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垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):41584568發(fā)布日期:2025-04-11 17:34閱讀:17來源:國知局
垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)的制作方法

本申請(qǐng)涉及微波傳輸,具體涉及一種垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。


背景技術(shù):

1、在微波多層板中,通常使用層間垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)組件結(jié)構(gòu)的小型化和高密度設(shè)計(jì)。當(dāng)信號(hào)在不同層之間傳輸時(shí),需要性能良好的互聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)良好的匹配,否則傳輸特性會(huì)變差,給信號(hào)傳輸帶來額外的插入損耗。因此,研究不同層傳輸線之間的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)成為必要。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其能夠解決現(xiàn)有垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)中插入損耗高等技術(shù)問題。

2、本實(shí)用新型提供一種垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其包括沿著第一方向排布的第一傳輸線和第二傳輸線,第一傳輸線包括:第一封裝基板,其在第一方向上具有第一表面,第一表面具有第一凹槽,第一凹槽沿與第一方向垂直的第二方向延伸;第一凸臺(tái),凸設(shè)于第一凹槽的槽底,且沿第二方向延伸,第一凸臺(tái)的側(cè)壁與第一凹槽的側(cè)壁間隔設(shè)置;第一導(dǎo)電層,設(shè)置于第一凸臺(tái)的頂面,第一導(dǎo)電層與第二傳輸線耦合或電性連接;第二導(dǎo)電層,至少設(shè)置于第一凹槽的側(cè)壁上,第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置;以及接地板,設(shè)置于第一表面上,接地板與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置,第二導(dǎo)電層與接地板電性連接。

3、進(jìn)一步的,第一導(dǎo)電層包括相連的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部,第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部沿第二方向延伸排布,第一導(dǎo)電部與第二傳輸線耦合或電性連接;第一導(dǎo)電部的最大寬度大于第二導(dǎo)電部的最大寬度。

4、進(jìn)一步的,第一導(dǎo)電部靠近第二導(dǎo)電部的一側(cè)的寬度大于或等于第二導(dǎo)電部靠近第一導(dǎo)電部的一側(cè)的寬度。

5、進(jìn)一步的,第一凸臺(tái)包括相連的第一凸臺(tái)部以及第二凸臺(tái)部,第一凸臺(tái)部的最大厚度大于第二凸臺(tái)部的最大厚度;第一導(dǎo)電部設(shè)置于第一凸臺(tái)部的頂面,第二導(dǎo)電部設(shè)置于第二凸臺(tái)部的頂面。

6、進(jìn)一步的,第一凸臺(tái)部靠近第二凸臺(tái)部的一側(cè)的厚度大于或等于第二凸臺(tái)部靠近第一凸臺(tái)部的一側(cè)的厚度。

7、進(jìn)一步的,第二傳輸線設(shè)置于接地板遠(yuǎn)離第一封裝基板的一側(cè);第二傳輸線包括:第二封裝基板,其靠近接地板的一側(cè)的表面具有第二凹槽,第二凹槽沿與第二方向延伸;第二凸臺(tái),凸設(shè)于第二凹槽的槽底,且沿第二方向延伸,第二凸臺(tái)的側(cè)壁與第二凹槽的側(cè)壁間隔設(shè)置;第三導(dǎo)電層,設(shè)置于第二凸臺(tái)的頂面,第三導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層耦合或電性連接,第三導(dǎo)電層與接地板絕緣設(shè)置;以及第四導(dǎo)電層,至少設(shè)置于第二凹槽的側(cè)壁上,第四導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層絕緣設(shè)置,第四導(dǎo)電層與接地板電性連接;其中,接地板上設(shè)有第一通孔,第一通孔至少部分暴露第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層,第一通孔的孔壁上設(shè)有第五導(dǎo)電層,第五導(dǎo)電層的一端與第二導(dǎo)電層電性連接,第五導(dǎo)電層的另一端與第四導(dǎo)電層電性連接。

8、進(jìn)一步的,第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間間隔設(shè)置,第三導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層耦合。

9、進(jìn)一步的,第一通孔沿第三方向延伸,第三方向與第一方向垂直,且與第二方向交叉。

10、進(jìn)一步的,第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層直接接觸,第三導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層電性連接。

