專利名稱：一種斷路器熱記憶電路及其充電調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種智能型斷路器，尤其涉及一種斷路器的熱記憶電路，用以保護(hù)線路及電動機(jī)負(fù)載等，屬于斷路器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
斷路器的熱記憶功能是指斷路器將主回路的能量(熱量，主要與主回路電流有關(guān))信息記錄下來并加以保存，以給下次主回路出現(xiàn)過載時的能量累加提供依據(jù)的功能。 其包括帶電熱記憶和斷電熱記憶兩種。目前帶電熱記憶比較容易實(shí)現(xiàn)，但需要依賴外部電源。斷電熱記憶則可以在系統(tǒng)完全斷電的情況下保存能量信息，并在系統(tǒng)斷電后模擬能量衰減，其需要使用外部儲能器件來實(shí)現(xiàn)。目前斷路器的斷電熱記憶功能普遍采用的是通過控制對外部儲能電容充電來記錄當(dāng)前主回路的能量累加，以電容的自然放電過程來模擬在斷電情況下主回路的釋能，電容兩端的電壓反映了主回路的能量情況。目前較為普遍采用的斷電熱記憶電路如圖1所示，當(dāng)電流互感器2檢測到過載電流時，微處理器4將電流計算為相應(yīng)的能量，并輸出一定寬度的脈沖來控制開關(guān)單元Ql使其接通，這樣電源電壓VCC就可以通過開關(guān)單元Ql向充電電路的電容Cl充電。同時微處理器4檢測該電容Cl上的電壓，與當(dāng)前計算的相應(yīng)能量的累積值比較后，調(diào)整脈沖寬度來控制該電容上的充電電壓，做到能量累積與電容電壓的匹配；當(dāng)能量累積達(dá)到斷路器1的動作條件后，電子脫扣器中的處理器單元驅(qū)動磁通變換器3使斷路器1動作，系統(tǒng)斷電，電源電壓VCC不再對充電電路的電容Cl進(jìn)行充電，此時電容Cl將通過電阻R5開始慢慢放電， 用以模擬斷路器斷電情況下能量的衰減過程。當(dāng)斷路器1再次合閘上電時，微處理器4通過電壓跟隨電路5讀取電容兩端的剩余電壓，來計算出衰減后的剩余能量，并將此作為再次能量累積的基數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)斷電后能量的記憶或重復(fù)斷電后能量的連續(xù)累積。此電路需要微處理器4對電容Cl上的電壓進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測，并不斷調(diào)節(jié)脈沖寬度來調(diào)節(jié)電容充電，微處理器軟件處理復(fù)雜，占用了較大的軟件資源。同時由于充電控制完全依賴于微處理器，也降低了產(chǎn)品的可靠性。已知的對斷路器熱記憶改進(jìn)的技術(shù)，比如中國專利(申請?zhí)?00820185417. X) 公開的一種斷路器熱記憶的電路，包括微控制器、充電電平發(fā)生電路、充電控制電路、充放電電路、反饋緩沖電路。當(dāng)配電系統(tǒng)發(fā)生電流過載時，低壓斷路器中電子脫扣器的微控制器通過電流互感器檢測過載電流，將電流計算為相應(yīng)能量，并將該能量換算為一定比例電壓值，由微控制器的PWM控制輸出，充電電平發(fā)生電路根據(jù)微控制器的輸出得到一定的電壓VCC1，由充放電電路中的電容C2充到此電壓值，當(dāng)能量累積達(dá)到斷路器設(shè)定的動作條件后，電子脫扣器的MCU驅(qū)動磁通變換器使斷路器動作切斷故障線路，斷電時，充放電電路中 C2電荷通過電阻R2放電，模擬能量衰減，當(dāng)斷路器合閘時，微控制器在此工作，MCU通過測量C2上剩余電壓計算衰減后當(dāng)前剩余能量，將此作為再次能量累積的基數(shù)，實(shí)現(xiàn)斷電后能量的記憶或重復(fù)斷電/過載后能量連續(xù)累積。但其過載電流檢測、能量轉(zhuǎn)換、充電控制實(shí)際上仍然完全依賴于微處理器，處理軟件只是相對簡化，要克服其缺陷，需要新的電路和控制方式。又比如美國授權(quán)專利 US5850330A “Electronic trip device that detects an imminent drop of the power system voltage and comprises a numerical processing circuit and a thermal memory”。