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一種智能鎖的內(nèi)置發(fā)電裝置的控制電路及其控制方法與流程

文檔序號:12486908閱讀:507來源:國知局
一種智能鎖的內(nèi)置發(fā)電裝置的控制電路及其控制方法與流程

本發(fā)明涉及智能鎖領域,特別涉及一種智能鎖中內(nèi)置發(fā)電裝置的控制電路及其控制方法。



背景技術:

智能鎖是指區(qū)別于傳統(tǒng)機械鎖,在用戶識別、安全性、管理性方面更加智能化的鎖具。

目前市場上的智能鎖,都是使用電池作為工作電源。這些智能鎖,用可充電電池的,需要定時充電;用一次性電池的,需要定時更換電池。否則,當電池電量過低,智能鎖就會宕機,無法實現(xiàn)應有的功能,甚至會將用戶“鎖”在門外。嚴重影響了用戶的體驗和對智能鎖產(chǎn)品的信心。

目前,解決智能鎖因電量不足宕機問題的設計方案中,大部分方式是提供備份電源。具體的實現(xiàn)方式,一般是在智能鎖上預留一個可以與外部互聯(lián)的接口,例如microUSB接口,或者兩腳的9V電源接口。外部的備份電源連接到此接口上,為智能鎖供電。常采用的備份電源為市面上常見的各類“充電寶”,或者是9V的干電池。

這類解決方案存在以下一種或幾種不足:

1、不容易獲得:“充電寶”和9V干電池都需要去專門的電子市場購買。

2、用戶需隨身攜帶。如果用戶沒有攜帶,只有供電接口,解決不了問題。

3、電源電壓匹配問題。9V干電池作為供電電源,一般需要在智能鎖內(nèi)部引入一級電源轉(zhuǎn)換器,轉(zhuǎn)換成智能鎖可接受的電壓范圍。

4、安全性問題。暴露在外的供電接口,如果防護措施沒有做好,很容易成為不法分子破壞智能鎖的“后門”。



技術實現(xiàn)要素:

針對現(xiàn)有技術中的上述不足,本發(fā)明提供了一種智能鎖中內(nèi)置發(fā)電裝置的控制電路,不需要智能鎖之外的任何電源,能夠從電能轉(zhuǎn)換裝置獲取電能,并存儲;能夠自動判斷何時電能已經(jīng)搜集和存儲完成,并在完成時,自動向后續(xù)負載供電;且在供電電壓跌落出后續(xù)負載的正常工作電壓范圍外之前,自動切斷供電。

本發(fā)明實施例提供的智能鎖中內(nèi)置發(fā)電裝置的控制電路,其特征在于,包括:儲能元件A,分壓網(wǎng)絡B,分壓網(wǎng)絡C,控制開關組D,分壓網(wǎng)絡E以及單向控制F,其中:儲能元件A,用于接收所述內(nèi)置發(fā)電裝置的輸出電壓,并將該電壓存儲;分壓網(wǎng)絡B、分壓網(wǎng)絡C、以及分壓網(wǎng)絡E,用于對所述儲能元件A輸出的電壓和向負載提供的輸出電壓VOUT進行分壓,以控制所述控制開關組D導通或截止;控制開關組D,用于控制所述內(nèi)置發(fā)電裝置向負載提供輸出電壓VOUT,當該控制開關組D處于導通狀態(tài)時,所述內(nèi)置發(fā)電裝置為所述負載供電;當該控制開關組D處于截止狀態(tài)時,所述內(nèi)置發(fā)電裝置停止向所述負載供電;單向控制F,與所述分壓網(wǎng)絡E串聯(lián)連接,用于控制所述控制電路中分壓網(wǎng)絡E支路電流的單向?qū)ā?/p>

