透明顯示基板和透明顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 實(shí)施例設(shè)及透明顯示基板和透明顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 最近，已經(jīng)考慮例如具有透明或透射特性的有機(jī)發(fā)光顯示器（OLED)設(shè)備的顯示 設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 各實(shí)施例設(shè)及透明顯示基板、透明顯示設(shè)備和制造透明顯示設(shè)備的方法。
[0004] 實(shí)施例可W通過提供一種透明顯示基板來實(shí)現(xiàn)，該透明顯示基板包括：包括像素 區(qū)域和透射區(qū)域的基底基板；位于基底基板的像素區(qū)域上的像素電路；位于基底基板上覆 蓋像素電路的絕緣層；被選擇性地設(shè)置在基底基板的像素區(qū)域上的像素電極，像素電極至 少部分地穿過絕緣層電連接至像素電路；W及被選擇性地設(shè)置在基底基板的透射區(qū)域上的 透射層結(jié)構(gòu)，透射層結(jié)構(gòu)至少包括無機(jī)材料，無機(jī)材料基本上由氮氧化娃組成。 陽〇化]透明顯示基板可W進(jìn)一步包括位于基底基板與像素電路之間的阻擋層。
[0006] 透明顯示基板可W進(jìn)一步包括位于阻擋層與像素電路之間的緩沖層。
[0007] 阻擋層和緩沖層可W基本上由氮氧化娃組成。
[0008] 透射層結(jié)構(gòu)可W包括阻擋層和緩沖層的形成在透射區(qū)域上的部分。
[0009] 阻擋層和緩沖層的包括在透射層結(jié)構(gòu)中的部分可W彼此合并，使得透射層結(jié)構(gòu)具 有單層結(jié)構(gòu)。
[0010] 絕緣層可W被選擇性地設(shè)置在像素區(qū)域上，并且不在透射區(qū)域上延伸。
[0011] 像素電路可W包括被堆疊在阻擋層上的有源圖案、柵電極、源電極和漏電極，絕緣 層可W包括：位于阻擋層上覆蓋有源圖案的柵絕緣層；位于柵絕緣層上覆蓋柵電極的絕緣 夾層；W及位于絕緣夾層上覆蓋源電極和漏電極的過孔絕緣層，源電極和漏電極可W延伸 穿過絕緣夾層和柵絕緣層，W與有源圖案接觸，并且像素電極可W位于過孔絕緣層上，且可 W延伸穿過過孔絕緣層，W與漏電極接觸。
[0012] 過孔絕緣層可W包括有機(jī)材料，并且被選擇性地設(shè)置在像素區(qū)域上。
[0013] 柵絕緣層和絕緣夾層可W基本上由氮氧化娃組成。
[0014] 柵絕緣層和絕緣夾層可W共同地且連續(xù)地在像素區(qū)域和透射區(qū)域上延伸。透射層 結(jié)構(gòu)可W包括阻擋層、柵絕緣層和絕緣夾層的形成在透射區(qū)域上的部分。
[0015] 包括在透射層結(jié)構(gòu)中的各層可W彼此合并，W具有單層結(jié)構(gòu)。
[0016] 透明顯示基板可W進(jìn)一步包括位于阻擋層與柵絕緣層之間的緩沖層，其中阻擋層 和緩沖層基本上由氮氧化娃組成。
[0017] 阻擋層、緩沖層、柵絕緣層和絕緣夾層中的至少一個可W包括氮氧化娃，并可W包 括氧和氮的相對垂直的濃度梯度。
[0018] 緩沖層在與阻擋層的界面處可W更富含氮，并且在與柵絕緣層的界面處可W更富 含氧。
[0019] 柵絕緣層在與緩沖層的界面處可W更富含氧，并且在與絕緣夾層的界面處可W更 邑含頸。
[0020] 透明顯示基板可W進(jìn)一步包括位于基底基板與像素電路之間的緩沖層。緩沖層可 W基本上由氮氧化娃組成。透射層結(jié)構(gòu)可W包括緩沖層的形成在透射區(qū)域上的部分。
[0021] 實(shí)施例可W通過提供一種透明顯示設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，該透明顯示設(shè)備包括：包括像素 區(qū)域和透射區(qū)域的基底基板；位于基底基板的像素區(qū)域上的像素電路；被選擇性地設(shè)置在 基底基板的像素區(qū)域上的像素電極，像素電極電連接至像素電路；位于像素電極上的顯示 層；位于顯示層上面對像素電極的對電極；被選擇性地設(shè)置在基底基板的透射區(qū)域上的透 射層結(jié)構(gòu)，透射層結(jié)構(gòu)至少包括無機(jī)材料，無機(jī)材料基本上由氮氧化娃組成；W及被限定在 基底基板的透射區(qū)域上的透射窗，透射層結(jié)構(gòu)的頂表面通過透射窗被暴露。
[0022] 透明顯示設(shè)備可W進(jìn)一步包括：位于基底基板與像素電路之間的阻擋層；順序形 成在阻擋層上并部分地覆蓋像素電路的柵絕緣層和絕緣夾層；被選擇性地設(shè)置在像素區(qū)域 的絕緣夾層的一部分上并覆蓋像素電路的過孔絕緣層；W及位于過孔絕緣層上并部分地覆 蓋像素電極的像素限定層。
