本公開總體上涉及用于制造電子器件的設(shè)備和方法。更具體地講，本公開涉及去除在處理腔室中形成的半導(dǎo)體膜內(nèi)的氧化物和碳。

背景技術(shù)：

1、在制造半導(dǎo)體器件之前，希望晶片或襯底的表面是清潔的。襯底上的污染可能不利地影響所形成的半導(dǎo)體器件的機械和電特性。希望在將特定膜沉積到襯底上之前去除這些污染物。

2、存在于硅或硅鍺襯底上的污染物可包括碳基污染物，如含碳污染物和碳氫化合物污染物。其他污染物可包括氧基污染物，如天然氧化物。在可以開始外延過程之前去除這些污染物可能是必要的。

3、先前的污染物去除方法著重于去除其中一種污染物，無論是碳基還是氧基的，但不是兩者。這可能部分是由于先前方法的設(shè)備限制。因此，希望去除碳基和氧基兩種污染物的系統(tǒng)和方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碳去除步驟包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碳去除步驟包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一氣體包括以下至少一種：nf3、cf4、c2f6、c4f6、c4f8、cof2、sf6或wf6。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二氣體包括以下至少一種：h2、nh3、h2o、o2或o3。

6.一種用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述碳去除步驟包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述碳去除步驟包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一氣體包括以下至少一種：nf3、cf4、c2f6、c4f6、c4f8、cof2、sf6或wf6。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二氣體包括以下至少一種：h2、nh3、h2o、o2或o3。

技術(shù)總結(jié)
公開了一種用于在單個處理腔室內(nèi)從半導(dǎo)體襯底去除碳基污染物和氧基污染物兩者的系統(tǒng)和方法。本發(fā)明可以包括利用遠程等離子單元和多個氣體源在所述單個處理腔室中執(zhí)行處理。

技術(shù)研發(fā)人員：林興,高培培,王非,J·托勒,B·B·瓊迪斯沃倫,V·拉瑪納坦,E·希爾
受保護的技術(shù)使用者：ASM IP控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22