本發(fā)明屬于光電子材料技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種基于聚酰亞胺(pi)基底的柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法。

背景技術(shù)：

聚酰亞胺在柔性塑料里面具有最高的玻璃轉(zhuǎn)化溫度，同時(shí)聚酰亞胺還具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，良好的機(jī)械性能，聚酰亞胺這些優(yōu)良的性能使其成為柔性電子領(lǐng)域作為基底材料的優(yōu)先選項(xiàng)?；诰埘啺坊椎耐该鲗?dǎo)電電極可以廣泛應(yīng)用于光電顯示和有機(jī)太陽(yáng)能領(lǐng)域。

目前研究的比較多的是金屬納米線線涂布在基板上，然后再在基板上涂pi膜，這種方法制作的柔性透明導(dǎo)電膜雖然具有較高的透過(guò)率和較低的方阻，但是其霧度比較大，不適合應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。

cn104810114a公開(kāi)了一種高透光率柔性聚酰亞胺基底ito導(dǎo)電薄膜制作方法，利用兩步濺射ito的方法制備了黃度比較低的柔性透明導(dǎo)電膜，但是由于ito本身的脆性，其彎曲性能比較差。

s.jung等人利用先在玻璃基板上制作銀網(wǎng)格，再涂pi膜，成膜后剝離制作嵌入膜內(nèi)的金屬網(wǎng)格，然后再在其上濺射ito的方法制作的柔性透明導(dǎo)電電極具有較低的方阻。但是該方法制作比較復(fù)雜，在揭下膜的過(guò)程中金屬網(wǎng)格容易斷線，不適合大面積生產(chǎn)。

cn105895197a公開(kāi)了一種柔性透明銀網(wǎng)格復(fù)合電極及其制作方法，該方法利用噴墨打印的方法，在柔性基底上先后打印銀網(wǎng)格和導(dǎo)電聚合物或者金屬氧化物半導(dǎo)體或者二者的復(fù)合物。該方法是利用銀納米粒子在較低的溫度下融化連接形成銀網(wǎng)格，由于銀納米粒子在低溫下不是完全熔融，因而制作的銀網(wǎng)格電導(dǎo)率遠(yuǎn)低于塊材。此外利用該方法制作的銀網(wǎng)格與pi基底的粘附性無(wú)法保證，且銀網(wǎng)格的高度也不容易控制，而過(guò)高可能導(dǎo)致器件短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種基于聚酰亞胺(pi)基底的柔性透明導(dǎo)電電極，其目的在于通過(guò)在pi基底和超薄金屬疊層之間設(shè)置浸潤(rùn)層，增強(qiáng)pi基底和超薄金屬疊層之間的粘附性，同時(shí)利用超薄金屬疊層透明導(dǎo)電層與金屬網(wǎng)格相結(jié)合，制備得到基于聚酰亞胺基底的高可見(jiàn)光透過(guò)率、低方塊電阻、高機(jī)械性能的柔性透明導(dǎo)電電極，由此解決現(xiàn)有技術(shù)的電極霧度大、金屬網(wǎng)格與基底的粘附性差、金屬網(wǎng)格高度不易控制、斷線不適宜大面積生產(chǎn)或網(wǎng)格線太高導(dǎo)致器件短路的技術(shù)問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，所述電極自下而上包括聚酰亞胺基底、浸潤(rùn)層、金屬層、金屬網(wǎng)格層以及減反射層。

優(yōu)選地，所述浸潤(rùn)層的成分為三氧化鉬、氧化鋅、二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鎢、氧化硅和氮化硅的一種或多種。

優(yōu)選地，所述浸潤(rùn)層的厚度為2-10nm。

優(yōu)選地，所述浸潤(rùn)層通過(guò)熱蒸鍍、電子束蒸發(fā)、磁控濺射、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積的方法沉積至所述聚酰亞胺基底上。

優(yōu)選地，所述金屬層為金屬疊層，所述金屬疊層為由金層和銀層構(gòu)成的金-銀疊層或由銅層和銀層構(gòu)成的銅-銀疊層，所述金屬疊層中金層或銅層與所述浸潤(rùn)層相鄰設(shè)置。

