本公開(kāi)關(guān)于一種切割結(jié)構(gòu)、一種半導(dǎo)體元件及一種半導(dǎo)體元件的制備方法。特別是有關(guān)于一種包含該切割結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，以及一種半導(dǎo)體元件的制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體元件使用在不同的電子應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，或其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件的尺寸逐漸地變小，以符合計(jì)算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的制程期間，增加不同的問(wèn)題，且如此的問(wèn)題持續(xù)增加。因此，仍然持續(xù)著在達(dá)到改善品質(zhì)、良率、效能與可靠度以及降低復(fù)雜度方面的挑戰(zhàn)。

2、上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明僅提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明揭示本公開(kāi)的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開(kāi)的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一實(shí)施例提供一種切割結(jié)構(gòu)，包括二主要切割絕緣層，位于一次要切割絕緣層的兩端并向上延伸，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層共同構(gòu)成一u形剖面輪廓；一導(dǎo)電部，位于該切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍；以及一覆蓋部，位于該導(dǎo)電部上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。

2、本公開(kāi)的另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件，包括一隔離層，位于一基底中，以在一頂視圖中沿一第一傾斜方向界定一預(yù)切割區(qū)域；至少二切割結(jié)構(gòu)，位于該預(yù)切割區(qū)域中，分別包括：二主要切割絕緣層，位于一次要切割絕緣層的兩端并向上延伸；一導(dǎo)電部，位于該次要切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍；以及一覆蓋部，位于該導(dǎo)電部上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層共同構(gòu)成一u形剖面輪廓。一主動(dòng)區(qū)借由一對(duì)相鄰的切割結(jié)構(gòu)而界定在該預(yù)切割區(qū)域內(nèi)。

3、本公開(kāi)的另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括形成一隔離層在一基底中以界定一預(yù)切割區(qū)域，該預(yù)切割區(qū)域在一頂視圖中沿一第一傾斜方向延伸，形成一下圖案層在該基底上，以及形成一中間圖案圖層在該下圖案圖層上；使用一主要遮罩層圖案化該下圖案層和該中間圖案層，該主要遮罩層在一頂視圖中沿著一第二傾斜方向延伸，形成一第一下圖案層及一第一中間圖案層，其暴露出該預(yù)切割區(qū)域；形成一上圖案圖層以覆蓋該主要下圖案圖層、該主要中間圖案圖層以及該預(yù)切割區(qū)域；使用一次要遮罩層圖案化該上圖案層，該次要遮罩層沿著與該第一傾斜方向和該第二傾斜方向交叉的一第一方向延伸，得到一主要上圖案層，其包括暴露該預(yù)切割區(qū)域的至少二第一類(lèi)型空間以及暴露該主要中間圖案層的一第二類(lèi)型空間；以及加深該第一類(lèi)型空間以形成至少二第一類(lèi)型凹陷在該預(yù)切割區(qū)域中，并形成至少二切割結(jié)構(gòu)在該第一類(lèi)型凹陷中。該第一傾斜方向與該第二傾斜方向相交，并且由相鄰的一對(duì)切割結(jié)構(gòu)在該預(yù)切割區(qū)域內(nèi)界定一主動(dòng)區(qū)。

4、由于本公開(kāi)的半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)，切割結(jié)構(gòu)和主動(dòng)區(qū)的形成可以與字元線結(jié)構(gòu)的形成整合。這種整合降低了制造半導(dǎo)體元件的復(fù)雜度和成本。另外，借由精心控制該等主要切割絕緣層和該等次要切割絕緣層的制程參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)切割結(jié)構(gòu)的良好控制的絕緣能力。

5、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開(kāi)的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，而使下文的本公開(kāi)詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開(kāi)的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本公開(kāi)相同的目的。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類(lèi)等效建構(gòu)無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開(kāi)的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中形成該至少二切割結(jié)構(gòu)包含：

3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，更包含形成一第一字元線結(jié)構(gòu)在該第二類(lèi)型凹陷中。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，更包含形成一第二字元線結(jié)構(gòu)在該第三類(lèi)型凹陷中。

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其中形成該第一字元線結(jié)構(gòu)在該第二類(lèi)型凹陷中包含：

6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其中形成該第二字元線結(jié)構(gòu)在該第三類(lèi)型凹陷中包含：

7.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中所述至少二主要切割絕緣層和所述至少二次要切割絕緣層包括相同材料。

8.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中所述至少二主要切割絕緣層和所述至少二次要切割絕緣層包括不同材料。

9.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中該第一字元線導(dǎo)電層包含在該第一字元線介電層上的一底部分與在該底部分上的一頂部分。

10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其中該第二字元線導(dǎo)電層包含在該第二字元線介電層上的一底部分與在該底部分上的一頂部分。

11.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中該第二類(lèi)型凹陷比該第三類(lèi)型凹陷窄。

12.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中該第三類(lèi)型凹陷比該第一類(lèi)型凹陷窄。

技術(shù)總結(jié)
提供一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括形成隔離層在基底中以界定預(yù)切割區(qū)域，形成下圖案層在基底上，以及形成中間圖案圖層在下圖案圖層上；使用主要遮罩層圖案化下圖案層和中間圖案層，形成第一下圖案層及第一中間圖案層，其暴露出預(yù)切割區(qū)域；形成上圖案圖層以覆蓋主要下圖案圖層、主要中間圖案圖層以及預(yù)切割區(qū)域；使用次要遮罩層圖案化上圖案層，得到主要上圖案層，其包括至少二第一類(lèi)型空間以及第二類(lèi)型空間；以及加深第一類(lèi)型空間以形成至少二第一類(lèi)型凹陷在預(yù)切割區(qū)域中，并形成至少二切割結(jié)構(gòu)在第一類(lèi)型凹陷中。第一傾斜方向與第二傾斜方向相交，并且由相鄰的一對(duì)切割結(jié)構(gòu)在預(yù)切割區(qū)域內(nèi)界定主動(dòng)區(qū)。

技術(shù)研發(fā)人員：魏均諺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15