本發(fā)明涉及一種靜電放電保護電路。

背景技術(shù)：

1、集成電路可能會暴露在靜電放電之中。靜電放電保護電路可用于保護集成電路，使其免受靜電放電的影響。靜電放電防護電路通常被配置為提供臨時放電路徑來消散靜電電荷，從而保護集成電路。

2、本文解決了提供具有低漏電流的空間利用率特別高且節(jié)能的靜電放電保護電路的技術(shù)問題。獨立權(quán)利要求解決了該技術(shù)問題。從屬權(quán)利要求中描述了優(yōu)選示例。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)一個方面，描述了一種靜電放電保護電路，該靜電放電保護電路被配置為在處于工作電位的第一軌和處于參考電位的第二軌之間提供靜電放電保護。該靜電放電保護電路包括檢測單元，該檢測單元被配置為檢測第一軌和第二軌之間的靜電放電事件。此外，該靜電放電保護電路包括箝位單元，該箝位單元被配置為響應于該檢測單元檢測到的靜電放電事件，在第一軌和第二軌之間提供(臨時)放電路徑。該箝位單元包括主雙極結(jié)型晶體管，該主雙極結(jié)型晶體管與附加雙極結(jié)型晶體管共源共柵，以提供放電路徑。

2、應當注意，包括在本文中概述的優(yōu)選實施例的系統(tǒng)可以單獨使用，也可以與本文中公開的其他系統(tǒng)結(jié)合使用。此外，在系統(tǒng)的上下文中概述的特征也適用于相應的方法。此外，本文中概述的系統(tǒng)的所有方面都可以被任意組合。特別地，權(quán)利要求的特征可以以任意方式相互組合。

技術(shù)特征：

1.一種靜電放電保護電路，所述靜電放電保護電路被配置為在處于工作電位的第一軌和處于參考電位的第二軌之間提供靜電放電保護；其中所述靜電放電保護電路包括，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述附加雙極結(jié)型晶體管是可控硅整流器的一部分，使得所述主雙極結(jié)型晶體與所述可控硅整流器共源共柵，以提供所述放電路徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述附加雙極結(jié)型晶體管是pnp型雙極結(jié)型晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電放電保護電路，其中所述pnp型雙極結(jié)型晶體管的基極直接耦合到所述pnp型雙極結(jié)型晶體管的發(fā)射極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述附加雙極結(jié)型晶體管是npn型雙極結(jié)型晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述主雙極結(jié)型晶體管是npn型雙極結(jié)型晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電放電保護電路，其中所述靜電放電保護電路包括反相器單元，所述反相器單元被配置為根據(jù)所述檢測節(jié)點處的所述信號產(chǎn)生所述控制信號。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電放電保護電路，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護電路，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其中，

14.一種集成電路，包括：

技術(shù)總結(jié)
本文描述了一種靜電放電保護電路(100)，其被配置為在工作電位(111)的第一軌和在參考電位(112)的第二軌之間提供靜電放電保護。所述靜電放電保護電路(100)包括被配置為檢測所述第一軌和所述第二軌之間的靜電放電事件的檢測單元(120)。此外，所述靜電放電保護電路(100)包括箝位單元(130)，所述箝位單元(130)被配置為響應于所述檢測單元(120)檢測到的靜電放電事件，在所述第一軌和所述第二軌之間提供放電路徑，其中所述箝位單元(130)包括主雙極結(jié)型晶體管(107)，所述主雙極結(jié)型晶體管(107)與用于提供所述放電路徑的附加雙極結(jié)型晶體管(108,308,408)共源共柵。

技術(shù)研發(fā)人員：普蘭蒂克·馬哈詹,揚·奧滕
受保護的技術(shù)使用者：瑞薩設(shè)計荷蘭有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15