[0023] 阻擋層、柵絕緣層和絕緣夾層可W被共同地提供在像素區(qū)域和透射區(qū)域上，并且 透射層結(jié)構(gòu)可W包括阻擋層、柵絕緣層和絕緣夾層的形成在透射區(qū)域上的部分。
[0024] 透射窗可W由像素限定層的側(cè)壁和過孔絕緣層的側(cè)壁W及絕緣夾層的頂表面限 定。
[0025] 柵絕緣層和絕緣夾層可W被選擇性地設(shè)置在像素區(qū)域上，并且透射窗可W由像素 限定層的側(cè)壁、過孔絕緣層的側(cè)壁、絕緣夾層的側(cè)壁和柵絕緣層的側(cè)壁W及阻擋層的頂表 面限定。
[00%] 對電極可W沿像素限定層和顯示層的表面、W及透射窗的底部和側(cè)壁形成，并且 對電極在透射窗的底部和側(cè)壁上的部分的厚度可W小于對電極在像素限定層和顯示層的 表面上的部分的厚度。
[0027] 對電極可W被選擇性地設(shè)置在像素區(qū)域上，并且可W不在透射區(qū)域上延伸。
[0028] 透明顯示設(shè)備可W進(jìn)一步包括位于透射層結(jié)構(gòu)上的沉積控制層。
[0029] 對電極可W被共同地設(shè)置在像素區(qū)域和透射區(qū)域上。
[0030] 對電極在透射區(qū)域上的厚度可W小于對電極在像素區(qū)域上的厚度。
[0031] 透明顯示設(shè)備可W進(jìn)一步包括位于基底基板與像素電路之間的緩沖層。緩沖層可 W基本上由氮氧化娃組成。透射層結(jié)構(gòu)可W包括緩沖層的形成在透射區(qū)域上的部分。
[0032] 顯示層可W包括多個層，并且多個層的至少一個可W被共同地提供在像素區(qū)域和 透射區(qū)域上。
[0033] 透明顯示設(shè)備可W進(jìn)一步包括位于對電極上的封裝層。封裝層可W貫穿像素區(qū)域 和透射區(qū)域延伸。
[0034] 實(shí)施例可通過提供一種制造透明顯示設(shè)備的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括將基底基板 裝載到工藝室中，基底基板包括像素區(qū)域和透射區(qū)域；在工藝室中引入氧化娃前體和可變 流速的氮源，W在基底基板上形成阻擋層，使得阻擋層基本上由氮氧化娃組成；在阻擋層上 形成像素電路；在阻擋層上形成絕緣層，使得絕緣層覆蓋像素電路；在絕緣層上形成像素 電極，使得像素電極電連接至像素電路；至少部分地除去絕緣層在透射區(qū)域上的一部分； 在像素電極上形成顯示層；W及在顯示層上形成對電極。
[0035] 形成阻擋層可W包括通過調(diào)節(jié)氮源的流速創(chuàng)建氧和氮的相對的濃度梯度。
[0036] 基底基板可W包括聚酷亞胺類樹脂，氮源可W包括多種不同的含氮?dú)怏w，并且形 成阻擋層可W包括調(diào)節(jié)含氮?dú)怏w的相對流速，使得阻擋層的折射率與基底基板的折射率一 致。
【附圖說明】
[0037] 通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，各特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將顯而易 見，附圖中：
[003引圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示基板的示意性俯視圖；
[0039] 圖2和圖3示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示基板的剖視圖； W40] 圖4和圖5示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示基板的剖視圖；
[0041] 圖6和圖7示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示設(shè)備的剖視圖；
[0042] 圖8和圖9示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示設(shè)備的剖視圖；
[0043] 圖10示出了根據(jù)一些示例性實(shí)施例的透明顯示設(shè)備的剖視圖；
[0044] 圖11至圖17B示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造透明顯示設(shè)備的方法中各階 段的剖視圖；和 W45] 圖18至圖20示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造透明顯示設(shè)備的方法中各階段 的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046] 在下文中將參考附圖更充分地描述示例性實(shí)施例；然而，示例性實(shí)施例可W W不 同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于本文所提出的實(shí)施例。相反，提供運(yùn)些實(shí)施例是為了使 得本公開充分和完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方式。