公開了一種具有熱記憶的電子脫扣器，但其針對脫扣器的改進(jìn)方式與中國專利(申請?zhí)?00820185417.X)類似，也未能克服微處理器的軟件復(fù)雜、產(chǎn)品可靠性低的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種根據(jù)電流獨(dú)立調(diào)節(jié)充電的斷路器熱記憶電路，其特征在于包括電流采樣電路、微處理器、充放電電路、電壓采樣電路、PWM比較發(fā)生電路；所述電流采樣電路與PWM比較發(fā)生電路的輸入相連接，將回路電流的電流采樣信號提供給PWM比較發(fā)生電路；所述微處理器與PWM比較發(fā)生電路連接，將參考電壓提供給PWM比較發(fā)生電路；所述PWM比較發(fā)生電路的輸出與充放電電路連接，用以驅(qū)動充放電電路是否充電；所述電壓采樣電路的輸入與充放電電路連接，所述電壓采樣電路的輸出與微處理器連接，將充放電電路的電壓信息反饋給微處理器。進(jìn)一步的所述PWM比較發(fā)生電路包括第一電阻、第二電阻和第一運(yùn)算放大器/比較器及與之輸出連接的上拉電阻；第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接第一運(yùn)算放大器的正向輸入端/比較器一輸入端；第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接第一運(yùn)算放大器的反向輸入端/比較器另一輸入端，微處理器的DA腳提供的參考電壓經(jīng)第二電阻輸入所述PWM比較發(fā)生電路。進(jìn)一步的所述充放電電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、開關(guān)單元、二極管、 儲能電容；第三電阻一端連接所述PWM比較發(fā)生電路的輸出端，另一端連接開關(guān)單元，當(dāng)電流過載時，所述PWM比較發(fā)生電路通過第三電阻驅(qū)動開關(guān)單元導(dǎo)通；充電電壓VCC在開關(guān)單元導(dǎo)通后，經(jīng)第四電阻和二極管對儲能電容充電；所述電壓采樣電路的輸入與儲能電容的正極連接；儲能電容充電，直到斷路器累積能量達(dá)設(shè)定值觸發(fā)跳閘后，與儲能電容并聯(lián)的第五電阻進(jìn)行放電。進(jìn)一步的開關(guān)單元采用場效應(yīng)管MOSFET ；第三電阻的另一端連接MOSFET的門極； 第四電阻一端連接VCC，另一端連接MOSFET的漏極；二極管陽極連接MOSFET的源極，二極管陰極連接儲能電容的正極；第五電阻一端連接儲能電容的正極，另一端連接儲能電容的負(fù)極并接地。進(jìn)一步的第四電阻是充電時的限流電阻。進(jìn)一步的所述電壓采樣電路包括第六電阻、第七電阻、第二運(yùn)算放大器；第六電阻的一端與所述充放電電路的連接，另一端與第二運(yùn)算放大器的正向輸入端連接；第七電阻的一端與第二運(yùn)算放大器的輸出端連接，另一端與微處理器的AD連接。進(jìn)一步的所述PWM比較發(fā)生電路包括第一電阻、第二電阻、比較器和上拉電阻；第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接比較器輸入端；第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接比較器另一輸入端，微處理器的DA腳輸出的參考電壓經(jīng)第二電阻提供給所述PWM比較發(fā)生電路；比較器輸出端連接上拉電阻。
所述電流采樣電路的采樣信號提供給所述PWM比較發(fā)生電路；當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，所述PWM比較發(fā)生電路驅(qū)動充放電電路對儲能電容充電，所述PWM比較發(fā)生電路產(chǎn)生的驅(qū)動信號的占空比由回路電流的大小決定，當(dāng)回路電流越大時，驅(qū)動信號的占空比越大，電容充電越快；所述電壓采樣電路將儲能電容的電壓信息反饋給微處理器，在斷路器重復(fù)上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理。當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時，參考電壓始終大于電流采樣信號，所述PWM比較發(fā)生電路不會驅(qū)動電容充放電電路對儲能電容充電。當(dāng)斷路器再次合閘上電時，微處理器通過AD檢測儲能電容上的電壓來直接換算成回路的剩余能量，作為此次能量累積的基數(shù)。還提供一種新的控制方法，根據(jù)電流獨(dú)立調(diào)節(jié)充電的斷路器熱記憶電路的充電調(diào)節(jié)方法，包括所述PWM比較發(fā)生電路基于回路電流的采用信號及參考電壓驅(qū)動充放電電路充電，當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路驅(qū)動充放電電路充電，當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路不會驅(qū)動充放電電路充電。