11、進(jìn)一步的,第一導(dǎo)電層具有第一卡接部,第一凸臺(tái)具有與第一卡接部相互嵌合的第二卡接部;第三導(dǎo)電層具有與第一卡接部相互嵌合的第三卡接部,第二凸臺(tái)具有與第三卡接部相互嵌合的第四卡接部。

12、進(jìn)一步的,第一通孔沿第二方向延伸。

13、進(jìn)一步的,第二傳輸線包括同軸連接器,同軸連接器包括:內(nèi)導(dǎo)體、包圍內(nèi)導(dǎo)體的絕緣層以及包圍絕緣層的外導(dǎo)體,內(nèi)導(dǎo)體沿第一方向凸出于絕緣層;其中,內(nèi)導(dǎo)體與第一導(dǎo)電層電性連接,且與接地板絕緣設(shè)置;其中,第二導(dǎo)電層還覆蓋于第一凹槽的槽底,外導(dǎo)體與第一凹槽的槽底的第二導(dǎo)電層電性連接。

14、進(jìn)一步的,同軸連接器位于接地板遠(yuǎn)離第一封裝基板的一側(cè);接地板在對(duì)應(yīng)于絕緣層的位置處設(shè)有絕緣部,絕緣部在對(duì)應(yīng)于內(nèi)導(dǎo)體的位置處設(shè)有第二通孔;第一凸臺(tái)上設(shè)有開口,第一導(dǎo)電層還設(shè)置于開口內(nèi);內(nèi)導(dǎo)體穿過第二通孔插入開口內(nèi)與第一導(dǎo)電層電性連接;絕緣部周側(cè)的接地板上設(shè)有至少一個(gè)第三通孔,第三通孔的孔壁上設(shè)有第六導(dǎo)電層,第六導(dǎo)電層的一端與第二導(dǎo)電層電性連接,第六導(dǎo)電層的另一端與外導(dǎo)體電性連接。

15、進(jìn)一步的,同軸連接器位于第一封裝基板遠(yuǎn)離接地板的一側(cè);第一凸臺(tái)上具有第四通孔,內(nèi)導(dǎo)體穿過第四通孔與第一導(dǎo)電層電性連接;第一封裝基板上具有至少一個(gè)第五通孔,第五通孔的孔壁上設(shè)有第七導(dǎo)電層,第七導(dǎo)電層的一端與第二導(dǎo)電層電性連接,第七導(dǎo)電層的另一端與外導(dǎo)體電性連接。

16、進(jìn)一步的,第二傳輸線設(shè)置于第一封裝基板遠(yuǎn)離接地板的一側(cè);第二傳輸線包括共面波導(dǎo)傳輸線,共面波導(dǎo)傳輸線包括:中心帶和圍設(shè)于中心帶周側(cè)的接地帶;第一凸臺(tái)上具有第六通孔,第六通孔的孔壁上設(shè)有第八導(dǎo)電層,第八導(dǎo)電層的一端與第一導(dǎo)電層電性連接,第八導(dǎo)電層的另一端與中心帶電性連接;第二導(dǎo)電層還覆蓋于第一凹槽的槽底;第一封裝基板上具有至少一個(gè)第七通孔,第七通孔的孔壁上設(shè)有第九導(dǎo)電層,第九導(dǎo)電層的一端與第一凹槽的槽底的第二導(dǎo)電層電性連接,第九導(dǎo)電層的另一端與接地帶電性連接。

17、本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型的第一傳輸線在第一封裝基板上設(shè)置第一凹槽,在第一凹槽的槽底設(shè)置第一凸臺(tái),在第一凸臺(tái)上設(shè)置第一導(dǎo)電層,在第一凹槽的側(cè)壁上設(shè)置第二導(dǎo)電層,第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置,在第一封裝基板具有第一凹槽的一側(cè)設(shè)置接地板,接地板與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置,第二導(dǎo)電層與接地板電性連接,由此可以大幅度降低第一傳輸線的傳輸損耗,便于與微波毫米波電路集成并且便于形成立體電路結(jié)構(gòu)。

