本公開涉及攝像裝置及處理電路。
背景技術(shù):
1、作為mos(metal?oxide?semiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)型的攝像裝置,提出了層疊型的攝像裝置。層疊型的攝像裝置中,在半導(dǎo)體基板的表面層疊光電變換層。此外,在層疊型的攝像裝置中,按每個(gè)像素,將在光電變換層內(nèi)通過光電變換產(chǎn)生的電荷作為信號(hào)電荷積蓄到也被稱作fd(floating?diffusion:浮動(dòng)擴(kuò)散)的電荷積蓄區(qū)域中。關(guān)于所積蓄的電荷,在半導(dǎo)體基板內(nèi)使用cmos(complementary?mos)電路讀出。在這樣的層疊型的攝像裝置中,光電變換層內(nèi)的電荷通過電場(chǎng)而移動(dòng)。因此,已知有例如如專利文獻(xiàn)1及2那樣能夠通過控制光電變換層周圍的電位狀態(tài)來控制攝像裝置的靈敏度的技術(shù)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2019-176463號(hào)公報(bào)
5、專利文獻(xiàn)2:日本特開2019-140673號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、如在專利文獻(xiàn)1及2所公開的能夠通過控制光電變換層周圍的電位狀態(tài)來控制靈敏度的攝像裝置中,會(huì)產(chǎn)生讀出的信號(hào)的大小相對(duì)于入射光量不再線性地變化的情況。在本公開中,提供能夠在相對(duì)于入射光量的關(guān)系上通過簡(jiǎn)單的方法對(duì)信號(hào)進(jìn)行線性修正的攝像裝置等。
3、用來解決課題的手段
4、為了解決上述課題,有關(guān)本公開的一技術(shù)方案的攝像裝置具備:光電變換部,包括第1電極、第2電極、以及上述第1電極與上述第2電極之間的光電變換層,接受光而生成電荷;電壓供給電路,對(duì)上述第1電極供給第1電壓;檢測(cè)電路,輸出與上述第2電極的電位變化對(duì)應(yīng)的信號(hào),上述第2電極的電位變化是與向上述光電變換部的入射光量相應(yīng)的變化;以及圖像處理電路,對(duì)來自上述檢測(cè)電路的上述信號(hào)進(jìn)行修正,輸出修正后的上述信號(hào),上述光電變換部具有如下光電變換特性:當(dāng)上述第1電極與上述第2電極之間的電位差在第1電壓范圍內(nèi)時(shí),在上述第1電極與上述第2電極之間流動(dòng)的光電流相對(duì)于上述電位差線性地變化,上述電壓供給電路對(duì)上述第1電極供給上述第1電壓,以使對(duì)應(yīng)于向上述光電變換部的入射光量而上述電位差可取的電壓范圍包含上述第1電壓范圍的至少一部分,上述圖像處理電路基于根據(jù)上述電位差在上述第1電壓范圍內(nèi)時(shí)的相對(duì)于向上述光電變換部的入射光量的上述第2電極的電位變化來導(dǎo)出的變換函數(shù),對(duì)上述信號(hào)進(jìn)行修正,以使輸出相對(duì)于向上述光電變換部的入射光量線性地變化。
5、此外,有關(guān)本公開的一技術(shù)方案的處理電路,基于由下述(式1)表示的變換函數(shù)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行修正,輸出修正后的上述輸入信號(hào)。
6、[數(shù)式1]
7、
8、其中,y是上述變換函數(shù)的輸入值,y是上述變換函數(shù)的輸出值,ymax是上述變換函數(shù)的輸入值的最大值,δ是比例常數(shù)。
9、發(fā)明效果
10、根據(jù)本公開,能夠提供能夠在相對(duì)于入射光量的關(guān)系上通過簡(jiǎn)單的方法對(duì)信號(hào)進(jìn)行線性修正的攝像裝置。
1.一種攝像裝置,其中,具備:
2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其中,
3.如權(quán)利要求2所述的攝像裝置,其中,
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置,其中,
5.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置,其中,
6.如權(quán)利要求5所述的攝像裝置,其中,
7.如權(quán)利要求5所述的攝像裝置,其中,
8.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的攝像裝置,其中,
9.一種處理電路,其中,
10.如權(quán)利要求9所述的處理電路,其中,
11.如權(quán)利要求9或10所述的處理電路,其中,