本申請要求于2016年3月25日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0036258號、2016年7月1日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0083565號和2016年8月24日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0107713號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

本公開涉及一種半導體封裝件，更具體地，涉及一種連接端子可從設置有半導體芯片的區(qū)域向外延伸的扇出型半導體封裝件。

背景技術(shù)：

近來，與半導體芯片相關的技術(shù)發(fā)展的顯著趨勢是減小半導體芯片的尺寸。因此，對于封裝技術(shù)，隨著對小尺寸半導體芯片等的需求的快速增長，需要實現(xiàn)具有緊湊尺寸且具有多個引腳的半導體封裝件。

為滿足上述技術(shù)需求而提出的一種封裝技術(shù)是扇出型封裝。這種半導體封裝件具有緊湊尺寸并可通過使連接端子重新分布到設置有半導體芯片的區(qū)域的外部而實現(xiàn)多個引腳。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一方面可提供一種可有效地解決翹曲問題的扇出型半導體封裝件。

根據(jù)本公開的一方面，可提供一種扇出型半導體封裝件，其中，可控制扇出型半導體封裝件的翹曲的增強層附著到包封半導體芯片的包封劑。

根據(jù)本公開的一方面，一種扇出型半導體封裝件可包括：第一互連構(gòu)件，具有通孔；半導體芯片，設置在第一互連構(gòu)件的通孔中并具有其上設置有連接焊盤的有效表面和與有效表面背對的無效表面；包封劑，包封半導體芯片的無效表面和第一互連構(gòu)件的至少部分；第二互連構(gòu)件，設置第一互連構(gòu)件和半導體芯片的有效表面上；增強層，設置在包封劑上。第一互連構(gòu)件和第二互連構(gòu)件分別包括電連接到半導體芯片的連接焊盤的重新分布層。

根據(jù)本公開的一方面，一種扇出型半導體封裝件可包括：絕緣構(gòu)件，具有通孔；半導體芯片，設置在絕緣構(gòu)件的通孔中并具有其上設置有連接焊盤的有效表面和與有效表面背對的無效表面；包封劑，包封半導體芯片的無效表面和絕緣構(gòu)件的至少部分；互連構(gòu)件，設置在絕緣構(gòu)件和半導體芯片的有效表面上，并包括電連接到半導體芯片的連接焊盤的重新分布層；增強層，設置在包封劑上。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，將更加清楚地理解本公開的以上和其他方面、特點及優(yōu)點，附圖中：

圖1是示出電子裝置系統(tǒng)的示例的示意性框圖；

圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖；

圖3a和3b是示出扇入型半導體封裝件在封裝前和封裝后的狀態(tài)的示意性截面圖；

圖4是示出扇入型半導體封裝件的封裝工藝的示意性截面圖；

圖5是示出扇入型半導體封裝件安裝在中介基板上并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖；

圖6是示出扇入型半導體封裝件嵌在中介基板中并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖；

圖7是示出扇出型半導體封裝件的示意性截面圖；

圖8是示出扇出型半導體封裝件安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖；

圖9是示出扇出型半導體封裝件的示例的示意性截面圖；

圖10是沿著圖9的扇出型半導體封裝件的i-i’線所截取的示意性平面圖；

圖11a至圖11d是示出形成在圖9的扇出型半導體封裝件的第一互連構(gòu)件中的各種形式的過孔的示意性截面圖；

圖12至圖16是示出制造圖9的扇出型半導體封裝件的工藝的示例的示意圖；

圖17是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖18是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖19是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖20是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖21是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖22是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖23是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖24是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖25是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖；

圖26是示出在扇出型半導體封裝件中產(chǎn)生翹曲的情況的示意圖；

圖27是示出扇出型半導體封裝件的翹曲被抑制的情況的示意圖；

圖28是示出圖27中發(fā)生的另外的問題的示意性示圖；

圖29是用于比較扇出型半導體封裝件彼此的翹曲抑制效果的曲線圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖描述本公開中的示例性實施例。在附圖中，為了清楚起見，可夸大或省略組件的形狀和尺寸等。

這里使用的術(shù)語“示例性實施例”不指相同的示例性實施例，而是用來強調(diào)與另一示例性實施例的特定特征或特性不同的特定特征或特性。然而，這里提供的示例性實施例被視為能夠通過將一個示例性實施例與另一個示例性實施例進行整體組合或部分組合來實現(xiàn)。例如，除非在這里提供相反或矛盾的描述，否則特定示例性實施例中描述的一個元件即使未在另一示例性實施例中進行描述，也可理解為與另一示例性實施例相關的描述。

在說明書中，組件與另一組件“連接”的意義包括通過第三組件的非直接連接以及兩個組件之間的直接連接。此外，“電連接”意指包括物理連接和物理斷開的概念?？梢岳斫獾氖?，當元件被稱為“第一”和“第二”時，所述元件不受其限制。他們僅可用于區(qū)分一個元件和其他元件的目的，并不會限制元件的順序或重要性。在某些情況下，在不脫離在此闡述的權(quán)利要求的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件。同樣地，第二元件也可被稱為第一元件。

這里，上部、下部、上側(cè)、下側(cè)、上表面、下表面等在附圖中確定。例如，第一互連構(gòu)件設置在重新分布層的上方。然而，權(quán)利要求不局限于此。另外，豎直方向指的是上述向上和向下的方向，水平方向指的是與上述向上和向下的方向垂直的方向。在這種情況下，豎直截面指的是沿著在豎直方向上的平面截取的情況，其示例可以是在附圖中示出的截面圖。另外，水平截面指的是沿著在水平方向上的平面截取的情況，其示例可以是在附圖中示出的平面圖。

這里使用的術(shù)語僅為了描述示例性實施例，而不是為了限制本公開。在這種情況下，除非在上下文中有另外的解釋，否則單數(shù)形式包括復數(shù)形式。

電子裝置

圖1是示出電子裝置系統(tǒng)的示例的示意性框圖。

參照圖1，電子裝置1000可在其中容納主板1010。主板1010可包括物理連接或電連接到其上的芯片相關組件1020、網(wǎng)絡相關組件1030和其他組件1040等。這些組件可連接到將在下文中描述的其他組件，以形成各種信號線1090。

芯片相關組件1020可包括：存儲芯片，諸如易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram))、非易失性存儲器(例如，只讀存儲器(rom))、閃存等；應用處理芯片，諸如中央處理器(例如，中央處理單元(cpu))、圖形處理器(例如，圖形處理單元(gpu))、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、微處理器或微控制器等；邏輯芯片，諸如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(adc)或?qū)Ｓ眉呻娐?asic)等。然而，芯片相關組件1020不局限于此，而是也可包括其他類型的芯片相關組件。此外，芯片相關組件1020可彼此組合。

網(wǎng)絡相關組件1030可與以下協(xié)議相兼容，所述協(xié)議是諸如無線保真(wi-fi)(電工電子工程師協(xié)會(ieee)802.11族等)、全球微波接入互操作性(wimax)(ieee802.16族等)、ieee802.20、長期演進(lte)、演進數(shù)據(jù)最優(yōu)化(ev-do)、高速分組接入+(hspa+)、高速下行鏈路分組接入+(hsdpa+)、高速上行鏈路分組接入+(hsupa+)、增強型數(shù)據(jù)gsm環(huán)境(edge)、全球移動通信系統(tǒng)(gsm)、全球定位系統(tǒng)(gps)、通用分組無線業(yè)務(gprs)、碼分多址(cdma)、時分多址(tdma)、數(shù)字增強型無繩電信(dect)、藍牙、3g、4g和5g協(xié)議以及在上述協(xié)議之后指定的任何其他無線協(xié)議和有線協(xié)議。然而，網(wǎng)絡相關組件1030不限于此，而是還可包括各種其他無線或有線標準或協(xié)議。此外，網(wǎng)絡相關組件1030可與上述芯片相關組件1020一起彼此組合。

其他組件1040可包括高頻電感器、鐵氧體電感器、功率電感器、鐵氧體磁珠、低溫共燒陶瓷(ltcc)、電磁干擾(emi)濾波器、多層陶瓷電容器(mlcc)等。然而，其他組件1040不限于此，而是還可包括用于各種其他目的的無源組件等。此外，其他組件1040可與上述芯片相關組件1020或網(wǎng)絡相關組件1030一起彼此組合。

根據(jù)電子裝置1000的類型，電子裝置1000可包括可物理連接或電連接到主板1010或可以不物理連接或電連接到主板1010的其他組件。這些其他組件可包括例如相機模塊1050、天線1060、顯示器1070、電池1080、音頻解碼器(未示出)、視頻解碼器(未示出)、功率放大器(未示出)、羅盤(未示出)、加速計(未示出)、陀螺儀(未示出)、揚聲器(未示出)、大容量存儲單元(例如，硬盤驅(qū)動器)(未示出)、光盤(cd)驅(qū)動器(未示出)、數(shù)字通用光盤(dvd)驅(qū)動器(未示出)等。然而，這些其他組件不限于此，而是還可根據(jù)電子裝置1000的類型而包括用于各種目的的其他組件等。

