本申請屬于通信，具體涉及一種射頻電路、射頻控制方法、裝置、電子設備及介質。

背景技術：

1、目前，各大移動通信設備廠商致力于提升射頻前端器件的發(fā)射功率和接收靈敏度，以追求更好的通信體驗。例如，某個射頻功率放大器(power?amplifier，pa)的極限發(fā)射功率28dbm，除去pa輸出端的濾波器、開關、走線等因素帶來的插損(假設為2db)以及產線測試波動上限1db，要求在射頻測試座的目標功率做到25dbm，但有時在極端環(huán)境條件下，設備的發(fā)射功率可能存在異常。

2、通常平臺會設置多個高溫檔位用于寫入溫補參數，如50℃、70℃、80℃等，在不同溫度下調用不同的pa輸入功率和反饋(fbrx)通路損耗(loss)，使pa發(fā)射功率達到目標值。但受硬件限制目前最高只能做到50℃檔位的補償參數，對于50℃以上檔位都采用50℃檔位的參數，這樣會使得高溫下的pa發(fā)射功率偏高，繼而引起器件可靠性問題，影響設備使用壽命。

技術實現思路

1、本申請實施例的目的是提供一種射頻電路、射頻控制方法、裝置、電子設備及介質，能夠解決現有技術中在高溫下pa發(fā)射功率偏高，從而引起器件可靠性問題，影響設備使用壽命的問題。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種射頻電路，包括：

3、射頻模塊；

4、功率放大器pa，所述pa的輸入端與所述射頻模塊的發(fā)射端連接；

5、低噪聲放大器lna，所述lna的輸出端與所述射頻模塊的接收端連接；

6、雙工器，所述雙工器的第一端與所述pa的輸出端連接，所述雙工器的第二端與所述lna的輸入端連接；

7、耦合器，所述耦合器的第一端與所述雙工器的第三端連接；

8、天線，所述天線與所述耦合器的第二端連接；

9、衰減單元，所述衰減單元的第一端與所述射頻模塊的反饋端連接，所述衰減單元的第二端與所述耦合器的第三端連接，所述衰減單元包括第一通路和第二通路，所述第一通路對應的衰減值小于所述第二通路對應的衰減值；

10、其中，所述第一通路和所述第二通路分別工作于不同環(huán)境溫度。

11、第二方面，本申請實施例提供了一種電子設備，包括第一方面所述的射頻電路。

12、第三方面，本申請實施例提供了一種射頻控制方法，由第二方面所述的電子設備執(zhí)行，所述方法包括：

13、在檢測到環(huán)境溫度低于預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第二通路工作；

14、在檢測到環(huán)境溫度高于或等于所述預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第一通路工作。

15、第四方面，本申請實施例提供了一種射頻控制裝置，設置在第二方面所述的電子設備，所述射頻控制裝置包括：

16、第一控制模塊，用于在檢測到環(huán)境溫度低于預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第二通路工作；

17、第二控制模塊，用于在檢測到環(huán)境溫度高于或等于所述預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第一通路工作。

18、第五方面，本申請實施例提供了一種電子設備，該電子設備包括處理器和存儲器，所述存儲器存儲可在所述處理器上運行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時實現如第三方面所述的方法的步驟。

19、第六方面，本申請實施例提供了一種可讀存儲介質，所述可讀存儲介質上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時實現如第三方面所述的方法的步驟。

20、第七方面，本申請實施例提供了一種芯片，所述芯片包括處理器和通信接口，所述通信接口和所述處理器耦合，所述處理器用于運行程序或指令，實現如第三方面所述的方法。

21、第八方面，本申請實施例提供一種計算機程序產品，該程序產品被存儲在存儲介質中，該程序產品被至少一個處理器執(zhí)行以實現如第三方面所述的方法。

22、在本申請實施例中，射頻電路，包括：射頻模塊；功率放大器pa，所述pa的輸入端與所述射頻模塊的發(fā)射端連接；低噪聲放大器lna，所述lna的輸出端與所述射頻模塊的接收端連接；雙工器，所述雙工器的第一端與所述pa的輸出端連接，所述雙工器的第二端與所述lna的輸入端連接；耦合器，所述耦合器的第一端與所述雙工器的第三端連接；天線，所述天線與所述耦合器的第二端連接；衰減單元，所述衰減單元的第一端與所述射頻模塊的反饋端連接，所述衰減單元的第二端與所述耦合器的第三端連接，所述衰減單元包括第一通路和第二通路，所述第一通路對應的衰減值小于所述第二通路對應的衰減值；其中，所述第一通路和所述第二通路分別工作于不同環(huán)境溫度。

