(EP1)上。

技術(shù)研發(fā)人員：山本芳樹;槙山秀樹;角村貴昭;巖松俊明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201710147384
技術(shù)研發(fā)日：2012.05.18
技術(shù)公布日：2017.06.13