電子裝置1000可以是智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字視頻攝影機、數(shù)字靜態(tài)照相機、網(wǎng)絡系統(tǒng)、計算機、監(jiān)視器、平板pc、膝上型pc、上網(wǎng)本pc、電視機、視頻游戲機、智能手表或汽車組件等。然而，電子裝置1000不限于此，而可以是能夠處理數(shù)據(jù)的任何其他電子裝置。

圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖。

參照圖2，可在如上所述的各種電子裝置1000中使用用于各種目的的半導體封裝件。例如，主板1110可被容納在智能電話1100的主體1101中，各種電子組件1120可物理連接或電連接到主板1110。此外，可以物理連接或電連接到主板1110或可以不物理連接或電連接到主板1110的其他組件(諸如相機模塊1130)可被容納在主體1101中。電子組件1120中的一些可以是芯片相關組件，半導體封裝件100可以是例如芯片相關組件中的應用處理器，但不局限于此。電子裝置并不一定局限于智能電話1100，而可以是如上所述的其他電子裝置。

半導體封裝件

通常，半導體芯片中集成很多個精細電路。然而，半導體芯片本身不能用作成品半導體產(chǎn)品，并且會由于外部物理沖擊或化學沖擊而損壞。因此，半導體芯片可能不能按照原樣被使用，而是可將半導體芯片封裝并以封裝狀態(tài)在電子裝置等中使用。

這里，在電連接方面，由于在半導體芯片和電子裝置的主板之間存在電路寬度的差異，因此需要進行半導體封裝。具體地，半導體芯片的連接焊盤的尺寸以及半導體芯片的連接焊盤之間的間隔非常細小，而用于電子裝置中的主板的組件安裝焊盤的尺寸和主板的組件安裝焊盤之間的間隔顯著地大于半導體芯片的連接焊盤的尺寸和半導體芯片的連接焊盤之間的間隔。因此，會難以將半導體芯片直接安裝到主板上，并且需要用于緩沖半導體芯片和主板之間的電路寬度差異的封裝技術(shù)。

通過封裝技術(shù)制造的半導體封裝件可根據(jù)其結(jié)構(gòu)和目的分為扇入型半導體封裝件或扇出型半導體封裝件。

在下文中，將參照附圖更詳細地描述扇入型半導體封裝件和扇出型半導體封裝件。

扇入型半導體封裝件

圖3a和3b是示出扇入型半導體封裝件在封裝前和封裝后的狀態(tài)的示意性截面圖。

圖4是示出扇入型半導體封裝件的封裝工藝的示意性截面圖。

參照附圖，半導體芯片2220可以是例如處于裸露狀態(tài)下的集成電路(ic)，包括：主體2221，包含硅(si)、鍺(ge)、砷化鎵(gaas)等；連接焊盤2222，形成在主體2221的一個表面上，并包含諸如鋁(al)等的導電材料；鈍化層2223，諸如氧化膜、氮化物膜等，形成在主體2221的一個表面上，并覆蓋連接焊盤2222的至少部分。在這種情況下，由于連接焊盤2222非常小，因此難以將集成電路(ic)安裝在中等尺寸等級印刷電路板(pcb)上以及電子裝置的主板等上。

因此，根據(jù)半導體芯片2220的尺寸可在其上形成互連構(gòu)件2240，以使連接焊盤2222重新分布?；ミB構(gòu)件2240可通過如下步驟形成：使用諸如感光介質(zhì)(pid)樹脂的絕緣材料在半導體芯片2220上形成絕緣層2241，形成使連接焊盤2222敞開的通孔2243h，隨后形成重新分布層2242和過孔2243。然后，可形成保護互連構(gòu)件2240的鈍化層2250，可形成開口2251，并可形成凸塊下金屬層2260等。也就是說，可通過一系列的工藝來制造包括例如半導體芯片2220、互連構(gòu)件2240、鈍化層2250以及凸塊下金屬層2260的扇入型半導體封裝件2200。

如上所述，扇入型半導體封裝件可具有半導體芯片的所有的連接焊盤(例如，輸入/輸出(i/o)端子)均設置在半導體芯片的內(nèi)部的封裝形式，可具有優(yōu)良的電特性并且可以以低成本進行制造。因此，安裝在智能電話中的許多元件已經(jīng)以扇入型半導體封裝形式進行制造。具體地，已經(jīng)開發(fā)了安裝在智能電話中的許多元件，以在具有緊湊尺寸的同時實現(xiàn)快速信號傳輸。

然而，由于在扇入型半導體封裝件中需要將所有的i/o端子設置在半導體芯片的內(nèi)部，因而扇入型半導體封裝件具有大的空間限制。因此，難以將這種結(jié)構(gòu)應用到具有大量i/o端子的半導體芯片或具有緊湊尺寸的半導體芯片。此外，由于上述缺點，可能無法在電子裝置的主板上直接安裝并使用扇入型半導體封裝件。這里，即使在通過重新分布工藝來增大半導體芯片的i/o端子的尺寸和半導體芯片的i/o端子之間的間隔的情況下，半導體芯片的i/o端子的尺寸和半導體芯片的i/o端子之間的間隔也不足以將扇入型半導體封裝件直接安裝在電子裝置的主板上。

圖5是示出扇入型半導體封裝件安裝在中介基板上并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖。

圖6是示出扇入型半導體封裝件嵌在中介基板中并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖。

參照附圖，在扇入型半導體封裝件2200中，半導體芯片2220的連接焊盤2222(也即i/o端子)可通過中介基板2301再次重新分布，扇入型半導體封裝件2200可最終以安裝在中介基板2301上的狀態(tài)安裝在電子裝置的主板2500上。在這種情況下，焊球2270等可通過底部填充樹脂2280等來固定，半導體芯片2220的外表面可利用成型材料2290等覆蓋?？蛇x地，扇入型半導體封裝件2200可嵌在單獨的中介基板2302中，在扇入型半導體封裝件2200嵌在中介基板2302中的情況下，半導體芯片2220的連接焊盤2222(即i/o端子)可通過中介基板2302再次重新分布，從而扇入型半導體封裝件2200可最終安裝在電子裝置的主板2500上。

如上所述，可能難以在電子裝置的主板上直接安裝并使用扇入型半導體封裝件。因此，可將扇入型半導體封裝件安裝在單獨的中介基板上，然后可通過封裝工藝將其安裝在電子裝置的主板上，或者可在電子裝置的主板上安裝并使用處于嵌在中介基板中的狀態(tài)下的扇入型半導體封裝件。

扇出型半導體封裝件

圖7是示出扇出型半導體封裝件的示意性截面圖。

參照附圖，在扇出型半導體封裝件2100中，例如，半導體芯片2120的外表面可由包封劑2130保護，半導體芯片2120的連接焊盤2122可通過互連構(gòu)件2140重新分布到半導體芯片2120的外部。在這種情況下，鈍化層2150還可形成在互連構(gòu)件2140上，凸塊下金屬層2160還可形成在鈍化層2150的開口中。焊球2170還可形成在凸塊下金屬層2160上。半導體芯片2120可以是包括主體2121、連接焊盤2122和鈍化層(未示出)等的集成電路(ic)?；ミB構(gòu)件2140可包括絕緣層2141、形成在絕緣層2141上的重新分布層2142和將連接焊盤2122和重新分布層2142彼此電連接的過孔2143。

如上所述，扇出型半導體封裝件可具有使半導體芯片的i/o端子通過形成在半導體芯片上的互連構(gòu)件而被重新分布并設置在半導體芯片的外部的形式。如上所述，在扇入型半導體封裝件中，半導體芯片的所有i/o端子需要設置在半導體芯片的內(nèi)部。因此，當半導體芯片的尺寸減小時，需要減小球的尺寸和間距，使得在扇入型半導體封裝件中不能使用標準化的球布局。另一方面，扇出型半導體封裝件具有如上所述的使半導體芯片的i/o端子通過形成在半導體芯片上的互連構(gòu)件而被重新分布并設置在半導體芯片的外部的形式。因此，即使在半導體芯片的尺寸減小的情況下，也可在扇出型半導體封裝件中按照原樣使用標準化的球布局，使得可在不使用單獨的中介基板的情況下將扇出型半導體封裝件安裝在電子裝置的主板上(如下所述)。

