本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置、功率轉(zhuǎn)換裝置及移動(dòng)體。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有包含螺釘孔的樹(shù)脂殼體、安裝有半導(dǎo)體芯片的絕緣基板、以及包含散熱板貫通孔并搭載有絕緣基板的散熱板。金屬制攻絲螺釘通過(guò)散熱板貫通孔和螺釘孔，將樹(shù)脂殼體與散熱板卡合。形成在樹(shù)脂殼體和金屬制攻絲螺釘之間的螺釘孔內(nèi)的空隙由高耐電壓樹(shù)脂填充。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本專利特開(kāi)2006-32392號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、隨著半導(dǎo)體裝置的小型化及高密度化的發(fā)展，螺釘與絕緣基板的距離變短。因此，需要改善局部放電耐量和絕緣破壞耐量。例如，如果用攻絲螺釘對(duì)殼體和散熱板等進(jìn)行螺釘緊固，則在螺釘周邊容易產(chǎn)生空隙。由于該空隙，局部放電耐量有可能降低。

3、對(duì)此，在專利文獻(xiàn)1中，在殼體和螺釘?shù)拈g隙填充樹(shù)脂，改善放電耐量。但是，由于樹(shù)脂的填充，制造工序增加，作業(yè)性有可能惡化。

4、本公開(kāi)的目的在于得到能夠提高放電耐量的半導(dǎo)體裝置、功率轉(zhuǎn)換裝置及移動(dòng)體。

5、用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段

6、第一公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括：底板；半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述底板上方的區(qū)域；殼體，該殼體設(shè)置在所述底板上，包圍所述半導(dǎo)體芯片，具有外側(cè)面和與所述外側(cè)面相反側(cè)的內(nèi)側(cè)面，且在所述外側(cè)面形成有凹部；螺母，該螺母被壓入所述殼體的所述凹部，且形成有沿上下方向延伸的螺釘孔；以及螺釘，該螺釘從所述底板的下方插入所述螺母。

7、第二公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括：底板；半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述底板上方的區(qū)域；殼體，該殼體設(shè)置在所述底板上并包圍所述半導(dǎo)體芯片；螺母，該螺母是在被所述殼體包圍的區(qū)域中、設(shè)置在所述殼體上且朝下方開(kāi)口的袋螺母；以及螺釘，該螺釘從所述底板的下方插入所述螺母。

8、發(fā)明效果

9、在第一、第二公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，能夠抑制在螺釘與成為高電壓的基板上的構(gòu)件之間形成空隙。因此，能夠提高放電耐量。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述螺母在俯視時(shí)呈多邊形。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片由寬帶隙半導(dǎo)體形成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

7.一種功率轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

8.一種移動(dòng)體，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括：底板；半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述底板上方的區(qū)域；殼體，該殼體設(shè)置在所述底板上，包圍所述半導(dǎo)體芯片，具有外側(cè)面和與所述外側(cè)面相反側(cè)的內(nèi)側(cè)面，且在所述外側(cè)面形成有凹部；螺母，該螺母壓入所述殼體的所述凹部，形成有沿上下方向延伸的螺釘孔；以及螺釘，該螺釘從所述底板的下方插入所述螺母。

技術(shù)研發(fā)人員：伊達(dá)龍?zhí)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15