優(yōu)選地，所述金屬疊層中金層或銅層的厚度為1-5nm，所述銀層的厚度為2-20nm。

優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)格層中的金屬為金、銀、銅、鋁、鎳和鉻中的一種或者其合金。

優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)格為正多邊形，包括正三角形、正四邊形或正六邊形，所述正多邊形的邊長(zhǎng)為10-10000μm，所述金屬網(wǎng)格的厚度為50-200nm，所述金屬網(wǎng)格的寬度為2-100μm。

優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)格通過(guò)光刻金屬沉積剝離法或金屬沉積法沉積至所述金屬層上，所述金屬沉積法包括熱蒸鍍、電子束蒸發(fā)或磁控濺射。

優(yōu)選地，所述減反射層的成分為氧化鋅或摻鋁的氧化鋅，所述減反射層的厚度為40-180nm。

優(yōu)選地，所述減反射層通過(guò)溶液法涂覆或溶膠凝膠溶液旋涂法沉積至所述金屬網(wǎng)格層上。

總體而言，通過(guò)本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果。

(1)本發(fā)明在pi上先沉積浸潤(rùn)層，可以顯著改善pi與金屬的粘附性；通過(guò)蒸鍍疊層金屬，使得金屬網(wǎng)格與pi基底具有良好的粘附性。

(2)通過(guò)光刻金屬沉積法可以制備出比較精細(xì)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)；金屬網(wǎng)格的加入可以在較少減少透光性的情況下大幅提高導(dǎo)電性，從而使透明導(dǎo)電電極可以應(yīng)用于大面積的光電器件中。

(3)通過(guò)設(shè)計(jì)氧化鋅的厚度可以發(fā)揮氧化鋅的增透作用(增加光透過(guò)率，減反射)，同時(shí)氧化鋅層還可以使金屬網(wǎng)格埋于氧化鋅中，避免因網(wǎng)格凸出太多而導(dǎo)致器件短路；本發(fā)明的減反射層，采用旋涂的方法將氧化鋅或摻鋁的氧化鋅納米顆?；蛘呷苣z凝膠溶液涂覆于金屬網(wǎng)格層上，涂覆完成后測(cè)得金屬網(wǎng)格由凸出表面85nm減小到凸出于氧化鋅層表面約40nm左右，減小了金屬網(wǎng)格與表面的高度差，避免了器件因?yàn)榫W(wǎng)格部分凸出與頂電極接觸而短路。

(4)本發(fā)明的基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極通過(guò)合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得該電極具有高可見(jiàn)光透過(guò)率、低方塊電阻和高機(jī)械性能。傳統(tǒng)的電極，由于金屬網(wǎng)格在基底上粘附性不好，需要通過(guò)增加金屬層的厚度來(lái)增加導(dǎo)電性，而金屬厚度增加，會(huì)導(dǎo)致電極的透光率低，形成惡性循環(huán)。而本發(fā)明通過(guò)在pi基底和金屬疊層之間設(shè)置浸潤(rùn)層，保證了金屬疊層以及金屬網(wǎng)格在基底上的粘附性，金屬網(wǎng)格粘附性良好，保證了電極的低方塊電阻，這樣金屬疊層可以做成超薄厚度，金屬疊層厚度越薄，電極透光率越好。本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)各層之間協(xié)同作用，構(gòu)成一套完整的技術(shù)方案，最終使得本發(fā)明的pi基底電極透光率高、方塊電阻低，而且與器件連接時(shí)，由于減反射層的設(shè)置，一方面增加了光透過(guò)率，同時(shí)也避免了器件短路的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制作的柔性透明導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的柔性透明導(dǎo)電電極制作過(guò)程中透過(guò)率和方阻變化圖。

在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：

1-聚酰亞胺基底；2-浸潤(rùn)層；3-金屬種子層；4-第二金屬層；5-金屬網(wǎng)格層；6-氧化鋅減反射層。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

本發(fā)明提供的基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，自下而上包括聚酰亞胺基底、浸潤(rùn)層、金屬層、金屬網(wǎng)格層以及減反射層。