18、將本實(shí)用新型的第一傳輸線和第二傳輸線沿著第一方向排布,第一傳輸線與第二傳輸線耦合或電性連接以實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸,在高頻下低插入損耗、低反射、寬帶、結(jié)構(gòu)簡單。



技術(shù)特征:

1.一種垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,包括沿著第一方向排布的第一傳輸線(1)和第二傳輸線(2),所述第一傳輸線(1)包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電層(13)包括相連的第一導(dǎo)電部(131)和第二導(dǎo)電部(132),所述第一導(dǎo)電部(131)和所述第二導(dǎo)電部(132)沿所述第二方向延伸排布,所述第一導(dǎo)電部(131)與所述第二傳輸線(2)耦合或電性連接;

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電部(131)靠近所述第二導(dǎo)電部(132)的一側(cè)的寬度大于或等于所述第二導(dǎo)電部(132)靠近所述第一導(dǎo)電部(131)的一側(cè)的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凸臺(tái)(12)包括相連的第一凸臺(tái)部(121)以及第二凸臺(tái)部(122),所述第一凸臺(tái)部(121)的最大厚度大于所述第二凸臺(tái)部(122)的最大厚度;

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凸臺(tái)部(121)靠近所述第二凸臺(tái)部(122)的一側(cè)的厚度大于或等于所述第二凸臺(tái)部(122)靠近所述第一凸臺(tái)部(121)的一側(cè)的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二傳輸線(2)設(shè)置于所述接地板(15)遠(yuǎn)離所述第一封裝基板(11)的一側(cè);

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電層(13)和所述第三導(dǎo)電層(23)之間間隔設(shè)置,所述第三導(dǎo)電層(23)與所述第一導(dǎo)電層(13)耦合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一通孔(151)沿第三方向延伸,所述第三方向與所述第一方向垂直,且與所述第二方向交叉。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電層(13)和所述第三導(dǎo)電層(23)直接接觸,所述第三導(dǎo)電層(23)與所述第一導(dǎo)電層(13)電性連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電層(13)具有第一卡接部(1301),所述第一凸臺(tái)(12)具有與所述第一卡接部(1301)相互嵌合的第二卡接部(1201);

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一通孔(151)沿所述第二方向延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二傳輸線(2)包括同軸連接器(201),所述同軸連接器(201)包括:內(nèi)導(dǎo)體(2011)、包圍所述內(nèi)導(dǎo)體(2011)的絕緣層(2012)以及包圍所述絕緣層(2012)的外導(dǎo)體(2013),所述內(nèi)導(dǎo)體(2011)沿所述第一方向凸出于所述絕緣層(2012);

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述同軸連接器(201)位于所述接地板(15)遠(yuǎn)離所述第一封裝基板(11)的一側(cè);

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述同軸連接器(201)位于所述第一封裝基板(11)遠(yuǎn)離所述接地板(15)的一側(cè);

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二傳輸線(2)設(shè)置于所述第一封裝基板(11)遠(yuǎn)離所述接地板(15)的一側(cè);


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括沿著第一方向排布的第一傳輸線和第二傳輸線。第一傳輸線包括:第一封裝基板,其在第一方向上具有第一表面,第一表面具有第一凹槽,第一凹槽沿與第一方向垂直的第二方向延伸;第一凸臺(tái),凸設(shè)于第一凹槽的槽底,且沿第二方向延伸,第一凸臺(tái)的側(cè)壁與第一凹槽的側(cè)壁間隔設(shè)置;第一導(dǎo)電層,設(shè)置于第一凸臺(tái)的頂面,第一導(dǎo)電層與第二傳輸線耦合或電性連接;第二導(dǎo)電層,至少設(shè)置于第一凹槽的側(cè)壁上,第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置;以及接地板,設(shè)置于第一表面上,接地板與第一導(dǎo)電層絕緣設(shè)置,第二導(dǎo)電層與接地板電性連接,降低第一傳輸線的傳輸損耗,便于與微波毫米波電路集成形成立體電路結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員:吳知航,胡錦聰,劉震國,何家偉,張海燕,王青龍,盛賢,孫鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心
技術(shù)研發(fā)日:20240330
技術(shù)公布日:2025/4/10
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