較佳地,該控制電路還包括:輔助單元,所述輔助單元用于在其所處的電路支路中完成限流、分壓或整形。

較佳地,所述儲能元件A包括一個或多個電容。

較佳地,所述分壓網(wǎng)絡B、C、E至少包括電阻、電容或二極管其中的一種。

較佳地,所述單向控制F的一端連接所述輸出電壓VOUT,另一端與所述分壓網(wǎng)絡E的一端串聯(lián)連接,所述分壓網(wǎng)絡E的另一端連接所述控制開關組D的輸入端。

較佳地,所述單向?qū)閺乃鲚敵鲭妷篤OUT端到所述分壓網(wǎng)絡E的方向?qū)ā?/p>

較佳地,所述負載為智能鎖功能電路。

該控制電路的控制方法包括如下步驟:1)、儲能元件A從內(nèi)置發(fā)電裝置的輸出電壓獲取電能并存儲;2)、隨著儲能元件A內(nèi)部電能的累積,通過分壓網(wǎng)絡B和分壓網(wǎng)絡C將電壓施加到控制開關組D的控制端,當該電壓大于第一閾值時,控制開關組D處于導通狀態(tài),所述儲能元件A向所述輸出電壓VOUT端供電;3)、當所述控制開關組D導通后,分壓網(wǎng)絡E和單向控制F形成的反饋通路將所述輸出電壓VOUT反饋,使得施加到控制開關組D控制端的電壓進一步拉高,從而使所述儲能元件A持續(xù)為負載供電;4)、隨著儲能元件A內(nèi)部電能的逐漸減少,通過分壓網(wǎng)絡B、分壓網(wǎng)絡C和分壓網(wǎng)絡E提供給控制開關組D控制端的電壓也會逐漸降低,當該電壓小于所述第一閾值時,控制開關組D處于截止狀態(tài),所述儲能元件A停止為所述負載供電。

與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明存在以下技術效果:

第一、不需要智能鎖之外的任何電源以及其它電氣部件參與,免除了用戶需隨身攜帶備用電源的煩惱。

第二、通過設置參數(shù),此內(nèi)置發(fā)電裝置與該控制電路的結合可與智能鎖的電池電源實現(xiàn)兼容,可省去電源電壓轉(zhuǎn)換器件的成本。

第三、智能鎖不需要對外留出電源接口,減少了不法分子破壞智能鎖的可乘之機。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實施例控制電路的拓撲結構圖;

圖2是本發(fā)明第一實施例控制電路的連接結構圖;

圖3是本發(fā)明第一實施例控制電路的電壓波形圖;

圖4是本發(fā)明第二實施例控制電路的拓撲結構圖;

附圖標記:附圖3中的標記說明,1—電容C1兩端的電壓、2—向負載提供的輸出電壓VOUT端的電壓、3—晶體管M1的柵極電壓。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明中涉及的“內(nèi)置發(fā)電裝置”是指可集成在智能鎖上的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),例如手搖機械發(fā)電機,或者其它形式的電能轉(zhuǎn)換裝置。

實施例一:

參見附圖1,該實施例涉及的控制電路,包括:儲能元件A,分壓網(wǎng)絡B,分壓網(wǎng)絡C,控制開關組D,分壓網(wǎng)絡E以及單向控制F。

其中儲能元件A具有電壓輸入端VIN,用于接收所述內(nèi)置發(fā)電裝置的輸出電壓,并將該電壓存儲;分壓網(wǎng)絡B的一端連接所述電壓輸入端VIN,另一端連接分壓網(wǎng)絡C的一端,用于對儲能元件A輸出的電壓進行分壓;分壓網(wǎng)絡C的另一端直接接地;同時,分壓網(wǎng)絡C的所述一端連接控制開關組D的輸入端,提供電壓以控制所述控制開關組D導通或截止;所述控制開關組D,用于控制所述內(nèi)置發(fā)電裝置向負載提供輸出電壓VOUT,當該控制開關組D處于導通狀態(tài)時,所述內(nèi)置發(fā)電裝置為所述負載供電;當該控制開關組D處于截止狀態(tài)時,所述內(nèi)置發(fā)電裝置停止向所述負載供電;單向控制F的一端連接所述輸出電壓VOUT,另一端與所述分壓網(wǎng)絡E的一端串聯(lián)連接,所述分壓網(wǎng)絡E的另一端連接所述控制開關組D的輸入端,單向控制F和分壓網(wǎng)絡E形成了所述控制電路的反饋分支,將所述輸出電壓VOUT反饋到所述控制開關組D的輸入端,同時也阻止電流從所述電壓輸入端VIN流向所述輸出電壓VOUT端。

