技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板及其制備方法。該方法包括：在襯底的一側(cè)形成柵極；在襯底的一側(cè)形成覆蓋柵極的柵絕緣層；在柵絕緣層遠離襯底的一側(cè)形成有源層；在柵絕緣層遠離襯底的一側(cè)形成覆蓋有源層的析氫層，并放置預(yù)定時間；去除析氫層的至少一部分；在未去除的所述析氫層遠離襯底的一側(cè)形成源極和漏極，或者去除全部所述析氫層后，在所述柵絕緣層和有源層遠離襯底的一側(cè)形成源極和漏極。由此，制備方法簡便成熟，易于工業(yè)化生產(chǎn)，該方法中設(shè)置的析氫層的析氫能力可達到火山調(diào)控曲線的峰值附近，催化活性極高，且氫在界面處的擴散速率非?？?，由此利用析氫層將有源層中的氫析出，降低有源層中的氫含量，進而提高薄膜晶體管的電學(xué)穩(wěn)定性和顯示效果，改善產(chǎn)品性能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉寧;周斌;汪軍;李廣耀
受保護的技術(shù)使用者：合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.07
技術(shù)公布日：2017.09.15