圖8是示出扇出型半導體封裝件安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖。

參照附圖，扇出型半導體封裝件2100可通過焊球2170等安裝在電子裝置的主板2500上。也就是說，如上所述，扇出型半導體封裝件2100包括形成在半導體芯片2120上并能夠?qū)⑦B接焊盤2122重新分布到半導體芯片2120的區(qū)域之外的扇出區(qū)域的互連構(gòu)件2140。結(jié)果，扇出型半導體封裝件2100可在不使用單獨的中介基板等的情況下安裝在電子裝置的主板2500上。

如上所述，由于扇出型半導體封裝件可在不使用單獨的中介基板的情況下安裝在電子裝置的主板上，因而扇出型半導體封裝件可實現(xiàn)為厚度小于使用中介基板的扇入型半導體封裝件的厚度。因此，扇出型半導體封裝件可被小型化并且纖薄化。此外，扇出型半導體封裝件具有優(yōu)良的熱特性和電特性，使其特別適合移動產(chǎn)品。因此，扇出型半導體封裝件可實現(xiàn)為比使用印刷電路板(pcb)的通常的堆疊封裝(pop)類型半導體封裝件的形式更緊湊的形式，并可解決由于發(fā)生翹曲現(xiàn)象而導致的問題。

同時，扇出型半導體封裝指的是如上所述的用于在電子裝置等的主板上安裝半導體芯片并保護半導體芯片免受外部沖擊的封裝技術(shù)，并且在概念上與諸如中介基板等的印刷電路板(pcb)(具有與扇出型半導體封裝件的尺寸、目的等不同的尺寸、目的等并具有嵌在其中的扇入型半導體封裝件)不同。

在下文中，將參照附圖描述可有效地解決翹曲問題的扇出型半導體封裝件。

圖9是示出扇出型封裝件的示例的示意性截面圖。

圖10是沿著圖9的扇出型半導體封裝件的i-i′線所截取的示意性平面圖。

圖11a至圖11d是示出形成在圖9的扇出型半導體封裝件的第一互連構(gòu)件中的各種形式的過孔的示意性截面圖。

參照附圖，根據(jù)本公開的示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a可包括：第一互連構(gòu)件110，具有通孔110h；半導體芯片120，設置在第一互連構(gòu)件110的通孔110h中，并具有其上設置有連接焊盤122的有效表面，以及與有效表面背對的無效表面；包封劑130，包封半導體芯片120的無效表面和第一互連構(gòu)件110的至少部分；第二互連構(gòu)件140，設置在第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的有效表面上；增強層181，設置在包封劑130上；樹脂層182，設置在增強層181上；開口182h，貫穿樹脂層182、增強層181和包封劑130并暴露第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的至少部分。根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a還可包括：鈍化層150，設置在第二互連構(gòu)件140上；凸塊下金屬層160，設置在鈍化層150的開口150h中；連接端子170，設置在凸塊下金屬層160上。增強層181的彈性模量可大于包封劑130的彈性模量，并且增強層181的熱膨脹系數(shù)(cte)可小于包封劑130的熱膨脹系數(shù)(cte)。

同時，如圖26所示，為了形成包封第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520等的包封劑530，可使用可牢固地固定第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520等的熱固性樹脂膜。具體地，為了利用樹脂完全地填充第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520之間的通孔510h的空間并增強第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520之間的緊密粘合力，可使用具有通常具有良好的樹脂流動性的高cte的熱固性樹脂膜以形成包封劑530。然而，在這種熱固性樹脂膜中，樹脂的熱硬化收縮大，使得在樹脂硬化后會在封裝件中產(chǎn)生嚴重的翹曲w1。因此，隨后可能難以在半導體芯片520的有效表面上形成精細的電路圖案。

同時，如圖27所示，為解決這個問題，可以考慮使用具有低cte的熱固性樹脂膜來形成包封劑540。在這種情況下，與使用具有高cte的熱固性樹脂膜的情況相比較，翹曲w2可被抑制。然而，如圖28所示，為減小cte，通常會增加熱固性樹脂膜中的無機填料的含量，使得樹脂可能由于樹脂流動性的降低而不會充分地填充細小的空間，導致形成孔隙等。另外，由于第一互連構(gòu)件和半導體芯片之間的緊密粘合力的減小，會產(chǎn)生第一互連構(gòu)件和半導體芯片等之間的脫層。

另一方面，在根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a中引入具有相對大的彈性模量或相對小的cte的增強層181的情況下，增強層181可抑制包封劑130的材料(諸如熱固性樹脂膜)的硬化收縮，從而可在材料硬化后顯著地減小扇出型半導體封裝件100a的翹曲的生成。因此，具有高cte的材料可用作包封劑130的材料。結(jié)果，諸如孔隙和脫層等的問題便不會發(fā)生。

同時，在根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a中，增強層181可包括玻璃布、無機填料和絕緣樹脂。在這種情況下，在增強層181中不容易形成開口。然而，在樹脂層182設置在增強層181上的情況下，可解決這種問題。例如，在與包封劑130的材料相同或相似的材料(例如，包括無機填料和絕緣樹脂但不包括諸如玻璃布(或玻璃纖維織物)等的芯材料的絕緣材料，即abf膜(ajinomotobuild-upfilm)等)用作樹脂層182的材料的情況下，可容易形成開口182h。通過開口182h暴露的布線可用作標記、焊盤等。

在下文中，將更詳細地描述在根據(jù)示例性實施例中的扇出型半導體封裝件100a中包括的各個組件。

第一互連構(gòu)件110可包括將半導體芯片120的連接焊盤122重新分布的重新分布層112a和112b以減小第二互連構(gòu)件140的層數(shù)。如必要，第一互連構(gòu)件110可根據(jù)包封劑130的材料來保持扇出型半導體封裝件100a的剛度，并用于確保包封劑130的厚度的均勻性。在一些情況下，由于第一互連構(gòu)件110，根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a可用作堆疊封裝半導體封裝件的一部分。第一互連構(gòu)件110可具有通孔110h。通孔110h可具有設置在其中與第一互連構(gòu)件110隔開預定距離的半導體芯片120。半導體芯片120的側(cè)表面可由第一互連構(gòu)件110包圍。然而，這種形式僅是示例并且本公開可進行各種修改以具有其他形式，并且扇出型半導體封裝件100a可根據(jù)這種形式執(zhí)行另一功能。

第一互連構(gòu)件110可包括：第一絕緣層111a，與第二互連構(gòu)件140接觸；第一重新分布層112a，與第二互連構(gòu)件140接觸并嵌在第一絕緣層111a中；第二重新分布層112b，設置在第一絕緣層111a的與第一絕緣層111a的嵌入有第一重新分布層112a的一個表面背對的另一表面上；第二絕緣層111b，設置在第一絕緣層111a上并覆蓋第二重新分布層112b；第三重新分布層112c，設置在第二絕緣層111b上。第一重新分布層112a、第二重新分布層112b和第三重新分布層112c可電連接到連接焊盤122。第一互連構(gòu)件110可包括第一過孔113a和第二過孔113b，第一過孔113a和第二過孔113b分別貫穿第一絕緣層111a和第二絕緣層111b，并分別將第一重新分布層112a和第二重新分布層112b以及第二重新分布層112b和第三重新分布層112c彼此電連接。由于第一重新分布層112a嵌入，因而第二互連構(gòu)件140的絕緣層141a的絕緣距離可大體恒定(如上所述)。由于第一互連構(gòu)件110可包括大量重新分布層112a、112b和112c，因而第二互連構(gòu)件140可被進一步簡化。因此，可改善由于在形成第二互連構(gòu)件140的工藝中發(fā)生的缺陷而導致的生產(chǎn)率的降低。

雖然在附圖中示出了第一互連構(gòu)件110包括兩個絕緣層111a和111b的情形，但是構(gòu)成第一互連構(gòu)件110的絕緣層的數(shù)量可大于兩個。在這種情況下，可增加設置在第一互連構(gòu)件110中的重新分布層的數(shù)量，并可形成將重新分布層彼此連接的另外的過孔。

絕緣層111a和111b中的每個的材料不受具體限定。例如，絕緣材料可用作絕緣層111a和111b中的每個的材料。在這種情況下，絕緣材料可以是諸如環(huán)氧樹脂的熱固性樹脂、諸如聚酰亞胺樹脂的熱塑性樹脂、將熱固性樹脂和熱塑性樹脂與無機填料一起浸有諸如玻璃布(或玻璃纖維織物)的芯材料的樹脂(例如，半固化片、abf膜、fr-4、雙馬來酰亞胺三嗪(bt，bismaleimidetriazine)等)。可選地，感光介質(zhì)(pid)樹脂也可用作絕緣材料。第一絕緣層111a和第二絕緣層111b可包含相同的絕緣材料，第一絕緣層111a和第二絕緣層111b之間的邊界可不明顯。然而，第一絕緣層111a和第二絕緣層111b不限于此。

