本發(fā)明涉及有機(jī)光電材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管制造方法。

背景技術(shù)：

在目前照明和顯示領(lǐng)域中，由于有機(jī)發(fā)光二極管又稱為有機(jī)電激光顯示(organiclight-emittingdiode，oled)本身的特點(diǎn)，如低啟動(dòng)電壓，輕薄，自發(fā)光等特點(diǎn)，越來越多的被廣泛研究用于開發(fā)照明產(chǎn)品以及面板行業(yè)中，以達(dá)到低能耗，輕薄和面光源等需求。

為降低制作成本，通常要求制造原料中不含有稀有或者貴金屬，為此基于全有機(jī)材料的熒光有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)近些年受到青睞。目前，基于tadf技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管已經(jīng)取得了與磷光有機(jī)發(fā)光二極管相比擬的外部量子效率，然而，該類型器件往往都需要較為復(fù)雜的多層器件結(jié)構(gòu)以及摻雜工藝來實(shí)現(xiàn)，不利于制造成本的降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，保證發(fā)光效率同時(shí)低成本且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

本發(fā)明所述的有機(jī)發(fā)光二極管，包括襯底，依次層疊于所述襯底表面的陽(yáng)極、p型有機(jī)半導(dǎo)體層、n型有機(jī)半導(dǎo)體層及陰極，所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層與n型有機(jī)半導(dǎo)體層連接的交界面為曲面結(jié)構(gòu)。

其中，所述曲面結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底方向的厚度為10～100nm。

其中，所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層與n型有機(jī)半導(dǎo)體層為單層或者多層。

其中，所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層與n型有機(jī)半導(dǎo)體層連接的表面為第一曲面，n型有機(jī)半導(dǎo)體層與p型有機(jī)半導(dǎo)體層連接的交界面為第二曲面，第一曲面與第二曲面相對(duì)貼合構(gòu)成所述曲面結(jié)構(gòu)。

其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光光譜來源于所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層與n型有機(jī)半導(dǎo)體層形成的pn異質(zhì)結(jié)。

其中，所述第一曲面截面為波浪形、鋸齒形、矩形齒中的一種。

本發(fā)明所述的有機(jī)發(fā)光二極管方法，包括

在所述陽(yáng)極表面形成p型有機(jī)半導(dǎo)體層；

加工所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的表面形成曲面；

在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層，使所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層與p型有機(jī)半導(dǎo)體層的連接交界面為曲面結(jié)構(gòu)；

在所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層上形成陰極。

其中，所述加工所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的表面形成曲面的步驟中是通過壓印方式形成所述曲面。

其中，所述在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟中，通過蒸鍍或者溶液法在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層，以使所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層與所述曲面接觸的表面為與所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面貼合的曲面。

其中，所述加工所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的表面形成曲面的步驟中，采用蒸鍍或者溶液法形成厚度為20-100nm的所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層。

本發(fā)明所述有機(jī)發(fā)光二極管的p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的交界面a為曲面，大大增加p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13相互接觸的交界面a，從而增加了激子形成的概率和數(shù)量，可以大幅增加有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光量子效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的側(cè)面示意圖。

圖2是本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管制造方法流程圖。

圖3至圖5是本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管方法具體步驟示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明佳實(shí)施方式提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，用于顯示器中的發(fā)光器件。所述有機(jī)發(fā)光二極管包括襯底10，依次層疊于所述襯底10表面的陽(yáng)極11、p型有機(jī)半導(dǎo)體層12、n型有機(jī)半導(dǎo)體層13及陰極14。所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的交界面a為曲面結(jié)構(gòu)。所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光光譜來源于所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13形成的pn異質(zhì)結(jié)。所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層為p型空穴傳輸材料形成。n型有機(jī)半導(dǎo)體層為n型電子傳輸材料形成。