相應于上述控制電路,其控制方法包括如下步驟:1)、儲能元件A從內(nèi)置發(fā)電裝置的輸出電壓獲取電能并存儲;2)、隨著儲能元件A內(nèi)部電能的累積,通過分壓網(wǎng)絡C施加到控制開關組D的電壓升高,當該電壓大于第一閾值時,控制開關組D處于導通狀態(tài),所述儲能元件A與所述輸出電壓VOUT端處于連接狀態(tài);3)、同時,分壓網(wǎng)絡E和單向控制F形成的反饋通路將所述輸出電壓VOUT反饋,使得施加到控制開關組D的電壓進一步拉高,確保所述儲能元件A持續(xù)為所述負載供電;4)、隨著儲能元件A內(nèi)部電能的逐漸減少,通過分壓網(wǎng)絡C和分壓網(wǎng)絡E提供給控制開關組D的電壓也會逐漸降低,當該電壓小于所述第一閾值時,控制開關組D處于截止狀態(tài),所述儲能元件A與所述輸出電壓VOUT端處于截止狀態(tài),所述儲能元件A停止為所述負載供電。

參見附圖2,本發(fā)明第一實施例涉及的控制電路中的儲能元件A優(yōu)選為電容C1,分壓網(wǎng)絡B優(yōu)選為電阻R1,分壓網(wǎng)絡C優(yōu)選為電阻R2,控制開關組D優(yōu)選為由NMOS管M1、PMOS管M2以及電阻R4組成的電路形成,分壓網(wǎng)絡E優(yōu)選為電阻R3,單向控制F優(yōu)選為二極管D1,優(yōu)選地,圖中的VIN網(wǎng)絡接智能鎖上內(nèi)置發(fā)電裝置的輸出,VOUT網(wǎng)絡連接智能鎖功能電路。

附圖2中涉及的電路的工作流程如下:電容C1從內(nèi)置發(fā)電裝置獲取電能,并儲存。當電容C1中沒有儲存電能時,C1的兩個電極之間電壓為0V;當內(nèi)置發(fā)電裝置開始輸出電能,電容C1開始獲取并存儲,其兩個電極之間電壓開始正向增長,并隨著電容內(nèi)部電能的累積,兩個電極之間電壓也逐漸升高。NMOS管M1、PMOS管M2以及電阻R4組成的電路構成開關組,開關組的“導通”和“截止”狀態(tài)由NMOS管M1的柵極電壓控制,當NMOS管M1的柵極電壓(記為Vg1)大于NMOS管M1固有的開啟電壓(記為Vg1(th))時,NMOS管M1處于“導通”狀態(tài)。由于NMOS管M1“導通”,PMOS管M2的柵極被下拉到地電平,使得PMOS管M2也處于“導通”狀態(tài),這樣使得VIN網(wǎng)絡與VOUT網(wǎng)絡處于連接狀態(tài),VIN端所連接的內(nèi)置發(fā)電裝置可為VOUT端所連接的智能鎖功能電路供電,此時開關組整體處于“導通”狀態(tài);當NMOS管M1的柵極電壓Vg1小于NMOS管M1固有的開啟電壓Vg1(th)時,NMOS管M1“截止”,由于NMOS管M1“截止”,PMOS管M2的柵極通過電阻R4被上拉到與PMOS管M2的源極同樣的電位,使得PMOS管M2也處于“截止”狀態(tài),這時VIN網(wǎng)絡與VOUT網(wǎng)絡之間的連接被切斷,VIN端所連接的內(nèi)置發(fā)電裝置無法為VOUT端所連接的智能鎖功能電路供電,此時開關組整體處于“截止”狀態(tài)。