其中浸潤(rùn)層的成分為三氧化鉬、氧化鋅、二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鎢、氧化硅和氮化硅的一種或多種，浸潤(rùn)層的厚度為2-10nm；浸潤(rùn)層的作用是增強(qiáng)聚酰亞胺基底與金屬層之間的粘附性，進(jìn)而提高金網(wǎng)格在pi基底上的粘附性。該浸潤(rùn)層可以通過(guò)熱蒸鍍、電子束蒸發(fā)、磁控濺射、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積的方法沉積至所述聚酰亞胺基底上。

金屬層為超薄金屬疊層，該超薄金屬疊層為由金層和銀層構(gòu)成的金-銀疊層或由銅層和銀層構(gòu)成的銅-銀疊層，超薄金屬疊層中金層或銅層，為金屬種子層，其與浸潤(rùn)層相鄰設(shè)置，銀層為第二金屬層。超薄金屬疊層中金層或銅層的厚度為1-5nm，優(yōu)選為1-2nm；銀層的厚度為2-20nm，優(yōu)選為3-10nm；該超薄金屬疊層可以通過(guò)蒸鍍沉積至浸潤(rùn)層上，金屬疊層的總厚度不能太大，否則會(huì)影響透光率，一般而言，金屬層的厚度越大，制作而成的電極整體方阻越小，如果沒(méi)有金屬網(wǎng)格，金屬層的厚度需要足夠厚，這樣電極的導(dǎo)電性方能滿足要求，但是本發(fā)明由于在pi基底和金屬層之間設(shè)置了浸潤(rùn)層，使得金屬網(wǎng)格在pi基底上的粘附性良好，金屬網(wǎng)格保證了整體電極的導(dǎo)電性，因此本發(fā)明的金屬層可以很薄，對(duì)電極整體的方阻影響不大。

金屬網(wǎng)格層中的金屬為金、銀、銅、鋁、鎳和鉻中的一種或者其合金，所述金屬網(wǎng)格為正多邊形，優(yōu)選為正三角形、正四邊形或正六邊形，正多邊形的邊長(zhǎng)為10-10000μm，金屬網(wǎng)格的厚度為50-200nm，金屬網(wǎng)格的寬度為2-100μm。金屬網(wǎng)格為正六邊形時(shí)，該網(wǎng)格的寬度與邊長(zhǎng)之比為1:10-40，優(yōu)選為1:12-13；當(dāng)金屬網(wǎng)格為正四邊形時(shí)，該網(wǎng)格的寬度與邊長(zhǎng)之比為1:100-250，該金屬網(wǎng)格可以通過(guò)光刻金屬沉積剝離法或金屬沉積法沉積至超薄金屬疊層上，金屬沉積法包括熱蒸鍍、電子束蒸發(fā)或磁控濺射。本發(fā)明通過(guò)光刻金屬沉積法可以制備出比較精細(xì)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，金屬網(wǎng)格的加入能夠在較少減小透光性的情況下大幅度提高導(dǎo)電性，從而使本發(fā)明的透明導(dǎo)電電極可以應(yīng)用于大面積的光電器件中。

減反射層的成分為氧化鋅或摻鋁的氧化鋅，減反射層的厚度為40-180nm，優(yōu)選為40-100nm。減反射層可以通過(guò)溶液法涂覆或溶膠凝膠溶液旋涂法沉積至所述金屬網(wǎng)格層上。本發(fā)明設(shè)計(jì)氧化鋅層，可以通過(guò)調(diào)節(jié)氧化鋅層的厚度發(fā)揮氧化鋅的增透作用(增加光透過(guò)率，減反射)，同時(shí)氧化鋅層還可以使金屬網(wǎng)格埋于氧化鋅中，避免因網(wǎng)格凸出太多而導(dǎo)致器件短路。本發(fā)明的氧化鋅層不能太厚也不能太薄，太薄的氧化鋅層無(wú)法覆蓋金屬網(wǎng)格，避免短路問(wèn)題；氧化鋅厚度太厚則會(huì)導(dǎo)致器件的縱向電阻過(guò)大，使得器件導(dǎo)電性差甚至不導(dǎo)電。

以下為實(shí)施例：

實(shí)施例1

如圖1所示，為本發(fā)明基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例的聚酰亞胺基柔性透明導(dǎo)電電極，包括從下至上的聚酰亞胺基底1，浸潤(rùn)層2(也可稱為粘附層)，金屬種子層3，第二金屬層4，金屬網(wǎng)格層5和氧化鋅減反射層6，浸潤(rùn)層2為三氧化鉬，金屬種子層2為金，第二金屬層為銀，金屬種子層3和第二金屬層4構(gòu)成了金屬層。下面為具體制作步驟：