通過擴(kuò)散作用，將p型有機(jī)半導(dǎo)體層12、n型有機(jī)半導(dǎo)體層13制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)襯底10上，在它們的交界面a就形成空間電荷區(qū)稱為pn結(jié)(英語(yǔ)：pnjunction)。在p型有機(jī)半導(dǎo)體和n型有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)合后，n型區(qū)內(nèi)自由電子為多子空穴幾乎為零，而p型區(qū)內(nèi)空穴為多子，在它們的交界面a處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差。由于自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從n型區(qū)向p型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從p型區(qū)向n型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使p區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子，n區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。開路中半導(dǎo)體中的離子不能任意移動(dòng)，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動(dòng)的帶電粒子在p和n區(qū)交界面a附近，形成了一個(gè)空間電荷區(qū)。在空間電荷區(qū)形成后，由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)形成了內(nèi)電場(chǎng)，其方向是從帶正電的n區(qū)指向帶負(fù)電的p區(qū)。顯然，這個(gè)電場(chǎng)的方向與載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反，阻止擴(kuò)散。最后，多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為pn結(jié)，進(jìn)而形成發(fā)光中心；成為電子技術(shù)中許多器件所利用的特性，比如本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體二極管，也可以用于雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。

所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的交界面a是指p型有機(jī)半導(dǎo)體層12的表面與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13的表面接觸的位置。也可以說是互嵌式結(jié)構(gòu)。曲面結(jié)構(gòu)為波浪形、鋸齒形、矩形齒中的一種，其由p型有機(jī)半導(dǎo)體層12朝向n型有機(jī)半導(dǎo)體層13的表面形狀決定。其中，所述曲面結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底11方向的厚度為10～100nm，小于p型有機(jī)半導(dǎo)體層12朝向n型有機(jī)半導(dǎo)體層13的厚度之和。所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的交界面a為曲面，大大增加p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13相互接觸的交界面a，從而增加了激子形成的概率和數(shù)量，可以大幅增加有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光量子效率。

如圖4，具體的，所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的表面為第一曲面121，n型有機(jī)半導(dǎo)體層13與p型有機(jī)半導(dǎo)體層12連接的面為第二曲面(未標(biāo))，第一曲面121與第二曲面131相對(duì)貼合構(gòu)成所述曲面結(jié)構(gòu)的交界面a。所述第一曲面121截面為波浪形、鋸齒形、矩形齒中的一種。本實(shí)施例中為矩形齒結(jié)構(gòu)。所述曲面結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底11方向的厚度為矩形齒的高度。

本發(fā)明所述的有機(jī)發(fā)光二極管在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13連接的交界面a設(shè)置為曲面，增加p型有機(jī)半導(dǎo)體層12與n型有機(jī)半導(dǎo)體層13相互接觸的交界面a，從而增加了激子形成的概率和數(shù)量，增加有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光量子效率。

請(qǐng)參閱圖2本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管方法，可以制造上述的有機(jī)發(fā)光二極管，所述方法包括：

請(qǐng)參閱圖3-4，步驟s1，在在具有陽(yáng)極的襯底10上表面形成p型有機(jī)半導(dǎo)體層12；實(shí)際上是子陽(yáng)極11上形成p型有機(jī)半導(dǎo)體層12。本實(shí)施例采用蒸鍍或者溶液法形成厚度為20-100nm的所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層。

步驟s2，加工所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層12的表面形成曲面1,21；其中，所述加工所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的表面形成曲面的步驟中是通過壓印方式形成所述曲面。

請(qǐng)參閱圖5，步驟s3，在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面121上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層13，使所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層與p型有機(jī)半導(dǎo)體層的連接的交界面a為曲面結(jié)構(gòu)。

其中，所述在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟中，通過蒸鍍或者溶液法在所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面上形成n型有機(jī)半導(dǎo)體層，厚度為20-100nm，以使所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層與所述曲面接觸的表面為與所述p型有機(jī)半導(dǎo)體層的曲面貼合的曲面。

步驟s4，在所述n型有機(jī)半導(dǎo)體層上形成陰極14。

以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。