重新分布層112a、112b和112c可用于使半導體芯片120的連接焊盤122重新分布，重新分布層112a、112b和112c中的每個的材料可以是諸如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、錫(sn)、金(au)、鎳(ni)、鉛(pb)、鈦(ti)或他們的合金的導電材料。重新分布層112a、112b和112c可根據(jù)與其相對應的層的設計而具有各種功能。例如，重新分布層112a、112b和112c可包括接地(gnd)圖案、電力(pwr)圖案、信號(s)圖案等。這里，信號(s)圖案可包括除接地(gnd)圖案、功率(pwr)圖案等之外的各種信號圖案(諸如數(shù)據(jù)信號圖案等)。此外，重新分布層112a、112b和112c可包括過孔焊盤(viapad)、連接端子焊盤等。作為非限制性示例，全部重新分布層112a、112b和112c可包括接地圖案。在這種情況下，可顯著地減小形成在第二互連構(gòu)件140的重新分布層142a和142b上的接地圖案的數(shù)量，從而可提高布線設計自由度。

如必要，表面處理層(未示出)還可形成在重新分布層112a、112b和112c中的通過開口182h暴露的第三重新分布層112c上。對于表面處理層(未示出)不受具體限制，只要其在相關技術(shù)中已知即可，并且可通過例如電鍍金、非電鍍金、有機可焊性保護層(osp)或非電鍍錫、非電鍍銀、非電鍍鎳/置換鍍金、直接浸金(dig)鍍覆、熱風整平工藝(hasl)等形成表面處理層(未示出)。

過孔113a和113b可將形成在不同的層上的重新分布層112a、112b和112c彼此電連接，從而在第一互連構(gòu)件110中形成電路徑。過孔113a和113b中的每個的材料可以是導電材料。如圖11a至圖11d所示，過孔113中的每個可全部填充有導電材料，或者也可沿著每個通孔的壁形成導電材料。此外，過孔113a和113b中的每個可具有相關技術(shù)中已知的所有形狀，諸如錐形形狀、圓柱形形狀等。同時，如從下面描述的工藝中可以看出的，當形成用于第一過孔113a的通孔時，第一重新分布層112a中的一些焊盤可用作阻擋件(stopper)，當形成用于第二過孔113b的通孔時，第二重新分布層112b中的一些焊盤可用作阻擋件，因此第一過孔113a和第二過孔113b中的每個具有其上表面的寬度大于其下表面的寬度的錐形形狀的工藝會是有利的。在這種情況下，第一過孔113a可與第二重新分布層112b的部分一體化，第二過孔113b可與第三重新分布層112c的部分一體化。

半導體芯片120可以是以數(shù)百至數(shù)百萬的數(shù)量的元件或更多的元件集成在單個芯片中而設置的集成電路(ic)。ic可以是例如應用處理器芯片，諸如中央處理器(例如，cpu)、圖形處理器(例如，gpu)、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、微處理器、微控制器等，但不限于此。半導體芯片120可形成在活性晶圓(activewafer)的基體上。在這種情況下，主體121的基體材料可以是硅(si)、鍺(ge)或砷化鎵(gaas)等。各種電路可形成在主體121上。連接焊盤122可將半導體芯片120電連接到其他組件。連接焊盤122的材料可以是諸如鋁(al)等的導電材料。使連接焊盤122暴露的鈍化層123可形成在主體121上，并且可以是氧化膜、氮化物膜等，或者是由氧化層和氮化物層形成的雙層。連接焊盤122的下表面可通過鈍化層123而具有相對于包封劑130的下表面的臺階部。結(jié)果，在一定程度上防止包封劑130流入到連接焊盤122的下表面中。絕緣層(未示出)等還可設置在其他所需位置上。

半導體芯片120的無效表面可設置在第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的上表面的下方。例如，半導體芯片120的無效表面可設置在第一互連構(gòu)件110的第二絕緣層111b的上表面的下方。半導體芯片120的無效表面與第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的上表面之間的高度差可以是2μm或更大，例如，5μm或更大。在這種情況下，可有效地防止半導體芯片120的無效表面的拐角中產(chǎn)生裂紋。此外，在使用包封劑130的情況下，可明顯減小在半導體芯片120的無效表面上的絕緣距離的偏差。

第一互連構(gòu)件110的第二重新分布層112b可設置在半導體芯片120的有效表面和無效表面之間。第一互連構(gòu)件110可形成為具有與半導體芯片120的厚度相對應的厚度。因此，形成在第一互連構(gòu)件110中的第二重新分布層112b可設置在半導體芯片的有效表面和無效表面之間。

包封劑130可保護第一互連構(gòu)件110和/或半導體芯片120。包封劑130的包封形式不受具體限制，而可以是包封劑130包圍第一互連構(gòu)件110和/或半導體芯片120的至少部分的任何形式。例如，包封劑130可覆蓋第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的無效表面，并且填充通孔110h的壁與半導芯體片120的側(cè)表面之間的空間。此外，包封劑130還可填充半導體芯片120的鈍化層123與第二互連構(gòu)件140之間的空間的至少一部分。同時，包封劑130可填充通孔110h，因此包封劑130根據(jù)包封劑130的材料而用作粘結(jié)劑并且減小半導體芯片120的屈曲。

包封劑130的材料不受具體限制。例如，絕緣材料可用作包封劑130的材料。在這種情況下，絕緣材料可以是諸如環(huán)氧樹脂的熱固性樹脂、諸如聚酰亞胺樹脂的熱塑性樹脂、使增強材料(諸如無機填料)包含在熱固性樹脂和熱塑性樹脂中的樹脂(例如，abf、fr-4、bt、pid樹脂等)等。此外，還可使用諸如環(huán)氧塑封料(emc)的已知的成型材料等?？蛇x地，熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起含有諸如玻璃布的芯材料(玻璃纖維織物)的樹脂也可用作絕緣材料。

包封劑130可包括由多種材料形成的多個層。例如，通孔110h內(nèi)的空間可填充有第一包封劑，第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120可被第二包封劑覆蓋?？蛇x地，第一包封劑可在填充通孔110h內(nèi)的空間的同時按照預定的厚度覆蓋第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120，第二包封劑可按照預定厚度覆蓋第一包封劑。除上述形式之外，還可使用其他各種形式。

為阻擋電磁波，如必要，包封劑130可包括導電顆粒。例如，導電顆?？梢允强勺钃蹼姶挪ǖ娜魏尾牧?，例如，銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、錫(sn)、金(au)、鎳(ni)、鉛(pb)、鈦(ti)、焊料等。然而，這僅是示例，導電顆粒不局限于此。

第二互連構(gòu)件140可被構(gòu)造為使半導體芯片120的連接焊盤122重新分布。數(shù)十至數(shù)百個具有各種功能的連接焊盤122可通過第二互連構(gòu)件140重新分布，并可根據(jù)所述功能通過將在下文描述的連接端子170物理地或電連接到外部源。第二互連構(gòu)件140可包括絕緣層141a和141b、設置在絕緣層141a和141b上的重新分布層142a和142b以及貫穿絕緣層141a和141b并使重新分布層142a和142b彼此連接的過孔143a和143b。在根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a中，第二互連構(gòu)件140可包括多個重新分布層142a和142b，但不局限于此。也就是說，第二互連構(gòu)件140也可包括單層。此外，第二互連構(gòu)件140也可包括不同數(shù)量的層。

絕緣材料可用作絕緣層141a和141b中的每個的材料。在這種情況下，諸如感光介質(zhì)(pid)樹脂的光敏絕緣材料還可被用作絕緣材料。在這種情況下，絕緣層141a和141b中的每個可形成為具有更小的厚度，并且可更容易地實現(xiàn)過孔143a和143b中的每個的細小間距。如必要，絕緣層141a和141b的材料可彼此相同或彼此不同。絕緣層141a和141b可根據(jù)工藝彼此一體化，以使他們之間的界線不明顯。

重新分布層142a和142b可用于使連接焊盤122基本上重新分布。重新分布層142a和142b中的每個的材料可以是諸如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、錫(sn)、金(au)、鎳(ni)、鉛(pb)、鈦(ti)或他們的合金的導電材料。重新分布層142a和142b可根據(jù)與其相對應的層的設計而具有各種功能。例如，重新分布層142a和142b可包括接地(gnd)圖案、功率(pwr)圖案、信號(s)圖案等。這里，信號(s)圖案可包括除接地(gnd)圖案、功率(pwr)圖案等之外的各種信號圖案(諸如數(shù)據(jù)信號圖案等)。此外，重新分布層142a和142b可包括過孔焊盤、連接端子焊盤等。

