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一種薄膜體聲波諧振器和濾波器的制作方法

文檔序號:41953083發(fā)布日期:2025-05-16 14:16閱讀:9來源:國知局
一種薄膜體聲波諧振器和濾波器的制作方法

本發(fā)明涉及濾波器,尤其涉及一種薄膜體聲波諧振器和濾波器。


背景技術(shù):

1、射頻多工器,例如雙工器或四工器等,能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送信號與接收信號的隔離,從而在現(xiàn)代通信設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。

2、然而,傳統(tǒng)的多工器使用陶瓷、聲表面波和體聲波等濾波器技術(shù),使得一顆雙工器包含兩顆濾波器,一個四工器包含四顆濾波器,從而導(dǎo)致多工器的集成度較低,體積較大。在多頻段多模系統(tǒng)中,不同頻段需要多個雙工器并聯(lián)才能滿足需求,使得多工器占用電路板的空間較大,從而影響系統(tǒng)的緊湊性和設(shè)計靈活性。

3、其次,為了實現(xiàn)高性能的隔離和低插入損耗,射頻雙工器需要和其他射頻器件,如功率放大器和低噪聲放大器等,進行精密匹配,在系統(tǒng)集成過程中容易受到封裝材料、器件間距等因素的干擾,導(dǎo)致設(shè)計過程復(fù)雜、耗時。此外,為了適應(yīng)5g及未來更高頻率的應(yīng)用需求,雙工器的尺寸和集成難度進一步提高。

4、此外,多工器的體積和集成度的限制對設(shè)備的散熱和功耗管理也存在不利影響。高集成度的多工器雖然有利于提高設(shè)備的便攜性,但由于其密度較高,使得熱量積累加劇,從而導(dǎo)致信號衰減,同時會影響設(shè)備性能的穩(wěn)定性。

5、因此,在多工器的設(shè)計中,不僅需要考慮器件的小型化,同時也需要保證設(shè)備的散熱能力,以確保設(shè)備在高頻工作時的穩(wěn)定性和可靠性。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種薄膜體聲波諧振器和濾波器,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,實現(xiàn)多工器的小型化的同時,提高散熱能力。

2、第一方面,本發(fā)明提供了一種薄膜體聲波諧振器,包括:

3、襯底;所述襯底的頂部設(shè)置有空腔;

4、位于所述襯底的頂部的第一電極;

5、位于所述第一電極的頂部的第一壓電層;

6、位于所述第一壓電層的頂部的第二電極;

7、還包括:至少一個功能結(jié)構(gòu);所述功能結(jié)構(gòu)位于所述第一壓電層的底部至所述第二電極的上方;所述功能結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影落入所述空腔內(nèi),且所述功能結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影的面積小于所述空腔的面積。

8、可選的,所述功能結(jié)構(gòu)包括溫補層結(jié)構(gòu);所述溫補層結(jié)構(gòu)位于所述第一壓電層或者所述第二電極的上方。

9、可選的,所述功能結(jié)構(gòu)還包括第三電極;

10、所述第三電極位于所述第二電極的上方,且所述第三電極在所述襯底上的正投影覆蓋所述溫補層結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影。

11、可選的,所述第三電極的密度大于所述第二電極的密度。

12、可選的,所述功能結(jié)構(gòu)還包括第二壓電層結(jié)構(gòu);

13、所述第二壓電層結(jié)構(gòu)位于所述第一壓電層中或者第一壓電層上方,且所述第二壓電層結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影覆蓋所述溫補層結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影。

14、可選的,所述第二壓電層c軸和所述第一壓電層的c軸的取向方向相同。

15、可選的,所述功能結(jié)構(gòu)包括n個子功能結(jié)構(gòu);各所述子功能結(jié)構(gòu)的厚度不同;

16、其中,n為大于或等于1的整數(shù)。

17、可選的,當(dāng)所述功能結(jié)構(gòu)包括1個所述子功能結(jié)構(gòu)時,所述空腔的面積為s1,所述功能結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影的面積為s2,所述s2的取值范圍為:1/3s1≤s2≤2/3s1。

18、第二方面,本發(fā)明還提供一種濾波器,包括輸入端口、輸出端口和上述任一項所述薄膜體聲波諧振器。

19、可選的,多個薄膜體聲波諧振器包括多個串聯(lián)諧振器和多個并聯(lián)諧振器;

20、所述串聯(lián)諧振器的第一壓電層的厚度小于所述并聯(lián)諧振器的第一壓電層的厚度。。

21、本發(fā)明的技術(shù)方案,通過使薄膜體聲波諧振器依次包括設(shè)置有空腔的襯底、第一電極、第一壓電層和第二電極,以及位于第一壓電層的底部至第二電極的頂部功能結(jié)構(gòu),功能結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影落入空腔內(nèi),且功能結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影的面積小于空腔的面積,使得對諧振器的第一電極和第二電極施加電壓時,由于存在逆壓電效應(yīng),諧振器產(chǎn)生多種諧振頻率,從而使得由該諧振器形成的濾波器實現(xiàn)多通帶濾波器響應(yīng),進而能夠使多工器僅包含一顆濾波器,實現(xiàn)多工器的小型化的同時,能夠提高散熱能力。

22、應(yīng)當(dāng)理解,本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識本發(fā)明的實施例的關(guān)鍵或重要特征,也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。



技術(shù)特征:

1.一種薄膜體聲波諧振器,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述功能結(jié)構(gòu)包括溫補層結(jié)構(gòu);所述溫補層結(jié)構(gòu)位于所述第一壓電層或者所述第二電極的上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述功能結(jié)構(gòu)還包括第三電極;

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述第三電極的密度大于所述第二電極的密度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述功能結(jié)構(gòu)還包括第二壓電層結(jié)構(gòu);

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述第二壓電層c軸和所述第一壓電層的c軸的取向方向相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,所述功能結(jié)構(gòu)包括n個子功能結(jié)構(gòu);各所述子功能結(jié)構(gòu)的厚度不同;

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜體聲波諧振器,其特征在于,當(dāng)所述功能結(jié)構(gòu)包括1個所述子功能結(jié)構(gòu)時,所述空腔的面積為s1,所述功能結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影的面積為s2,所述s2的取值范圍為:1/3s1≤s2≤2/3s1。

9.一種濾波器,其特征在于,包括輸入端口、輸出端口和多個如權(quán)利要求1-8中任一項所述薄膜體聲波諧振器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波器,其特征在于,多個薄膜體聲波諧振器包括多個串聯(lián)諧振器和多個并聯(lián)諧振器;


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄膜體聲波諧振器和濾波器,該薄膜體聲波諧振器包括:襯底;襯底的頂部設(shè)置有空腔;位于襯底的頂部的第一電極;位于第一電極的頂部的第一壓電層;位于第一壓電層的頂部的第二電極;還包括:至少一個功能結(jié)構(gòu);功能結(jié)構(gòu)位于第一壓電層的底部至第二電極的上方;功能結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影落入空腔內(nèi),且功能結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影的面積小于空腔的面積。本發(fā)明的技術(shù)方案,使得由該諧振器形成的濾波器實現(xiàn)多通帶濾波器響應(yīng),進而能夠使多工器僅包含一顆濾波器,實現(xiàn)多工器的小型化的同時,能夠提高散熱能力。

技術(shù)研發(fā)人員:高超,楊思潔,代金豪,蔡耀,國世上,孫成亮
受保護的技術(shù)使用者:武漢敏聲新技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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