所公開的技術(shù)的各種實(shí)施方式總體上涉及一種包括散熱構(gòu)件的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、即使體積越來(lái)越小，電子產(chǎn)品越來(lái)越需要處理大容量數(shù)據(jù)。因此，越來(lái)越需要增加電子產(chǎn)品中使用的半導(dǎo)體器件的集成度。

2、隨著半導(dǎo)體器件的集成度增加，在半導(dǎo)體器件的操作期間生成的熱可能不利地影響半導(dǎo)體芯片的元件的操作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在實(shí)施方式中，一種半導(dǎo)體封裝可包括：散熱構(gòu)件，其具有穿過(guò)散熱構(gòu)件的第一表面的多個(gè)通孔；半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在散熱構(gòu)件的第一表面上；垂直連接器，其連接到半導(dǎo)體芯片；模制構(gòu)件，其密封半導(dǎo)體芯片，密封垂直連接器，并且填充多個(gè)通孔；以及重分布層，其設(shè)置在模制構(gòu)件上。

2、在實(shí)施方式中，一種制造半導(dǎo)體封裝的方法可包括以下步驟：在載體基板上形成具有多個(gè)通孔的散熱構(gòu)件；在散熱構(gòu)件上設(shè)置半導(dǎo)體芯片；形成連接到半導(dǎo)體芯片的垂直連接器；形成密封半導(dǎo)體芯片和垂直連接器并填充多個(gè)通孔的模制構(gòu)件；以及在模制構(gòu)件上形成重分布層。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述散熱構(gòu)件包括相比所述模制構(gòu)件具有較大楊氏模量的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述模制構(gòu)件包括環(huán)氧模塑料，并且其中，所述散熱構(gòu)件包括金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述散熱構(gòu)件包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述屏障金屬層包括相比所述鍍金屬層具有較低電離傾向的金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述多個(gè)通孔穿過(guò)所述屏障金屬層、所述種子金屬層和所述鍍金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述基準(zhǔn)標(biāo)記由與所述鍍金屬層相同的材料形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述多個(gè)通孔穿過(guò)所述鍍金屬層，未穿過(guò)所述種子金屬層，并且未穿過(guò)所述屏障金屬層。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述鍍金屬層的厚度大于所述種子金屬層的厚度和所述屏障金屬層的厚度之和。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述模制構(gòu)件未覆蓋所述散熱構(gòu)件的與所述第一表面相對(duì)的第二表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)粘合層附接到所述散熱構(gòu)件。

16.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括以下步驟：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述散熱構(gòu)件包括相比所述模制構(gòu)件具有較大楊氏模量的材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述模制構(gòu)件包括環(huán)氧模塑料，并且所述散熱構(gòu)件包括金屬。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述散熱構(gòu)件的步驟包括以下步驟：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述屏障金屬層包括相比所述鍍金屬層具有較低電離傾向的金屬。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，該方法還包括以下步驟：

23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，該方法還包括以下步驟：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，形成所述鍍金屬層的步驟包括以下步驟：與所述鍍金屬層一起形成所述基準(zhǔn)標(biāo)記。

25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，設(shè)置所述半導(dǎo)體芯片的步驟包括以下步驟：使用所述基準(zhǔn)標(biāo)記作為參考點(diǎn)來(lái)確定所述半導(dǎo)體芯片的位置。

26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，該方法還包括以下步驟：

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及包括散熱構(gòu)件的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。一種半導(dǎo)體封裝包括散熱構(gòu)件，該散熱構(gòu)件具有穿過(guò)散熱構(gòu)件的第一表面的多個(gè)通孔。該半導(dǎo)體封裝還包括設(shè)置在散熱構(gòu)件的第一表面上的半導(dǎo)體芯片以及連接到半導(dǎo)體芯片的垂直連接器。該半導(dǎo)體封裝還包括模制構(gòu)件，該模制構(gòu)件密封半導(dǎo)體芯片，密封垂直連接器，并且填充多個(gè)通孔。該半導(dǎo)體封裝另外包括設(shè)置在模制構(gòu)件上的重分布層。

技術(shù)研發(fā)人員：金俊英
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛(ài)思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19