如必要，表面處理層(未示出)還可形成在重新分布層142a和142b中的暴露的重新分布層142b的部分上。表面處理層(未示出)不受具體限制，只要其在相關技術(shù)中已知即可，并且可通過例如電鍍金、非電鍍金、osp或非電鍍錫、非電鍍銀、非電鍍鎳/置換鍍金、dig鍍覆、hasl等形成表面處理層(未示出)。

過孔143a和143b可將形成在不同的層上的重新分布層142a和142b、連接焊盤122等彼此電連接，從而在扇出型半導體封裝件100a中形成電路徑。過孔143a和143b中的每個的材料可以是諸如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、錫(sn)、金(au)、鎳(ni)、鉛(pb)、鈦(ti)或他們的合金的導電材料。過孔143a和143b中的每個可全部填充有導電材料，或者也可沿著過孔中的每個的壁形成導電材料。此外，過孔143a和143b中的每個可具有相關技術(shù)中已知的所有形狀，諸如錐形形狀、圓柱形形狀等。

第一互連構(gòu)件110的重新分布層112a、112b和112c的厚度可大于第二互連構(gòu)件140的重新分布層142a和142b的厚度。由于第一互連構(gòu)件110的厚度可等于或大于半導體芯片120的厚度，因而形成在第一互連構(gòu)件110中的重新分布層112a、112b和112c可根據(jù)第一互連構(gòu)件110的尺寸而形成為大的尺寸。另一方面，第二互連構(gòu)件140的重新分布層142a和142b可形成為具有比第一互連構(gòu)件110的重新分布層112a、112b和112c的尺寸相對更小的尺寸，以使第二互連構(gòu)件140纖薄。

增強層181可抑制扇出型半導體封裝件100a中產(chǎn)生的翹曲。例如，增強層181可抑制包封劑130的材料(諸如熱固性樹脂膜)的硬化收縮，以抑制扇出型半導體封裝件100a的翹曲。增強層181的彈性模量可相對大于包封劑130的彈性模量，并且cte可小于包封劑130的cte。在這種情況下，翹曲抑制效果可特別地優(yōu)良。

增強層181可包括芯材料、無機填料和絕緣樹脂。例如，增強層181可由裸覆銅層壓板(ccl)或半固化片等形成。在增強層181包括諸如玻璃布(或玻璃織物)的芯材料的情況下，增強層181可實現(xiàn)為具有相對大的彈性模量，并且在增強層181包括無機填料的情況下，增強層181可通過調(diào)節(jié)無機填料的含量而實現(xiàn)為具有相對小的cte。增強層181可在硬化狀態(tài)(c階段)下附著到包封劑130。在這種情況下，包封劑130和增強層181之間的界面可具有近似線性的形狀。同時，無機填料可以是二氧化硅、氧化鋁等，樹脂可以是環(huán)氧樹脂等。然而，無機填料和樹脂不限于此。

樹脂層182可設置在增強層181上。樹脂層182可由與包封劑130的材料相同或相似的材料(例如，包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的絕緣材料，即，abf膜)等)形成。在增強層181包含芯材料等的情況下，難以在增強層181本身中形成開口182h，但是在增加樹脂層182的情況下，可容易地形成開口182h。開口182h可貫穿包封劑130、增強層181和樹脂層182，并可暴露第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的至少部分。開口182h可用作用于標記的開口?？蛇x地，開口182h可用作用于暴露堆疊封裝結(jié)構(gòu)中的焊盤的開口?？蛇x地，開口182h可用作用于安裝表面安裝技術(shù)(smt)組件的開口。在設置有樹脂層182的情況下，可更容易地抑制翹曲。

此外，鈍化層150可構(gòu)造成保護第二互連構(gòu)件140免受外部物理損壞或化學損壞。鈍化層150可具有暴露第二互連構(gòu)件140的重新分布層142a和142b中的重新分布層142b的至少部分的開口150h。開口150h可暴露重新分布層142b的表面的全部或僅一部分。鈍化層150的材料不受具體限制，而是可以是諸如pid樹脂的光敏絕緣材料?？蛇x地，阻焊劑也可用作鈍化層150的材料?？蛇x地，不包含芯材料但包含填料的絕緣樹脂(例如包含無機填料和環(huán)氧樹脂的abf)可用作鈍化層150的材料。在包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的絕緣材料(例如abf等)被用作鈍化層150的材料的情況下，鈍化層150和樹脂層182可起到彼此對稱的效果，這可以更有效地控制翹曲。

當包含無機填料和絕緣樹脂的絕緣材料(例如abf等)用作鈍化層150的材料時，第二互連構(gòu)件140的絕緣層141a和141b也可包含無機填料和絕緣樹脂。在這種情況下，鈍化層150中包含的無機填料的重量百分比可大于第二互連構(gòu)件140的絕緣層141a和141b中包含的無機填料的重量百分比。在這種情況下，鈍化層150可具有相對低的cte，并且可與增強層181類似地用于控制翹曲。

如必要，鈍化層150可由滿足等式1至等式4的材料形成。在這種情況下，可提高電子組件封裝件的板級可靠性。彈性模量定義為應力和形變的比，并可通過例如jisc-6481、ksm3001、ksm527-3和astmd882等中規(guī)定的標準拉伸測試進行測量。此外，cte可以指使用熱機械分析儀(tma)或動態(tài)機械分析儀(dma)測量的cte。此外，厚度指鈍化層150在硬化后的厚度，并可使用常規(guī)的厚度測量設備進行測量。此外，表面粗糙度可通過已知的方法(諸如使用立方氧化鋯(cz)的表面處理)形成，并可使用常規(guī)的粗糙度測量設備進行測量。此外，吸濕率可使用常規(guī)的測量設備進行測量。

等式1：彈性模量×熱膨脹系數(shù)＝230gpa·ppm/℃

等式2：厚度＝10μm

等式3：表面粗糙度＝1nm

等式4：吸濕率＝1.5％

此外，凸塊下金屬層160可構(gòu)造成提高連接端子170的連接可靠性，以提高扇出型半導體封裝件100a的板級可靠性。凸塊下金屬層160可設置在鈍化層150的開口150h中的壁上和第二互連構(gòu)件140的暴露的重新分布層142b上。凸塊下金屬層160可使用諸如金屬的已知的導電材料通過已知的金屬化方法形成。

此外，連接端子170可構(gòu)造成在外部物理連接或電連接扇出型半導體封裝件100a。例如，扇出型半導體封裝件100a可通過連接端子170安裝在電子裝置的主板上。連接端子170中的每個可由例如焊料等的導電材料形成。然而，這僅是示例，連接端子170中的每個的材料不局限于此。連接端子170的每個可以是焊墊(land)、球、引腳等。連接端子170可形成為多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)。當連接端子170形成為多層結(jié)構(gòu)時，連接端子170可包含銅(cu)柱和焊料。當連接端子170形成為單層結(jié)構(gòu)時，連接端子170可包含錫-銀焊料或銅(cu)。然而，這僅是示例，連接端子170不限于此。連接端子170的數(shù)量、間隔、設置等不受具體限制，并可以由本領域技術(shù)人員根據(jù)設計細節(jié)進行充分地修改。例如，可根據(jù)半導體芯片120的連接焊盤122的數(shù)量將連接端子170的數(shù)量設置為數(shù)十個至數(shù)千個，但不限于此，并且還可設置為數(shù)十個至數(shù)千個或更多個或者數(shù)十個至數(shù)千個或更少個。

連接端子170中的至少一個可設置在扇出區(qū)域中。扇出區(qū)域是除了設置有半導體芯片的區(qū)域之外的區(qū)域。也就是說，根據(jù)示例性實施例的扇出型半導體封裝件100a可以是扇出型封裝件。與扇入型封裝件相比，扇出型封裝件可具有優(yōu)良的可靠性，可實現(xiàn)多個輸入/輸出(i/o)端子，并可促進3d互連。此外，與球柵陣列(bga)封裝件、柵格陣列(lga)等相比，扇出型封裝件可在不需要單獨的板的情況下安裝在電子裝置上。因此，扇出型封裝件可被制造為具有減小的厚度，并可具有價格競爭力。

如必要，多個半導體芯片(未示出)可設置在第一互連構(gòu)件110的通孔110h中，第一互連構(gòu)件的通孔110h的數(shù)量可以為多個(未示出)，并且半導體芯片(未示出)可分別設置在通孔中。此外，諸如電容器、電感器等的單獨的無源組件(未示出)可與半導體芯片一起包封在通孔110h中。此外，可在鈍化層150上安裝表面貼裝技術(shù)組件(未示出)。