第一步，采用熱蒸鍍法在pi上先后蒸鍍moo3、au、ag，厚度分別為3nm、2nm、4nm。在該實(shí)施例中蒸鍍過(guò)程中的真空度為≤1.5×10^-4pa蒸金屬的厚度采用頻率計(jì)來(lái)監(jiān)控。得到具有超薄金屬疊層透明導(dǎo)電電極，導(dǎo)電膜的透過(guò)率和方阻如圖2(線條/moo3/au/ag)所示。

第二步，利用光刻、蒸鍍、剝離法制作金屬網(wǎng)格。在該實(shí)施例中，先在第一步做好的pi上涂上az5214光刻膠，旋涂為1000rpm/3s+3000rpm/35s，烘膠112℃/50s，mjb4光刻機(jī)曝光20s，顯影液顯影得到具有光刻膠掩膜圖案的樣品，該圖案為正四邊形，四邊形的邊長(zhǎng)為5mm，網(wǎng)格線寬為20um。接著利用同第一步一樣的方法蒸鍍厚度為80nm的銀。然后將蒸鍍完銀的樣品泡在分析純的丙酮中，在后再超聲清洗機(jī)中超聲1.5min。超聲功率為50w。然后用去離子水沖洗干凈樣品得到帶有銀網(wǎng)格和超薄金屬疊層的透明導(dǎo)電電極，導(dǎo)電膜的透過(guò)率和方阻如圖2(pi/moo3/au/ag/grid)所示，從圖2中可以看出加入金屬網(wǎng)格之后透過(guò)率略有降低，但方阻降低較明顯。

第三步，利用溶液法涂覆zno層。在該實(shí)施例中將0.3mol無(wú)水醋酸鋅加入1l乙二醇甲醚溶液中70℃加熱攪拌1小時(shí)，然后將0.3mol乙醇胺加入上述溶液中，繼續(xù)70℃加熱攪拌2小時(shí)后，常溫?cái)嚢柽^(guò)夜得到zno的前驅(qū)體溶液。將zno的前驅(qū)體溶液旋涂在制備有超薄疊層金屬和銀網(wǎng)格的pi上，旋涂厚度為45nm。在手套箱中120℃加熱10min，然后在空氣中加熱60min，即可得到具有zno薄膜，旋涂氧化鋅層后的導(dǎo)電膜的透過(guò)率和方阻如圖2(線條/moo3/au/ag/grid/zno)所示，從圖2可以看出旋涂完氧化鋅之后透過(guò)率提升比較明顯。另外，經(jīng)過(guò)多次不同點(diǎn)臺(tái)階儀測(cè)試，旋涂氧化鋅前后，金屬網(wǎng)格與表面高度差分別是85nm和40nm表明氧化鋅非堆積在金屬網(wǎng)格附近而是均勻鋪展在整個(gè)表面。最終獲得的電極金屬網(wǎng)格凸出氧化鋅表面高度為40nm。

至此，基于聚酰亞胺(pi)的柔性透明導(dǎo)電電極制作完成。利用kapton膠帶貼到本發(fā)明制作得到的柔性透明導(dǎo)電電極上，再拉開(kāi)，測(cè)試貼過(guò)膠帶部分的電極的方塊電阻，如此重復(fù)4次，每次測(cè)量方塊電阻并記錄。結(jié)果如表1所示，從表1可以看出利用膠帶粘附之后方阻基本不變，說(shuō)明該結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電電極與基底粘附性能良好。

表1膠帶粘附性試驗(yàn)

實(shí)施例2

本發(fā)明基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，按照如下步驟制作：

第一步，采用熱蒸鍍法在pi上先后蒸鍍moo3、au、ag，厚度分別為3nm、2nm、4nm。在該實(shí)施例中蒸鍍過(guò)程中的真空度為≤1.5×10^-4pa蒸金屬的厚度采用頻率計(jì)來(lái)監(jiān)控。