[0047] 在圖中，為了例示清楚，層和區(qū)域的尺寸可能被夸大了。貫穿全文，相同的附圖標(biāo) 記指代相同的元件。 W48] 將理解的是，雖然術(shù)語"第一"、"第二"、"第S "等可在本文中用來描述各種元件， 但是運(yùn)些元件不應(yīng)該受運(yùn)些術(shù)語的限制。運(yùn)些術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件與另一個元件。因 此，下面討論的第一元件可W被稱為第二元件，而不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。如本文所用， 術(shù)語"和/或"包括所列的相關(guān)聯(lián)項目中的一個或多個的任意和所有組合。
[0049] 將理解的是，當(dāng)一元件被稱為"連接"或"聯(lián)接"到另一元件時，它可W直接連接或 聯(lián)接到另一元件，或者可W存在中間元件。相反，當(dāng)一元件被稱為"直接連接"或"直接聯(lián)接" 到另一元件時，不存在中間元件。用于描述各元件之間的關(guān)系的其它詞語應(yīng)該W類似方式 來解釋（例如"上"對"直接上"、"之間"對"直接之間"、"相鄰"對"直接相鄰"等）。
[0050] 如本文所用，單數(shù)形式的"一個"和"該"旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明 確說明。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在此說明書中使用時，術(shù)語"包括"表明存在所陳述的特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、 操作、元件、組件和/或它們的組。
[0051] 除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有本發(fā)明構(gòu)思所 屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。將進(jìn)一步理解，例如那些在常用字 典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文的含義一致的含義，將不W 理想化或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。
[0052] 圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示基板的示意性俯視圖。圖2和圖3示出 了根據(jù)示例性實(shí)施例的透明顯示基板的剖視圖。例如，圖2和圖3示出了沿圖1的線1-1' 截取的剖視圖。 陽05引參考圖1和圖2,透明顯示基板可W包括像素區(qū)域PA和透射區(qū)域TA。
[0054] 像素區(qū)域PA可W包括可W彼此相鄰的紅色像素 Pr、綠色像素 Pg和藍(lán)色像素化。 透射區(qū)域TA可W與像素區(qū)域PA相鄰。如圖1所示，透射區(qū)域TA可W連續(xù)地延伸，W與紅 色像素 Pr、綠色像素 Pg和藍(lán)色像素化相鄰。在一個實(shí)施方式中，透射區(qū)域TA可W對于每 個像素被單獨(dú)地圖案化。
[0055] 晶體管（例如薄膜晶體管：TFT)可W被設(shè)置在每個像素中，并且晶體管可W電連 接至數(shù)據(jù)線D和掃描線S。如圖1所示，數(shù)據(jù)線D和掃描線S可彼此交叉，并且每個像素可 被限定在數(shù)據(jù)線D和掃描線S的交叉區(qū)域。像素電路可W由數(shù)據(jù)線D、掃描線S和晶體管限 定。
[0056] 像素電路可W進(jìn)一步包括可W與數(shù)據(jù)線D平行的電源線。此外，電連接至電源線 和晶體管的電容器可W被設(shè)置在每個像素中。
[0057] 圖1和圖2示出了一個晶體管被設(shè)置在每個像素中，但是，在一個實(shí)施方式中，至 少兩個晶體管可W被設(shè)置在每個像素中。例如，開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管可被設(shè)置在每個 像素中。電容器可W電連接在開關(guān)晶體管與驅(qū)動晶體管之間。