本發(fā)明的示例性實施方式涉及基片處理方法和基片處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、專利文獻1公開了一種技術(shù)，用于在半導體基片上形成能夠使用極紫外光（extreme?ultra?violet光，以下稱為“euv光”）進行圖案化的薄膜。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特表2021-523403號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一種調(diào)節(jié)抗蝕劑膜的曝光靈敏度的技術(shù)。

3、解決問題的技術(shù)手段

4、在本發(fā)明的一個示例性實施方式中，提供一種基片處理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；和工序（b），在所述基底膜上形成含金屬抗蝕劑膜，其中，所述工序（b）包括：工序（b1），在所述基底膜上形成含有金屬的第一抗蝕劑膜；和工序（b2），在所述第一抗蝕劑膜上形成以與所述第一抗蝕劑膜不同的組成比含有所述金屬的第二抗蝕劑膜。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，能夠提供一種調(diào)節(jié)抗蝕劑膜的曝光靈敏度的技術(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

6.如權(quán)利要求5所述的基片處理方法，其特征在于，

7.如權(quán)利要求5所述的基片處理方法，其特征在于，

8.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

9.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

10.如權(quán)利要求8或9所述的基片處理方法，其特征在于，

11.如權(quán)利要求8或9所述的基片處理方法，其特征在于，

12.如權(quán)利要求8或9所述的基片處理方法，其特征在于，

13.如權(quán)利要求8或9所述的基片處理方法，其特征在于，

14.如權(quán)利要求8或9所述的基片處理方法，其特征在于，

15.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，

16.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

17.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

18.如權(quán)利要求17所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

19.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

20.如權(quán)利要求18或19所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

21.一種基片處理系統(tǒng)，具有1個或多個基片處理裝置和控制部，其特征在于：

22.一種基片處理系統(tǒng)，具有1個或多個基片處理裝置和控制部，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供調(diào)節(jié)抗蝕劑膜的曝光靈敏度的技術(shù)。提供一種基片處理方法。該方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金屬抗蝕劑膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金屬的第一抗蝕劑膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蝕劑膜上形成以與第一抗蝕劑膜不同的組成比含有金屬的第二抗蝕劑膜（ST22）。

技術(shù)研發(fā)人員：熊倉翔,小野健太,中根由太,西冢哲也,本田昌伸
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/10