陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板行驅(qū)動(Gate driver On Array，GOA)技術(shù)作為一種新型顯示技術(shù)，通過將掃描驅(qū)動電路集成在陣列基板上，以去掉掃描驅(qū)動集成電路的部分，從而節(jié)省材料并減少工藝步驟，達(dá)到降低產(chǎn)品成本的目的。然而除了掃描驅(qū)動電路之外，現(xiàn)有技術(shù)很少有將其他電路也集成制作在陣列基板上。其原因主要在于，例如數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的電路模組相較于掃描驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)而言更加復(fù)雜，若要將其制作于玻璃基板上則需要占用相當(dāng)大的面積，因而勢必會壓縮顯示區(qū)的面積。另外，例如數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的電路模組必須能夠正確且快速的處理大量顯示數(shù)據(jù)，因此對組成器件的特性(尤其是反應(yīng)速度)有著嚴(yán)格的要求?；谏鲜鲈?，以現(xiàn)有工藝制作形成的陣列基板無法滿足其他電路模組整合至陣列基板的性能需求，因而無法實(shí)現(xiàn)掃描驅(qū)動電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路在同一基板上的整合。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，實(shí)現(xiàn)了掃描驅(qū)動電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路在基板上的整合制作。
[0004]第一方面，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括單晶硅基板、陣列電路層和陽極導(dǎo)電層；其中，
[0005]所述單晶硅基板上設(shè)有中央顯示區(qū)域、第一周邊區(qū)域和第二周邊區(qū)域；所述中央顯示區(qū)域包括多個(gè)像素區(qū)域；
[0006]所述陣列電路層形成在所述單晶硅基板上，包括有源區(qū)形成在所述單晶硅基板內(nèi)的若干個(gè)晶體管；所述陣列電路層在所述第一周邊區(qū)域內(nèi)形成掃描驅(qū)動電路、在所述第二周邊區(qū)域內(nèi)形成數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、在每一所述像素區(qū)域內(nèi)形成像素電路；
[0007]所述陽極導(dǎo)電層在每一所述像素區(qū)域內(nèi)的所述陣列電路層上形成，用于分別在每一所述像素區(qū)域內(nèi)輸出有機(jī)發(fā)光層的驅(qū)動電流，并用于反射來自所述有機(jī)發(fā)光層的光線。
[0008]可選地，所述陣列電路層包括:
[0009]形成在所述單晶硅基板上的第一絕緣層；
[0010]形成在所述第一絕緣層上的第一金屬層，所述第一金屬層包括所述若干個(gè)晶體管的柵電極的圖形；
[0011]覆蓋所述第一金屬層和所述第一絕緣層的第二絕緣層；
[0012]形成在所述第二絕緣層上的第二金屬層，所述第二金屬層包括所述若干個(gè)晶體管的源電極的圖形和漏電極的圖形；
[0013]位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的多個(gè)第一過孔；所述若干個(gè)晶體管的源電極的圖形和漏電極的圖形通過所述多個(gè)第一過孔與所述單晶硅基板內(nèi)的有源區(qū)接觸。
[0014]可選地，所述陣列電路層還包括覆蓋所述第二金屬層和所述第二絕緣層的平坦化層；
[0015]在每一所述像素區(qū)域內(nèi)，所述平坦化層中形成有用于將所述第二金屬層中至少一個(gè)晶體管的源電極的圖形或漏電極的圖形連接至所述陽極導(dǎo)電層的第二過孔。
[0016]可選地，所述多個(gè)像素區(qū)域由形成在所述中央顯示區(qū)域內(nèi)的多行掃描線與多列數(shù)據(jù)線交叉限定出來；所述掃描驅(qū)動電路與所述多行掃描線相連；所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路與所述多列數(shù)據(jù)線相連。
[0017]可選地，每一所述像素區(qū)域內(nèi)的所述像素電路均各自連接一行掃描線和一列數(shù)據(jù)線；所述像素電路用于在所述掃描線上的信號的控制下根據(jù)來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓生成流向陽極導(dǎo)電層的驅(qū)動電流。
[0018]可選地，所述第一金屬層包括所述多行掃描線的圖形，所述第二金屬層包括所述多列數(shù)據(jù)線的圖形；
[0019]或者，所述第二金屬層包括所述多行掃描線的圖形，所述第一金屬層包括所述多列數(shù)據(jù)線的圖形。
[0020]可選地，任一所述晶體管的形成區(qū)域占所述陣列基板的面積均小于第一預(yù)定值。
[0021]可選地，所述若干個(gè)晶體管均為P型晶體管。
[0022]第二方面，本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種的陣列基板。
[0023]可選地，還包括位于該陣列基板上并且一側(cè)與所述陽極導(dǎo)電層相接觸的有機(jī)發(fā)光層，以及與所述有機(jī)發(fā)光層的另一側(cè)相接觸的透明的陰極導(dǎo)電層。
[0024]由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型采用單晶硅基板作為襯底，并將包括掃描驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路以及像素電路的陣列電路層中若干個(gè)晶體管的有源區(qū)形成在單晶硅基板內(nèi)。由于單晶硅的載流子迀移率可以超過600Cm2/V-SeC，因此數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和掃描驅(qū)動電路內(nèi)部的晶體管都可以具有足夠尚的性能，并在保障性能的同時(shí)在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上縮小尺寸，使得數(shù)據(jù)驅(qū)動電路與掃描驅(qū)動電路不會占用很大的基板面積，實(shí)現(xiàn)掃描驅(qū)動電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路在基板上的整合制作?；诖?，本實(shí)用新型可以縮小顯示區(qū)外的面積、增加畫面顯示面積，還可以保障電路性能和像素?cái)?shù)目不變的情況下縮小裝置尺寸，并有利于提高顯示裝置的顯示分辨率。
[0025]當(dāng)然，實(shí)施本實(shí)用新型的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1A和圖1B是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中增加畫面顯示面積的效果示意圖；
[0029]圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中減小裝置尺寸的效果示意圖；
[0030]圖4A、圖4B和圖4C分別是非晶硅制程下、多晶硅制程下和本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的顯示分辨率的對比示意圖；
[0031]圖5是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種陣列基板中的電路連接關(guān)系示意圖；
[0033]圖7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖8是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種陣列基板的制造方法的步驟流程示意圖；
[0035]圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中第一周邊區(qū)域內(nèi)的有源區(qū)的示意圖；
[0036]圖10是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中有源區(qū)制作完成后的單晶硅基板的剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0037]圖11至圖16是上述陣列電路層在制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039]圖1A和圖1B是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖。參見圖1A和圖1B，該陣列基板包括單晶硅基板11、陣列電路層12和陽極導(dǎo)電層13。其中，單晶硅基板11上設(shè)有中央顯示區(qū)域A1、第一周邊區(qū)域A2和第二周邊區(qū)域A3 ;中央顯示區(qū)域A1包括多個(gè)像素區(qū)域P0。需要說明的是，中央顯示區(qū)域A1內(nèi)多個(gè)像素區(qū)域P0的設(shè)置可以根據(jù)具體顯示應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，本發(fā)明對此不做限制。
[0040]在此基礎(chǔ)之上，上述陣列電路層12形成在單晶硅基板11上，并包括有源區(qū)形成在單晶硅基板11內(nèi)的若干個(gè)晶體管。由此，陣列電路層12在第一周邊區(qū)域A2內(nèi)形成掃描驅(qū)動電路12b、在第二周邊區(qū)域A3內(nèi)形成數(shù)據(jù)驅(qū)動電