由此可見,該控制電路能夠自動判斷何時電能已經(jīng)搜集和存儲完成,并在完成時,自動向智能鎖功能電路供電。供電過程中,在供電電壓跌落出智能鎖功能電路的正常工作電壓范圍外之前,自動切斷供電。

附圖2中電阻R1,R2,R3是三個提供分壓功能的電阻。二極管D1主要是用于控制電流的單向流動。這四個電子器件,決定了開關組“導通”和“截止”的時機。具體描述如下:

當電容C1中沒有電能時,電容C1對地的電壓Vc=0V,NMOS管M1的柵極電壓Vg1由所述電壓Vc經(jīng)電阻R1和R2分壓得到,此時該柵極電壓Vg1=0V,且該柵極電壓Vg1<NMOS管M1固有的開啟電壓Vg1(th) ,開關組處于“截止”狀態(tài)。電容C1處于采集和儲存電能的階段,隨著內(nèi)置發(fā)電裝置輸出電能,電容C1存儲電能,電壓Vc升高,所述柵極電壓Vg1也隨之按比例升高;當所述柵極電壓Vg1升高至所述開啟電壓Vg1(th)時,開關組由“截止”轉(zhuǎn)到“導通”狀態(tài),電容C1開始向智能鎖功能電路供電,此時刻所述電壓Vc 的值記為Vc(th1)。當開關模塊剛“導通”時,VOUT端的電壓(約等于所述電壓Vc)通過由電阻R3和二極管D1構成的正反饋通路后,立即將所述柵極電壓Vg1拉升到遠大于所述開啟電壓Vg1(th)的電壓,確保了電容C1可持續(xù)為智能鎖功能電路供電。

二極管D1的單向?qū)щ娦裕纱_保電容C1的電壓Vc在升高至所述Vc(th1)之前,電容C1不會通過由電阻R1、R3、以及二極管D1組成的這條通路向智能鎖功能電路供電;同時,由于電路中存在由電阻R3和二極管D1構成的正反饋通路,使得當電容C1的電壓Vc剛開始降低時,所述柵極電壓Vg1也不會隨著立刻降低到小于所述開啟電壓Vg1(th),開關模塊不會立刻“切斷”,進而能夠確保電容C1持續(xù)為智能鎖功能電路供電。

若此后內(nèi)置發(fā)電裝置沒有繼續(xù)輸出電能,或者內(nèi)置發(fā)電裝置的發(fā)電功率小于智能鎖功能電路的功率,則電容C1中的電能會逐漸減少,其兩端的電壓Vc也會逐漸降低,隨著該電壓Vc的降低,所述柵極電壓Vg1也隨之按一定比例降低,最后,當該柵極電壓Vg1降低到小于所述開啟電壓Vg1(th)時,開關模塊“截止”,電容C1停止供電,此時刻其兩端的電壓Vc的值記為Vc(th2) 。

以上只是例舉,儲能元件A不限于單個電容,可以由一個或多個電容組成,也可以由本領域技術人員熟知的其它具有存能功能的元件組成;三個分壓網(wǎng)絡B、C、E,每個都是由一個或多個電子元器件構成的具有分壓功能的模塊,此處的電子元器件包括但不限于電阻、電容、二極管等;單向控制F不僅僅限于二極管,可以是由一個或多個電子元器件構成的具有單向?qū)щ娞匦缘哪K;控制開關組D也不僅僅限于附圖2中所示的電路,可以是由一個或多個電子元器件構成的、可控制的、具有“開關”功能的模塊,此處的電子元器件包括但不限于電阻,電容,電感,二極管,MOS管,晶體管,電子管,光電耦合器,電磁繼電器等。

參見附圖3,用示波器實際測量的上述控制電路中各電壓的波形。其中CH1通道(附圖標記為1)表示電容C1兩端電壓的波形,CH2通道(附圖標記為2)表示向負載提供輸出電壓VOUT端的電壓的波形,CH3通道(附圖標記為3)表示晶體管M1的柵極電壓的波形。