當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，所述PWM比較發(fā)生電路產(chǎn)生的驅(qū)動信號的占空比由回路電流的大小決定，當(dāng)回路電流越大時，驅(qū)動信號的占空比越大，充放電電路充電越快。所述電壓采樣電路將電壓信息反饋給微處理器，在重復(fù)上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理，作為此次能量累積的基數(shù)。采用上述與之前的電路及控制方式不同的技術(shù)方案斷路器的熱記憶電路，其具有對斷路器的斷電熱記憶功能，實(shí)現(xiàn)對斷路器的斷電熱記憶。本發(fā)明對電容的充電控制完全采用模擬電路實(shí)現(xiàn)，具有相對的獨(dú)立性。當(dāng)采用本方案的斷路器檢測到過載電流時，微處理器只需提供一個參考電壓，對電容的充電的控制則直接取決于電流采樣信號的大小， 即實(shí)際電流的大小，微處理器不需要對累積能量做處理來控制電容充電，對開關(guān)單元的PWM 控制也完全采用模擬電路來實(shí)現(xiàn)，這就大大減輕了軟件負(fù)擔(dān)，節(jié)省了軟件資源。同時，這種相對獨(dú)立的控制方式，是直接由電流信號來控制電容的充電，避免了中間環(huán)節(jié)，提高了熱記憶功能的精度及可靠性。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的斷電器熱記憶電路圖。圖2為本發(fā)明電路原理框圖。圖3為本發(fā)明電路原理圖。圖4為本發(fā)明具體實(shí)施例的電路圖。圖5至圖7為本發(fā)明仿真波形圖。圖8至圖11為本發(fā)明實(shí)驗(yàn)波形圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的技術(shù)方案的一種斷路器的熱記憶電路，其具有對斷路器的斷電熱記憶功能。本發(fā)明對電容的充電控制完全采用模擬電路實(shí)現(xiàn)，具有相對的獨(dú)立性，無需完全依賴微控制器的控制。圖2為本發(fā)明的電路原理框圖。一種斷路器的熱記憶電路，包括微處理器、電流采樣電路、PWM(脈寬調(diào)制)比較發(fā)生電路、充放電電路(為儲能的電容充放電)、電壓采樣電路，上述各組成部分的關(guān)聯(lián)以及工作流程為微控制器提供參考電壓給PWM比較發(fā)生電路，電流采樣電路的采樣信號提供給PWM比較發(fā)生電路；當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時， 參考電壓始終大于電流采樣信號，PWM比較發(fā)生電路不會驅(qū)動電容充放電電路對儲能電容充電；當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路驅(qū)動充放電電路對儲能電容充電，此時，PWM比較發(fā)生電路產(chǎn)生的驅(qū)動信號的占空比由回路電流的大小決定，如果回路電流越大，則驅(qū)動信號的占空比越大，電容充電越快；電壓反饋電路將充放電電容的電壓信息反饋給微處理器，在斷路器重復(fù)上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理。圖3為本發(fā)明的電路原理圖。本發(fā)明的斷路器熱記憶電路，對電流采樣、微處理器、充放電部分的電路和控制方式進(jìn)行了改變。其包括PWM比較發(fā)生電路7，實(shí)現(xiàn)電容充放電的充放電電路9，電壓采樣電路8，電流采樣，微處理器。PWM比較發(fā)生電路7包括運(yùn)算放大器U12、微處理器DA提供的參考電壓Vref經(jīng)由電阻輸入運(yùn)算放大器U12的一輸入端(如反向輸入端)，電流采樣的輸出到運(yùn)算放大器U12 的另一輸入端(如正向輸入端)，運(yùn)算放大器U12的輸出經(jīng)過電阻R12控制開關(guān)單元Qll的導(dǎo)通狀態(tài)(如連接到MOSFET開關(guān)單元Qll的門極)。電壓采樣電路8包括電阻R14、運(yùn)算放大器U11、電阻R13，電阻R14 —端與充放電電路的儲能電容Cll正極連接、另一端與運(yùn)算放大器Ull的正向輸入端連接，電阻R13的一端與運(yùn)算放大器Ull的輸出端連接、另一端連接到微處理器的AD。