第二步，利用光刻、蒸鍍、剝離法制作金屬網(wǎng)格。在該實(shí)施例中，先在第一步做好的pi上涂上az5214光刻膠，旋涂為1000rpm/3s+3000rpm/35s，烘膠112℃/50s，mjb4光刻機(jī)曝光20s，顯影液顯影得到具有光刻膠掩膜圖案的樣品，該圖案為正六邊形，六邊形的邊長(zhǎng)為200nm，網(wǎng)格線寬為10um。接著利用同第一步一樣的方法蒸鍍厚度為100nm的銀。然后將蒸鍍完銀的樣品泡在分析純的丙酮中，在后再超聲清洗機(jī)中超聲1.5min。超聲功率為50w。然后用去離子水沖洗干凈樣品得到帶有銀網(wǎng)格和超薄金屬疊層的透明導(dǎo)電電極。

第三步，利用溶液法涂覆zno層。在該實(shí)施例中將0.3mol無(wú)水醋酸鋅加入1l乙二醇甲醚溶液中70℃加熱攪拌1小時(shí)，然后將0.3mol乙醇胺加入上述溶液中，繼續(xù)70℃加熱攪拌2小時(shí)后，常溫?cái)嚢柽^(guò)夜得到zno的前驅(qū)體溶液。將zno的前驅(qū)體溶液旋涂在制備有超薄疊層金屬和銀網(wǎng)格的pi上，旋涂厚度為80nm。在手套箱中120℃加熱10min，然后在空氣中加熱60min，即可得到具有zno薄膜。

至此，基于聚酰亞胺(pi)的柔性透明導(dǎo)電電極制作完成。經(jīng)測(cè)試，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電電極與基底粘附性能良好，導(dǎo)電性以及透光率均良好。

實(shí)施例3

本發(fā)明基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，按照如下步驟制作：

第一步，采用熱蒸鍍法在pi上先后利用磁控濺射法沉積tio2、cu、ag，厚度分別為2nm、1nm、20nm。在該實(shí)施例中濺射tio2利用99.999％純度的tio2靶材，cu和ag分別利用99.99％純度的cu和ag靶材。過(guò)程中的真空度為≤1.0×10^-6torr。

第二步，利用光刻、蒸鍍、剝離法制作金屬網(wǎng)格。在該實(shí)施例中，先在第一步做好的pi上涂上az5214光刻膠，旋涂為1000rpm/3s+3000rpm/35s，烘膠112℃/50s，mjb4光刻機(jī)曝光20s，顯影液顯影得到具有光刻膠掩膜圖案的樣品，該圖案為正六邊形，六邊形的邊長(zhǎng)為200nm，網(wǎng)格線寬為5um。接著利用同第一步一樣的方法蒸鍍厚度為50nm的銀。然后將蒸鍍完銀的樣品泡在分析純的丙酮中，在后再超聲清洗機(jī)中超聲1.5min。超聲功率為50w。然后用去離子水沖洗干凈樣品得到帶有銀網(wǎng)格和超薄金屬疊層的透明導(dǎo)電電極。

第三步，利用溶液法涂覆zno層。在該實(shí)施例中將0.3mol無(wú)水醋酸鋅加入1l乙二醇甲醚溶液中70℃加熱攪拌1小時(shí)，然后將0.3mol乙醇胺加入上述溶液中，繼續(xù)70℃加熱攪拌2小時(shí)后，常溫?cái)嚢柽^(guò)夜得到zno的前驅(qū)體溶液。將zno的前驅(qū)體溶液旋涂在制備有超薄疊層金屬和銀網(wǎng)格的pi上，旋涂厚度為80nm。在手套箱中120℃加熱10min，然后在空氣中加熱60min，即可得到具有zno薄膜。

至此，基于聚酰亞胺(pi)的柔性透明導(dǎo)電電極制作完成。經(jīng)測(cè)試，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電電極與基底粘附性能良好，導(dǎo)電性以及透光率均良好。

實(shí)施例4

本發(fā)明基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，按照如下步驟制作：

第一步，采用熱蒸鍍法在pi上先后蒸鍍moo3、au、ag，厚度分別為3nm、2nm、6nm。在該實(shí)施例中蒸鍍過(guò)程中的真空度為≤1.5×10^-4pa蒸金屬的厚度采用頻率計(jì)來(lái)監(jiān)控。