從附圖3波形圖中可以看出,從A時刻到B時刻之間,控制開關組處于“截止”狀態(tài),電容C1處于儲存電能階段,其兩端的電壓Vc逐步升高,NMOS管M1的柵極電壓Vg1也隨之升高,VOUT網(wǎng)絡電壓始終為0V。在B時刻,所述柵極電壓Vg1升高到NMOS管M1固有的開啟電壓Vg1(th),控制開關組“導通”,VOUT端電壓升高至約等于電壓Vc;同時,VOUT端電壓通過由電阻R3和二極管D1構成的正反饋通路將所述柵極電壓Vg1瞬間拉升到比較高的電壓,從而確保電容C1持續(xù)為智能鎖功能電路供電。

B時刻到C時刻之間,電容C1存儲電能減少,其兩端的電壓Vc降低,所述柵極電壓Vg1也隨之降低;在C時刻,所述柵極電壓Vg1降低到所述開啟電壓Vg1(th),控制開關組“截止”,此時所述柵極電壓Vg1 重新由電阻R1和R2分壓得到(控制開關組“導通”時由電阻R1、R2和R3分壓得到),故有一個瞬間跌落的過程,VOUT端的電壓此后逐漸降低至0V。

實施例二:

參見附圖4,該實施例涉及的控制電路,包括:儲能元件A,分壓網(wǎng)絡B,分壓網(wǎng)絡C,控制開關組D,分壓網(wǎng)絡E、單向控制F以及一些輔助單元。

相比于第一實施例,該控制電路中增加了一些輔助單元,具體為:在所述電壓輸入端VIN和所述控制開關組D的輸入端之間增加所述輔助單元;在分壓網(wǎng)絡E的一端和所述控制開關組D的輸入端之間增加所述輔助單元;在單向控制F的一端和所述輸出電壓VOUT端之間增加所述輔助單元;在所述控制開關組D的輸出端和所述輸出電壓VOUT端之間增加所述輔助單元。

該些輔助單元為電路的可增加項,每個都是可選的,每個都是由一個或多個電子元器件構成的模塊,這些輔助單元用于在其所處的電路支路中完成限流、分壓、整形以及其它優(yōu)化功能,但是其功能包括但不限于優(yōu)化,調(diào)整等功能。

本發(fā)明至少具有以下有益的技術效果:

1、控制電路是從內(nèi)置發(fā)電裝置獲取電能,完成所有的功能,不需要額外的電源提供電能。通過選取合適的參數(shù),可使該控制電路的功耗極低,從而保證從內(nèi)置發(fā)電裝置發(fā)出的電能幾乎都用于驅(qū)動智能鎖功能電路,提高電路運行效率。

2、由于該控制電路是先采集和儲存電能,等儲存足夠的電能后,才開始為智能鎖功能電路供電,這樣的工作模式使得對內(nèi)置發(fā)電裝置的發(fā)電功率沒有太多限制,即使內(nèi)置發(fā)電裝置的發(fā)電功率小于智能鎖功能電路的額定功率,也可以實現(xiàn)由內(nèi)置發(fā)電裝置為智能鎖功能電路供電。

3、當開關組“導通”和“截止”時,電容C1兩端的電壓 Vc(th1)和Vc(th2)并不相同,且Vc(th1)> Vc(th2),通過電阻R1,R2,R3和二極管D1的參數(shù)的適當選取,可改變所述Vc(th1)和Vc(th2)的值,進而控制電容C1中存儲的能量;并且通過控制Vc(th2)的值大于智能鎖功能電路的額定工作電壓,可使所述智能鎖功能電路可靠斷電,進而避免由于供電電壓進入其臨界工作電壓區(qū)間觸發(fā)不穩(wěn)定的工作狀態(tài)導致的不可控情況的發(fā)生。

盡管己描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例,但本領域內(nèi)的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念,則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以,所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然,本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。

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