圖12至圖16是示出制造圖9的扇出型半導體封裝件的工藝的示例的示意圖。

參照圖12，首先，可制備載體膜301。載體膜301可具有形成在其一個表面上或與其背對的表面上的金屬層302和303。為了在隨后的分離工藝中促進分離，可在金屬層302和303之間的結(jié)合表面上執(zhí)行表面處理?？蛇x地，為了在隨后的工藝中促進分離，可在金屬層302和303之間設置脫模層。載體膜301可以是已知的絕緣基板，載體膜301的材料不受具體限制。通常，金屬層302和303可以是銅(cu)箔，但不局限于此。也就是說，金屬層302和303可以是由其他導電材料形成的薄膜。然后，可使用干膜304執(zhí)行用于形成第一重新分布層112a的圖案化。可使用已知的光刻法形成第一重新分布層112a。干膜304可以是由光敏材料形成的已知的干膜。然后，可在干膜304的圖案化的空間中設置導電材料，以形成第一重新分布層112a?？墒褂缅兏补に囆纬傻谝恢匦路植紝?12a。在這種情況下，金屬層303可用作種子層。鍍覆工藝可以是電鍍工藝或非電鍍工藝，更具體地，可以是化學氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(pvd)、濺射、減成工藝、加成工藝、半加成工藝(sap)或改性半加成工藝(msap)等，但不限于此。然后，可去除干膜304?？赏ㄟ^已知的諸如蝕刻工藝等方法去除干膜304。

然后，參照圖13，可在金屬層303上形成嵌入有第一重新分布層112a的至少一部分的第一絕緣層111a。然后，可形成貫穿第一絕緣層111a的第一過孔113a。此外，可在第一絕緣層111a上形成第二重新分布層112b?？赏ㄟ^已知的層壓方法對第一絕緣層111a的前驅(qū)體進行層壓然后將前驅(qū)體硬化的方法，或者使用已知的涂敷方法涂敷第一絕緣層111a的前驅(qū)體然后使前驅(qū)體硬化的方法等方法來形成第一絕緣層111a?？赏ㄟ^以下方法來形成第一過孔113a和第二重新分布層112b：使用光刻法、機械鉆孔或激光鉆孔等方法在第一絕緣層111a中形成通孔，使用干膜等執(zhí)行圖案化，通過鍍覆工藝等填充通孔和圖案化的空間。然后，可在第一絕緣層111a上形成覆蓋第二重新分布層112b的第二絕緣層111b。然后，可形成貫穿第二絕緣層111b的第二過孔113b。此外，可在第二絕緣層111b上形成第三重新分布層112c。形成第二過孔113b和第三重新分布層112c的方法可與上述方法相同。然后，可剝離載體膜301。在這種情況下，剝離可指使金屬層302和303彼此分開。這里，可使用刀片使金屬層彼此分開，但不限于此。也就是說，可使用所有已知的方法來使金屬層彼此分開。同時，描述了在剝離載體膜301之前以一系列工藝形成第一互連構(gòu)件110的示例。然而，本公開不限于此。例如，也可在剝離載體膜301之后根據(jù)上述工藝形成第一互連構(gòu)件110。也就是說，工藝順序并不限于上述工藝順序。

然后，參照圖14，可通過已知的蝕刻方法等去除剩余的金屬層303，并可在第一互連構(gòu)件110中形成通孔110h?？墒褂脵C械鉆孔或激光鉆孔形成通孔110h。然而，通孔110h不局限于此，而是還可通過使用用于拋光的顆粒的噴砂法、使用等離子的干蝕刻法等方法形成。在使用機械鉆孔或激光鉆孔形成通孔110h的情況下，可執(zhí)行諸如高錳酸鹽法等去鉆污工藝以去除在通孔110h中的樹脂鉆污。接下來，可將粘結(jié)膜305附著到第一互連構(gòu)件110的一個表面上?？晒潭ǖ谝换ミB構(gòu)件110的任何材料均可用作粘結(jié)膜305。作為非限制性示例，可使用已知的膠帶等。已知的膠帶的示例可包括其粘附力通過熱處理而減弱的熱固性粘附膠帶或其粘附力通過紫外線照射而減弱的紫外線固化粘附膠帶等。然后，可將半導體芯片120設置在第一互連構(gòu)件110的通孔110h中。例如，可通過在通孔110h中將半導體芯片120附著到粘結(jié)膜305的方法來設置半導體芯片120?？蓪雽w芯片120設置為正面朝下的形式，以將連接焊盤122附著到粘結(jié)膜305。

然后，參照圖15，可使用包封劑130包封半導體芯片120。包封劑130可覆蓋第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的無效表面，并可填充通孔110h內(nèi)的空間?？赏ㄟ^已知的方法形成包封劑130。例如，可通過層壓用于形成包封劑130的非硬化狀態(tài)下的樹脂然后使樹脂硬化的方法形成包封劑130。可選地，可通過以下方法形成包封劑130：將用于形成包封劑130的非硬化狀態(tài)下的樹脂涂敷到粘結(jié)膜305上，以包封第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120，然后使樹脂硬化。可通過硬化來固定半導體芯片120。例如，可使用如下方法作為層壓樹脂的方法：在高溫下執(zhí)行壓縮樹脂的熱壓工藝達預定時間，對樹脂進行減壓，然后將樹脂冷卻至室溫(在冷壓工藝中冷卻樹脂)，然后分離作業(yè)工具等。例如，可使用如下方法作為涂敷樹脂的方法：利用刮刀涂墨的絲網(wǎng)印刷法、噴涂呈霧狀的墨的噴印法等。然后，可在包封劑130上形成增強層181?？蓪⒂不癄顟B(tài)(c階段)下的增強層181(諸如裸ccl等)附著到包封劑130。因此，在將增強層181附著到包封劑130后，包封劑130和增強層181之間的界面可具有近似線性的形式?？稍趯⒃鰪妼?81附著到包封劑130后使包封劑130硬化。在這種情況下，增強層181可控制由于包封劑130的硬化收縮引起的翹曲。此外，在這種情況下，增強層181和包封劑130之間可具有優(yōu)良的緊密粘附力。然后，可剝離粘結(jié)膜305。剝離粘結(jié)膜的方法不受具體限定，而是可以是已知的方法。例如，在其粘附力通過熱處理而減弱的熱固性粘附膠帶或其粘附力通過紫外線照射等而減弱的紫外線固化粘附膠帶用作粘結(jié)膜305的情況下，可在粘結(jié)膜305的粘附力通過對粘結(jié)膜305進行熱處理而減小后剝離粘結(jié)膜305，或可在粘結(jié)膜305的粘附力通過利用紫外線照射粘結(jié)膜305而減小后剝離粘結(jié)膜305。然后，可在粘結(jié)膜305被去除了的第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的有效表面上形成第二互連構(gòu)件140?？赏ㄟ^如下方法形成第二互連構(gòu)件140：順序地形成絕緣層141a和141b，然后通過如上所述的鍍覆工藝等在絕緣層141a和141b上形成重新分布層142a和142b，在絕緣層141a和141b中形成過孔143a和143b。此外，可在增強層181上形成樹脂層182。此外，可在第二互連構(gòu)件140上形成鈍化層150。也可通過層壓樹脂層182和鈍化層150的前驅(qū)體然后使前驅(qū)體硬化的方法、或涂敷用于形成樹脂層182和鈍化層150的材料然后使材料硬化的方法等方法來形成樹脂層182和鈍化層150。

然后，參照圖16，可在鈍化層150中形成開口150h，以暴露第二互連構(gòu)件140的重新分布層142b的至少部分，可通過已知的金屬化方法在開口150h中形成凸塊下金屬層160。此外，可形成貫穿包封劑130、增強層181和樹脂層182并且暴露第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的至少部分的開口182h?？赏ㄟ^機械鉆孔、激光鉆孔、使用用于拋光的顆粒的噴砂法、使用等離子的干蝕刻法等方法形成開口182h。然后，可在凸塊下金屬層160上形成連接端子170。形成連接端子170的方法不受具體限定。也就是說，可根據(jù)其結(jié)構(gòu)或形式使用在相關技術(shù)中公知的方法來形成連接端子170?？赏ㄟ^回流焊來固定連接端子170，并可使連接端子170的部分嵌在鈍化層150中以增強固定力，并且可向外地暴露連接端子170的剩余部分，從而可提高可靠性。

同時，一系列的工藝可以包括以下工藝：準備具有大尺寸的載體膜301，制造多個扇出型半導體封裝件100a，然后通過切割工藝將所述多個扇出型半導體封裝件切割成單獨的扇出型半導體封裝件100a，以促進批量生產(chǎn)。在這種情況下，生產(chǎn)率可以是優(yōu)良的。

