本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體管芯基板。

背景技術(shù)：
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目前，半導(dǎo)體管芯在生產(chǎn)時(shí)都是根據(jù)生產(chǎn)管芯的大小，預(yù)先在硅片基板上刻好劃片槽，劃片槽將硅片分隔成多個(gè)大小相同的管芯制造基片。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中是通過光刻機(jī)把光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上，由于需要進(jìn)行多次光刻，通常會(huì)在硅片基板上設(shè)置對(duì)位標(biāo)記，在后續(xù)光刻時(shí)光刻版上的對(duì)位標(biāo)記和上次硅片光刻圖形中的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行套準(zhǔn)對(duì)位，以達(dá)到每層光刻圖形均與上層圖形套刻的目的。但是對(duì)位標(biāo)記精度不高，在光刻時(shí)容易出錯(cuò)，而且現(xiàn)有對(duì)位標(biāo)記過大，導(dǎo)致劃片槽的寬度無法縮減，不能進(jìn)一步提高硅片基板的利用率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提供一種通過第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記來代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，同時(shí)取消了劃片槽內(nèi)的緩沖區(qū)，使劃片槽的寬度能夠得到進(jìn)一步縮減，而且第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記分別設(shè)置在芯管基片四周，能夠提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率的半導(dǎo)體管芯基板。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種半導(dǎo)體管芯基板，包括基板本體，所述基板本體上等間距開設(shè)有縱橫交錯(cuò)的劃片槽，所述基板本體上通過劃片槽分隔形成大小間距相同的矩形狀的管芯基片，所述芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，所述芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記；所述第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，相鄰2列的所述第一對(duì)位因子之間的距離均相同；所述第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，相鄰2行所述第二對(duì)位因子之間的距離也均相同；所述第一對(duì)位標(biāo)記中中間一列的第一對(duì)位因子上均設(shè)置有第一識(shí)別因子，所述第二對(duì)位標(biāo)記中第一行第二對(duì)位因子和最后一行第二對(duì)位因子上均設(shè)置有第二識(shí)別因子。

所述第一對(duì)位因子和第二對(duì)位因子均為圓柱狀的對(duì)位因子，所述第一識(shí)別因子為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第一識(shí)別因子，所述第二識(shí)別因子也為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第二識(shí)別因子。

所述第一對(duì)位標(biāo)記中第一行第一對(duì)位因子和第二行第一對(duì)位因子之間的距離小于第二行第一對(duì)位因子和第三行第一對(duì)位因子之間的距離。

所述第二對(duì)位標(biāo)記中第一列第二對(duì)位因子和第二列第二對(duì)位因子之間的距離大于第二列第二對(duì)位因子和第三列第二對(duì)位因子之間的距離。

所述橫向的劃片槽和縱向的劃片槽的交錯(cuò)處開設(shè)有十字形的切割定位孔。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體管芯基板，芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記，第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，以小型對(duì)位因子組成的對(duì)位標(biāo)記代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，能夠不但能夠提高對(duì)位精度，而且能夠縮減劃片槽的寬度，使同樣的硅片基板能夠制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記不同，能夠進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率。

附圖說明：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中A處的放大圖；

圖3為圖1中B處的放大圖；

圖4為本實(shí)用新型第一對(duì)位標(biāo)記處的放大剖面圖；

圖5為本實(shí)用新型第二對(duì)位標(biāo)記處的放大剖面圖。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1

如圖1-5所示的一種半導(dǎo)體管芯基板，包括基板本體1，所述基板本體1上等間距開設(shè)有縱橫交錯(cuò)的劃片槽2，所述基板本體1上通過劃片槽2分隔形成大小間距相同的矩形狀的管芯基片3，所述芯管基片3上下兩側(cè)的劃片槽2內(nèi)均開設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記4，所述芯管基片3左右兩側(cè)的劃片槽2內(nèi)均開設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記5。與現(xiàn)有的大型對(duì)位標(biāo)記相比，所述第一對(duì)位標(biāo)記4包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子41，相鄰2列的所述第一對(duì)位因子41之間的距離均相同。所述第二對(duì)位標(biāo)記5包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子51，相鄰2行所述第二對(duì)位因子51之間的距離也均相同。為了進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少對(duì)位識(shí)別時(shí)的出錯(cuò)幾率，所述第一對(duì)位標(biāo)記4中第一行第一對(duì)位因子41和第二行第一對(duì)位因子41之間的距離小于第二行第一對(duì)位因子41和第三行第一對(duì)位因子41之間的距離。所述第二對(duì)位標(biāo)記5中第一列第二對(duì)位因子51和第二列第二對(duì)位因子51之間的距離大于第二列第二對(duì)位因子51和第三列第二對(duì)位因子51之間的距離。

為了進(jìn)一步區(qū)分第一對(duì)位因子41和第二對(duì)位標(biāo)記5，所述第一對(duì)位標(biāo)記4中中間一列的第一對(duì)位因子41上均設(shè)置有第一識(shí)別因子42，所述第二對(duì)位標(biāo)記5中第一行第二對(duì)位因子51和最后一行第二對(duì)位因子51上均設(shè)置有第二識(shí)別因子52，使基板本體在生產(chǎn)過程中不會(huì)出現(xiàn)倒置的情況。同時(shí)，所述第一對(duì)位因子41和第二對(duì)位因子51均為圓柱狀的對(duì)位因子，所述第一識(shí)別因子42可以為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第一識(shí)別因子，所述第二識(shí)別因子52也可以為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第二識(shí)別因子。第一識(shí)別因子42和第二識(shí)別因子52的形狀可以相同，但是形狀不同時(shí)能夠進(jìn)一步提高對(duì)位時(shí)的識(shí)別效率。

為了便于后續(xù)芯管基片3的分離切割，所述橫向的劃片槽2和縱向的劃片槽2的交錯(cuò)處開設(shè)有十字形的切割定位孔21。采用本實(shí)用新型中的對(duì)位標(biāo)記后，劃片槽2的寬度能夠進(jìn)一步縮減為60μm，甚至更小，而現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)位標(biāo)記使劃片槽2的寬度限制在80-100μm，無法進(jìn)一步提高硅片基板的利用率。

本實(shí)施例的一種半導(dǎo)體管芯基板，芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記，第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，以小型對(duì)位因子組成的對(duì)位標(biāo)記代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，能夠不但能夠提高對(duì)位精度，而且能夠縮減劃片槽的寬度，使同樣的硅片基板能夠制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記不同，能夠進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率。