第二步，利用光刻、蒸鍍、剝離法制作金屬網(wǎng)格。在該實(shí)施例中，先在第一步做好的pi上涂上az5214光刻膠，旋涂為1000rpm/3s+3000rpm/35s，烘膠112℃/50s，mjb4光刻機(jī)曝光20s，顯影液顯影得到具有光刻膠掩膜圖案的樣品，該圖案為正六邊形，六邊形的邊長(zhǎng)為20μm，網(wǎng)格線寬為2μm。接著利用同第一步一樣的方法蒸鍍厚度為70nm的銀。然后將蒸鍍完銀的樣品泡在分析純的丙酮中，在后再超聲清洗機(jī)中超聲1.5min。超聲功率為50w。然后用去離子水沖洗干凈樣品得到帶有銀網(wǎng)格和超薄金屬疊層的透明導(dǎo)電電極。

第三步，利用溶液法涂覆zno層。在該實(shí)施例中將0.3mol無(wú)水醋酸鋅加入1l乙二醇甲醚溶液中70℃加熱攪拌1小時(shí)，然后將0.3mol乙醇胺加入上述溶液中，繼續(xù)70℃加熱攪拌2小時(shí)后，常溫?cái)嚢柽^(guò)夜得到zno的前驅(qū)體溶液。將zno的前驅(qū)體溶液旋涂在制備有超薄疊層金屬和銀網(wǎng)格的pi上，旋涂厚度為80nm。在手套箱中120℃加熱10min，然后在空氣中加熱60min，即可得到具有zno薄膜。

至此，基于聚酰亞胺(pi)的柔性透明導(dǎo)電電極制作完成。經(jīng)測(cè)試，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電電極與基底粘附性能良好，導(dǎo)電性以及透光率均良好。

實(shí)施例5

本發(fā)明基于聚酰亞胺基底的柔性透明導(dǎo)電電極，按照如下步驟制作：

第一步，采用熱蒸鍍法在pi上先利用pecvd法沉積sinx，再利用熱蒸鍍法沉積cu、ag，厚度分別為10nm、5nm、2nm。在該實(shí)施例沉積sinx時(shí)控制腔內(nèi)壓強(qiáng)在1000mtorr，蒸鍍金屬過(guò)程中的真空度為≤1.5×10^-4pa蒸金屬的厚度采用頻率計(jì)來(lái)監(jiān)控。

第二步，利用光刻、蒸鍍、剝離法制作金屬網(wǎng)格。在該實(shí)施例中，先在第一步做好的pi上涂上az5214光刻膠，旋涂為1000rpm/3s+3000rpm/35s，烘膠112℃/50s，mjb4光刻機(jī)曝光20s，顯影液顯影得到具有光刻膠掩膜圖案的樣品，該圖案為正四邊形，四邊形的邊長(zhǎng)為10mm，網(wǎng)格線寬為100um。接著利用同第一步一樣的方法蒸鍍厚度為200nm的銀。然后將蒸鍍完銀的樣品泡在分析純的丙酮中，在后再超聲清洗機(jī)中超聲1.5min。超聲功率為50w。然后用去離子水沖洗干凈樣品得到帶有銀網(wǎng)格和超薄金屬疊層的透明導(dǎo)電電極。

第三步，利用溶液法涂覆zno層。在該實(shí)施例中將0.3mol無(wú)水醋酸鋅加入1l乙二醇甲醚溶液中70℃加熱攪拌1小時(shí)，然后將0.3mol乙醇胺加入上述溶液中，繼續(xù)70℃加熱攪拌2小時(shí)后，常溫?cái)嚢柽^(guò)夜得到zno的前驅(qū)體溶液。將zno的前驅(qū)體溶液旋涂在制備有超薄疊層金屬和銀網(wǎng)格的pi上，旋涂厚度為150nm。在手套箱中120℃加熱10min，然后在空氣中加熱60min，即可得到具有zno薄膜。

至此，基于聚酰亞胺(pi)的柔性透明導(dǎo)電電極制作完成。經(jīng)測(cè)試，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電電極與基底粘附性能良好，導(dǎo)電性以及透光率均良好。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。