圖17是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100b中，可僅將增強層181附著到包封劑130。即使在單獨的樹脂層182等沒有附著到增強層181的情況下，也可控制翹曲。增強層181可由例如包括芯材料、無機填料和絕緣樹脂的裸ccl、半固化片等形成。增強層181的彈性模量可相對大于包封劑130的彈性模量，并且cte可小于包封劑130的cte。在這種情況下，翹曲抑制效果會特別好。可將硬化狀態(tài)(c階段)下的增強層181附著到包封劑130。在這種情況下，包封劑130和增強層181之間的界面可具有近似線性的形狀。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182的扇出型半導體封裝件100b的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖18是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100c中，可僅將增強層181附著到包封劑130。在這種情況下，可在增強層181中形成貫穿包封劑130和增強層181并且暴露第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的至少部分的開口181h。即使在單獨的樹脂層182等沒有如上述附著到增強層181的情況下，也可在增強層181中形成開口181h。然而，在這種情況下，由于包括芯材料的增強層181的材料特性，可能比存在樹脂層182的情況更難形成開口181h。此外，增強層181的芯材料可暴露到開口181h的壁，因此可能需要用于去除暴露的芯材料的另外的工藝。可將硬化狀態(tài)(c階段)下的增強層181附著到包封劑130。在這種情況下，包封劑130和增強層181之間的界面可具有近似線性的形狀。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與以上提供的描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182的扇出型半導體封裝件100c的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖19是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100d中，增強層183可由例如包含芯材料、無機填料和絕緣樹脂的半固化片等形成，包封劑130可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成。在這種情況下，當包封劑130中包含的無機填料的重量百分比為a1且增強層183中包含的無機填料的重量百分比為a2時，a1<a2。例如，1.10<a2/a1<1.95。也就是說，無機填料的濃度相對高的增強層183可具有相對低的cte，無機填料的濃度相對低的包封劑130可具有相對高的cte。因此，包封劑130可具有優(yōu)良的樹脂流動性，增強層183可有利于控制翹曲。此外，當增強層183的厚度為t1，包封劑130的覆蓋第一互連構(gòu)件110的部分的厚度為t2，并且包封劑130的覆蓋半導體芯片120的無效表面的部分的厚度為t3時，t2<t1且t3<t1。例如，0.2<t2/t1<0.6，0.2<t3/t1<0.6。也就是說，增強層183的厚度可大于包封劑的覆蓋第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的無效表面的包封劑的厚度，這可更有利于控制翹曲。

同時，可在非硬化狀態(tài)下將增強層183附著到包封劑130，然后進行硬化。因此，具有相對小的cte的增強層183的材料可由于彼此接觸的異質(zhì)材料之間的界面或互混運動而滲入到通孔110h中。例如，可在b階段的半硬化狀態(tài)下將包含芯材料、無機填料和絕緣樹脂的半固化片等附著到包封劑130，然后通過后續(xù)工藝硬化成c階段，從而可形成增強層183。在這種情況下，材料之間的界面或互混可由于增強層183和包封劑130的無機填料的濃度之間的差異而移動。結(jié)果，包封劑130和增強層183之間的界面可具有非線性形狀。例如，包封劑130和增強層183之間的界面可具有朝向第一互連構(gòu)件110的通孔110h的壁與半導體芯片120之間的空間彎曲的彎曲部183p。在這種情況下，可增大增強層183和包封劑130之間的接觸區(qū)域，從而可進一步提高增強層183和包封劑130之間的緊密粘合力。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182且增強層183的材料和硬化狀態(tài)與上述增強層181的材料和硬化狀態(tài)不同的扇出型半導體封裝件100d的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖20是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100e中，增強層184可由例如非對稱半固化片等形成，該非對稱半固化片包含芯材料、無機填料和絕緣層，并且在增強層184的與包封劑130接觸的一側(cè)184a中包含的無機填料的重量百分比和在增強層184的關于芯材料184c與一側(cè)184a相反的另一側(cè)184b中包含的無機填料的重量百分比彼此不同。包封劑130可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成。在這種情況下，當在包封劑130中包含的無機填料的重量百分比為a1，在增強層184的與包封劑130接觸的一側(cè)184a中包含的無機填料的重量百分比為a2，并且在增強層184的與一側(cè)184a相反的另一側(cè)184b中包含的無機填料的重量百分比為a3時，a1<a2<a3。例如，1.10<a3/a1<1.95。也就是說，增強層184的另一側(cè)184b的cte可以是最低的，增強層184的一側(cè)184a的cte的可以是中間級別的，包封劑的cte可以是最高的。因此，包封劑130可具有優(yōu)良的樹脂流動性，增強層184的一側(cè)184a可確保與包封劑130的優(yōu)良的緊密粘合力，增強層184的另一側(cè)184b可有效地控制翹曲。此外，當增強層184的厚度為t1，包封劑130的覆蓋第一互連構(gòu)件110的部分的厚度為t2，并且包封劑130的覆蓋半導體芯片120的無效表面的部分的厚度為t3時，t2<t1且t3<t1。例如，0.2<t2/t1<0.6，且0.2<t3/t1<0.6。在這種情況下，可更容易地控制翹曲。

同時，可將非硬化狀態(tài)下的增強層184附著到半硬化狀態(tài)下的包封劑130，然后進行硬化。因此，具有相對小的cte的增強層184的材料可由于彼此接觸的異質(zhì)材料之間的界面或互混運動而滲入到通孔110h中。也就是說，例如，可在b階段下將包含芯材料、無機填料和絕緣樹脂的非對稱半固化片等附著到包封劑130，然后通過后續(xù)工藝硬化成c階段，從而可形成增強層184。在這種情況下，材料之間的互混或界面可由于增強層184的一側(cè)184a和包封劑130的無機填料的重量百分比之間的差異而移動。結(jié)果，包封劑130和增強層184之間的界面可具有非線性形狀。例如，增強層184的一側(cè)184a的部分可朝向包封劑130凹陷，在第一互連構(gòu)件110的通孔110h內(nèi)填充第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120之間的空間，從而可形成彎曲部184p。在這種情況下，可增大增強層184和包封劑130之間的接觸面積，從而可進一步提高增強層184和包封劑130之間的緊密粘合力。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與以上提供的描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182且增強層184的材料和硬化狀態(tài)與上述增強層181的材料和硬化狀態(tài)不同的扇出型半導體封裝件100e的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖21是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100f中，可僅將增強層185附著到包封劑130。在這種情況下，增強層185可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成。此外，包封劑130也可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成。然而，增強層185的彈性模量可大于包封劑130的彈性模量，或者cte可小于包封劑130的cte，以抑制翹曲?？稍谟不癄顟B(tài)(c階段)下將增強層185附著到包封劑130。在這種情況下，包封劑130和增強層185之間的界面可具有近似線性的形狀。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182且增強層185的材料和硬化狀態(tài)與上述增強層181的材料和硬化狀態(tài)不同的扇出型半導體封裝件100f的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖22是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100g中，可僅將增強層185附著到包封劑130。在這種情況下，可在增強層185中形成貫穿增強層185并暴露第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的至少部分的開口185h。在增強層185不包含芯材料的情況下，可容易地形成開口185h。可在硬化狀態(tài)(c階段)下將增強層185附著到包封劑130，因此包封劑130和增強層185之間的界面可具有近似線性的形狀。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182且增強層185的材料和硬化狀態(tài)與上述增強層181的材料和硬化狀態(tài)不同的扇出型半導體封裝件100g的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。

圖23是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100h中，增強層186可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成，包封劑130也可由例如包含無機填料和絕緣樹脂但不包含芯材料的abf等形成。在這種情況下，當包封劑130中包含的無機填料的重量百分比為a1，增強層186中包含的無機填料的重量百分比為a2時，a1<a2。例如，1.10<a2/a1<1.95。也就是說，無機填料的濃度相對高的增強層186可具有相對低的cte，無機填料的濃度相對低的包封劑130可具有相對高的cte。因此，包封劑130可具有優(yōu)良的樹脂流動性，增強層186可有利于控制翹曲。此外，當增強層186的厚度為t1，包封劑的覆蓋第一互連構(gòu)件110的部分的厚度為t2，并且包封劑130的覆蓋半導體芯片120的無效表面的部分的厚度為t3時，t2<t1且t3<t1。例如，0.2<t2/t1<0.6且0.2<t3/t1<0.6。也就是說，增強層186的厚度可大于包封劑130的覆蓋第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120的無效表面的部分的厚度，這可更有利于控制翹曲。

同時，可將非硬化狀態(tài)下的增強層186附著到半硬化狀態(tài)下的包封劑130，然后進行硬化。因此，具有相對小的cte的增強層186的材料可由于彼此接觸的異質(zhì)材料之間的界面或互混運動而滲入到通孔110h中。也就是說，可在b階段下將包含無機填料和絕緣樹脂但不包含玻璃布的例如abf等附著到包封劑130，然后通過后續(xù)工藝硬化成c階段，從而可形成增強層186。在這種情況下，材料之間的互混或界面可由于增強層186和包封劑130的無機填料的重量百分比之間的差異而移動。結(jié)果，包封劑130和增強層186之間的界面可具有近似非線性的形狀。例如，增強層186的部分可朝向包封劑130凹陷，在第一互連構(gòu)件110的通孔110h內(nèi)填充第一互連構(gòu)件110和半導體芯片120之間的空間，從而可形成彎曲部186p。在這種情況下，可增大增強層186和包封劑130之間的接觸面積，從而可進一步提高增強層186和包封劑130之間的緊密粘合力。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造沒有形成樹脂層182且增強層186的材料和硬化狀態(tài)與上述增強層181的材料和硬化狀態(tài)不同的扇出型半導體封裝件100h的工藝的描述可與上述描述重復，因此省將其略。