充放電電路包括限流電阻，電限流電阻Rll —端連接到充電電壓VCC，限流電阻 Rll另一端連接到開關(guān)單元Qll—端(如場效應(yīng)管MOSFET漏極)，開關(guān)單元Qll另一端(如 MOSFET的源極)連接到二極管Dll的輸入端(如陽極)，二極管Dll的輸出端(如陰極) 連接到儲能電容Cll 一端(如電容的正極)，放電電阻R15與儲能電容Cll并聯(lián)(如電阻 R15 —端與電容正極，另一端與電容負(fù)極連接并且接地)。當(dāng)斷路器出現(xiàn)過載電流時，電流采樣的信號會相應(yīng)的比較大，當(dāng)其峰值超過參考電壓Vref時，PWM比較發(fā)生電路7的運(yùn)算放大器U12的輸出端，就會有驅(qū)動充電的PWM輸出，驅(qū)動開關(guān)單元Q 11導(dǎo)通，VCC經(jīng)充電限流電阻R11、開關(guān)單元Q11、二極管D11，給充放電電路的儲能電容Cll充電；過載電流越大，電流采樣的信號輸出也越大，其波形超過Vref的部分也越多，所以PWM的占空比也越大，開關(guān)單元Qll的導(dǎo)通時間越長，儲能電容Cll充電越快。充電電路會自動根據(jù)實(shí)際電流大小來控制儲能電容Cll是否充電及充電快慢，用以反映能量的累積。當(dāng)斷路器累積能量達(dá)到設(shè)定值觸發(fā)跳閘(脫扣)后，儲能電容Cll會由放電電阻R15放電，來模擬能量的衰減過程。當(dāng)斷路器再次合閘上電時，微處理器通過AD 檢測儲能電容Cll上的電壓來直接換算成回路的剩余能量，作為此次能量累積的基數(shù)。進(jìn)一步的，還有其他可替代的方式，使得其方案達(dá)到同樣的目的和效果，如就電路拓?fù)涠?，以圖3為例，運(yùn)算放大器U12可以采用運(yùn)算放大器，也可以采用比較器，不同之處在于比較器的輸出要加上拉電阻。如圖4，給出了本發(fā)明更具體的實(shí)施方式電路圖。電流采樣電路10 (電流采樣電路使用的電壓Vrefl采用2. 5VDC)，將電流采樣的信號提供給PWM比較發(fā)生電路11 ；微控制器 DA提供給PWM比較發(fā)生電路11 一參考電壓Vref 2 (采用2. 5VDC+AV1)；充放電電路12，實(shí)現(xiàn)儲能電容C4的充放電，其包括與儲能電容C4并聯(lián)的放電電阻R8;充電由開關(guān)單元Ql (如采用場效應(yīng)管M0SFET)控制。
電流采樣電路10的輸出端將采樣信號，經(jīng)PWM比較發(fā)生電路11的電阻R6輸入到 PWM比較發(fā)生電路11的運(yùn)算放大器U2的正向輸入端，參考電壓Vref2則經(jīng)PWM比較發(fā)生電路11的電阻R5提供到PWM比較發(fā)生電路11的運(yùn)算放大器U2的反向輸入端，運(yùn)算放大器 U2的輸出，經(jīng)電阻R7連接到開關(guān)單元Ql (如MOSFET的門極)。在如電流過載的情況發(fā)生時，驅(qū)動開關(guān)單元Ql導(dǎo)通，使得充電電壓VCC經(jīng)限流電阻、二極管Dl向與二極管Dl陰極連接的儲能電容C4 (如與儲能電容C4正極連接)充電以反映能量的累積，當(dāng)斷路器累積能量達(dá)到設(shè)定值觸發(fā)跳閘后，儲能電容C4經(jīng)與其并聯(lián)的放電電阻R8放電，來模擬能量的衰減過程。電壓采樣電路的電阻R9 —端與儲能電容C4正極連接，另一端連接電壓采樣電路的運(yùn)算放大器U3正向輸入端，電壓采樣電路的運(yùn)算放大器U 3的輸出端連接電壓采樣電路的電阻RlO —端，而電阻RlO的另一端連接微處理器的AD。當(dāng)斷路器再次合閘上電時，微處理器通過AD檢測儲能電容C4上的電壓來直接換算成回路的剩余能量，作為此次能量累積的基數(shù)。需要說明的是，工作原理以及各部分的連接關(guān)系，圖4反應(yīng)的實(shí)施方式與圖2、3的描述相同，電路組成結(jié)構(gòu)和處理方式，圖3與圖4所示的標(biāo)記雖然不同，但對應(yīng)結(jié)構(gòu)和工作流程實(shí)質(zhì)是一樣的。本發(fā)明可以應(yīng)用于其它任何使用斷電熱記憶電路的保護(hù)類產(chǎn)品，比如塑殼斷路器，電動機(jī)保護(hù)類產(chǎn)品等。本發(fā)明的仿真/實(shí)驗(yàn)/使用的情況對具有電流互感器狀態(tài)檢測功能的信號調(diào)理電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證，仿真結(jié)果如下如圖5所示，回路電流超過設(shè)定閾值時，電容充電波形；如圖6所示，回路電流超過設(shè)定閾值時，且電流較大時，電容充電波形；和圖5比較可以看出，其充電速率較快。