本公開(kāi)涉及一種多層電子組件。

背景技術(shù)：

1、多層陶瓷電容器（mlcc，一種多層電子組件）是安裝在各種電子產(chǎn)品（諸如包括液晶顯示器（lcd）或等離子體顯示面板（pdp）的成像裝置、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)或移動(dòng)電話）中的任何一種的印刷電路板上的片式電容器，用于對(duì)其充電或從其放電。

2、多層陶瓷電容器具有小的尺寸，實(shí)現(xiàn)高電容并且容易安裝在板上，因此可用作各種電子裝置的組件。

3、近來(lái)，隨著電子裝置具有更小的尺寸和更高的性能，多層陶瓷電容器也趨向于小型化和更高的電容。因此，確保多層陶瓷電容器的高可靠性的重要性正在增加。

4、為了使這種多層陶瓷電容器小型化，存在減小外電極的厚度的趨勢(shì)，并且即使外電極的厚度減小，也需要確保在高溫和高濕度環(huán)境中的可靠性的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一方面在于提供一種具有優(yōu)異可靠性的多層電子組件。

2、本公開(kāi)的一方面在于改善內(nèi)電極和外電極之間的電連接性。

3、本公開(kāi)的一方面在于改善多層電子組件的單位體積的電容。

4、然而，本公開(kāi)的目的不限于上述內(nèi)容，并且可在解釋本公開(kāi)的具體實(shí)施例的過(guò)程中更容易理解。

5、根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種多層電子組件可包括：主體，包括介電層和與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極；界面鍍層，設(shè)置在所述內(nèi)電極的靠近所述主體的外表面的一端處；以及外電極，設(shè)置為覆蓋所述界面鍍層和所述主體的所述外表面的未設(shè)置所述界面鍍層的部分，并且所述外電極包括電極層，所述電極層包括包含si和al的玻璃以及導(dǎo)電金屬，其中，所述電極層包括與所述界面鍍層相鄰的內(nèi)部區(qū)域和設(shè)置在所述內(nèi)部區(qū)域上的外部區(qū)域，并且包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率可高于包括在所述外部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率。

技術(shù)特征：

1.一種多層電子組件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率大于等于包括在所述外部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率的三倍。

3.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率大于等于80%，并且包括在所述外部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率小于等于30%。

4.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，在從所述內(nèi)部區(qū)域與所述界面鍍層的界面向外在1μm以內(nèi)的區(qū)域中，包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率大于等于80%。

5.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述內(nèi)部區(qū)域具有大于等于1μm且小于等于5μm的平均厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述玻璃還包括fe。

7.如權(quán)利要求6所述的多層電子組件，其中，所述玻璃還包括選自由sio2、al2o3和fe2o3組成的組中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述玻璃還包括堿性氧化物。

9.如權(quán)利要求8所述的多層電子組件，其中，所述堿性氧化物包括li2o和na2o中的一種或多種。

10.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層具有非晶結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層包括p和b中的一種或多種以及ni。

12.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層包括ni和p，并且包括在所述界面鍍層中的p含量與ni含量的質(zhì)量比率大于等于8%且小于等于15%。

13.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層包括ni和b，并且包括在所述界面鍍層中的b含量與ni含量的質(zhì)量比率大于等于2.5%且小于等于10%。

14.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述主體包括槽部，在所述槽部中，所述內(nèi)電極的所述一端與所述主體的所述外表面間隔開(kāi)，并且

15.如權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述內(nèi)電極在第一方向上與所述介電層交替地設(shè)置，且所述主體包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面，并且

16.如權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述內(nèi)電極在第一方向上與所述介電層交替地設(shè)置，且所述主體包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面，并且

17.如權(quán)利要求16所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層分別設(shè)置在所述第三表面和所述第四表面上并且設(shè)置在所述第一表面的延長(zhǎng)線和所述第二表面的延長(zhǎng)線之間的整個(gè)區(qū)域中。

18.如權(quán)利要求16所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層分別設(shè)置在所述第三表面和所述第四表面上并且部分地設(shè)置在所述第一表面的延長(zhǎng)線和所述第二表面的延長(zhǎng)線之間。

19.如權(quán)利要求16所述的多層電子組件，其中，所述界面鍍層分別設(shè)置在所述第三表面和所述第四表面上并且延伸到所述第一表面的一部分和所述第二表面的一部分上。

20.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述導(dǎo)電金屬的面積分率低于包括在所述外部區(qū)域中的所述導(dǎo)電金屬的面積分率。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種多層電子組件。所述多層電子組件包括：主體，包括介電層和與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極；界面鍍層，設(shè)置在所述內(nèi)電極的靠近所述主體的外表面的一端處；以及外電極，設(shè)置為覆蓋所述界面鍍層和所述主體的所述外表面的未設(shè)置所述界面鍍層的部分，并且所述外電極包括電極層，所述電極層包括包含Si和Al的玻璃以及導(dǎo)電金屬，其中，所述電極層包括與所述界面鍍層相鄰的內(nèi)部區(qū)域和設(shè)置在所述內(nèi)部區(qū)域上的外部區(qū)域，并且包括在所述內(nèi)部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率可高于包括在所述外部區(qū)域中的所述玻璃的面積分率。

技術(shù)研發(fā)人員：姜同河,房惠民,崔惠英,姜范錫,具賢熙,全炳俊,金弘錫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19