圖24是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100i中，第一重新分布層112a可凹入到第一絕緣層111a中，使得第一絕緣層111a的下表面可具有相對于第一重新分布層112a的下表面的臺階部。結(jié)果，當形成包封劑130時，可防止包封劑130的材料流到第一重新分布層112a而將其污染的現(xiàn)象。同時，如上所述，由于第一重新分布層112a凹入到第一絕緣層111a中，第一互連構(gòu)件110的第一重新分布層112a的下表面可設置在半導體芯片120的連接焊盤122的下表面的上方。此外，第二互連構(gòu)件140的重新分布層142和第一互連構(gòu)件110的第一重新分布層112a之間的距離可大于第二互連構(gòu)件140的重新分布層142和半導體芯片120的連接焊盤122之間的距離。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述重復，因此將其省略。此外，制造其中通過在去除金屬層303時部分地去除第一重新分布層112a而形成臺階部的扇出型半導體封裝件100i的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。同時，扇出型半導體封裝件100b至100h的特征也可應用于扇出型半導體封裝件100i。

圖25是示出扇出型半導體封裝件的另一示例的示意性截面圖。

參照附圖，在根據(jù)本公開的另一示例性實施例的扇出型半導體封裝件100j中，第一互連構(gòu)件110可包括：第一絕緣層111a；第一重新分布層112a和第二重新分布層112b，分別設置在第一絕緣層111a的背對的表面上；第二絕緣層111b，設置在第一絕緣層111a上并覆蓋第一重新分布層112a；第三重新分布層112c，設置在第二絕緣層111b上；第三絕緣層111c，設置在第一絕緣層111a上并覆蓋第二重新分布層112b；第四重新分布層112d，設置在第三絕緣層111c上。第一重新分布層112a、第二重新分布層112b、第三重新分布層112c和第四重新分布層112d可電連接到半導體芯片120的連接焊盤122。由于第一互連構(gòu)件110可包括更多數(shù)量的重新分布層112a、112b、112c和112d，因此可進一步簡化第二互連構(gòu)件140。因此，可改善由于在形成第二互連構(gòu)件140的工藝中發(fā)生的缺陷而導致的生產(chǎn)率的降低。同時，盡管未在附圖中示出，但是第一重新分布層112a、第二重新分布層112b、第三重新分布層112c和第四重新分布層112d可通過貫穿第一絕緣層111a、第二絕緣層111b和第三絕緣層111c的第一過孔、第二過孔和第三過孔彼此電連接。

第一絕緣層111a的厚度可大于第二絕緣層111b和第三絕緣層111c的厚度。第一絕緣層111a可相對較厚以保持剛性，可引入第二絕緣層111b和第三絕緣層111c，以形成更多數(shù)量的重新分布層112c和112d。第一絕緣層111a的絕緣材料可與第二絕緣層111b和第三絕緣層111c的絕緣材料不同。例如，第一絕緣層111a可以是例如包含芯材料、無機填料和絕緣樹脂的半固化片，第二絕緣層111b和第三絕緣層111c可以是包含無機填料和絕緣樹脂的abf或光敏絕緣膜。然而，第一絕緣層111a以及第二絕緣層111b和第三絕緣層111c的材料不局限于此。

第一互連構(gòu)件110的第三重新分布層112c的下表面可設置在半導體芯片120的連接焊盤122的下表面的下方。此外，第二互連構(gòu)件140的重新分布層142和第一重新分布層110的第三重新分布層112c之間的距離可小于第二互連構(gòu)件140的重新分布層142和半導體芯片120的連接焊盤122之間的距離。這里，第三重新分布層112c可在第二絕緣層111b上以突起的形式設置，從而與第二互連構(gòu)件140接觸。第一互連構(gòu)件110的第一重新分布層112a和第二重新分布層112b可設置在半導體芯片120的有效表面和無效表面之間。第一互連構(gòu)件110可形成為具有與半導體芯片120的厚度相對應的厚度。因此，形成在第一互連構(gòu)件110中的第一重新分布層112a和第二重新分布層112b可設置在半導體芯片120的有效表面和無效表面之間。

第一互連構(gòu)件110的重新分布層112a、112b、112c和112d的厚度可大于第二互連構(gòu)件140的重新分布層142的厚度。由于第一互連構(gòu)件140的厚度可等于或大于半導體芯片120的厚度，因此重新分布層112a、112b、112c和112d也可形成為具有大的厚度。另一方面，為了纖薄化，第二互連構(gòu)件140的重新分布層142可形成為具有相對小的尺寸。

除上述構(gòu)造之外的構(gòu)造的描述等可與上述描述等重復，因此將其省略。此外，制造除第一互連構(gòu)件110的構(gòu)造之外的扇出型半導體封裝件100j的工藝的描述可與上述描述重復，因此將其省略。同時，扇出型半導體封裝件100b至100h的特征也可應用于扇出型半導體封裝件100j。

圖26是示出在扇出型半導體封裝件中產(chǎn)生翹曲的情況的示意圖。

參照附圖，可牢固地固定包括絕緣層511、重新分布層512a和512b、過孔513等以及包括主體521和電極焊盤522等的半導體芯片520的熱固性樹脂膜可用作包封第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520的包封劑530的材料。具體地，具有高的cte的熱固性樹脂膜(通常具有良好的樹脂流動性)可用于形成包封劑530，以利用樹脂完全地填充在第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520之間的通孔510h的空間，并增大第一互連構(gòu)件510和半導體芯片520之間的緊密粘合力。然而，可以理解的是，在這種熱固性樹脂膜中，樹脂的熱硬化收縮大，使得在樹脂硬化后，會在封裝件中產(chǎn)生嚴重的翹曲w1。因此，隨后難以形成精細的電路圖案。

圖27是示出扇出型半導體封裝件的翹曲被抑制的情況的示意性示圖。

圖28是示出圖27中產(chǎn)生的另外的問題的示意性示圖。

參照附圖，可以認為，具有低cte的熱固性樹脂膜用作包封第一互連構(gòu)件510(包括絕緣層511、重新分布層512a和512b以及過孔513等)和半導體芯片520(包括主體521和電極焊盤522等)的包封劑540的材料。可以理解的是，在使用具有低cte的熱固性樹脂膜作為包封劑540的材料的情況下，與使用具有高cte的熱固性樹脂膜作為包封劑540的材料相比，抑制了翹曲w2。然而，為降低cte，通常會增加在熱固性樹脂膜中的無機填料的含量，使得樹脂由于樹脂流動性的降低而沒有充分地填充細小的空間，這樣會產(chǎn)生孔隙等。此外，由于第一互連構(gòu)件和半導體芯片之間的緊密粘合力的減小，會在第一互連構(gòu)件和半導體芯片之間產(chǎn)生脫層等。

圖29是用于比較扇出型半導體封裝件彼此的翹曲抑制效果的示圖。

參照附圖，比較示例1指的是如圖26所示的具有高的cte的熱固性樹脂膜(具有良好的樹脂流動性)用作包封劑的材料的情況?？梢岳斫獾氖?，在比較示例1中，由于包封劑的大的熱硬化收縮而導致產(chǎn)生嚴重的翹曲。比較示例2指的是如圖27所示的為抑制翹曲而使用具有低的cte的熱固性樹脂膜作為包封劑的材料的情況。在比較示例2中，盡管翹曲可由于包封劑的低的熱硬化收縮而被抑制，但是可能會發(fā)生另外的如上所述的諸如孔隙和脫層等問題。發(fā)明示例指的是如下情況：如在本公開中提及的，將具有高的cte的熱固性樹脂膜(具有良好的樹脂流動性)用作包封劑的材料，并且在包封劑上引入彈性模量大于包封劑的彈性模量且cte小于包封劑的cte的增強層。在發(fā)明示例中，在不引起諸如孔隙和脫層問題的情況下，翹曲可被抑制在與比較示例2的翹曲相似的水平。

如上所述，根據(jù)本公開中的示例性實施例，可提供可有效地解決翹曲問題的扇出型半導體封裝件。

雖然以上已經(jīng)示出和描述了示例性實施例，但是本領域普通技術(shù)人員應該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行修改和變型。