如圖7所示，當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，電容充電的過程示意。使用電流采樣信號直接對斷電熱記憶的充放電電容的充電過程進(jìn)行控制。當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時，控制充電的MOSFET(如圖4的Ql或圖3的Qll)的門極驅(qū)動一直為低電位，Ql (或Qll)不導(dǎo)通，VCC也就不給電容充電；當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，控制充電的Ql (或Qll)的門極驅(qū)動占空比的大小由回路電流的大小決定，回路電流越大，驅(qū)動信號的占空比越大，Ql (或Qll)的導(dǎo)通時間也就越長，電容充電越快。以上過程就直接反映了回路上的能量累積過程，并且此控制是不需要微處理器參與的，大大節(jié)省了軟件資源，提高了控制效率和可靠性，從而解決了過度依賴微處理器的控制以及處理軟件過度復(fù)雜的問題，能根據(jù)電流獨(dú)立地調(diào)節(jié)/控制充電。對電路設(shè)計在控制板上進(jìn)行了實(shí)際電路的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)波形如下如圖8所示，回路電流超過設(shè)定閾值時，電容充電波形。如圖9所示，回路電流超過設(shè)定閾值時，PWM驅(qū)動波形。如圖10所示，回路電流超過設(shè)定閾值且比較大時，電容充電波形。如圖11所示，回路電流超過設(shè)定閾值且比較大時，充電MOS驅(qū)動波形?？梢?，當(dāng)回路電流大小不一樣時，電容的充電速度是不同的，電流越大，充電速度越快，符合實(shí)際的熱累積效應(yīng)。
以上描述的僅僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或者使用本發(fā)明公開的內(nèi)容。同時對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，對這些公開內(nèi)容的各種修改都是顯而易見的。本領(lǐng)域在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)所得到的任何修改、變換、替換的技術(shù)方案均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種根據(jù)電流獨(dú)立調(diào)節(jié)充電的斷路器熱記憶電路，其特征在于包括 電流采樣電路、微處理器、充放電電路、電壓采樣電路、PWM比較發(fā)生電路；所述電流采樣電路與PWM比較發(fā)生電路的輸入相連接，將回路電流的電流采樣信號提供給PWM比較發(fā)生電路；所述微處理器與PWM比較發(fā)生電路連接，將參考電壓提供給PWM比較發(fā)生電路； 所述PWM比較發(fā)生電路的輸出與充放電電路連接，用以驅(qū)動充放電電路是否充電； 所述電壓采樣電路的輸入與充放電電路連接，所述電壓采樣電路的輸出與微處理器連接，將充放電電路的電壓信息反饋給微處理器。
2.如權(quán)利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于所述PWM比較發(fā)生電路包括第一電阻、第二電阻和第一運(yùn)算放大器；第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接第一運(yùn)算放大器的正向輸入端； 第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接第一運(yùn)算放大器的反向輸入端，微處理器的DA腳輸出的參考電壓經(jīng)第二電阻提供給所述PWM比較發(fā)生電路。
3.如權(quán)利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于所述充放電電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、開關(guān)單元、二極管、儲能電容；第三電阻一端連接所述PWM比較發(fā)生電路的輸出端，另一端連接開關(guān)單元，當(dāng)電流過載時，所述PWM比較發(fā)生電路通過第三電阻驅(qū)動開關(guān)單元導(dǎo)通；充電電壓VCC在開關(guān)單元導(dǎo)通后，經(jīng)第四電阻和二極管對儲能電容充電； 所述電壓采樣電路的輸入與儲能電容的正極連接；儲能電容充電，直到斷路器累積能量達(dá)設(shè)定值觸發(fā)跳閘后，與儲能電容并聯(lián)的第五電阻進(jìn)行放電。
