本申請涉及電子電路，具體涉及一種濾波器。

背景技術(shù)：

1、目前相關(guān)技術(shù)中，cmos電容的電容值與電容兩端的壓降有關(guān)，當(dāng)電容兩端的電壓極性為正，電壓差較高時(shí)，其電容值保持穩(wěn)定不變；當(dāng)電壓差降低到閾值電壓附近或以下，或者電壓極性反轉(zhuǎn)時(shí)，其電容值則會迅速降低。雖然大部分的半導(dǎo)體工藝通常把cmos電容的閾值電壓調(diào)整到0v或者略小于0v，以改善低壓時(shí)的電容特性，但是在0v附近，或者壓降為負(fù)值時(shí)，cmos電容的電容值已經(jīng)開始明顯下降。cmos電容的這個(gè)特性，會導(dǎo)致其無法在一些對失真度比較敏感的濾波器中使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N濾波器。

2、本申請實(shí)施方式中的濾波器包括原始濾波器組件以及電位平移支路，所述原始濾波器組件包括目標(biāo)電容；

3、所述電位平移支路被配置為在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)升高或降低所述原始濾波器組件的輸出電壓，以控制目標(biāo)電容始終在線性區(qū)工作。

4、在某些實(shí)施方式中，所述原始濾波器組件包括運(yùn)算放大器，所述電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端口以及所述目標(biāo)電容的第二極之間，所述目標(biāo)電容的第一級連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口。

5、在某些實(shí)施方式中，所述電位平移支路包括電平移位器，所述電平移位器的第一極連接所述目標(biāo)電容的第二極，所述電平移位器的第二極連接所述運(yùn)算放大器的輸出端口。

6、在某些實(shí)施方式中，所述目標(biāo)電容的極性方向與所述電平移位器的極性方向滿足預(yù)設(shè)條件，以實(shí)現(xiàn)在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)降低或升高所述運(yùn)算放大器輸出端口的輸出電壓。

7、在某些實(shí)施方式中，所述原始濾波器組件還包括反饋電阻，所述反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的輸出端口之間。

8、在某些實(shí)施方式中，所述原始濾波器組件包括運(yùn)算放大器，第一電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口以及第一目標(biāo)電容的第二極之間，第二電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口以及第二目標(biāo)電容的第一極之間；

9、所述第一目標(biāo)電容的第一極連接所述運(yùn)算放大器的正相輸入端口，所述第二目標(biāo)電容的第二極連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口。

10、在某些實(shí)施方式中，所述第一電位平移支路包括第一電平移位器，所述第一電平移位器的第一極連接所述第一目標(biāo)電容的第二極，所述第一電平移位器的第二極連接所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口；

11、所述第二電位平移支路包括第二電平移位器，所述第二電平移位器的第二極連接所述第二目標(biāo)電容的第二極，所述第二電平移位器的第一極連接所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口。

12、在某些實(shí)施方式中，所述第一目標(biāo)電容的極性方向與所述第一電平移位器的極性方向滿足第一預(yù)設(shè)條件，以實(shí)現(xiàn)在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)降低或升高所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口的輸出電壓；

13、所述第二目標(biāo)電容的極性方向與所述第二電平移位器的極性方向滿足第二預(yù)設(shè)條件，以實(shí)現(xiàn)在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)升高或降低所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口的輸出電壓。

14、在某些實(shí)施方式中，所述原始濾波器組件還包括第一反饋電阻以及第二反饋電阻，所述第一反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的正相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口之間，所述第二反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口之間。

15、在某些實(shí)施方式中，所述目標(biāo)電容、第一目標(biāo)電容和/或第二目標(biāo)電容為cmos電容器。

16、如此，本申請實(shí)施方式中的濾波器可以在通用的、且采用了cmos電容器的濾波器電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上通過設(shè)置電位平移支路的方式升高或降低濾波器的輸出端輸出電壓，以使cmos電容器兩端的壓降在整個(gè)信號周期內(nèi)始終保持為正，從而在整個(gè)信號周期內(nèi)控制cmos電容器始終在電容線性度較好的電壓區(qū)域內(nèi)工作、降低濾波器的失真度特性，避免了因cmos電容器在非線性區(qū)工作而導(dǎo)致濾波器失真度超出允許范圍的情況。

17、本申請的實(shí)施方式的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實(shí)施方式的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種濾波器，其特征在于，所述濾波器包括原始濾波器組件以及電位平移支路，所述原始濾波器組件包括目標(biāo)電容；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述原始濾波器組件包括運(yùn)算放大器，所述電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端口以及所述目標(biāo)電容的第二極之間，所述目標(biāo)電容的第一級連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾波器，其特征在于，所述電位平移支路包括電平移位器，所述電平移位器的第一極連接所述目標(biāo)電容的第二極，所述電平移位器的第二極連接所述運(yùn)算放大器的輸出端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濾波器，其特征在于，所述目標(biāo)電容的極性方向與所述電平移位器的極性方向滿足預(yù)設(shè)條件，以實(shí)現(xiàn)在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)降低或升高所述運(yùn)算放大器輸出端口的輸出電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾波器，其特征在于，所述原始濾波器組件還包括反饋電阻，所述反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的輸出端口之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述原始濾波器組件包括運(yùn)算放大器，第一電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口以及第一目標(biāo)電容的第二極之間，第二電位平移支路連接于所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口以及第二目標(biāo)電容的第一極之間；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濾波器，其特征在于，所述第一電位平移支路包括第一電平移位器，所述第一電平移位器的第一極連接所述第一目標(biāo)電容的第二極，所述第一電平移位器的第二極連接所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾波器，其特征在于，所述第一目標(biāo)電容的極性方向與所述第一電平移位器的極性方向滿足第一預(yù)設(shè)條件，以實(shí)現(xiàn)在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)降低或升高所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口的輸出電壓；

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濾波器，其特征在于，所述原始濾波器組件還包括第一反饋電阻以及第二反饋電阻，所述第一反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的正相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的第一輸出端口之間，所述第二反饋電阻連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端口以及所述運(yùn)算放大器的第二輸出端口之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的濾波器，其特征在于，所述目標(biāo)電容、第一目標(biāo)電容和/或第二目標(biāo)電容為cmos電容器。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種濾波器。濾波器包括原始濾波器組件以及電位平移支路，原始濾波器組件包括目標(biāo)電容；電位平移支路被配置為在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)升高或降低原始濾波器組件的輸出電壓，以控制目標(biāo)電容始終在線性區(qū)工作。本申請實(shí)施方式中的濾波器可以在通用的、且采用了CMOS電容器的濾波器電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上通過設(shè)置電位平移支路的方式升高或降低濾波器的輸出端輸出電壓，以使CMOS電容器兩端的壓降在整個(gè)信號周期內(nèi)始終保持為正，從而在整個(gè)信號周期內(nèi)控制CMOS電容器始終在電容線性度較好的電壓區(qū)域內(nèi)工作、降低濾波器的失真度特性，避免了因CMOS電容器在非線性區(qū)工作而導(dǎo)致濾波器失真度超出允許范圍的情況。

技術(shù)研發(fā)人員：閘鋼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳能芯半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15