23、在檢測到環(huán)境溫度低于預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第二通路工作；在檢測到環(huán)境溫度高于或等于所述預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第一通路工作。這樣，通過在反饋通路上增加一個具有多檔衰減值的衰減單元，可以實現在高溫環(huán)境下動態(tài)調整反饋通路的損耗，從而達到降低pa輸出功率的目的，避免pa輸出功率過高導致器件失效，延長設備的使用壽命。

技術特征：

1.一種射頻電路，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的射頻電路，其特征在于，所述衰減單元包括第一切換開關、π型衰減電路和第二切換開關，所述第一切換開關的固定端與所述射頻模塊的反饋端連接，所述第一切換開關的第一動端與所述第二切換開關的第一動端連接，所述第一切換開關的第二動端與所述π型衰減電路的第一端連接，所述第二切換開關的第二動端與所述π型衰減電路的第二端連接，所述第二切換開關的固定端與所述耦合器的第二端連接；

3.根據權利要求2所述的射頻電路，其特征在于，所述π型衰減電路包括第一元器件、第二元器件和第三元器件，所述第一元器件的第一端和第二端分別與所述第一切換開關的第二動端和第二切換開關的第二動端連接，所述第二元器件的第一端與所述第一切換開關的第二動端連接，所述第二元器件的第二端接地，所述第三元器件的第一端與所述第二切換開關的第二動端連接，所述第三元器件的第二端接地。

4.根據權利要求3所述的射頻電路，其特征在于，所述第一元器件包括第一電阻和第二電阻，所述第二元器件包括第三電阻和第四電阻，所述第三元器件第五電阻和第六電阻，所述π型衰減電路還包括第三切換開關，其中，所述第一電阻的第一端與所述第一切換開關的第二動端連接，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端連接，所述第二電阻的第二端與所述第二切換開關的第二動端連接，所述第三電阻的第一端與所述第一切換開關的第一端連接，所述第三電阻的第二端與所述第四電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端接地，所述第五電阻的第一端與所述第二切換開關的第二動端連接，所述第五電阻的第二端與所述第六電阻的第一端連接，所述第六電阻的第二端接地，所述第二電阻的第一端和第二端分別與所述第三切換開關的第一端和第四端連接，所述第四電阻的第一端和第二端分別與所述第三切換開關的第二端和第三端連接，所述第六電阻的第一端和第二端分別與所述第三切換開關的第五端和第六端連接；

5.根據權利要求4所述的射頻電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻的阻值相等，所述第三電阻和所述第四電阻的阻值相等，所述第五電阻和所述第六電阻的阻值相等。

6.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1至5中任一項所述的射頻電路。

7.一種射頻控制方法，其特征在于，由權利要求6所述的電子設備執(zhí)行，所述方法包括：

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述射頻電路為權利要求4所述的射頻電路的情況下，所述在檢測到環(huán)境溫度低于預設溫度閾值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第二通路工作，包括：

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述實際發(fā)射功率與目標功率的差值大于所述第一衰減值的情況下，控制所述衰減單元使用所述第一通路工作，包括：

10.一種射頻控制裝置，其特征在于，設置在權利要求6所述的電子設備，所述射頻控制裝置包括：

11.一種電子設備，其特征在于，包括處理器和存儲器，所述存儲器存儲可在所述處理器上運行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時實現如權利要求7至9任一項所述的射頻控制方法的步驟。

12.一種可讀存儲介質，其特征在于，所述可讀存儲介質上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時實現如權利要求7至9任一項所述的射頻控制方法的步驟。

技術總結
本申請公開了一種射頻電路、射頻控制方法、裝置、電子設備及介質，屬于通信技術領域。該射頻電路包括：射頻模塊；功率放大器PA，PA的輸入端與射頻模塊的發(fā)射端連接；低噪聲放大器LNA，LNA的輸出端與射頻模塊的接收端連接；雙工器，雙工器的第一端與PA的輸出端連接，雙工器的第二端與LNA的輸入端連接；耦合器，耦合器的第一端與雙工器的第三端連接；天線，天線與耦合器的第二端連接；衰減單元，衰減單元的第一端與射頻模塊的反饋端連接，衰減單元的第二端與耦合器的第三端連接，衰減單元包括第一通路和第二通路，第一通路對應的衰減值小于第二通路對應的衰減值；第一通路和所述第二通路分別工作于不同環(huán)境溫度。

技術研發(fā)人員：鄒浩,張郝令,唐梓晨
受保護的技術使用者：維沃移動通信有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/15