4.如權(quán)利要求3所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于開關(guān)單元采用場效應(yīng)管 MOSFET ；第三電阻的另一端連接MOSFET的門極； 第四電阻一端連接VCC，另一端連接MOSFET的漏極； 二極管陽極連接MOSFET的源極，二極管陰極連接儲能電容的正極； 第五電阻一端連接儲能電容的正極，另一端連接儲能電容的負(fù)極并接地。
5.如權(quán)利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于所述電壓采樣電路包括第六電阻、第七電阻、第二運(yùn)算放大器；第六電阻的一端與所述充放電電路連接，另一端與第二運(yùn)算放大器的正向輸入端連接；第七電阻的一端與第二運(yùn)算放大器的輸出端連接，另一端與微處理器的AD連接。
6.如權(quán)利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于所述PWM比較發(fā)生電路包括第一電阻、第二電阻、比較器和上拉電阻；第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接比較器輸入端； 第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接比較器另一輸入端，微處理器的DA腳輸出的參考電壓經(jīng)第二電阻提供給所述PWM比較發(fā)生電路； 比較器輸出端連接上拉電阻。
7.如權(quán)利要求3或4所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于第四電阻是充電時的限流電阻。
8.權(quán)利要求1至6所述的根據(jù)電流獨(dú)立調(diào)節(jié)充電的斷路器熱記憶電路的充電調(diào)節(jié)方法，包括所述PWM比較發(fā)生電路基于回路電流的采用信號及參考電壓驅(qū)動充放電電路充電，當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路驅(qū)動充放電電路充電，當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路不會驅(qū)動充放電電路充電。
9.如權(quán)利要求8所述的充電調(diào)節(jié)方法，還包括當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，所述PWM比較發(fā)生電路產(chǎn)生的驅(qū)動信號的占空比由回路電流的大小決定，當(dāng)回路電流越大時，驅(qū)動信號的占空比越大，充放電電路充電越快。
10.如權(quán)利要求8所述的充電調(diào)節(jié)方法，還包括所述電壓采樣電路將電壓信息反饋給微處理器，在重復(fù)上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理，作為此次能量累積的基數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種根據(jù)電流獨(dú)立調(diào)節(jié)充電的斷路器熱記憶電路及其充電調(diào)解方法。對電容的充電控制完全采用模擬電路實(shí)現(xiàn)。電路包括微處理器、電流采樣電路、PWM比較發(fā)生電路、充放電電路、電壓采樣電路，當(dāng)回路電流沒有超過設(shè)定閾值時，參考電壓始終大于電流采樣信號，PWM比較發(fā)生電路不會驅(qū)動電容充放電電路對儲能電容充電；當(dāng)回路電流超過設(shè)定閾值時，PWM比較發(fā)生電路驅(qū)動充放電電路對儲能電容充電，PWM比較發(fā)生電路產(chǎn)生的驅(qū)動信號的占空比由回路電流的大小決定，回路電流越大，驅(qū)動信號的占空比越大，電容充電越快，電壓反饋電路將充放電電容的電壓信息反饋給微處理器，在斷路器重復(fù)上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理。
文檔編號H02M3/07GK102570801SQ20121000907
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者張佳, 徐澤亮, 徐首旗, 楊興勇 申請人:上海諾雅克電氣有限公司